Artykuły w czasopismach na temat „MOSFETs”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „MOSFETs”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Funaki, Tsuyoshi, Yuki Nakano i Takashi Nakamura. "Comparative Study of SiC MOSFETs in High Voltage Switching Operation". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1081–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1081.
Pełny tekst źródłaYoshioka, Hironori, Junji Senzaki, Atsushi Shimozato, Yasunori Tanaka i Hajime Okumura. "Characterization of Interface State Density from Subthreshold Slope of MOSFETs at Low Temperatures (≥ 10 K)". Materials Science Forum 821-823 (czerwiec 2015): 745–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.745.
Pełny tekst źródłaAlbrecht, Matthaeus, Tobias Erlbacher, Anton J. Bauer i Lothar Frey. "Potential of 4H-SiC CMOS for High Temperature Applications Using Advanced Lateral p-MOSFETs". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 821–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.821.
Pełny tekst źródłaChaudhry, Amit, i Nath Roy. "A comparative study of hole and electron inversion layer quantization in MOS structures". Serbian Journal of Electrical Engineering 7, nr 2 (2010): 185–93. http://dx.doi.org/10.2298/sjee1002185c.
Pełny tekst źródłaLichtenwalner, Daniel J., Brett Hull, Vipindas Pala, Edward Van Brunt, Sei-Hyung Ryu, Joe J. Sumakeris, Michael J. O’Loughlin, Albert A. Burk, Scott T. Allen i John W. Palmour. "Performance and Reliability of SiC Power MOSFETs". MRS Advances 1, nr 2 (2016): 81–89. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2015.57.
Pełny tekst źródłaChoi, Cheol-Woong, Jae-Hyeon So, Jae-Sub Ko i Dae-Kyong Kim. "Influence Analysis of SiC MOSFET’s Parasitic Capacitance on DAB Converter Output". Electronics 12, nr 1 (30.12.2022): 182. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12010182.
Pełny tekst źródłaHuang, W., T. Khan i T. P. Chow. "Geometry and Short Channel Effects on Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n-GaN/Sapphire Substrates". International Journal of High Speed Electronics and Systems 17, nr 01 (marzec 2007): 49–53. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156407004230.
Pełny tekst źródłaAllen, Scott, Vipindas Pala, E. VanBrunt, Brett Hull, Lin Cheng, S. Ryu, Jim Richmond, M. O’Loughlin, Al Burk i J. Palmour. "Next-Generation Planar SiC MOSFETs from 900 V to 15 kV". Materials Science Forum 821-823 (czerwiec 2015): 701–4. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.701.
Pełny tekst źródłaBradford, T., i S. P. McAlister. "The use of multiple-gated MOSFETs in a simple application". Canadian Journal of Physics 74, S1 (1.12.1996): 182–85. http://dx.doi.org/10.1139/p96-855.
Pełny tekst źródłaAhn, Tae Jun, i Yun Seop Yu. "Interface Trap Charge Effects of Monolithic 3D Junctionless Field-Effect Transistors (JLFET) Inverter". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, nr 8 (1.08.2021): 4252–57. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19388.
Pełny tekst źródłaHino, Shiro, Naruhisa Miura, Akihiko Furukawa, Shoyu Watanabe, Yukiyasu Nakao, Shuhei Nakata, Masayuki Imaizumi, Hiroaki Sumitani i Tatsuo Oomori. "SiC-MOSFET Structure Enabling Fast Turn-On and -Off Switching". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1097–100. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1097.
Pełny tekst źródłaHatta, Hideyuki, Takaaki Tominaga, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Shingo Tomohisa i Satoshi Yamakawa. "Suppression of Short-Circuit Current with Embedded Source Resistance in SiC-MOSFET". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 727–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.727.
Pełny tekst źródłaNaik, Harsh, i T. Paul Chow. "Study of Mobility Limiting Mechanisms in (0001) 4H and 6H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 595–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.595.
Pełny tekst źródłaAlbrecht, Matthaeus, Tobias Erlbacher, Anton Bauer i Lothar Frey. "Improving 5V Digital 4H-SiC CMOS ICs for Operating at 400°C Using PMOS Channel Implantation". Materials Science Forum 963 (lipiec 2019): 827–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.827.
Pełny tekst źródłaNepomnyaschiy, O. V., Yu V. Krasnobaev, I. E. Sazonov i A. P. Yablonskiy. "A software-based method for energy losses decreasing in cascaded buck + boost DC-DC converter". Journal of Physics: Conference Series 2388, nr 1 (1.12.2022): 012025. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2388/1/012025.
Pełny tekst źródłaSingh, Ajay Kumar. "Modeling of electrical behavior of undoped symmetric Double-Gate (DG) MOSFET using carrier-based approach". COMPEL - The international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering 38, nr 2 (4.03.2019): 815–28. http://dx.doi.org/10.1108/compel-08-2018-0327.
Pełny tekst źródłaPetrosyants, Konstantin O., Igor A. Kharitonov i Lev M. Sambursky. "Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects". Advanced Materials Research 718-720 (lipiec 2013): 750–55. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.718-720.750.
Pełny tekst źródłaGowthaman, Naveenbalaji, i Viranjay Srivastava. "Analysis of <i>InN/La<sub>2</sub>O<sub>3</sub></i> Twosome for Double-Gate MOSFETs for Radio Frequency Applications". Materials Science Forum 1048 (4.01.2022): 147–57. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1048.147.
Pełny tekst źródłaMatocha, Kevin, Peter A. Losee, Arun Gowda, Eladio Delgado, Greg Dunne, Richard Beaupre i Ljubisa Stevanovic. "Performance and Reliability of SiC MOSFETs for High-Current Power Modules". Materials Science Forum 645-648 (kwiecień 2010): 1123–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.1123.
Pełny tekst źródłaEjury, Jens. "Advanced Thermal Simulation Model for Power MOSFETs". International Symposium on Microelectronics 2013, nr 1 (1.01.2013): 000598–603. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2013-wa64.
Pełny tekst źródłaKawahara, Koutarou, Shiro Hino, Koji Sadamatsu, Yukiyasu Nakao, Toshiaki Iwamatsu, Shuhei Nakata, Shingo Tomohisa i Satoshi Yamakawa. "Impact of Embedding Schottky Barrier Diodes into 3.3 kV and 6.5 kV SiC MOSFETs". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 663–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.663.
Pełny tekst źródłaNoborio, Masato, Yuki Negoro, Jun Suda i Tsunenobu Kimoto. "Reduction of On-Resistance in 4H-SiC Multi-RESURF MOSFETs". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 1305–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1305.
Pełny tekst źródłaZou, Yuan, Jue Wang, Hongyi Xu i Hengyu Wang. "Investigation of SiC Trench MOSFETs’ Reliability under Short-Circuit Conditions". Materials 15, nr 2 (13.01.2022): 598. http://dx.doi.org/10.3390/ma15020598.
Pełny tekst źródłaNoborio, Masato, Jun Suda i Tsunenobu Kimoto. "1.5 kV Lateral Double RESURF MOSFETs on 4H-SiC (000-1)C Face". Materials Science Forum 615-617 (marzec 2009): 757–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.757.
Pełny tekst źródłaIÑIGUEZ, BENJAMIN, ROMAIN RITZENTHALER i FRANÇOIS LIME. "COMPACT MODELING OF DOUBLE AND TRI-GATE MOSFETs". International Journal of High Speed Electronics and Systems 22, nr 01 (listopad 2013): 1350004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156413500043.
Pełny tekst źródłaYun, Nick, Justin Lynch i Woong Je Sung. "Experimental Analysis of 600V 4H-SiC Vertical and Lateral MOSFETs Fabricated on the same 6-Inch Substrate Using a Single Process". Materials Science Forum 1004 (lipiec 2020): 830–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.830.
Pełny tekst źródłaHino, Shiro, Masanao Ito, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi i Satoshi Yamakawa. "Investigation on Internally Unbalanced Switching Behavior for Realization of 1-cm2 SiC-MOSFET". Materials Science Forum 778-780 (luty 2014): 963–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.963.
Pełny tekst źródłaAlbrecht, Matthaeus, David Pérez, R. Christian Martens, Anton J. Bauer i Tobias Erlbacher. "Impact of Channel Implantation on a 4H-SiC CMOS Operational Amplifier for High Temperature Applications". Materials Science Forum 1004 (lipiec 2020): 1123–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.1123.
Pełny tekst źródłaBottaro, Enrico, Santi Agatino Rizzo i Nunzio Salerno. "Circuit Models of Power MOSFETs Leading the Way of GaN HEMT Modelling—A Review". Energies 15, nr 9 (7.05.2022): 3415. http://dx.doi.org/10.3390/en15093415.
Pełny tekst źródłaMin, So-Ra, Min-Su Cho, Sang-Ho Lee, Jin Park, Hee-Dae An, Geon-Uk Kim, Young-Jun Yoon i in. "Analysis for DC and RF Characteristics Recessed-Gate GaN MOSFET Using Stacked TiO2/Si3N4 Dual-Layer Insulator". Materials 15, nr 3 (21.01.2022): 819. http://dx.doi.org/10.3390/ma15030819.
Pełny tekst źródłaLichtenwalner, Daniel J., Akin Akturk, James McGarrity, Jim Richmond, Thomas Barbieri, Brett Hull, Dave Grider, Scott Allen i John W. Palmour. "Reliability of SiC Power Devices against Cosmic Ray Neutron Single-Event Burnout". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.559.
Pełny tekst źródłaPeruzzi, Vinicius Vono, William Cruz, Gabriel Augusto Da Silva, Eddy Simoen, Cor Claeys i Salvador Pinillos Gimenez. "Using the Hexagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments". Journal of Integrated Circuits and Systems 15, nr 2 (10.08.2020): 1–5. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v15i2.185.
Pełny tekst źródłaKonishi, Kumiko, Ryusei Fujita, Yuki Mori i Akio Shima. "Investigation of Forward Voltage Degradation due to Process-Induced Defects in 4H-SiC MOSFET". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 365–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.365.
Pełny tekst źródłaMerad, Faiza, i Ahlam Guen-Bouazza. "DC performance analysis of a 20nm gate lenght n-type silicon GAA junctionless (Si JL-GAA) transistor". International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 10, nr 4 (1.08.2020): 4043. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v10i4.pp4043-4052.
Pełny tekst źródłaNakano, Yuki, R. Nakamura, H. Sakairi, Shuhei Mitani i T. Nakamura. "690V, 1.00 mΩcm2 4H-SiC Double-Trench MOSFETs". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1069–72. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1069.
Pełny tekst źródłaWu, Li-Feng, Yong Guan, Xiao-Juan Li i Jie Ma. "Anomaly Detection and Degradation Prediction of MOSFET". Mathematical Problems in Engineering 2015 (2015): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2015/573980.
Pełny tekst źródłaHitchcock, Collin W., i T. Paul Chow. "Common-Drain Bidirectional 1200V SiC MOSFETs". Materials Science Forum 1004 (lipiec 2020): 882–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.882.
Pełny tekst źródłaWatanabe, Yukimune, Noriyasu Kawana, Tsuyoshi Horikawa i Kiichi Kamimura. "Electrical Characterization of 3C-SiC Lateral MOSFETs Fabricated on Heteroepitaxial Films Including High Density of Defects". Materials Science Forum 821-823 (czerwiec 2015): 733–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.733.
Pełny tekst źródłaKim, Tae-Woo. "Effects of Equivalent-Oxide-Thickness and Fin-Width Scaling on In0.53Ga0.47As Tri-Gate Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistors with Al2O3/HfO2 for Low-Power Logic Applications". Electronics 9, nr 1 (26.12.2019): 29. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9010029.
Pełny tekst źródłaPrado, Edemar O., Pedro C. Bolsi, Hamiltom C. Sartori i José R. Pinheiro. "An Overview about Si, Superjunction, SiC and GaN Power MOSFET Technologies in Power Electronics Applications". Energies 15, nr 14 (20.07.2022): 5244. http://dx.doi.org/10.3390/en15145244.
Pełny tekst źródłaZhu, Shengnan, Tianshi Liu, Junchong Fan, Arash Salemi, Marvin H. White, David Sheridan i Anant K. Agarwal. "A New Cell Topology for 4H-SiC Planar Power MOSFETs for High-Frequency Switching". Materials 15, nr 19 (27.09.2022): 6690. http://dx.doi.org/10.3390/ma15196690.
Pełny tekst źródłaYun, Minghui, Miao Cai, Daoguo Yang, Yiren Yang, Jing Xiao i Guoqi Zhang. "Bond Wire Damage Detection Method on Discrete MOSFETs Based on Two-Port Network Measurement". Micromachines 13, nr 7 (7.07.2022): 1075. http://dx.doi.org/10.3390/mi13071075.
Pełny tekst źródłaPotbhare, Siddharth, Neil Goldsman, Gary Pennington, Aivars J. Lelis i J. M. McGarrity. "Time Dependent Trapping and Generation-Recombination of Interface Charges: Modeling and Characterization for 4H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 556-557 (wrzesień 2007): 847–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.847.
Pełny tekst źródłaGalembeck, Egon Henrique Salerno, Denis Flandre, Christian Renaux i Salvador Pinillos Gimenez. "Digital Performance of OCTO Layout Style on SOI MOSFET at High Temperature Environment". Journal of Integrated Circuits and Systems 14, nr 2 (25.08.2019): 1–8. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v14i2.34.
Pełny tekst źródłaQiu, Guoqing, Kedi Jiang, Shengyou Xu, Xin Yang i Wei Wang. "Modeling and analysis of the characteristics of SiC MOSFET". Journal of Physics: Conference Series 2125, nr 1 (1.11.2021): 012051. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2125/1/012051.
Pełny tekst źródłaQin, Mo, Xun, Zhang i Dong. "A Digital-Controlled SiC-Based Solid State Circuit Breaker with Soft Switch-Off Method for DC Power System". Electronics 8, nr 8 (26.07.2019): 837. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8080837.
Pełny tekst źródłaHe, Yan Jing, Hong Liang Lv, Xiao Yan Tang, Qing Wen Song, Yi Meng Zhang i Yu Ming Zhang. "Hole Trapping in the NBTI Characteristic of SiC MOSFETs". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 667–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.667.
Pełny tekst źródłaChen, Jiangui, Yan Li i Mei Liang. "A Gate Driver Based on Variable Voltage and Resistance for Suppressing Overcurrent and Overvoltage of SiC MOSFETs". Energies 12, nr 9 (29.04.2019): 1640. http://dx.doi.org/10.3390/en12091640.
Pełny tekst źródłaKampitsis, Georgios E., Stavros A. Papathanassiou i Stefanos N. Manias. "Comparative Analysis of the Thermal Stress of Si and SiC MOSFETs during Short Circuits". Materials Science Forum 856 (maj 2016): 362–67. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.856.362.
Pełny tekst źródłaOkamoto, Mitsuo, Mieko Tanaka, Tsutomu Yatsuo i Kenji Fukuda. "Fabrication of 4H-SiC p-Channel MOSFET with High Channel Mobility". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 1301–4. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1301.
Pełny tekst źródła