Artykuły w czasopismach na temat „Light emitters in silicon”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Light emitters in silicon”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Kittler, M., M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert i X. Yu. "Silicon-based light emitters". physica status solidi (a) 203, nr 4 (marzec 2006): 802–9. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200564518.
Pełny tekst źródłaHelm, M., J. M. Sun, J. Potfajova, T. Dekorsy, B. Schmidt i W. Skorupa. "Efficient silicon based light emitters". Microelectronics Journal 36, nr 11 (listopad 2005): 957–62. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.002.
Pełny tekst źródłaKittler, Martin, Teimuraz Mchedlidze, Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert, Manfred Reiche i Thomas Wilhelm. "Silicon based IR light emitters". physica status solidi (c) 6, nr 3 (marzec 2009): 707–15. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200880713.
Pełny tekst źródłaKasper, Erich, i Michael Oehme. "Germanium tin light emitters on silicon". Japanese Journal of Applied Physics 54, nr 4S (27.03.2015): 04DG11. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.04dg11.
Pełny tekst źródłaGuha, Supratik, i Nestor A. Bojarczuk. "Multicolored light emitters on silicon substrates". Applied Physics Letters 73, nr 11 (14.09.1998): 1487–89. http://dx.doi.org/10.1063/1.122181.
Pełny tekst źródłaFauchet, P. M. "Progress toward nanoscale silicon light emitters". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 4, nr 6 (1998): 1020–28. http://dx.doi.org/10.1109/2944.736103.
Pełny tekst źródłaKittler, M., T. Arguirov, W. Seifert, X. Yu, G. Jia, O. F. Vyvenko, T. Mchedlidze, M. Reiche, J. Sha i D. Yang. "Silicon nanostructures for IR light emitters". Materials Science and Engineering: C 27, nr 5-8 (wrzesień 2007): 1252–59. http://dx.doi.org/10.1016/j.msec.2006.09.034.
Pełny tekst źródłaMakarova, Maria, Jelena Vuckovic, Hiroyuki Sanda i Yoshio Nishi. "Silicon-based photonic crystal nanocavity light emitters". Applied Physics Letters 89, nr 22 (27.11.2006): 221101. http://dx.doi.org/10.1063/1.2396903.
Pełny tekst źródłaKveder, Vitaly V., i Martin Kittler. "Dislocations in Silicon and D-Band Luminescence for Infrared Light Emitters". Materials Science Forum 590 (sierpień 2008): 29–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.590.29.
Pełny tekst źródłaLourenço, M. A., i K. P. Homewood. "Dislocation-engineered silicon light emitters for photonic integration". Semiconductor Science and Technology 23, nr 6 (12.05.2008): 064005. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/23/6/064005.
Pełny tekst źródłaPavesi, L. "Silicon-Based Light Sources for Silicon Integrated Circuits". Advances in Optical Technologies 2008 (30.06.2008): 1–12. http://dx.doi.org/10.1155/2008/416926.
Pełny tekst źródłaGonzález-Fernández, Alfredo A., Mariano Aceves-Mijares, Oscar Pérez-Díaz, Joaquin Hernández-Betanzos i Carlos Domínguez. "Embedded Silicon Nanoparticles as Enabler of a Novel CMOS-Compatible Fully Integrated Silicon Photonics Platform". Crystals 11, nr 6 (31.05.2021): 630. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11060630.
Pełny tekst źródłaKOLODZEY, J., T. N. ADAM, R. T. TROEGER, P. C. LV, S. K. RAY, I. YASSIEVICH, M. ODNOBLYUDOV i M. KAGAN. "TERAHERTZ EMITTERS AND DETECTORS BASED ON SiGe NANOSTRUCTURES". International Journal of Nanoscience 03, nr 01n02 (luty 2004): 171–76. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x0400195x.
Pełny tekst źródłaChen, Chengzhao, Cheng Li, Shihao Huang, Yuanyu Zheng, Hongkai Lai i Songyan Chen. "Epitaxial Growth of Germanium on Silicon for Light Emitters". International Journal of Photoenergy 2012 (2012): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2012/768605.
Pełny tekst źródłaSasani Ghamsari, Morteza. "Chip-Scale Quantum Emitters". Quantum Reports 3, nr 4 (29.09.2021): 615–42. http://dx.doi.org/10.3390/quantum3040039.
Pełny tekst źródłaKittler, Martin, Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert, X. Yu i Manfred Reiche. "Silicon Based Light Emitters for On-Chip Optical Interconnects". Solid State Phenomena 108-109 (grudzień 2005): 749–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.749.
Pełny tekst źródłaTsintzos, Symeon I., Konstantinos Tsimvrakidis, James C. Gates, Ali W. Elshaari, Peter G. R. Smith, Val Zwiller i Christos Riziotis. "Coupling Nanowire Quantum Dots to Optical Waveguides by Microsphere-Induced Photonic Nanojet". Photonics 11, nr 4 (9.04.2024): 343. http://dx.doi.org/10.3390/photonics11040343.
Pełny tekst źródłaLockwood, David J., i Leonid Tsybeskov. "Self-assembled silicon-germanium nanostructures for CMOS compatible light emitters". physica status solidi (c) 8, nr 9 (2.05.2011): 2870–74. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201084032.
Pełny tekst źródłaHou, Guozhi, Qingyuan Wang, Yu Zhu, Zhangbo Lu, Jun Xu i Kunji Chen. "Tunable Narrowband Silicon-Based Thermal Emitter with Excellent High-Temperature Stability Fabricated by Lithography-Free Methods". Nanomaterials 11, nr 7 (13.07.2021): 1814. http://dx.doi.org/10.3390/nano11071814.
Pełny tekst źródłaPearson, Andrew J., Trevor Plint, Saul T. E. Jones, Benoit H. Lessard, Dan Credgington, Timothy P. Bender i Neil C. Greenham. "Silicon phthalocyanines as dopant red emitters for efficient solution processed OLEDs". Journal of Materials Chemistry C 5, nr 48 (2017): 12688–98. http://dx.doi.org/10.1039/c7tc03946h.
Pełny tekst źródłaSung, Min Jae, Hiroya Chubachi, Ryo Sato, Min-Ki Shin, Soon-Ki Kwon, Yong-Jin Pu i Yun-Hi Kim. "Dimethylsilyl-linked anthracene–pyrene dimers and their efficient triplet–triplet annihilation in organic light emitting diodes". Journal of Materials Chemistry C 5, nr 5 (2017): 1090–94. http://dx.doi.org/10.1039/c6tc05308d.
Pełny tekst źródłaJannesari, R., M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, K. Hingerl, T. Fromherz i F. Schäffler. "Commensurate germanium light emitters in silicon-on-insulator photonic crystal slabs". Optics Express 22, nr 21 (10.10.2014): 25426. http://dx.doi.org/10.1364/oe.22.025426.
Pełny tekst źródłaTsybeskov, Leonid, i David J. Lockwood. "Silicon-Germanium Nanostructures for Light Emitters and On-Chip Optical Interconnects". Proceedings of the IEEE 97, nr 7 (lipiec 2009): 1284–303. http://dx.doi.org/10.1109/jproc.2009.2020711.
Pełny tekst źródłaKůsová, Kateřina. "Silicon nanocrystals as fast and efficient light emitters for optical gain". Journal of Non-Crystalline Solids 358, nr 17 (wrzesień 2012): 2130–33. http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.11.027.
Pełny tekst źródłaSomogyi, Bálint, Viktor Zólyomi i Adam Gali. "Introducing Color Centers to Silicon Carbide Nanocrystals for In Vivo Biomarker Applications: A First Principles Study". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 641–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.641.
Pełny tekst źródłaArguirov, T., M. Kittler, W. Seifert i X. Yu. "Enhanced silicon band edge related radiation: Origin and applicability for light emitters". Materials Science and Engineering: B 124-125 (grudzień 2005): 431–34. http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2005.08.107.
Pełny tekst źródłaGartman, Alexandra D., Alexander S. Shorokhov i Andrey A. Fedyanin. "Efficient Light Coupling and Purcell Effect Enhancement for Interlayer Exciton Emitters in 2D Heterostructures Combined with SiN Nanoparticles". Nanomaterials 13, nr 12 (8.06.2023): 1821. http://dx.doi.org/10.3390/nano13121821.
Pełny tekst źródłaChen, Fangqi, Xiaojie Liu, Yanpei Tian, Jon Goldsby i Yi Zheng. "Refractory All-Ceramic Thermal Emitter for High-Temperature Near-Field Thermophotovoltaics". Energies 15, nr 5 (2.03.2022): 1830. http://dx.doi.org/10.3390/en15051830.
Pełny tekst źródłaZhang, Rong-An, Ting-Sheng Lin, Wai-Ting Liu, Shih-Hsiang Hsu i Che-Chang Chang. "Grating Lobe-Free Beam Steering through Optical Phase Array Using Phase-Compensated Two Index-Mismatched Silicon Wires-Based Emitters". Applied Sciences 10, nr 4 (11.02.2020): 1225. http://dx.doi.org/10.3390/app10041225.
Pełny tekst źródłaTsybeskov, L., E. K. Lee, H. Y. Chang, B. V. Kamenev, D. J. Lockwood, J. M. Baribeau i T. I. Kamins. "Three-Dimensional Silicon-Germanium Nanostructures for CMOS Compatible Light Emitters and Optical Interconnects". Advances in Optical Technologies 2008 (12.06.2008): 1–16. http://dx.doi.org/10.1155/2008/218032.
Pełny tekst źródłaMa, Qing Yu, Rui Fang Guan i Guo Zhong Li. "Two Novel Tetrahedrally Silicon-Based Benzimidazole Derivatives: Potentials as Blue Emitters for OLEDs". Advanced Materials Research 306-307 (sierpień 2011): 206–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.306-307.206.
Pełny tekst źródłaLinder, K. K., J. Phillips, O. Qasaimeh, P. Bhattacharya i J. C. Jiang. "In(Ga)As/GaAs self-organized quantum dot light emitters grown on silicon substrates". Journal of Crystal Growth 201-202 (maj 1999): 1186–89. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00024-x.
Pełny tekst źródłaXia, J. S., K. Nemoto, Y. Ikegami, Y. Shiraki i N. Usami. "Silicon-based light emitters fabricated by embedding Ge self-assembled quantum dots in microdisks". Applied Physics Letters 91, nr 1 (2.07.2007): 011104. http://dx.doi.org/10.1063/1.2754356.
Pełny tekst źródłaChaisakul, Papichaya, Vladyslav Vakarin, Jacopo Frigerio, Daniel Chrastina, Giovanni Isella, Laurent Vivien i Delphine Marris-Morini. "Recent Progress on Ge/SiGe Quantum Well Optical Modulators, Detectors, and Emitters for Optical Interconnects". Photonics 6, nr 1 (1.03.2019): 24. http://dx.doi.org/10.3390/photonics6010024.
Pełny tekst źródłaГрудинкин, С. А., Н. А. Феоктистов, К. В. Богданов, А. В. Баранов i В. Г. Голубев. "Источники двухволнового узкополосного излучения на основе алмазных наночастиц с введенными одновременно центрами окраски германий-вакансия и кремний-вакансия". Письма в журнал технической физики 46, nr 17 (2020): 37. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.17.49892.18320.
Pełny tekst źródłaFait, Jan, Marián Varga, Karel Hruška, Zdeněk Remeš, Vlastimil Jurka, Alexander Kromka, Bohuslav Rezek i Lukáš Ondič. "Maximized vertical photoluminescence from optical material with losses employing resonant excitation and extraction of photonic crystal modes". Nanophotonics 8, nr 6 (17.05.2019): 1041–50. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2019-0042.
Pełny tekst źródłaShmagin, V. B., S. N. Vdovichev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov i Z. F. Krasilnik. "Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands". Semiconductors 50, nr 11 (listopad 2016): 1475–78. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782616110245.
Pełny tekst źródłaInglese, Alessandro, Hannu S. Laine, Ville Vähänissi i Hele Savin. "Cu gettering by phosphorus-doped emitters in p-type silicon: Effect on light-induced degradation". AIP Advances 8, nr 1 (styczeń 2018): 015112. http://dx.doi.org/10.1063/1.5012680.
Pełny tekst źródłaGlinka, Yu D., A. S. Zyubin, A. M. Mebel, S. H. Lin, L. P. Hwang i Y. T. Chen. "Photoluminescence from mesoporous silica akin to that from nanoscale silicon: the nature of light-emitters". Chemical Physics Letters 358, nr 3-4 (maj 2002): 180–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0009-2614(02)00400-1.
Pełny tekst źródłaGonzalez-Fernandez, Alfredo Abelardo, Joan Juvert, Mariano Aceves-Mijares, Andreu Llobera i Carlos Dominguez. "Influence by Layer Structure on the Output EL of CMOS Compatible Silicon-Based Light Emitters". IEEE Transactions on Electron Devices 60, nr 6 (czerwiec 2013): 1971–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2258158.
Pełny tekst źródłaRebohle, L., T. Gebel, R. A. Yankov, T. Trautmann, W. Skorupa, J. Sun, G. Gauglitz i R. Frank. "Microarrays of silicon-based light emitters for novel biosensor and lab-on-a-chip applications". Optical Materials 27, nr 5 (luty 2005): 1055–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.08.062.
Pełny tekst źródłaMehta, S. C., D. A. Smith, M. R. Libera, J. Ott, G. Tompa i E. Forsythe. "Nucleation and growth of Si quantum nanocrystals in silicon-rich oxide films". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 54 (11.08.1996): 234–35. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100163630.
Pełny tekst źródłaKhokhar, Megha, Nitesh Singh i Rajesh V. Nair. "Stacked metasurfaces for enhancing the emission and extraction rate of single nitrogen-vacancy centers in nanodiamond". Journal of Optics 24, nr 2 (12.01.2022): 024008. http://dx.doi.org/10.1088/2040-8986/ac3f95.
Pełny tekst źródłaBornacelli, J., J. A. Reyes-Esqueda, L. Rodríguez-Fernández, J. L. Ruvalcaba-Sil, F. J. Jaimes i A. Oliver. "Enhancing Hydrogen Diffusion in Silica Matrix by Using Metal Ion Implantation to Improve the Emission Properties of Silicon Nanocrystals". Journal of Nanotechnology 2014 (2014): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2014/863184.
Pełny tekst źródłaDe Groote, Andreas, Paolo Cardile, Ananth Z. Subramanian, Alin M. Fecioru, Christopher Bower, Danae Delbeke, Roel Baets i Günther Roelkens. "Transfer-printing-based integration of single-mode waveguide-coupled III-V-on-silicon broadband light emitters". Optics Express 24, nr 13 (13.06.2016): 13754. http://dx.doi.org/10.1364/oe.24.013754.
Pełny tekst źródłaImamura, S., R. Watahiki, R. Miura, T. Shimada i Y. K. Kato. "Optical control of individual carbon nanotube light emitters by spectral double resonance in silicon microdisk resonators". Applied Physics Letters 102, nr 16 (22.04.2013): 161102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4802930.
Pełny tekst źródłaFauchet, Philippe M. "The integration of nanoscale porous silicon light emitters: materials science, properties, and integration with electronic circuitry". Journal of Luminescence 80, nr 1-4 (grudzień 1998): 53–64. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-2313(98)00070-2.
Pełny tekst źródłaHaws, Cori, Biswarup Guha, Edgar Perez, Marcelo Davanco, Jin Dong Song, Kartik Srinivasan i Luca Sapienza. "Thermal release tape-assisted semiconductor membrane transfer process for hybrid photonic devices embedding quantum emitters". Materials for Quantum Technology 2, nr 2 (19.04.2022): 025003. http://dx.doi.org/10.1088/2633-4356/ac603e.
Pełny tekst źródłaPritchin, Sergey, Alexey Bobryshev, Aleksandr Sorokun i Tymur Zhumatii. "SOFTWARE AND HARDWARE AUTOMATED CONTROL COMPLEX FOR THE FORMATION OF A CRACKED LAYER ON SEMICONDUCTOR PLATES". Transactions of Kremenchuk Mykhailo Ostrohradskyi National University, nr 6(131) (26.12.2021): 128–32. http://dx.doi.org/10.30929/1995-0519.2021.6.128-132.
Pełny tekst źródłaElizondo, L. A., Y. Li, A. Sow, R. Kamana, H. Z. Wu, S. Mukherjee, F. Zhao, Z. Shi i P. J. McCann. "Optically pumped mid-infrared light emitter on silicon". Journal of Applied Physics 101, nr 10 (15.05.2007): 104504. http://dx.doi.org/10.1063/1.2729467.
Pełny tekst źródła