Artykuły w czasopismach na temat „Multigate transistor”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Multigate transistor”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Lee, Chi-Woo, Aryan Afzalian, Nima Dehdashti Akhavan, Ran Yan, Isabelle Ferain i Jean-Pierre Colinge. "Junctionless multigate field-effect transistor". Applied Physics Letters 94, nr 5 (2.02.2009): 053511. http://dx.doi.org/10.1063/1.3079411.
Pełny tekst źródłaMartins, Rodrigo, Diana Gaspar, Manuel J. Mendes, Luis Pereira, Jorge Martins, Pydi Bahubalindruni, Pedro Barquinha i Elvira Fortunato. "Papertronics: Multigate paper transistor for multifunction applications". Applied Materials Today 12 (wrzesień 2018): 402–14. http://dx.doi.org/10.1016/j.apmt.2018.07.002.
Pełny tekst źródłaJayachandran, Remya, Dhanaraj Jagalchandran i Perinkolam Chidambaram Subramaniam. "Planar CMOS and multigate transistors based wide-band OTA buffer amplifiers for heavy resistance load". Facta universitatis - series: Electronics and Energetics 35, nr 1 (2022): 13–28. http://dx.doi.org/10.2298/fuee2201013j.
Pełny tekst źródłaSelvi, K. Kalai, K. S. Dhanalakshmi i Kalaivani Kanagarajan. "Performance Estimation of Recessed Modified Junctionless Multigate Transistor". Journal of Nano- and Electronic Physics 14, nr 1 (2022): 01008–1. http://dx.doi.org/10.21272/jnep.14(1).01008.
Pełny tekst źródłaKohda, S., K. Masuda, K. Matsuzawa i Y. Kitano. "A giant chip multigate transistor ROM circuit design". IEEE Journal of Solid-State Circuits 21, nr 5 (październik 1986): 713–19. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.1986.1052599.
Pełny tekst źródłaDelgado-Notario, Juan A., Wojciech Knap, Vito Clericò, Juan Salvador-Sánchez, Jaime Calvo-Gallego, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe i in. "Enhanced terahertz detection of multigate graphene nanostructures". Nanophotonics 11, nr 3 (3.01.2022): 519–29. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2021-0573.
Pełny tekst źródłaOno, Y., H. Inokawa i Y. Takahashi. "Binary adders of multigate single-electron transistors: specific design using pass-transistor logic". IEEE Transactions on Nanotechnology 1, nr 2 (czerwiec 2002): 93–99. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2002.804743.
Pełny tekst źródłaWahid, Syamsudin Nur. "SIMULASI KUANTUM TRANSISTOR EFEK MEDAN MULTI GERBANG (NWFET)". Jurnal Qua Teknika 7, nr 1 (15.03.2017): 53–64. http://dx.doi.org/10.35457/quateknika.v7i1.218.
Pełny tekst źródłaWahid, Syamsudin Nur. "SIMULASI KUANTUM TRANSISTOR EFEK MEDAN MULTI GERBANG (NWFET)". JURNAL QUA TEKNIKA 7, nr 1 (15.03.2017): 53–64. http://dx.doi.org/10.30957/quateknika.v7i1.218.
Pełny tekst źródłaCheng, Hui-Wen, i Yiming Li. "Comparative Study of Multigate and Multifin Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor". Japanese Journal of Applied Physics 49, nr 4 (20.04.2010): 04DC09. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.49.04dc09.
Pełny tekst źródłaPandian, M. Karthigai, N. B. Balamurugan i A. Pricilla. "Potential and Quantum Threshold Voltage Modeling of Gate-All-Around Nanowire MOSFETs". Active and Passive Electronic Components 2013 (2013): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2013/153157.
Pełny tekst źródłaPark, Jae-Hong, i Chul-Ju Kim. "A Study on the Fabrication of a Multigate/Multichannel Polysilicon Thin Film Transistor". Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 3B (30.03.1997): 1428–32. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.1428.
Pełny tekst źródłaOthman, Noraini, Mohd Khairuddin Md Arshad, Syarifah Norfaezah Sabki i U. Hashim. "Ultra-Thin Body and Buried Oxide (UTBB) SOI MOSFETs on Suppression of Short-Channel Effects (SCEs): A Review". Advanced Materials Research 1109 (czerwiec 2015): 257–61. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1109.257.
Pełny tekst źródłaBonnaud, Olivier, Peng Zhang, Emmanuel Jacques i Régis Rogel. "(Invited) Vertical Channel Thin Film Transistor: Improvement Approach Similar to Multigate Monolithic CMOS Technology". ECS Transactions 37, nr 1 (16.12.2019): 29–37. http://dx.doi.org/10.1149/1.3600721.
Pełny tekst źródłaJana, Biswabandhu, Anindya Jana, Jamuna Kanta Sing i Subir Kumar Sarkar. "Performance of Multigate Single Electron Transistor in Wide Temperature Range and 22 nm Hybrid Technology". Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 9, nr 3 (1.06.2014): 357–62. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2014.1595.
Pełny tekst źródłaParkula, Vitaliy, Marcello Berto, Chiara Diacci, Bianca Patrahau, Michele Di Lauro, Alessandro Kovtun, Andrea Liscio i in. "Harnessing Selectivity and Sensitivity in Electronic Biosensing: A Novel Lab-on-Chip Multigate Organic Transistor". Analytical Chemistry 92, nr 13 (2.06.2020): 9330–37. http://dx.doi.org/10.1021/acs.analchem.0c01655.
Pełny tekst źródłaShao, Feng, Ping Feng, Changjin Wan, Xiang Wan, Yi Yang, Yi Shi i Qing Wan. "Multifunctional Logic Demonstrated in a Flexible Multigate Oxide-Based Electric-Double-Layer Transistor on Paper Substrate". Advanced Electronic Materials 3, nr 3 (10.02.2017): 1600509. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201600509.
Pełny tekst źródłaKumar, Ravi, E. Sathish Kumar, S. Vijayalakshmi, Dumpa Prasad, A. Mohamedyaseen, Shruti Bhargava Choubey, N. Arun Vignesh i A. Johnson Santhosh. "Design and Analysis of Nanosheet Field-Effect Transistor for High-Speed Switching Applications". Journal of Nanomaterials 2023 (24.07.2023): 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2023/6460617.
Pełny tekst źródłaYedukondalu, Udara, Vinod Arunachalam, Vasudha Vijayasri Bolisetty i Ravikumar Guru Samy. "Fully synthesizable multi-gate dynamic voltage comparator for leakage reduction and low power application". Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science 28, nr 2 (1.11.2022): 716. http://dx.doi.org/10.11591/ijeecs.v28.i2.pp716-723.
Pełny tekst źródłaSaha, Priyanka, Rudra Sankar Dhar, Swagat Nanda, Kuleen Kumar i Moath Alathbah. "The Optimization and Analysis of a Triple-Fin Heterostructure-on-Insulator Fin Field-Effect Transistor with a Stacked High-k Configuration and 10 nm Channel Length". Nanomaterials 13, nr 23 (23.11.2023): 3008. http://dx.doi.org/10.3390/nano13233008.
Pełny tekst źródłaŁukasiak, Lidia, i Andrzej Jakubowski. "History of Semiconductors". Journal of Telecommunications and Information Technology, nr 1 (26.06.2023): 3–9. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2010.1.1015.
Pełny tekst źródłaLee, Chi-Woo, Isabelle Ferain, Aryan Afzalian, Ran Yan, Nima Dehdashti Akhavan, Pedram Razavi i Jean-Pierre Colinge. "Performance estimation of junctionless multigate transistors". Solid-State Electronics 54, nr 2 (luty 2010): 97–103. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2009.12.003.
Pełny tekst źródłaLee, Chi-Woo, Alexei N. Nazarov, Isabelle Ferain, Nima Dehdashti Akhavan, Ran Yan, Pedram Razavi, Ran Yu, Rodrigo T. Doria i Jean-Pierre Colinge. "Low subthreshold slope in junctionless multigate transistors". Applied Physics Letters 96, nr 10 (8.03.2010): 102106. http://dx.doi.org/10.1063/1.3358131.
Pełny tekst źródłaJang, Doyoung, Jae Woo Lee, Chi-Woo Lee, Jean-Pierre Colinge, Laurent Montès, Jung Il Lee, Gyu Tae Kim i Gérard Ghibaudo. "Low-frequency noise in junctionless multigate transistors". Applied Physics Letters 98, nr 13 (28.03.2011): 133502. http://dx.doi.org/10.1063/1.3569724.
Pełny tekst źródłaFerain, Isabelle, Cynthia A. Colinge i Jean-Pierre Colinge. "Multigate transistors as the future of classical metal–oxide–semiconductor field-effect transistors". Nature 479, nr 7373 (listopad 2011): 310–16. http://dx.doi.org/10.1038/nature10676.
Pełny tekst źródłaSong, Yi, i Xiuling Li. "Scaling junctionless multigate field-effect transistors by step-doping". Applied Physics Letters 105, nr 22 (grudzień 2014): 223506. http://dx.doi.org/10.1063/1.4902864.
Pełny tekst źródłaPan, Andrew, Songtao Chen i Chi On Chui. "Electrostatic Modeling and Insights Regarding Multigate Lateral Tunneling Transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 60, nr 9 (wrzesień 2013): 2712–20. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2272040.
Pełny tekst źródłaPrasad, Divya, Ahmet Ceyhan, Chenyun Pan i Azad Naeemi. "Adapting Interconnect Technology to Multigate Transistors for Optimum Performance". IEEE Transactions on Electron Devices 62, nr 12 (grudzień 2015): 3938–44. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2015.2487888.
Pełny tekst źródłaHofheinz, M., X. Jehl, M. Sanquer, R. Cerutti, A. Cros, P. Coronel, H. Brut i T. Skotnicki. "Measurement of Capacitances in Multigate Transistors by Coulomb Blockade Spectroscopy". IEEE Transactions on Nanotechnology 7, nr 1 (styczeń 2008): 74–78. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2007.908683.
Pełny tekst źródłaAldegunde, Manuel, Antonio Jesus Garcia-Loureiro i Karol Kalna. "3D Finite Element Monte Carlo Simulations of Multigate Nanoscale Transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 60, nr 5 (maj 2013): 1561–67. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2253465.
Pełny tekst źródłaShin, Mincheol. "Three-dimensional quantum simulation of multigate nanowire field effect transistors". Mathematics and Computers in Simulation 79, nr 4 (grudzień 2008): 1060–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.matcom.2007.10.007.
Pełny tekst źródłaXie, Dingdong, Jie Jiang, Wennan Hu, Yongli He, Junliang Yang, Jun He, Yongli Gao i Qing Wan. "Coplanar Multigate MoS2 Electric-Double-Layer Transistors for Neuromorphic Visual Recognition". ACS Applied Materials & Interfaces 10, nr 31 (24.07.2018): 25943–48. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.8b07234.
Pełny tekst źródłaBradford, T., i S. P. McAlister. "The use of multiple-gated MOSFETs in a simple application". Canadian Journal of Physics 74, S1 (1.12.1996): 182–85. http://dx.doi.org/10.1139/p96-855.
Pełny tekst źródłaJung, Doohwan, Huan Zhao i Hua Wang. "A CMOS Highly Linear Doherty Power Amplifier With Multigated Transistors". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 67, nr 5 (maj 2019): 1883–91. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2019.2899596.
Pełny tekst źródłaLou, Haijun, Dan Li, Yan Dong, Xinnan Lin, Shengqi Yang, Jin He i Mansun Chan. "Effects of Fin Sidewall Angle on Subthreshold Characteristics of Junctionless Multigate Transistors". Japanese Journal of Applied Physics 52, nr 10R (1.10.2013): 104302. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.52.104302.
Pełny tekst źródłaZhang, Dongli, Mingxiang Wang, Huaisheng Wang i Yilin Yang. "Enhanced Negative Bias Stress Degradation in Multigate Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 64, nr 10 (październik 2017): 4363–67. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2737489.
Pełny tekst źródłaTakahashi, Yasuo, Akira Fujiwara, Kenji Yamazaki, Hideo Namatsu, Kenji Kurihara i Katsumi Murase. "Multigate single-electron transistors and their application to an exclusive-OR gate". Applied Physics Letters 76, nr 5 (31.01.2000): 637–39. http://dx.doi.org/10.1063/1.125843.
Pełny tekst źródłaLou, Haijun, Baili Zhang, Dan Li, Xinnan Lin, Jin He i Mansun Chan. "Suppression of subthreshold characteristics variation for junctionless multigate transistors using high-k spacers". Semiconductor Science and Technology 30, nr 1 (5.12.2014): 015008. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/1/015008.
Pełny tekst źródłaRanjan, Akhil, Ravikiran Lingaparthi, Nethaji Dharmarasu i K. Radhakrishnan. "Enhanced NO2 Gas Sensing Performance of Multigate Pt/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors". Journal of The Electrochemical Society 168, nr 4 (1.04.2021): 047502. http://dx.doi.org/10.1149/1945-7111/abed42.
Pełny tekst źródłaColinge, Jean-Pierre, Aryan Afzalian, Chi-Woo Lee, Ran Yan i Nima Dehdashti Akhavan. "Influence of carrier confinement on the subthreshold swing of multigate silicon-on-insulator transistors". Applied Physics Letters 92, nr 13 (31.03.2008): 133511. http://dx.doi.org/10.1063/1.2907330.
Pełny tekst źródłaChen, Lun-Chun, Yu-Ru Lin, Yu-Shuo Chang i Yung-Chun Wu. "High-Performance Stacked Double-Layer N-Channel Poly-Si Nanosheet Multigate Thin-Film Transistors". IEEE Electron Device Letters 38, nr 9 (wrzesień 2017): 1256–58. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2725325.
Pełny tekst źródłaTae Park, Jong, Jin Young Kim i Jean Pierre Colinge. "Negative-bias-temperature-instability and hot carrier effects in nanowire junctionless p-channel multigate transistors". Applied Physics Letters 100, nr 8 (20.02.2012): 083504. http://dx.doi.org/10.1063/1.3688245.
Pełny tekst źródłaGarcia-Loureiro, Antonio J., Natalia Seoane, Manuel Aldegunde, Raúl Valin, Asen Asenov, Antonio Martinez i Karol Kalna. "Implementation of the Density Gradient Quantum Corrections for 3-D Simulations of Multigate Nanoscaled Transistors". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 30, nr 6 (czerwiec 2011): 841–51. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2011.2107990.
Pełny tekst źródłaElmessary, Muhammad A., Daniel Nagy, Manuel Aldegunde, Jari Lindberg, Wulf G. Dettmer, Djordje Peric, Antonio J. Garcia-Loureiro i Karol Kalna. "Anisotropic Quantum Corrections for 3-D Finite-Element Monte Carlo Simulations of Nanoscale Multigate Transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 63, nr 3 (marzec 2016): 933–39. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2016.2519822.
Pełny tekst źródłaChao Lu, A. V. H. Pham, M. Shaw i C. Saint. "Linearization of CMOS Broadband Power Amplifiers Through Combined Multigated Transistors and Capacitance Compensation". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 55, nr 11 (listopad 2007): 2320–28. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2007.907734.
Pełny tekst źródłaKumar, Nitish, Jialuo Chen, Monodeep Kar, Suresh K. Sitaraman, Saibal Mukhopadhyay i Satish Kumar. "Multigated Carbon Nanotube Field Effect Transistors-Based Physically Unclonable Functions As Security Keys". IEEE Internet of Things Journal 6, nr 1 (luty 2019): 325–34. http://dx.doi.org/10.1109/jiot.2018.2838580.
Pełny tekst źródłaMohamed, Mohamed, Zlatan Aksamija, Wolfgang Vitale, Fawad Hassan, Kyeong-Hyun Park i Umberto Ravaioli. "A Conjoined Electron and Thermal Transport Study of Thermal Degradation Induced During Normal Operation of Multigate Transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 61, nr 4 (kwiecień 2014): 976–83. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2014.2306422.
Pełny tekst źródłaAkhavan, Nima Dehdashti, Aryan Afzalian, Chi-Woo Lee, Ran Yan, Isabelle Ferain, Pedram Razavi, Ran Yu, Giorgos Fagas i Jean-Pierre Colinge. "Effect of intravalley acoustic phonon scattering on quantum transport in multigate silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors". Journal of Applied Physics 108, nr 3 (sierpień 2010): 034510. http://dx.doi.org/10.1063/1.3457848.
Pełny tekst źródłaZhang, Pengpeng, Theresa S. Mayer i Thomas N. Jackson. "2007 IEEE Device Research Conference: Tour de Force Multigate and Nanowire Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors and Their Application". ACS Nano 1, nr 1 (sierpień 2007): 6–9. http://dx.doi.org/10.1021/nn7001344.
Pełny tekst źródłaJung-Hun Oh, Min Han, Sang-Jin Lee, Byoung-Chul Jun, Sung-Woon Moon, Jae-Seo Lee, Jin-Koo Rhee i Sam-Dong Kim. "Effects of Multigate-Feeding Structure on the Gate Resistance and RF Characteristics of 0.1-$\mu{\hbox{m}}$ Metamorphic High Electron-Mobility Transistors". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 57, nr 6 (czerwiec 2009): 1487–93. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2009.2020671.
Pełny tekst źródła