Artykuły w czasopismach na temat „Memory device”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Memory device”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Kim, Dongshin, Ik-Jyae Kim i Jang-Sik Lee. "Memory Devices for Flexible and Neuromorphic Device Applications". Advanced Intelligent Systems 3, nr 5 (25.01.2021): 2000206. http://dx.doi.org/10.1002/aisy.202000206.
Pełny tekst źródłaNovosad, V., Y. Otani, A. Ohsawa, S. G. Kim, K. Fukamichi, J. Koike, K. Maruyama, O. Kitakami i Y. Shimada. "Novel magnetostrictive memory device". Journal of Applied Physics 87, nr 9 (maj 2000): 6400–6402. http://dx.doi.org/10.1063/1.372719.
Pełny tekst źródłaTatematsu, Take. "4464750 Semiconductor memory device". Microelectronics Reliability 25, nr 2 (styczeń 1985): 401. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(85)90179-9.
Pełny tekst źródłaKim, Byeongjeong, Chandreswar Mahata, Hojeong Ryu, Muhammad Ismail, Byung-Do Yang i Sungjun Kim. "Alloyed High-k-Based Resistive Switching Memory in Contact Hole Structures". Coatings 11, nr 4 (14.04.2021): 451. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11040451.
Pełny tekst źródłaYang, Yang, Liping Ma i Jianhua Wu. "Organic Thin-Film Memory". MRS Bulletin 29, nr 11 (listopad 2004): 833–37. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2004.237.
Pełny tekst źródłaWang, Lu, Yukai Zhang i Dianzhong Wen. "Flexible Nonvolatile Bioresistive Random Access Memory with an Adjustable Memory Mode Capable of Realizing Logic Functions". Nanomaterials 11, nr 8 (31.07.2021): 1973. http://dx.doi.org/10.3390/nano11081973.
Pełny tekst źródłaKatanosaka, Naok. "4885721 Semiconductor memory device with redundant memory cells". Microelectronics Reliability 30, nr 6 (styczeń 1990): ii. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(90)90388-4.
Pełny tekst źródłaWhite, Marvin H., Yu (Richard) Wang, Stephen J. Wrazien i Yijie (Sandy) Zhao. "ADVANCEMENTS IN NANOELECTRONIC SONOS NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY (NVSM) DEVICES AND TECHNOLOGY". International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, nr 02 (czerwiec 2006): 479–501. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156406003801.
Pełny tekst źródłaTsoukalas, Dimitris, i Emanuele Verrelli. "Inorganic Nanoparticles for either Charge Storage or Memristance Modulation". Advances in Science and Technology 77 (wrzesień 2012): 196–204. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.77.196.
Pełny tekst źródłaLi, Liang, Qi-Dan Ling, Siew-Lay Lim, Yoke-Ping Tan, Chunxiang Zhu, Daniel Siu Hhung Chan, En-Tang Kang i Koon-Gee Neoh. "A flexible polymer memory device". Organic Electronics 8, nr 4 (sierpień 2007): 401–6. http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2007.02.002.
Pełny tekst źródłaAbdullah, Dhuha, i Reyath Mahmood. "Design Flash Memory Programmer Device". AL-Rafidain Journal of Computer Sciences and Mathematics 3, nr 1 (1.07.2006): 55–83. http://dx.doi.org/10.33899/csmj.2006.164045.
Pełny tekst źródłaUrrios, Arturo, Javier Macia, Romilde Manzoni, Núria Conde, Adriano Bonforti, Eulàlia de Nadal, Francesc Posas i Ricard Solé. "A Synthetic Multicellular Memory Device". ACS Synthetic Biology 5, nr 8 (8.08.2016): 862–73. http://dx.doi.org/10.1021/acssynbio.5b00252.
Pełny tekst źródłaGunlycke, Daniel, Denis A. Areshkin, Junwen Li, John W. Mintmire i Carter T. White. "Graphene Nanostrip Digital Memory Device". Nano Letters 7, nr 12 (grudzień 2007): 3608–11. http://dx.doi.org/10.1021/nl0717917.
Pełny tekst źródłaKaminaga, Akiko, Vladimir K. Vanag i Irving R. Epstein. "A Reaction–Diffusion Memory Device". Angewandte Chemie International Edition 45, nr 19 (5.05.2006): 3087–89. http://dx.doi.org/10.1002/anie.200600400.
Pełny tekst źródłaKaminaga, Akiko, Vladimir K. Vanag i Irving R. Epstein. "A Reaction–Diffusion Memory Device". Angewandte Chemie 118, nr 19 (5.05.2006): 3159–61. http://dx.doi.org/10.1002/ange.200600400.
Pełny tekst źródłaLim, Doohyeok, Jaemin Son, Kyoungah Cho i Sangsig Kim. "Quasi‐Nonvolatile Silicon Memory Device". Advanced Materials Technologies 5, nr 12 (8.11.2020): 2000915. http://dx.doi.org/10.1002/admt.202000915.
Pełny tekst źródłaKang, Jeong Won, i Ho Jung Hwang. "‘Carbon nanotube shuttle’ memory device". Carbon 42, nr 14 (2004): 3018–21. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2004.06.014.
Pełny tekst źródłaLi, Chao, Bo Lei, Wendy Fan, Daihua Zhang, M. Meyyappan i Chongwu Zhou. "Molecular Memory Based on Nanowire–Molecular Wire Heterostructures". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, nr 1 (1.01.2007): 138–50. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.18011.
Pełny tekst źródłaLi, Lei. "Ternary Memristic Effect of Trilayer-Structured Graphene-Based Memory Devices". Nanomaterials 9, nr 4 (2.04.2019): 518. http://dx.doi.org/10.3390/nano9040518.
Pełny tekst źródłaZheng, Yichu, Axel Fischer, Michael Sawatzki, Duy Hai Doan, Matthias Liero, Annegret Glitzky, Sebastian Reineke i Stefan C. B. Mannsfeld. "Introducing pinMOS Memory: A Novel, Nonvolatile Organic Memory Device". Advanced Functional Materials 30, nr 4 (7.11.2019): 1907119. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201907119.
Pełny tekst źródłaAoyama, Keizo, Teruo Seki i Takahik Yamauchi. "4587639 Static semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells". Microelectronics Reliability 27, nr 1 (styczeń 1987): 197. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(87)90753-0.
Pełny tekst źródłaWu, Ya-Huei, Manon Lewis i Anne-Sophie Rigaud. "Cognitive Function and Digital Device Use in Older Adults Attending a Memory Clinic". Gerontology and Geriatric Medicine 5 (styczeń 2019): 233372141984488. http://dx.doi.org/10.1177/2333721419844886.
Pełny tekst źródłaLiang, Lijuan, Wenjuan He, Rong Cao, Xianfu Wei, Sei Uemura, Toshihide Kamata, Kazuki Nakamura, Changshuai Ding, Xuying Liu i Norihisa Kobayashi. "Non-Volatile Transistor Memory with a Polypeptide Dielectric". Molecules 25, nr 3 (23.01.2020): 499. http://dx.doi.org/10.3390/molecules25030499.
Pełny tekst źródłaAlahmadi, Ahmed N. M., i Khasan S. Karimov. "A Novel Poly-N-Epoxy Propyl Carbazole Based Memory Device". Polymers 13, nr 10 (15.05.2021): 1594. http://dx.doi.org/10.3390/polym13101594.
Pełny tekst źródłaGarg, Meenu, Sheifali Gupta, Rakesh Ahuja i Deepali Gupta. "Diabetic Retinopathy Prediction Device System". Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 16, nr 10 (1.10.2019): 4266–70. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2019.8511.
Pełny tekst źródłaAhmad, Hamza Sajjad, Muhammad Junaid Arshad i Muhammad Sohail Akram. "Device Authentication and Data Encryption for IoT Network by Using Improved Lightweight SAFER Encryption With S-Boxes". International Journal of Embedded and Real-Time Communication Systems 12, nr 3 (lipiec 2021): 1–13. http://dx.doi.org/10.4018/ijertcs.2021070101.
Pełny tekst źródłaPatil, Harshada, Honggyun Kim, Shania Rehman, Kalyani D. Kadam, Jamal Aziz, Muhammad Farooq Khan i Deok-kee Kim. "Stable and Multilevel Data Storage Resistive Switching of Organic Bulk Heterojunction". Nanomaterials 11, nr 2 (1.02.2021): 359. http://dx.doi.org/10.3390/nano11020359.
Pełny tekst źródłaTsoukalas, D. "From silicon to organic nanoparticle memory devices". Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 367, nr 1905 (28.10.2009): 4169–79. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2008.0280.
Pełny tekst źródłaShin, Youngjoo. "A VM-Based Detection Framework against Remote Code Execution Attacks for Closed Source Network Devices". Applied Sciences 9, nr 7 (28.03.2019): 1294. http://dx.doi.org/10.3390/app9071294.
Pełny tekst źródłaStiller, Allison, Joshua Usoro, Jennifer Lawson, Betsiti Araya, María González-González, Vindhya Danda, Walter Voit, Bryan Black i Joseph Pancrazio. "Mechanically Robust, Softening Shape Memory Polymer Probes for Intracortical Recording". Micromachines 11, nr 6 (25.06.2020): 619. http://dx.doi.org/10.3390/mi11060619.
Pełny tekst źródłaZhao, Enming, Xiaodan Liu, Guangyu Liu i Bao Zhou. "Triggering WORM/SRAM Memory Conversion by Composite Oxadiazole in Polymer Resistive Switching Device". Journal of Nanomaterials 2019 (21.08.2019): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2019/9214186.
Pełny tekst źródłaMuschenborn, Andrea D., Keith Hearon, Brent L. Volk, Jordan W. Conway i Duncan J. Maitland. "Feasibility of Crosslinked Acrylic Shape Memory Polymer for a Thrombectomy Device". Smart Materials Research 2014 (25.02.2014): 1–12. http://dx.doi.org/10.1155/2014/971087.
Pełny tekst źródłaCardarilli, Gian Carlo, Gaurav Mani Khanal, Luca Di Nunzio, Marco Re, Rocco Fazzolari i Raj Kumar. "Memristive and Memory Impedance Behavior in a Photo-Annealed ZnO–rGO Thin-Film Device". Electronics 9, nr 2 (7.02.2020): 287. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9020287.
Pełny tekst źródłaHolt, Joshua S., Karsten Beckmann, Zahiruddin Alamgir, Jean Yang-Scharlotta i Nathaniel C. Cady. "Effect of Displacement Damage on Tantalum Oxide Resistive Memory". MRS Advances 2, nr 52 (2017): 3011–17. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.422.
Pełny tekst źródłaNaqi, Muhammad, Nayoung Kwon, Sung Jung, Pavan Pujar, Hae Cho, Yong Cho, Hyung Cho, Byungkwon Lim i Sunkook Kim. "High-Performance Non-Volatile InGaZnO Based Flash Memory Device Embedded with a Monolayer Au Nanoparticles". Nanomaterials 11, nr 5 (24.04.2021): 1101. http://dx.doi.org/10.3390/nano11051101.
Pełny tekst źródłaMAKIKAWA, Masaaki, Katsunobu IMAI, Takashi SHINDOI, Kazuki TANOOKA, Hitomi IIZUMI i Hisashi MITANI. "Microprocessor-Based Ambulatory Biosignal Memory Device". Transactions of the Society of Instrument and Control Engineers 29, nr 8 (1993): 888–95. http://dx.doi.org/10.9746/sicetr1965.29.888.
Pełny tekst źródłaShishkin, S. V. "Thermomechanical Device Based on Shape Memory". Russian Engineering Research 39, nr 12 (grudzień 2019): 993–96. http://dx.doi.org/10.3103/s1068798x19120190.
Pełny tekst źródłaJoo, Won-Jae, Tae-Lim Choi i Kwang-Hee Lee. "Embossed structure embedded organic memory device". Thin Solid Films 516, nr 10 (marzec 2008): 3133–37. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.08.116.
Pełny tekst źródłaKolliopoulou, S., P. Dimitrakis, P. Normand, Hao-Li Zhang, Nicola Cant, Stephen D. Evans, S. Paul i in. "Hybrid silicon–organic nanoparticle memory device". Journal of Applied Physics 94, nr 8 (2003): 5234. http://dx.doi.org/10.1063/1.1604962.
Pełny tekst źródłaYoo, K.-H., K. S. Park, Jinhee Kim, Myungsoo Lee i Jung-Woo Kim. "A silicon-molecular hybrid memory device". Nanotechnology 15, nr 11 (4.09.2004): 1472–74. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/15/11/016.
Pełny tekst źródłaCha, Ho-Young, Huaqiang Wu, Soodoo Chae i Michael G. Spencer. "Gallium nitride nanowire nonvolatile memory device". Journal of Applied Physics 100, nr 2 (15.07.2006): 024307. http://dx.doi.org/10.1063/1.2216488.
Pełny tekst źródłaFierens, P. I., S. A. Ibáñez, R. P. J. Perazzo, G. A. Patterson i D. F. Grosz. "A memory device sustained by noise". Physics Letters A 374, nr 22 (maj 2010): 2207–9. http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2010.03.026.
Pełny tekst źródłaAhn, Jong-Hyun, Hyouk Lee i Sung-Hoon Choa. "Technology of Flexible Semiconductor/Memory Device". Journal of the Microelectronics and Packaging Society 20, nr 2 (30.06.2013): 1–9. http://dx.doi.org/10.6117/kmeps.2013.20.2.001.
Pełny tekst źródłaKang, Jeong Won, i Qing Jiang. "Electrostatically telescoping nanotube nonvolatile memory device". Nanotechnology 18, nr 9 (24.01.2007): 095705. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/18/9/095705.
Pełny tekst źródłaOverby, M., A. Chernyshov, L. P. Rokhinson, X. Liu i J. K. Furdyna. "GaMnAs-based hybrid multiferroic memory device". Applied Physics Letters 92, nr 19 (12.05.2008): 192501. http://dx.doi.org/10.1063/1.2917481.
Pełny tekst źródłaBhatnagar, Priyanka, Thanh Tai Nguyen, Sangho Kim, Ji Heun Seo, Malkeshkumar Patel i Joondong Kim. "Transparent photovoltaic memory for neuromorphic device". Nanoscale 13, nr 10 (2021): 5243–50. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr08966d.
Pełny tekst źródłaLee, Sang Youl, Jae Sub Oh, Seung Dong Yang, Ho Jin Yun, Kwang Seok Jeong, Yu Mi Kim, Hi Deok Lee i Ga Won Lee. "Polycrystalline Silocon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Flash Memory on SiO2 and Si3N4 Buffer Layer for System on Panels Application". Advanced Materials Research 658 (styczeń 2013): 120–23. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.658.120.
Pełny tekst źródłaAl-Mamun, M., i M. Orlowski. "Performance Degradation Due to Nonlocal Heating Effects in Resistive ReRAM Memory Arrays". MRS Advances 4, nr 48 (2019): 2593–600. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2019.265.
Pełny tekst źródłaSalaoru, Iulia, i Shashi Paul. "Memory Effect of a Different Materials as Charge Storage Elements for Memory Applications". Advances in Science and Technology 77 (wrzesień 2012): 205–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.77.205.
Pełny tekst źródłaHwang, Yeongjin, Jeong Hoon Jeon, Juhyun Lee, Jonghyuk Yoon, Felix Sunjoo Kim i Hyungjin Kim. "Effect of Threshold Voltage Window and Variation of Organic Synaptic Transistor for Neuromorphic System". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, nr 8 (1.08.2021): 4303–9. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19393.
Pełny tekst źródła