Artykuły w czasopismach na temat „Microelectronic devices”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Microelectronic devices”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Brodie, I., i P. R. Schwoebel. "Vacuum microelectronic devices". Proceedings of the IEEE 82, nr 7 (lipiec 1994): 1006–34. http://dx.doi.org/10.1109/5.293159.
Pełny tekst źródłavon Windheim, Tasso, Kristin H. Gilchrist, Charles B. Parker, Stephen Hall, James B. Carlson, David Stokes, Nicholas G. Baldasaro i in. "Proof-of-Concept Vacuum Microelectronic NOR Gate Fabricated Using Microelectromechanical Systems and Carbon Nanotube Field Emitters". Micromachines 14, nr 5 (29.04.2023): 973. http://dx.doi.org/10.3390/mi14050973.
Pełny tekst źródłaSrivastava, V. "THz vacuum microelectronic devices". Journal of Physics: Conference Series 114 (1.05.2008): 012015. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/114/1/012015.
Pełny tekst źródłaMANUSHIN, Dmitrii V., Guzel' R. TAISHEVA i Shamil' I. ENIKEEV. "Russian microelectronics: Current state-of-the-art, logistics, management issues, crisis response measures". National Interests: Priorities and Security 19, nr 5 (16.05.2023): 808–42. http://dx.doi.org/10.24891/ni.19.5.808.
Pełny tekst źródłaChen, Yuan, i Xiao Wen Zhang. "Applications of Focused Ion Beam Technology in Bonding Failure Analysis for Microelectronic Devices". Applied Mechanics and Materials 58-60 (czerwiec 2011): 2171–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.58-60.2171.
Pełny tekst źródłaMin, K. H., i J. Mardinly. "Electron Tomography of Microelectronic Devices". Microscopy and Microanalysis 9, S02 (22.07.2003): 502–3. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927603442517.
Pełny tekst źródłaEkpu, M., R. Bhatti, M. I. Okereke i K. C. Otiaba. "Fatigue life analysis of Sn96.5Ag3.0Cu0.5 solder thermal interface material of a chip-heat sink assembly in microelectronic applications". International Symposium on Microelectronics 2013, nr 1 (1.01.2013): 000473–77. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2013-wa23.
Pełny tekst źródłaOSADCHUK, Iaroslav. "MICROELECTRONIC AUTOGENERATOR TEMPERATURE SENSORS". Herald of Khmelnytskyi National University. Technical sciences 317, nr 1 (23.02.2023): 237–47. http://dx.doi.org/10.31891/2307-5732-2023-317-1-237-247.
Pełny tekst źródłaКриштоп, В. Г., Д. А. Жевненко, П. В. Дудкин, Е. С. Горнев, В. Г. Попов, С. С. Вергелес i Т. В. Криштоп. "ТЕХНОЛОГИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ". NANOINDUSTRY Russia 96, nr 3s (15.06.2020): 450–55. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.450.455.
Pełny tekst źródłaNorthrop, D. C. "Book Review: Introduction to Microelectronic Devices". International Journal of Electrical Engineering & Education 27, nr 1 (styczeń 1990): 93. http://dx.doi.org/10.1177/002072099002700139.
Pełny tekst źródłaBaikerikar, K. K., i A. B. Scranton. "Photopolymerizable liquid encapsulants for microelectronic devices". Polymer 42, nr 2 (styczeń 2001): 431–41. http://dx.doi.org/10.1016/s0032-3861(00)00388-8.
Pełny tekst źródłaOsenbach, John W. "Corrosion-induced degradation of microelectronic devices". Semiconductor Science and Technology 11, nr 2 (1.02.1996): 155–62. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/11/2/002.
Pełny tekst źródłaGorham, D. A. "Analysis of microelectronic materials and devices". Microelectronics Journal 24, nr 5 (sierpień 1993): 594. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2692(93)90143-3.
Pełny tekst źródłaBlackmore, G. W. "Analysis of Microelectronic Materials and Devices". Journal of Electroanalytical Chemistry 326, nr 1-2 (maj 1992): 363–64. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0728(92)80525-9.
Pełny tekst źródłaTyler, Talmage, Olga A. Shenderova i Gary E. McGuire. "Vacuum microelectronic devices and vacuum requirements". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 23, nr 4 (lipiec 2005): 1260–66. http://dx.doi.org/10.1116/1.1885019.
Pełny tekst źródłaGray, H. F. "The physics of vacuum microelectronic devices". IEEE Transactions on Electron Devices 36, nr 11 (listopad 1989): 2599. http://dx.doi.org/10.1109/16.43690.
Pełny tekst źródłaSchreutelkamp, R. J. "Analysis of microelectronic materials and devices". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 72, nr 1 (październik 1992): 143. http://dx.doi.org/10.1016/0168-583x(92)95294-2.
Pełny tekst źródłaAdams, F. "Analysis of Microelectronic Materials and Devices". Analytica Chimica Acta 268, nr 1 (październik 1992): 189. http://dx.doi.org/10.1016/0003-2670(92)85264-7.
Pełny tekst źródłaFowler, Michelle, Dongshun Bai, Curt Planje i Xie Shao. "High-Aspect Ratio Planarization using Self-Leveling Materials". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2012, DPC (1.01.2012): 002567–86. http://dx.doi.org/10.4071/2012dpc-tha35.
Pełny tekst źródłaAzizov, Asadulla, Elnora Ametova i Feruza Shakirova. "Integrated microelectronic pulse shaper for automation and telemechanic systems in railway transport". E3S Web of Conferences 402 (2023): 03005. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/202340203005.
Pełny tekst źródłaHawker, Craig J., James L. Hedrick, Robert D. Miller i Willi Volksen. "Supramolecular Approaches to Nanoscale Dielectric Foams for Advanced Microelectronic Devices". MRS Bulletin 25, nr 4 (kwiecień 2000): 54–58. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2000.30.
Pełny tekst źródłaLiu, Shiqian, Keith Sweatman, Stuart McDonald i Kazuhiro Nogita. "Ga-Based Alloys in Microelectronic Interconnects: A Review". Materials 11, nr 8 (8.08.2018): 1384. http://dx.doi.org/10.3390/ma11081384.
Pełny tekst źródłaAhmed, Wase U. "Metallography of Microelectronic Devices / Metallographie mikroelektronischer Bauteile". Practical Metallography 39, nr 8 (1.08.2002): 437–48. http://dx.doi.org/10.1515/pm-2002-390807.
Pełny tekst źródłaRuhl, Guenther, Sebastian Wittmann, Matthias Koenig i Daniel Neumaier. "The integration of graphene into microelectronic devices". Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (15.05.2017): 1056–64. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.107.
Pełny tekst źródłaLarson, D. J., D. Lawrence, W. Lefebvre, D. Olson, T. J. Prosa, D. A. Reinhard, R. M. Ulfig i in. "Toward atom probe tomography of microelectronic devices". Journal of Physics: Conference Series 326 (9.11.2011): 012030. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/326/1/012030.
Pełny tekst źródłaMecklenburg, Matthew, William A. Hubbard, E. R. White, Rohan Dhall, Stephen B. Cronin, Shaul Aloni i B. C. Regan. "Nanoscale temperature mapping in operating microelectronic devices". Science 347, nr 6222 (5.02.2015): 629–32. http://dx.doi.org/10.1126/science.aaa2433.
Pełny tekst źródłaChin, K. Ken, i R. B. Marcus. "Field emitter tips for vacuum microelectronic devices". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 8, nr 4 (lipiec 1990): 3586–90. http://dx.doi.org/10.1116/1.576511.
Pełny tekst źródłaWürfl, Joachim, Vera Abrosimova, Jochen Hilsenbeck, Erich Nebauer, Walter Rieger i Günther Tränkle. "Reliability considerations of III-nitride microelectronic devices". Microelectronics Reliability 39, nr 12 (grudzień 1999): 1737–57. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00181-x.
Pełny tekst źródłaBerbezier, I., i A. Ronda. "Si/SiGe heterostructures for advanced microelectronic devices". Phase Transitions 81, nr 7-8 (lipiec 2008): 751–72. http://dx.doi.org/10.1080/01411590802130576.
Pełny tekst źródłaLiechti, K. M. "Residual stresses in plastically encapsulated microelectronic devices". Experimental Mechanics 25, nr 3 (wrzesień 1985): 226–31. http://dx.doi.org/10.1007/bf02325091.
Pełny tekst źródłaHersee, S. D., L. Yang, M. Kao, P. Martin, J. Mazurowski, A. Chin i J. Ballingall. "MOMBE GaAs and AlGaAs for microelectronic devices". Journal of Crystal Growth 120, nr 1-4 (maj 1992): 218–27. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(92)90394-x.
Pełny tekst źródłaMizoguchi, Katsuhiro, i Etsuo Hasegawa. "Photoactive Polymers Applied to Advanced Microelectronic Devices". Polymers for Advanced Technologies 7, nr 5-6 (maj 1996): 471–77. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1099-1581(199605)7:5/6<471::aid-pat534>3.0.co;2-r.
Pełny tekst źródłaWietrzak, A., i D. Poulikakos. "Turbulent forced convective cooling of microelectronic devices". International Journal of Heat and Fluid Flow 11, nr 2 (czerwiec 1990): 105–13. http://dx.doi.org/10.1016/0142-727x(90)90003-t.
Pełny tekst źródłaKarnaushenko, Daniil, Tong Kang, Vineeth K. Bandari, Feng Zhu i Oliver G. Schmidt. "3D Microelectronics: 3D Self‐Assembled Microelectronic Devices: Concepts, Materials, Applications (Adv. Mater. 15/2020)". Advanced Materials 32, nr 15 (kwiecień 2020): 2070120. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202070120.
Pełny tekst źródłaYang, Qing, John Mardinly, Christian Kübel, Chris Nelson i Christian Kisielowski. "Electron tomography of microelectronic device interconnects". International Journal of Materials Research 97, nr 7 (1.07.2006): 880–84. http://dx.doi.org/10.1515/ijmr-2006-0142.
Pełny tekst źródłaWong Mian Sheng, Abdulhafid M Elfaghi i Lukmon Owolabi Afolabi. "Numerical Study on Heat Propagation in Laptop Cooling System". Journal of Advanced Research in Fluid Mechanics and Thermal Sciences 99, nr 1 (17.10.2022): 58–65. http://dx.doi.org/10.37934/arfmts.99.1.5865.
Pełny tekst źródłaWang, Guang Yin. "Investigation Progress on Microelectronic Materials: Carbon Nanotube and Graphene". Advanced Materials Research 531 (czerwiec 2012): 165–67. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.531.165.
Pełny tekst źródłaGavrysh, V. I. "Modelling the temperature conditions in three-dimensional piecewise homogeneous elements for microelectronic devices". Semiconductor Physics Quantum Electronics and Optoelectronics 14, nr 4 (5.12.2011): 478–81. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo14.04.478.
Pełny tekst źródłaMoon, F. C. "Mechanics of Electronic and Electromechanical Devices". Applied Mechanics Reviews 38, nr 10 (1.10.1985): 1294–96. http://dx.doi.org/10.1115/1.3143696.
Pełny tekst źródłaRuggles, T. J. "Local Stress Measurements in Microelectronic Devices Using HREBSD". Microscopy and Microanalysis 28, S1 (22.07.2022): 578–79. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927622002896.
Pełny tekst źródłaLiang, Cai, i Pierino Zappella. "Advanced Packaging Solution to Hermetically Packaging Microelectronic Devices". IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology 11, nr 7 (lipiec 2021): 1055–62. http://dx.doi.org/10.1109/tcpmt.2021.3091593.
Pełny tekst źródłaW., TAZBIT, i MIALHE P. "RELIABILITY OF MICROELECTRONIC DEVICES FROM EMITTERBASE JUNCTION CHARACTERIZATION". International Conference on Applied Mechanics and Mechanical Engineering 13, nr 13 (1.05.2008): 29–37. http://dx.doi.org/10.21608/amme.2008.39820.
Pełny tekst źródłaCruz Duarte, Jorge Mario, Iván Mauricio Amaya Contreras i Carlos Rodrigo Correa Cely. "COOLING MICROELECTRONIC DEVICES USING OPTIMAL MICROCHANNEL HEAT SINKS". Revista EIA 12, nr 24 (30.11.2015): 151–66. http://dx.doi.org/10.24050/reia.v12i24.880.
Pełny tekst źródłaBonera, Emiliano, Marco Fanciulli i Marcello Mariani. "Raman spectroscopy of strain in subwavelength microelectronic devices". Applied Physics Letters 87, nr 11 (12.09.2005): 111913. http://dx.doi.org/10.1063/1.2045545.
Pełny tekst źródłaOwen, G. "Electron lithography for the fabrication of microelectronic devices". Reports on Progress in Physics 48, nr 6 (1.06.1985): 795–851. http://dx.doi.org/10.1088/0034-4885/48/6/002.
Pełny tekst źródłaScott, J. F., C. A. Paz de Araujo, L. D. McMillan, H. Yoshimori, H. Watanabe, T. Mihara, M. Azuma i in. "TdI10: Ferroelectric thin films in integrated microelectronic devices". Ferroelectrics 133, nr 1 (sierpień 1992): 47–60. http://dx.doi.org/10.1080/00150199208217976.
Pełny tekst źródłaJung, Yei Hwan, Huilong Zhang, Sang June Cho i Zhenqiang Ma. "Flexible and Stretchable Microwave Microelectronic Devices and Circuits". IEEE Transactions on Electron Devices 64, nr 5 (maj 2017): 1881–93. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2016.2646361.
Pełny tekst źródłaGrasserbauer, M., G. Stingeder, H. Pötzl i E. Guerrero. "Analytical science for the development of microelectronic devices". Fresenius' Zeitschrift für analytische Chemie 323, nr 5 (styczeń 1986): 421–49. http://dx.doi.org/10.1007/bf00470757.
Pełny tekst źródłaMcCracken, Michael, Michael Mayer, Isaac Jourard, Jeong-Tak Moon i John Persic. "Symmetric miniaturized heating system for active microelectronic devices". Review of Scientific Instruments 81, nr 7 (lipiec 2010): 075112. http://dx.doi.org/10.1063/1.3469794.
Pełny tekst źródłaSudarshan, T. S., Xianyun Ma i P. G. Muzykov. "High field insulation relevant to vacuum microelectronic devices". IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation 9, nr 2 (kwiecień 2002): 216–25. http://dx.doi.org/10.1109/94.993738.
Pełny tekst źródła