Gotowe bibliografie tematyczne / Molecular beam epitaxy / Artykuły w czasopismach

Artykuły w czasopismach na temat „Molecular beam epitaxy”

Kliknij ten link, aby zobaczyć inne rodzaje publikacji na ten temat: Molecular beam epitaxy.
Autor: Grafiati
Data publikacji: 4 czerwca 2021
Data aktualizacji: 8 czerwca 2024

Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych

Wybierz rodzaj źródła:

Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Molecular beam epitaxy”.

Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.

Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.

Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.

1

Yong, T. Y. "Molecular beam epitaxy". IEEE Potentials 8, nr 3 (październik 1989): 18–22. http://dx.doi.org/10.1109/45.41532.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
2

Joyce, B. A. "Molecular beam epitaxy". Reports on Progress in Physics 48, nr 12 (1.12.1985): 1637–97. http://dx.doi.org/10.1088/0034-4885/48/12/002.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
3

Arthur, John R. "Molecular beam epitaxy". Surface Science 500, nr 1-3 (marzec 2002): 189–217. http://dx.doi.org/10.1016/s0039-6028(01)01525-4.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
4

KAMOHARA, Hideaki, i Kazue TAKAHASHI. "Molecular Beam Epitaxy". Journal of the Society of Mechanical Engineers 92, nr 848 (1989): 625–28. http://dx.doi.org/10.1299/jsmemag.92.848_625.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
5

Panish, Morton B. "Molecular-Beam Epitaxy". AT&T Technical Journal 68, nr 1 (2.01.1989): 43–52. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00645.x.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
6

Kulchitsky, N. A. "Atomic and Molecular Beams Control in Molecular Beam Epitaxy". Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 23, nr 1 (24.02.2021): 47–56. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.23.47-56.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
Rapid development of molecular beam epitaxy (MBE) in recent decades has led to the emergence of a variety of technological installations, as well as electronic and optical diagnostics of growing layers, as well as atomic and molecular beams. Known methods for monitoring atomic and molecular beams in MBE installations-mass spectrometric and luminescent - involve bulky sensors, which can only be placed in special growth chambers. This paper describes a structurally simple and fairly universal method for determining the intensities of atomic and molecular beams, based on registering the amount of electron scattering at small angles that occur when a narrow electron beam interacts with the atoms of a vaporized substance. We consider the theoretical prerequisites for the diagnosis of an atomic beam by the phenomenon of scattering of fast electrons in it.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
7

Shiraki, Yasuhiro. "Silicon molecular beam epitaxy". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 3, nr 2 (marzec 1985): 725. http://dx.doi.org/10.1116/1.583126.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
8

Shiraki, Yasuhiro. "Silicon molecular beam epitaxy". Progress in Crystal Growth and Characterization 12, nr 1-4 (styczeń 1986): 45–66. http://dx.doi.org/10.1016/0146-3535(86)90006-7.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
9

Gravesteijn, Dirk J., Gerjan F. A. van De Walle i Aart A. van Gorkum. "Silicon molecular beam epitaxy". Advanced Materials 3, nr 7-8 (lipiec 1991): 351–55. http://dx.doi.org/10.1002/adma.19910030705.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
10

Curless, Jay A. "Molecular beam epitaxy beam flux modeling". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 3, nr 2 (marzec 1985): 531. http://dx.doi.org/10.1116/1.583169.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
11

Li, N. Y., H. K. Dong, C. W. Tu i M. Geva. "p-Type GaAs doped by diiodomethane (CI2H2) in molecular beam epitaxy, metalorganic molecular beam epitaxy, and chemical beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 150 (maj 1995): 246–50. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(95)80215-x.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
12

Barnett, S. A., J. E. Greene i J. E. Sundgren. "Ion-beam doping during molecular beam epitaxy". JOM 41, nr 4 (kwiecień 1989): 16–19. http://dx.doi.org/10.1007/bf03220192.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
13

Morishita, Y., A. Tsuboi, H. Suzuki i K. Sato. "Molecular-Beam Epitaxy of AlGaMnAs". Journal of the Magnetics Society of Japan 23, nr 1_2 (1999): 93–95. http://dx.doi.org/10.3379/jmsjmag.23.93.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
14

Panish, M. B., i H. Temkin. "Gas-Source Molecular Beam Epitaxy". Annual Review of Materials Science 19, nr 1 (sierpień 1989): 209–29. http://dx.doi.org/10.1146/annurev.ms.19.080189.001233.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
15

Longenbach, K. F., i W. I. Wang. "Molecular beam epitaxy of GaSb". Applied Physics Letters 59, nr 19 (4.11.1991): 2427–29. http://dx.doi.org/10.1063/1.106037.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
16

Micovic, M., D. Lubyshev, W. Z. Cai, F. Flack, R. W. Streater, A. J. SpringThorpe i D. L. Miller. "Iodine-assisted molecular beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 175-176 (maj 1997): 428–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(96)00818-4.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
17

Lange, M. D., D. F. Storm i Teresa Cole. "Molecular-beam epitaxy of InTlAs". Journal of Electronic Materials 27, nr 6 (czerwiec 1998): 536–41. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-998-0011-9.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
18

Novák, V., M. Cukr, Z. Šobáň, T. Jungwirth, X. Martí, V. Holý, P. Horodyská i P. Němec. "Molecular beam epitaxy of LiMnAs". Journal of Crystal Growth 323, nr 1 (maj 2011): 348–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.077.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
19

Zhdanov, V. P., i P. R. Norton. "Nucleation during molecular beam epitaxy". Applied Surface Science 81, nr 2 (październik 1994): 109–17. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(94)90040-x.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
20

Davies, G. J., P. J. Skevington, E. G. Scott, C. L. French i J. S. Foord. "Some comparisons of chemical beam epitaxy with gas source molecular beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 107, nr 1-4 (styczeń 1991): 999–1008. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(91)90593-t.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
21

Miner, C. J. "Wafer-scale temperature mapping for molecular beam epitaxy and chemical beam epitaxy". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 11, nr 3 (maj 1993): 998. http://dx.doi.org/10.1116/1.586910.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
22

Tsang, W. T., T. H. Chiu i R. M. Kapre. "Monolayer chemical beam etching: Reverse molecular beam epitaxy". Applied Physics Letters 63, nr 25 (20.12.1993): 3500–3502. http://dx.doi.org/10.1063/1.110132.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
23

Kugiyama, Koichi, Yuichi Hirofuji i Naoto Matsuo. "Si-Beam Radiation Cleaning in Molecular-Beam Epitaxy". Japanese Journal of Applied Physics 24, Part 1, No. 5 (20.05.1985): 564–67. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.24.564.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
24

SARMA, S. DAS. "KINETIC SURFACE ROUGHENING AND MOLECULAR BEAM EPITAXY". Fractals 01, nr 04 (grudzień 1993): 784–94. http://dx.doi.org/10.1142/s0218348x93000812.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
We review recent developments in our understanding of Molecular Beam Epitaxy as a kinetically rough growth phenomenon. It is argued that while the most general growth conditions lead to generic growth universality, actual growth conditions allow a complex interplay of several different dynamic universality classes producing rich crossover behavior determined by growth temperature, incident flux rate, and local solid state physics and chemistry of the growing material. Possible coarse-grained continuum growth equations which may be applicable to Molecular Beam Epitaxy are discussed.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
25

Chatillon, Christian, i J. Massies. "Practical Aspects of Molecular Beam Epitaxy". Materials Science Forum 59-60 (styczeń 1991): 229–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.59-60.229.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
26

Franchi, S. "Molecular Beam Epitaxy and Electronic Materials". Key Engineering Materials 58 (styczeń 1991): 149–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.58.149.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
27

Tang, Lei-Han, i Thomas Nattermann. "Kinetic roughening in molecular-beam epitaxy". Physical Review Letters 66, nr 22 (3.06.1991): 2899–902. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.66.2899.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
28

Pchelyakov, Oleg P. "Molecular beam epitaxy: equipment, devices, technology". Physics-Uspekhi 43, nr 9 (30.09.2000): 923–25. http://dx.doi.org/10.1070/pu2000v043n09abeh000790.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
29

Brahlek, Matthew, Jason Lapano i Joon Sue Lee. "Topological materials by molecular beam epitaxy". Journal of Applied Physics 128, nr 21 (7.12.2020): 210902. http://dx.doi.org/10.1063/5.0022948.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
30

Tsui, Frank, i Liang He. "Techniques for combinatorial molecular beam epitaxy". Review of Scientific Instruments 76, nr 6 (czerwiec 2005): 062206. http://dx.doi.org/10.1063/1.1905967.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
31

BLÖMKER, DIRK, STANISLAUS MAIER-PAAPE i THOMAS WANNER. "SURFACE ROUGHNESS IN MOLECULAR BEAM EPITAXY". Stochastics and Dynamics 01, nr 02 (czerwiec 2001): 239–60. http://dx.doi.org/10.1142/s0219493701000126.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
This paper discusses the roughness of surfaces described by nonlinear stochastic partial differential equations on bounded domains. Roughness is an important characteristic for processes arising in molecular beam epitaxy, and is usually described by the mean interface width of the surface, i.e. the expected value of the squared Lebesgue norm. By employing results on the mean interface width for linear stochastic partial differential equations perturbed by colored noise, which have been previously obtained, we describe the evolution of the surface roughness for two classes of nonlinear equations, asymptotically both for small and large times.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
32

Pchelyakov, Oleg P. "Molecular beam epitaxy: equipment, devices, technology". Uspekhi Fizicheskih Nauk 170, nr 9 (2000): 993. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0170.200009d.0993.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
33

Schlom, Darrell G. "Perspective: Oxide molecular-beam epitaxy rocks!" APL Materials 3, nr 6 (czerwiec 2015): 062403. http://dx.doi.org/10.1063/1.4919763.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
34

Tsao, Jeffrey Y., i James P. Harbison. "Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy". Physics Today 46, nr 10 (październik 1993): 125–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.2809075.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
35

Bosch, A. J., R. G. van Welzenis i O. F. Z. Schannen. "Molecular beam epitaxy of InSb (110)". Journal of Applied Physics 58, nr 9 (listopad 1985): 3434–39. http://dx.doi.org/10.1063/1.335763.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
36

Delorme, O., L. Cerutti, E. Luna, A. Trampert, E. Tournié i J. B. Rodriguez. "Molecular-beam epitaxy of GaInSbBi alloys". Journal of Applied Physics 126, nr 15 (21.10.2019): 155304. http://dx.doi.org/10.1063/1.5096226.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
37

Ozasa, Kazunari, Masaaki Yuri, Shigehisa Tanaka i Hiroyuki Matsunami. "Metalorganic molecular‐beam epitaxy of InGaP". Journal of Applied Physics 65, nr 7 (kwiecień 1989): 2711–16. http://dx.doi.org/10.1063/1.342757.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
38

Villain, Jacques, Alberto Pimpinelli, Leihan Tang i Dietrich Wolf. "Terrace sizes in molecular beam epitaxy". Journal de Physique I 2, nr 11 (listopad 1992): 2107–21. http://dx.doi.org/10.1051/jp1:1992271.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
39

Nishinaga, Tatau. "Atomistic aspects of molecular beam epitaxy". Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 48-49 (styczeń 2004): 104–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2005.06.002.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
40

Foxon, C. T. "Three decades of molecular beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 251, nr 1-4 (kwiecień 2003): 1–8. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02396-5.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
41

Farrow, R. F. C. "Recent developments in molecular beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 104, nr 2 (lipiec 1990): 556–77. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(90)90158-h.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
42

Michalak, Leszek, i Bogdan Adamczyk. "Light simulation of molecular beam epitaxy". Vacuum 42, nr 12 (styczeń 1991): 735–39. http://dx.doi.org/10.1016/0042-207x(91)90169-j.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
43

Bauer, Günther, i Gunther Springholz. "Molecular beam epitaxy—aspects and applications". Vacuum 43, nr 5-7 (maj 1992): 357–65. http://dx.doi.org/10.1016/0042-207x(92)90038-x.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
44

Arthur, John R. "Molecular beam epitaxy of compound semiconductors". Surface Science 299-300 (styczeń 1994): 818–23. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(94)90699-8.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
45

Krishnamurthy, Srinivasan, M. A. Berding, A. Sher i A. ‐B Chen. "Energetics of molecular‐beam epitaxy models". Journal of Applied Physics 68, nr 8 (15.10.1990): 4020–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.346238.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
46

Moktadir, Z. "Scale decomposition of molecular beam epitaxy". Journal of Physics: Condensed Matter 20, nr 23 (13.05.2008): 235240. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/20/23/235240.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
47

Wang, G., S. K. Lok, G. K. L. Wong i I. K. Sou. "Molecular beam epitaxy-grown Bi4Te3 nanowires". Applied Physics Letters 95, nr 26 (28.12.2009): 263102. http://dx.doi.org/10.1063/1.3276071.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
48

Duport, Christophe, Philippe Nozières i Jacques Villain. "New Instability in Molecular Beam Epitaxy". Physical Review Letters 74, nr 1 (2.01.1995): 134–37. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.74.134.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
49

Bean, John C. "Silicon molecular beam epitaxy: 1984–1986". Journal of Crystal Growth 81, nr 1-4 (luty 1987): 411–20. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(87)90426-x.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
50

Chan, S. K., N. Liu, Y. Cai, N. Wang, G. K. L. Wong i I. K. Sou. "Molecular beam epitaxy—Grown ZnSe nanowires". Journal of Electronic Materials 35, nr 6 (czerwiec 2006): 1246–50. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-006-0249-z.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
Możesz być także zainteresowany bibliografiami na temat „Molecular beam epitaxy” dla innych typów źródeł:
Rozprawy doktorskie Książki
Oferujemy zniżki na wszystkie plany premium dla autorów, których prace zostały uwzględnione w tematycznych zestawieniach literatury. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać unikalny kod promocyjny!

Do bibliografii