Gotowa bibliografia na temat „Memory device”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Memory device”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "Memory device"
Kim, Dongshin, Ik-Jyae Kim i Jang-Sik Lee. "Memory Devices for Flexible and Neuromorphic Device Applications". Advanced Intelligent Systems 3, nr 5 (25.01.2021): 2000206. http://dx.doi.org/10.1002/aisy.202000206.
Pełny tekst źródłaNovosad, V., Y. Otani, A. Ohsawa, S. G. Kim, K. Fukamichi, J. Koike, K. Maruyama, O. Kitakami i Y. Shimada. "Novel magnetostrictive memory device". Journal of Applied Physics 87, nr 9 (maj 2000): 6400–6402. http://dx.doi.org/10.1063/1.372719.
Pełny tekst źródłaTatematsu, Take. "4464750 Semiconductor memory device". Microelectronics Reliability 25, nr 2 (styczeń 1985): 401. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(85)90179-9.
Pełny tekst źródłaKim, Byeongjeong, Chandreswar Mahata, Hojeong Ryu, Muhammad Ismail, Byung-Do Yang i Sungjun Kim. "Alloyed High-k-Based Resistive Switching Memory in Contact Hole Structures". Coatings 11, nr 4 (14.04.2021): 451. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11040451.
Pełny tekst źródłaYang, Yang, Liping Ma i Jianhua Wu. "Organic Thin-Film Memory". MRS Bulletin 29, nr 11 (listopad 2004): 833–37. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2004.237.
Pełny tekst źródłaWang, Lu, Yukai Zhang i Dianzhong Wen. "Flexible Nonvolatile Bioresistive Random Access Memory with an Adjustable Memory Mode Capable of Realizing Logic Functions". Nanomaterials 11, nr 8 (31.07.2021): 1973. http://dx.doi.org/10.3390/nano11081973.
Pełny tekst źródłaKatanosaka, Naok. "4885721 Semiconductor memory device with redundant memory cells". Microelectronics Reliability 30, nr 6 (styczeń 1990): ii. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(90)90388-4.
Pełny tekst źródłaWhite, Marvin H., Yu (Richard) Wang, Stephen J. Wrazien i Yijie (Sandy) Zhao. "ADVANCEMENTS IN NANOELECTRONIC SONOS NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY (NVSM) DEVICES AND TECHNOLOGY". International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, nr 02 (czerwiec 2006): 479–501. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156406003801.
Pełny tekst źródłaTsoukalas, Dimitris, i Emanuele Verrelli. "Inorganic Nanoparticles for either Charge Storage or Memristance Modulation". Advances in Science and Technology 77 (wrzesień 2012): 196–204. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.77.196.
Pełny tekst źródłaLi, Liang, Qi-Dan Ling, Siew-Lay Lim, Yoke-Ping Tan, Chunxiang Zhu, Daniel Siu Hhung Chan, En-Tang Kang i Koon-Gee Neoh. "A flexible polymer memory device". Organic Electronics 8, nr 4 (sierpień 2007): 401–6. http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2007.02.002.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Memory device"
Yao, Atsushi. "Logic and memory devices of nonlinear microelectromechanical resonator". 京都大学 (Kyoto University), 2015. http://hdl.handle.net/2433/199314.
Pełny tekst źródłaFeng, Tao Atwater Harry Albert. "Silicon nanocrystal charging dynamics and memory device applications /". Diss., Pasadena, Calif. : Caltech, 2006. http://resolver.caltech.edu/CaltechETD:etd-06052006-141803.
Pełny tekst źródłaJohnson, Nigel Christopher. "All-optical regenerative memory using a single device". Thesis, Aston University, 2009. http://publications.aston.ac.uk/15331/.
Pełny tekst źródłaPanayi, Christiana. "Memory-assisted measurement-device-independent quantum key distribution systems". Thesis, University of Leeds, 2016. http://etheses.whiterose.ac.uk/12449/.
Pełny tekst źródłaEl, Hassan Nemat Hassan Ahmed. "Development of phase change memory cell electrical circuit model for non-volatile multistate memory device". Thesis, University of Nottingham, 2017. http://eprints.nottingham.ac.uk/39646/.
Pełny tekst źródłaNominanda, Helinda. "Amorphous silicon thin film transistor as nonvolatile device". Texas A&M University, 2008. http://hdl.handle.net/1969.1/86004.
Pełny tekst źródła八尾, 惇. "非線形微小電気機械共振器を用いたロジック及びメモリデバイス". Kyoto University, 2015. http://hdl.handle.net/2433/199521.
Pełny tekst źródłaNajib, Mehran. "Toward Analysis of a Cooling Device using Shape Memory Alloys". University of Toledo / OhioLINK, 2016. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=toledo1481300993095304.
Pełny tekst źródłaLenz, Thomas [Verfasser]. "Device physics and nanostructuring of organic ferroelectric memory diodes / Thomas Lenz". Mainz : Universitätsbibliothek Mainz, 2017. http://d-nb.info/1135748624/34.
Pełny tekst źródłaWaghela, Krunal R. "Fabrication of a memory device using polyaniline nanofibers and gold nanoparticles". Diss., Rolla, Mo. : Missouri University of Science and Technology, 2010. http://scholarsmine.mst.edu/thesis/pdf/Waghela_09007dcc8072f881.pdf.
Pełny tekst źródłaVita. The entire thesis text is included in file. Title from title screen of thesis/dissertation PDF file (viewed January 6, 2010) Includes bibliographical references.
Książki na temat "Memory device"
Field, Lewis. Nonvolatile memory devices. Norwalk, CT: Business Communications Co., 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaNonvolatile memories: Materials, device and applications. Stevenson Ranch, California, USA: American Scientific Publishers, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaJaglall, Susan. Categorical organization as a device for facilitating memory recall. Sudbury, Ont: Laurentian University, Department of Psychology, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaDace, Andrea. The flash memory market. Saratoga, Calif: Electronic Trend Publications, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaStansberry, Mark. Computer memory: Important trends and directions. Norwalk, CT: Business Communications Co., 2002.
Znajdź pełny tekst źródłaWeissman, Steven B. The impact of technology on the optical disk memory market. Boston, Mass: Communications Pub. Group, 1986.
Znajdź pełny tekst źródłaCommission, United States International Trade. In the matter of certain memory devices with increased capacitance and products containing same. Washington, DC: U.S. International Trade Commission, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaUnited States International Trade Commission. In the matter of certain dynamic random access memories, components thereof and products containing same: Investigation no. 337-TA-242. Washington, DC: U.S. International Trade Commission, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaUnited States International Trade Commission. 64K dynamic random access memory components from Japan: Determination of the Commission in investigation no. 731-TA-270 (preliminary) under the Tariff Act of 1930, together with the information obtained in the investigation. Washington, D.C: U.S. International Trade Commission, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaIlene, Hersher, red. 64K dynamic random access memory components from Japan: Determination of the Commission in investigation no. 731-TA-270 (final) under the Tariff Act of 1930, together with the information obtained in the investigation. Washington, DC: U.S. International Trade Commission, 1986.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Memory device"
Javadova, Mirfatma, i Ilona Chernytska. "Matrix Memory Device". W Lecture Notes in Civil Engineering, 173–78. Cham: Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-85043-2_17.
Pełny tekst źródłaFoerster, Michael, O. Boulle, S. Esefelder, R. Mattheis i Mathias Kläui. "Domain Wall Memory Device". W Handbook of Spintronics, 1–46. Dordrecht: Springer Netherlands, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-007-7604-3_48-1.
Pełny tekst źródłaFoerster, Michael, O. Boulle, S. Esefelder, R. Mattheis i Mathias Kläui. "Domain Wall Memory Device". W Handbook of Spintronics, 1387–441. Dordrecht: Springer Netherlands, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-007-6892-5_48.
Pełny tekst źródłaPellizzer, Fabio. "Phase-Change Memory Device Architecture". W Phase Change Memory, 263–84. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-69053-7_9.
Pełny tekst źródłaSousa, Véronique, i Gabriele Navarro. "Material Engineering for PCM Device Optimization". W Phase Change Memory, 181–222. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-69053-7_7.
Pełny tekst źródłaNakazato, K. "Single Electron Memory Device Simulations". W Simulation of Semiconductor Processes and Devices 1998, 201–2. Vienna: Springer Vienna, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6827-1_51.
Pełny tekst źródłaIelmini, Daniele. "Phase Change Memory Device Modeling". W Phase Change Materials, 299–329. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-84874-7_14.
Pełny tekst źródłaHuang, Peng, Bin Gao i Jinfeng Kang. "RRAM Device Characterizations and Modelling". W Emerging Non-volatile Memory Technologies, 345–81. Singapore: Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-6912-8_11.
Pełny tekst źródłaBaddeley, A. D., S. E. Gathercole i C. Papagno. "The phonological loop as a language learning device". W Exploring Working Memory, 164–98. Abingdon, Oxon ; New York, NY : Routledge, 2017. | Series: World library of psychologists: Routledge, 2017. http://dx.doi.org/10.4324/9781315111261-14.
Pełny tekst źródłaJin, Hai, Bo Li, Ran Zheng, Qin Zhang i Wenbing Ao. "memCUDA: Map Device Memory to Host Memory on GPGPU Platform". W Lecture Notes in Computer Science, 299–313. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-15672-4_26.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Memory device"
"Memory devices". W 2009 67th Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2009.5354863.
Pełny tekst źródła"Memory". W 2010 68th Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2010.5551974.
Pełny tekst źródłaWu, Yi, Shimeng Yu, H. S. Philip Wong, Yu-Sheng Chen, Heng-Yuan Lee, Sum-Min Wang, Pei-Yi Gu, Frederick Chen i Ming-Jinn Tsai. "AlOx-Based Resistive Switching Device with Gradual Resistance Modulation for Neuromorphic Device Application". W 2012 4th IEEE International Memory Workshop (IMW). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/imw.2012.6213663.
Pełny tekst źródłaBarrios, C. A., i M. Lipson. "Silicon photonic nonvolatile memory device". W Frontiers in Optics. Washington, D.C.: OSA, 2005. http://dx.doi.org/10.1364/fio.2005.jwa63.
Pełny tekst źródłaBuckley, J., T. Pro, R. Barattin, A. Calborean, K. Huang, V. Aiello, G. Nicotra i in. "From Atomistic to Device Level Investigation of Hybrid Redox Molecular/Silicon Field-Effect Memory Devices". W 2009 IEEE International Memory Workshop (IMW). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/imw.2009.5090591.
Pełny tekst źródłaWong, H. S. Philip. "Emerging memory devices". W 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/isdrs.2011.6135200.
Pełny tekst źródła"Spin/memory". W 2011 69th Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2011.5994476.
Pełny tekst źródła"Spin/Memory". W 2013 71st Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2013.6633849.
Pełny tekst źródła"Memory devices [breaker page]". W 2006 64th Device Research Conference. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2006.305082.
Pełny tekst źródłaLam, Chung. "Phase-change Memory". W 2007 65th Annual Device Research Conference. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2007.4373728.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "Memory device"
Cerjan, C., i B. P. Law. Magnetic Random Access Memory (MRAM) Device Development. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), styczeń 2000. http://dx.doi.org/10.2172/15006522.
Pełny tekst źródłaChang, Chia-Ching. Biomaterial-based Memory Device Development by Conducting Metallic DNA. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, maj 2013. http://dx.doi.org/10.21236/ada584806.
Pełny tekst źródłaDevine, Roderick A. Radiation Sensitivity of Unique Memory Devices. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, styczeń 2002. http://dx.doi.org/10.21236/ada405716.
Pełny tekst źródłaMissert, Nancy A., i Robert Garcia. Magnetic Nitride Films for Superconducting Memory Devices. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), wrzesień 2014. http://dx.doi.org/10.2172/1531333.
Pełny tekst źródłaMayas, Magda. Creating with timbre. Norges Musikkhøgskole, sierpień 2018. http://dx.doi.org/10.22501/nmh-ar.686088.
Pełny tekst źródłaHamblen, David, Joseph Cosgrove, Konstantin K. Likharev, Elena Cimpoiasu i Sergey Tolpygo. Crested Tunnel Barriers for Fast, High Density, Nonvolatile Memory Devices. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, październik 2002. http://dx.doi.org/10.21236/ada408876.
Pełny tekst źródłaKim, Ki Wook. Novel Non-Volatile Memory Devices Based on Magnetic Semiconductor Nanostructures for Terabit Integration. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, styczeń 2010. http://dx.doi.org/10.21236/ada519064.
Pełny tekst źródłaRichter, Schachar E. Construction and Operation of Three-Dimensional Memory and Logic Molecular Devices and Circuits. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, lipiec 2013. http://dx.doi.org/10.21236/ada587368.
Pełny tekst źródłaBattiato, James M., Thomas W. Stone, Miles J. Murdocca, Rebecca J. Bussjager i Paul R. Cook. Free Space Optical Memory Based on Vertical Cavity Surface Emitting Lasers and Self-Electro-Optic Effect Devices. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, kwiecień 1995. http://dx.doi.org/10.21236/ada297049.
Pełny tekst źródłaMYERS, DAVID R., JEFFREY R. JESSING, OLGA B. SPAHN i MARTY R. SHANEYFELT. LDRD Final Report - Investigations of the impact of the process integration of deposited magnetic films for magnetic memory technologies on radiation-hardened CMOS devices and circuits - LDRD Project (FY99). Office of Scientific and Technical Information (OSTI), styczeń 2000. http://dx.doi.org/10.2172/750886.
Pełny tekst źródła