Książki na temat „MOSFETs”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych książek naukowych na temat „MOSFETs”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Limited, Ferranti Electronics. Mosfets. Chadderton: Ferranti Electronics Ltd, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaZetex. Mosfets. Chadderton: Zetex, 1992.
Znajdź pełny tekst źródła(Firm), Harris Semiconductor. Power MOSFETs: Buffered MOSFETs, intelligent discretes. Melbourne, Florida: Harris Semiconductor, 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, Jayant. Silicon RF power MOSFETs. Singapore: World Scientific, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaSilicon RF power MOSFETS. Singapore: World Scientific, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaGimenez, Salvador Pinillos. Layout Techniques for MOSFETS. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-02031-5.
Pełny tekst źródłaKorec, Jacek. Low Voltage Power MOSFETs. New York, NY: Springer New York, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-9320-5.
Pełny tekst źródłaAmberetu, Mathew Atekwana. Lateral superjunction power MOSFETs. Ottawa: National Library of Canada, 2001.
Znajdź pełny tekst źródłaCorporation, Toshiba. Power MOSFETs: SMD, high-voltage. Tokyo: Toshiba Corporation, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaHaddara, Hisham, red. Characterization Methods for Submicron MOSFETs. Boston, MA: Springer US, 1996. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-1355-7.
Pełny tekst źródłaLiou, J. J., A. Ortiz-Conde i F. Garcia-Sanchez. Analysis and Design of Mosfets. Boston, MA: Springer US, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5415-8.
Pełny tekst źródła1945-, Gowar John, red. Power MOSFETS: Theory and applications. New York: Wiley, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaHaddara, Hisham. Characterization Methods for Submicron MOSFETs. Boston, MA: Springer US, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaT, Andre Noah, i Simon Lucas M, red. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaGrattarola, Massimo. Bioelectronics handbook: MOSFETs, biosensors, and neurons. New York: McGraw-Hill, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaOktyabrsky, Serge, i Peide D. Ye. Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs. New York: Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaSverdlov, Viktor. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs. Vienna: Springer Vienna, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-0382-1.
Pełny tekst źródłaOktyabrsky, Serge, i Peide Ye, red. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. Boston, MA: Springer US, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-1547-4.
Pełny tekst źródłaSverdlov, Viktor. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs. Vienna: Springer-Verlag/Wien, 2011.
Znajdź pełny tekst źródłaGroves, N. High speed drive circuits for power MOSFETs. Leatherhead: ERA Technology, 1989.
Znajdź pełny tekst źródła(Firm), Harris Semiconductor. Power MOSFETS for commercial and high reliability applications. Melbourne, Florida: Harris Semiconductor, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.
Znajdź pełny tekst źródłaWilson, C. L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaNassif-Khalil, Sameh G. CMOS-compatible power MOSFETs for on-chip DC/DC converters. Ottawa: National Library of Canada, 2000.
Znajdź pełny tekst źródłaJürgen, Mattausch Hans, i Ezaki Tatsuya, red. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaBufler, Fabian M. Full-band Monte Carlo simulation of nanoscale strained silicon MOSFETs. Konstanz: Hartung-Gorre, 2003.
Znajdź pełny tekst źródłaLiou, Juin J. Analysis and design of MOSFETs: Modeling, simulation, and parameter extraction. Boston, MA: Kluwer Academic Publishers, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaLiou, J. J. Analysis and Design of Mosfets: Modeling, Simulation and Parameter Extraction. Boston, MA: Springer US, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaHatch, John J. Electronics for technicians: Troubleshooting and applications : BJTs, FETs, and MOSFETs. New York, N.Y: Glencoe/McGraw-Hill, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaWilson, Charles L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Washington: National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaL, Wilson C. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaDyke, David William. Binary particle interactions and their role in short channel mosfets. Birmingham: University of Birmingham, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaSoclof, Sidney. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS): Principles and applications. Boston: Artech House, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaKaravolas, Vassilios C. Low dimensional electron transport in GaAs/AlGaAs heterojunctions and Si MOSFETs. [s.l.]: typescript, 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaFranco, Jacopo, Ben Kaczer i Guido Groeseneken. Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications. Dordrecht: Springer Netherlands, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-007-7663-0.
Pełny tekst źródłaSmith, Mark John. Low temperature phonon-drag thermoelectric power calculations in GaAs/GaAlAs heterojunctions and Si MOSFETs. [s.l.]: typescript, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaTaylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaMotorola. Power mosfet transistor data. Wyd. 4. (s.l.): Motorola, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaMotorola. Power MOSFET transistor data. (s.l.): Motorola, 1988.
Znajdź pełny tekst źródłaWarner, R. M. MOSFET theory and design. New York: Oxford University Press, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. Advanced Power MOSFET Concepts. Boston, MA: Springer US, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-5917-1.
Pełny tekst źródłaKulkarni, Shukla Purushottam. Subthreshold modelling of the MOSFET. Birmingham: University of Birmingham, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. New York: Kluwer Academic Publishers, 2002.
Znajdź pełny tekst źródłaChenming, Hu, red. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaGanley, M. D. Two dimensional simulation of a mosfet. Manchester: UMIST, 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaMotorola. TMOS power MOSFET transistor device data. Wyd. 6. Phoenix, AZ: Motorola, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaArora, Narain. MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation. Vienna: Springer Vienna, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-9247-4.
Pełny tekst źródłaBhattacharyya, A. B. Compact MOSFET models for VSLI design. Singapore: Wiley, 2009.
Znajdź pełny tekst źródła