Książki na temat „Metal oxide semiconductor field-effect transistors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych książek naukowych na temat „Metal oxide semiconductor field-effect transistors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Pierret, Robert F. Field effect devices. Wyd. 2. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaSoclof, Sidney. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS): Principles and applications. Boston: Artech House, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaCroon, Jeroen A. Matching properties of deep sub-micron MOS transistors. New York: Springer, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaShur, Michael. Physics of semiconductor devices. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.
Znajdź pełny tekst źródłaPaul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin: Springer-Verlag, 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaT, Andre Noah, i Simon Lucas M, red. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaShur, Michael. Physics of semiconductor devices: Software and manual. London: Prentice-Hall, 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaOktyabrsky, Serge, i Peide D. Ye. Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs. New York: Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 3. New York: Oxford University Press, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 3. New York: Oxford University Press, 2011.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 3. New York: Oxford University Press, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaTaylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaAmara, Amara, i Rozeau Olivier, red. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaKang, Baowei. Chang xiao ying jing ti guan li lun ji chu. Wyd. 8. Beijing: Ke xue chu ban she, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, Jayant. Silicon RF power MOSFETs. Singapore: World Scientific, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. Silicon RF power MOSFETS. Singapore: World Scientific, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaAmara, Amara, i Rozeau Olivier, red. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaHöhr, Timm. Quantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices. Konstanz: Hartnung-Gorre, 2006.
Znajdź pełny tekst źródłaKano, Kanaan. Semiconductor devices. Upper Saddle River, N.J: Prentice Hall, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaSchroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaSchroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaWarner, R. M. MOSFET theory and design. New York: Oxford University Press, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaMaiti, C. K. Strained-Si heterostructure field effect devices. New York: Taylor & Francis, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaEnz, Christian. Charge-based MOS transistor modelling: The EKV model for low-power and RF IC design. Chichester, UK: John Wiley & Sons, 2006.
Znajdź pełny tekst źródłaSaijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaHänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaGalup-Montoro, Carlos. MOSFET modeling for circuit analysis and design. Singapore: World Scientific, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaCenter, Lewis Research, red. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaGrant, Duncan A. Power MOSFETS: Theory and applications. New York: Wiley, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaCenter, Lewis Research, red. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaHänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaMiura-Mattausch, Mitiko. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaP, Severns Rudolf, i Armijos Jack 1949-, red. MOSPOWER applications handbook. Santa Clara, Calif: Siliconix, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaWikström, Mats Olaf Tobias. MOS-controlled switches for high-voltage application. Konstanz: Hartung-Gorre, 2001.
Znajdź pełny tekst źródłaWilson, C. L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaL, Blue J., red. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaL, Wilson C. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaHisham, Haddara, red. Characterization methods for submicron MOSFETs. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaBaker, R. Jacob. CMOS: Circuit design, layout, and simulation. Wyd. 3. Piscataway, NJ: IEEE Press, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaLinder, Stefan. Power semiconductors. Lausanne, Switzerland: EPFL Press, 2006.
Znajdź pełny tekst źródłaBaker, R. Jacob. CMOS circuit design, layout, and simulation. New Delhi: Prentice-Hall of India, 2004.
Znajdź pełny tekst źródłaFoty, D. MOSFET modeling with SPICE: Principles and practice. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall PTR, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaR, Fossum Eric, i Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., red. Infrared readout electronics II: 7-8 April 1994, Orlando, Florida. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis P. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaChaudhry, Amit. Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors. New York, NY: Springer New York, 2013.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 2. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 2. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Znajdź pełny tekst źródła