Gotowa bibliografia na temat „MOSFETs”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „MOSFETs”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "MOSFETs"
Funaki, Tsuyoshi, Yuki Nakano i Takashi Nakamura. "Comparative Study of SiC MOSFETs in High Voltage Switching Operation". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1081–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1081.
Pełny tekst źródłaYoshioka, Hironori, Junji Senzaki, Atsushi Shimozato, Yasunori Tanaka i Hajime Okumura. "Characterization of Interface State Density from Subthreshold Slope of MOSFETs at Low Temperatures (≥ 10 K)". Materials Science Forum 821-823 (czerwiec 2015): 745–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.745.
Pełny tekst źródłaAlbrecht, Matthaeus, Tobias Erlbacher, Anton J. Bauer i Lothar Frey. "Potential of 4H-SiC CMOS for High Temperature Applications Using Advanced Lateral p-MOSFETs". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 821–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.821.
Pełny tekst źródłaChaudhry, Amit, i Nath Roy. "A comparative study of hole and electron inversion layer quantization in MOS structures". Serbian Journal of Electrical Engineering 7, nr 2 (2010): 185–93. http://dx.doi.org/10.2298/sjee1002185c.
Pełny tekst źródłaLichtenwalner, Daniel J., Brett Hull, Vipindas Pala, Edward Van Brunt, Sei-Hyung Ryu, Joe J. Sumakeris, Michael J. O’Loughlin, Albert A. Burk, Scott T. Allen i John W. Palmour. "Performance and Reliability of SiC Power MOSFETs". MRS Advances 1, nr 2 (2016): 81–89. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2015.57.
Pełny tekst źródłaChoi, Cheol-Woong, Jae-Hyeon So, Jae-Sub Ko i Dae-Kyong Kim. "Influence Analysis of SiC MOSFET’s Parasitic Capacitance on DAB Converter Output". Electronics 12, nr 1 (30.12.2022): 182. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12010182.
Pełny tekst źródłaHuang, W., T. Khan i T. P. Chow. "Geometry and Short Channel Effects on Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n-GaN/Sapphire Substrates". International Journal of High Speed Electronics and Systems 17, nr 01 (marzec 2007): 49–53. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156407004230.
Pełny tekst źródłaAllen, Scott, Vipindas Pala, E. VanBrunt, Brett Hull, Lin Cheng, S. Ryu, Jim Richmond, M. O’Loughlin, Al Burk i J. Palmour. "Next-Generation Planar SiC MOSFETs from 900 V to 15 kV". Materials Science Forum 821-823 (czerwiec 2015): 701–4. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.701.
Pełny tekst źródłaBradford, T., i S. P. McAlister. "The use of multiple-gated MOSFETs in a simple application". Canadian Journal of Physics 74, S1 (1.12.1996): 182–85. http://dx.doi.org/10.1139/p96-855.
Pełny tekst źródłaAhn, Tae Jun, i Yun Seop Yu. "Interface Trap Charge Effects of Monolithic 3D Junctionless Field-Effect Transistors (JLFET) Inverter". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, nr 8 (1.08.2021): 4252–57. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19388.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "MOSFETs"
Amberetu, Mathew Atekwana. "Lateral superjunction power MOSFETs". Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2001. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp05/MQ63012.pdf.
Pełny tekst źródłaDharmawardana, Kahanawita Gamaethiralalage Padmapani. "High performance power MOSFETs". Thesis, University of Cambridge, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.621963.
Pełny tekst źródłaSyme, Richard Travers. "Thermal transport in MOSFETs". Thesis, University of Cambridge, 1989. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/283665.
Pełny tekst źródłaFard, A. M. "Hot electron currents in MOSFETs". Thesis, University of Surrey, 1994. http://epubs.surrey.ac.uk/843618/.
Pełny tekst źródłaWang, Ping. "Wide band noise in MOSFETs". Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1993. http://hdl.handle.net/1721.1/12345.
Pełny tekst źródłaChen, Xiangdong. "Bandgap engineering in vertical MOSFETs". Access restricted to users with UT Austin EID Full text (PDF) from UMI/Dissertation Abstracts International, 2001. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/fullcit?p3025006.
Pełny tekst źródłaIqbal, M. M. H. "On the static performance of lateral high voltage MOSFETs and novel nanoscale accumulation mode MOSFETs". Thesis, University of Cambridge, 2009. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.604944.
Pełny tekst źródłaLu, Huaxin. "Compact modeling of Double-Gate MOSFETs". Connect to a 24 p. preview or request complete full text in PDF format. Access restricted to UC campuses, 2006. http://wwwlib.umi.com/cr/ucsd/fullcit?p3237382.
Pełny tekst źródłaTitle from first page of PDF file (viewed December 8, 2006). Available via ProQuest Digital Dissertations. Vita. Includes bibliographical references (p. 138-143).
Herrmann, Tom. "Simulation und Optimierung neuartiger SOI-MOSFETs". Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-63173.
Pełny tekst źródłaChen, Chih-Hung. "High-frequency noise modeling of MOSFETs". Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1997. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp05/mq24106.pdf.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "MOSFETs"
Limited, Ferranti Electronics. Mosfets. Chadderton: Ferranti Electronics Ltd, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaZetex. Mosfets. Chadderton: Zetex, 1992.
Znajdź pełny tekst źródła(Firm), Harris Semiconductor. Power MOSFETs: Buffered MOSFETs, intelligent discretes. Melbourne, Florida: Harris Semiconductor, 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, Jayant. Silicon RF power MOSFETs. Singapore: World Scientific, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaSilicon RF power MOSFETS. Singapore: World Scientific, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaGimenez, Salvador Pinillos. Layout Techniques for MOSFETS. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-02031-5.
Pełny tekst źródłaKorec, Jacek. Low Voltage Power MOSFETs. New York, NY: Springer New York, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-9320-5.
Pełny tekst źródłaAmberetu, Mathew Atekwana. Lateral superjunction power MOSFETs. Ottawa: National Library of Canada, 2001.
Znajdź pełny tekst źródłaCorporation, Toshiba. Power MOSFETs: SMD, high-voltage. Tokyo: Toshiba Corporation, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaHaddara, Hisham, red. Characterization Methods for Submicron MOSFETs. Boston, MA: Springer US, 1996. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-1355-7.
Pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "MOSFETs"
Iwai, Hiroshi, Simon Min Sze, Yuan Taur i Hei Wong. "MOSFETs". W Guide to State-of-the-Art Electron Devices, 21–36. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2013. http://dx.doi.org/10.1002/9781118517543.ch2.
Pełny tekst źródłaBhushan, Manjul, i Mark B. Ketchen. "MOSFETs". W Microelectronic Test Structures for CMOS Technology, 139–72. New York, NY: Springer New York, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-9377-9_5.
Pełny tekst źródłaSingh, Ranbir, i B. Jayant Baliga. "Power Mosfets". W Cryogenic Operation of Silicon Power Devices, 65–81. Boston, MA: Springer US, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5751-7_6.
Pełny tekst źródłaBalestra, Francis, i Gérard Ghibaudo. "SOI MOSFETs". W Device and Circuit Cryogenic Operation for Low Temperature Electronics, 37–67. Boston, MA: Springer US, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-3318-1_3.
Pełny tekst źródłaKhanna, Vinod Kumar. "SOI-MOSFETs". W NanoScience and Technology, 95–107. New Delhi: Springer India, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-81-322-3625-2_6.
Pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. "Power MOSFETs". W Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 276–503. Boston, MA: Springer US, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-47314-7_6.
Pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. "Power MOSFETs". W Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 283–520. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-93988-9_6.
Pełny tekst źródłaSiu, Christopher. "Introduction to MOSFETs". W Electronic Devices, Circuits, and Applications, 65–84. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-80538-8_5.
Pełny tekst źródłaKlös, Alexander. "Alternative Nanostruktur-MOSFETs". W Nanoelektronik, 282–307. München: Carl Hanser Verlag GmbH & Co. KG, 2018. http://dx.doi.org/10.3139/9783446456969.010.
Pełny tekst źródłaGimenez, Salvador Pinillos. "Octo Layout Style (Octagonal Gate Shape) for MOSFET". W Layout Techniques for MOSFETS, 21–29. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-02031-5_4.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "MOSFETs"
Ye, Hua, i Pradeep Haldar. "Development of Cryogenic Power Modules for Superconducting Hybrid Power Electronic System". W ASME 2008 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2008. http://dx.doi.org/10.1115/imece2008-69274.
Pełny tekst źródłaHatakeyama, Tomoyuki, Kazuyoshi Fushinobu i Ken Okazaki. "Effect of the Device Structure in Electro-Thermal Analysis of Si CMOS". W ASME 2005 Pacific Rim Technical Conference and Exhibition on Integration and Packaging of MEMS, NEMS, and Electronic Systems collocated with the ASME 2005 Heat Transfer Summer Conference. ASMEDC, 2005. http://dx.doi.org/10.1115/ipack2005-73151.
Pełny tekst źródłaLiu, Yong, Howard Allen i Stephen Martin. "Power Stack Die Package Design, Simulation and Reliability Analysis". W ASME 2010 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2010. http://dx.doi.org/10.1115/imece2010-40725.
Pełny tekst źródłaKearney, Ian, i Hank Sung. "Integrated ESD Robustness through Device Analysis of Ultra-Small Low Voltage Power MOSFETs". W ISTFA 2014. ASM International, 2014. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2014p0350.
Pełny tekst źródłaYining, Liu, Wang Renze, Yang Yapeng, Zhang Jiangang, Wang Ning, Feng Zongyang, Jia Linsheng i Liang Boning. "The Choice of MOSFET Manufacturing Technique Used in Emergency Response Robot". W 2020 International Conference on Nuclear Engineering collocated with the ASME 2020 Power Conference. American Society of Mechanical Engineers, 2020. http://dx.doi.org/10.1115/icone2020-16222.
Pełny tekst źródłaXu, Dongyan, Yuejun Kang, Dongqing Li, Deyu Li, Manoj Sridhar, Anthony B. Hmelo i Leonard C. Feldman. "Ultra-Sensitive Fluidic Sensors by Integrating Fluidic Circuits and MOSFETs". W ASME 2007 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2007. http://dx.doi.org/10.1115/imece2007-42518.
Pełny tekst źródłaTiwari, Ankit, Trevor Davey i Matthew Willis. "CFD Analysis of Transient Heat Conduction in the Electronic Control Circuitry of Steering Wheel Column Adjustment System". W ASME 2021 Heat Transfer Summer Conference collocated with the ASME 2021 15th International Conference on Energy Sustainability. American Society of Mechanical Engineers, 2021. http://dx.doi.org/10.1115/ht2021-63973.
Pełny tekst źródłaPopov, Dmitry. "TCAD SIMULATION OF SELBOX AND DSOI CMOS SRAM FAILURE". W International Forum “Microelectronics – 2020”. Joung Scientists Scholarship “Microelectronics – 2020”. XIII International conference «Silicon – 2020». XII young scientists scholarship for silicon nanostructures and devices physics, material science, process and analysis. LLC MAKS Press, 2020. http://dx.doi.org/10.29003/m1608.silicon-2020/227-229.
Pełny tekst źródłaPetrosyants, Konstantin. "INTRODUCTION INTO TCAD AND SPICE MODELING OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND IC COMPONENTS." W International Forum “Microelectronics – 2020”. Joung Scientists Scholarship “Microelectronics – 2020”. XIII International conference «Silicon – 2020». XII young scientists scholarship for silicon nanostructures and devices physics, material science, process and analysis. LLC MAKS Press, 2020. http://dx.doi.org/10.29003/m1550.silicon-2020/35-40.
Pełny tekst źródłaNi, Chunjian, Zlatan Aksamija, Jayathi Y. Murthy i Umberto Ravaioli. "Coupled Electro-Thermal Simulation of MOSFETs". W ASME 2009 InterPACK Conference collocated with the ASME 2009 Summer Heat Transfer Conference and the ASME 2009 3rd International Conference on Energy Sustainability. ASMEDC, 2009. http://dx.doi.org/10.1115/interpack2009-89182.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "MOSFETs"
Ferry, David K. Transport in Submicron MOSFETS. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, wrzesień 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada173156.
Pełny tekst źródłaWu, Jian, J. Hu, J. H. Zhao, X. Wang, X. Li i T. Burke. High Mobility 4H-SiC Trenched Gate MOSFETs. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, sierpień 2006. http://dx.doi.org/10.21236/ada507271.
Pełny tekst źródłaMatocha, Kevin. High-Current SiC MOSFETs for Automotive Applications (non-proprietary). Office of Scientific and Technical Information (OSTI), styczeń 2018. http://dx.doi.org/10.2172/1416749.
Pełny tekst źródłaWilson, Charles L., i James L. Blue. MOS1 a program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: National Bureau of Standards, 1985. http://dx.doi.org/10.6028/nbs.sp.400-77.
Pełny tekst źródłaOfford, Bruce, C. Milligan, H. Jazo i J. Meloling. An Ultra Low Power 180-Degree, 1-Bit Phase Shifter using MOSFETS. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, wrzesień 2009. http://dx.doi.org/10.21236/ada513799.
Pełny tekst źródłaHall, Douglas C., Gregory L. Snider i Bruce A. Bunker. III-V Compound Semiconductor Native Oxide Mosfets With Focus on Interface Studies. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, lipiec 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada388295.
Pełny tekst źródłaPeršun, Marijan. Scaling of the Silicon-on-Insulator Si and Si1-xGex p-MOSFETs. Portland State University Library, styczeń 2000. http://dx.doi.org/10.15760/etd.6810.
Pełny tekst źródłaGampa, Ravi. High Voltage Multiplier: A New, Compact Design using SiC High Frequency MOSFETs. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), październik 2021. http://dx.doi.org/10.2172/1863893.
Pełny tekst źródłaCooper, James A., i Jr. Development of SiC Power MOSFETs with Low On-Resistance for Military and Commercial Applications. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, marzec 2003. http://dx.doi.org/10.21236/ada414680.
Pełny tekst źródłaCook, E. Improving Switching Performance of Power MOSFETs Used in High Rep-Rate, Short Pulse, High-Power Pulsers. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), wrzesień 2006. http://dx.doi.org/10.2172/896001.
Pełny tekst źródła