Gotowa bibliografia na temat „MOSFET”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „MOSFET”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "MOSFET"
Gonçalves Filho, Luiz C., i Luiz A. P. Santos. "An electronic dosimeter for diagnostic X-ray beams based on a differential amplifier circuit with MOSFETs". EPJ Web of Conferences 288 (2023): 09001. http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/202328809001.
Pełny tekst źródłaLi, Ruizhe. "The advantages and short circuit characteristics of SiC MOSFETs". Applied and Computational Engineering 49, nr 1 (22.03.2024): 58–64. http://dx.doi.org/10.54254/2755-2721/49/20241059.
Pełny tekst źródłaKaur Sidhu, Rajdevinder, Jagpal Singh Ubhi, Alpana Agarwal i Balwinder Raj. "Design and Comparative Analysis of Silicon and GaAs MOSFET for Low Power Applications". Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 18, nr 8 (1.08.2023): 915–23. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2023.3460.
Pełny tekst źródłaLuo, Qixiao. "Research on the advantages and development status of new material MOSFET". Highlights in Science, Engineering and Technology 33 (21.02.2023): 210–18. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v33i.5313.
Pełny tekst źródłaChek Yee, Ooi, Mok Kai Ming i Wong Pei Voon. "DEVICE AND CIRCUIT LEVEL SIMULATION STUDY OF NOR GATE LOGIC FAMILIES DESIGNED USING NANO-MOSFETs". Platform : A Journal of Science and Technology 4, nr 1 (31.05.2021): 73. http://dx.doi.org/10.61762/pjstvol4iss1art11064.
Pełny tekst źródłaAlbrecht, Matthaeus, Tobias Erlbacher, Anton J. Bauer i Lothar Frey. "Potential of 4H-SiC CMOS for High Temperature Applications Using Advanced Lateral p-MOSFETs". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 821–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.821.
Pełny tekst źródłaYoshioka, Hironori, Junji Senzaki, Atsushi Shimozato, Yasunori Tanaka i Hajime Okumura. "Characterization of Interface State Density from Subthreshold Slope of MOSFETs at Low Temperatures (≥ 10 K)". Materials Science Forum 821-823 (czerwiec 2015): 745–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.745.
Pełny tekst źródłaChe, Haoming. "Simulation study on dynamic characteristics of SiC MOSFET". Theoretical and Natural Science 5, nr 1 (25.05.2023): 805–14. http://dx.doi.org/10.54254/2753-8818/5/20230507.
Pełny tekst źródłaAhn, Tae Jun, i Yun Seop Yu. "Interface Trap Charge Effects of Monolithic 3D Junctionless Field-Effect Transistors (JLFET) Inverter". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, nr 8 (1.08.2021): 4252–57. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19388.
Pełny tekst źródłaLichtenwalner, Daniel J., Brett Hull, Vipindas Pala, Edward Van Brunt, Sei-Hyung Ryu, Joe J. Sumakeris, Michael J. O’Loughlin, Albert A. Burk, Scott T. Allen i John W. Palmour. "Performance and Reliability of SiC Power MOSFETs". MRS Advances 1, nr 2 (2016): 81–89. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2015.57.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "MOSFET"
Ngabonziza, Nyampame Christian. "Drivning av Likströmsmotor med MOSFET : DC Motor control by MOSFET". Thesis, Linnéuniversitetet, Institutionen för datavetenskap, fysik och matematik, DFM, 2011. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:lnu:diva-11294.
Pełny tekst źródłaLui, Jerome C. (Jerome Chun Lung). "Automated MOSFET parameter extraction". Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1995. http://hdl.handle.net/1721.1/36583.
Pełny tekst źródłaMajor, Jan. "Počítačové modelování MOSFET tranzistoru". Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2011. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-219148.
Pełny tekst źródłaMunteanu, Daniela. "Modélisation et caractérisation des transistors SOI : du pseudo-MOSFET au MOSFET submicronique ultramince". Grenoble INPG, 1999. http://www.theses.fr/1999INPG0104.
Pełny tekst źródłaShah, Nirav. "Stress modeling of nanoscale MOSFET". [Gainesville, Fla.] : University of Florida, 2005. http://purl.fcla.edu/fcla/etd/UFE0012221.
Pełny tekst źródłaProkhorov, Andrey, i Olesya Gerzheva. "Model of MOSFET in Delphi". Thesis, Högskolan i Halmstad, Sektionen för Informationsvetenskap, Data– och Elektroteknik (IDE), 2011. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:hh:diva-14209.
Pełny tekst źródłaChen, Max Chuan. "Modeling of KTH UTBSOI MOSFET". Thesis, KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), 2014. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-177444.
Pełny tekst źródłaHalvledarkomponenter såsom transistorer och integrerade kretsar finns överallt i vår vardag, det är en av de viktigaste grunderna för dagens informationssamhälle. Nanoteknik möjliggör produktion av lättare, snabbare och effektivare komponenter och system. Tillverkningstekniken har förbättrats avsevärt under de senaste 40 åren, men på de senaste åren har de bulktillverkade transistorerna nått gränserna för Moores lag, när storleken krymper till några tiotal nanometer. De största svårigheterna är att minska energiförbrukningen, förbättra hastigheten samt bevara den låga tillverkningskostnaden. Detta har gett möjlighet för att utvecklar ny halvledarteknik. En av de mest lovande metoderna är implementering av nya transitor arkitekturer, till exempel FinFET och UTBSOI. Detta examensarbete omfattar grunderna i modellering av SOIMOSFET, med hjälp av BSIMSOI och SPICE programvara Cadence kan man modellera KTH transistor. Resultatet av denna studie visar noggrannheten hos BSIMSOI och kan användas för framtida arbete inom ämnet.
李華剛 i Eddie Herbert Li. "Narrow-channel effect in MOSFET". Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 1990. http://hub.hku.hk/bib/B31209312.
Pełny tekst źródłaWang, Yao. "MOSFET strain sensor for microcantilevers". Thesis, Queen's University Belfast, 2014. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.675436.
Pełny tekst źródłaAraújo, Guido Costa Souza de 1962. "Simulação bidimensional de dispositivos MOSFET". [s.n.], 1990. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261310.
Pełny tekst źródłaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Made available in DSpace on 2018-07-13T21:47:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Araujo_GuidoCostaSouzade_M.pdf: 7097802 bytes, checksum: 3989d5131b3e9436f6f55fc6d620a10e (MD5) Previous issue date: 1990
Resumo: Com a drástica diminuição das dimensões nas novas gerações de transistores MOS VLSI, um aumento considerável de efeitos dimensionais no comportamento destes dispositivos tem surgido. Isto traz como conseqüência imediata, a impossibilidade de utilização dos modelos clássicos analíticos no projeto e no estudo destes transistores. A proposta deste trabalho é a de desenvolver um simulador bidimensional para transistores MOSFET de canal curto, que permita uma caracterização precisa destes dispositivos em equilíbrio termodinâmico. Nesta situação, a influência de efeitos dimensionais sobre VT pode ser melhor estudada, possibilitando assim a obtenção de uma primeira aproximação para o projeto destes dispositivos
Mestrado
Mestre em Engenharia Elétrica
Książki na temat "MOSFET"
Taylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaMotorola. Power MOSFET transistor data. (s.l.): Motorola, 1988.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. Advanced Power MOSFET Concepts. Boston, MA: Springer US, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-5917-1.
Pełny tekst źródłaMotorola. Power mosfet transistor data. Wyd. 4. (s.l.): Motorola, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaWarner, R. M. MOSFET theory and design. New York: Oxford University Press, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. New York: Kluwer Academic Publishers, 2002.
Znajdź pełny tekst źródłaChenming, Hu, red. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaKulkarni, Shukla Purushottam. Subthreshold modelling of the MOSFET. Birmingham: University of Birmingham, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "MOSFET"
Di Paolo Emilio, Maurizio. "MOSFET". W Microelectronics, 35–43. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-22545-6_3.
Pełny tekst źródłaCumberbatch, Ellis. "MOSFET Modelling". W Proceedings of the Second European Symposium on Mathematics in Industry, 167–79. Dordrecht: Springer Netherlands, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-2979-1_10.
Pełny tekst źródłaSchroeder, Dietmar. "MOSFET Gate". W Computational Microelectronics, 172–84. Vienna: Springer Vienna, 1994. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6644-4_8.
Pełny tekst źródłaRobins, I. "MOSFET devices". W Chemical Sensors, 225–35. Dordrecht: Springer Netherlands, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-010-9154-1_10.
Pełny tekst źródłaUyemura, John P. "MOSFET Characteristics". W Circuit Design for CMOS VLSI, 21–77. Boston, MA: Springer US, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3620-8_2.
Pełny tekst źródłaNguyen, Cam, i Youngman Um. "Switching MOSFET". W SpringerBriefs in Electrical and Computer Engineering, 37–44. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-46248-2_4.
Pełny tekst źródłaRamshaw, R. S. "The MOSFET". W Power Electronics Semiconductor Switches, 244–93. Boston, MA: Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-6219-8_6.
Pełny tekst źródłaNeacşu, Dorin O. "Power MOSFET". W Automotive Power Systems, 191–210. Boca Raton : CRC Press, 2020.: CRC Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1201/9781003053231-10.
Pełny tekst źródłaXanthakis, John P. "The MOSFET". W Electronic Conduction, 195–236. First edition. | Boca Raton : CRC Press, 2021. | Series: Textbook series in physical sciences: CRC Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1201/9780429506444-7.
Pełny tekst źródłaDivekar, Dileep. "Mosfet Models". W The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science, 57–143. Boston, MA: Springer US, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-1687-9_5.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "MOSFET"
Xiao, Deyuan, Gary Chen, Roger Lee, Daniel Lu, Leong Tan, Yung Liu, C. c. Shen i Jong Kim. "PSDG MOSFET". W 2006 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/vtsa.2006.251068.
Pełny tekst źródłaNakachai, Rattapong, Toempong Phetchakul, Sawatdipong Poonsawat i Amporn Poyai. "Simulation of MOSFET as horizontal magnetic mosfet (MAGFET)". W 2017 2nd International Conference on Frontiers of Sensors Technologies (ICFST). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/icfst.2017.8210464.
Pełny tekst źródłaGokirmak, Ali. "Accumulated Body MOSFET". W 2006 64th Device Research Conference. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2006.305126.
Pełny tekst źródłaFauzan, M. N. Z. A., I. Saad, R. Ismail, Mohamad Rusop, Rihanum Yahaya Subban, Norlida Kamarulzaman i Wong Tin Wui. "Numerical Simulation Characterization of 50nm MOSFET Incorporating Dielectric Pocket (DP-MOSFET)". W INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCEMENT OF MATERIALS AND NANOTECHNOLOGY: (ICAMN—2007). AIP, 2010. http://dx.doi.org/10.1063/1.3377887.
Pełny tekst źródłaCha, Kyuhyun, Jongwoon Yoon, Jinhee Cheon i Kwangsoo Kim. "The limitation of the Split-Gate MOSFET(SG-MOSFET) at 3.3kV". W 2021 International Conference on Electronics, Information, and Communication (ICEIC). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/iceic51217.2021.9369734.
Pełny tekst źródłaRoscoe, N. M., Y. Zhong i S. J. Finney. "Comparing SiC MOSFET, IGBT and Si MOSFET in LV distribution inverters". W IECON 2015 - 41st Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society. IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/iecon.2015.7392188.
Pełny tekst źródłaGarg, Aanchal, i Yashvir Singh. "Nanoscale SiGe Double Gate MOSFET (DG-MOSFET) for Analog/RF Circuits". W 2019 International Conference on Electrical, Electronics and Computer Engineering (UPCON). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/upcon47278.2019.8980278.
Pełny tekst źródłaIkutajima, Yuta, i Hirotaka Koizumi. "Choke-less Class-E Oscillator Using p-MOSFET and n-MOSFET". W 2023 IEEE 32nd International Symposium on Industrial Electronics (ISIE). IEEE, 2023. http://dx.doi.org/10.1109/isie51358.2023.10228146.
Pełny tekst źródłaHogyoku, Michiru. "SOI MOSFET with Body-Terminal-Controlled Capacitive-Coupling (DYTONA SOI MOSFET)". W 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2002. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2002.p9-9.
Pełny tekst źródłaMadhavi, A., i P. Dass. "Investigation of transfer characteristics of enhancement MOSFET comparing with depletion MOSFET". W FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON APPLIED SCIENCES: ICAS2023. AIP Publishing, 2024. http://dx.doi.org/10.1063/5.0198193.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "MOSFET"
Hu, Chenming. Dynamic Threshold-Voltage MOSFET. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, wrzesień 1999. http://dx.doi.org/10.21236/ada368429.
Pełny tekst źródłaZborowski, Jaroslaw T. GaAs-Based Mosfet Employing Epitaxial Al2O3. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, czerwiec 1998. http://dx.doi.org/10.21236/ada363849.
Pełny tekst źródłaSbrockey, Nick M., Gary S. Tompa, Michael G. Spencer i Chandra M. V. S. Chandrashekhar. SiC Power MOSFET with Improved Gate Dielectric. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), sierpień 2010. http://dx.doi.org/10.2172/1067486.
Pełny tekst źródłaWallace, Robert M. Device Performance and Reliability Improvements of AlGaBN/GaN/Si MOSFET. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, luty 2016. http://dx.doi.org/10.21236/ada636905.
Pełny tekst źródłaZhou, Sida. Mobility Modeling and Simulation of SOI Si1-x Gex p-MOSFET. Portland State University Library, styczeń 2000. http://dx.doi.org/10.15760/etd.6830.
Pełny tekst źródłaChow, Louis C., i Robert J. Mauriello. Utilizing ISE-TCAD Software to Simulate Power MOSFET Devices Operating at Cryogenic Temperatures. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, kwiecień 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada387644.
Pełny tekst źródłaBloomfield, P. Materials preparation and fabrication of pyroelectric polymer/silicon MOSFET detector arrays. Final report. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), marzec 1992. http://dx.doi.org/10.2172/106639.
Pełny tekst źródłaThomas, Michael. Software Development for Data Visualization and Analysis of PN-Diodes & MOSFET Devices. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), sierpień 2022. http://dx.doi.org/10.2172/1880917.
Pełny tekst źródłaWallace, Robert M. Device Performance and Reliability Improvements of AlGaN/GaN/Si MOSFET Using Defect-Free Gate Recess and Laser Annealing. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, luty 2015. http://dx.doi.org/10.21236/ada621256.
Pełny tekst źródłaFerry, David K. Transport in Submicron MOSFETS. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, wrzesień 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada173156.
Pełny tekst źródła