Artykuły w czasopismach na temat „LED APPLICATIONS”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „LED APPLICATIONS”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Shintaku, Fumihiro. "LED - Applications in Marine Equipments". Journal of The Japan Institute of Marine Engineering 49, nr 5 (2014): 603–6. http://dx.doi.org/10.5988/jime.49.603.
Pełny tekst źródłaChervinsky, M. "New NX LEDS from CREE. NX LED assemblies applications". ELECTRONICS: Science, Technology, Business 170, nr 9 (2017): 86–90. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2017.170.9.86.90.
Pełny tekst źródłaWood, Jonathan. "Ultraviolet LED promises new applications". Materials Today 9, nr 7-8 (lipiec 2006): 16. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(06)71568-1.
Pełny tekst źródłaLee, Vincent W., Nancy Twu i Ioannis Kymissis. "Micro-LED Technologies and Applications". Information Display 32, nr 6 (listopad 2016): 16–23. http://dx.doi.org/10.1002/j.2637-496x.2016.tb00949.x.
Pełny tekst źródłaHatakoshi, Gen-ichi. "LED and LED Lighting". Journal of The Institute of Image Information and Television Engineers 66, nr 4 (2012): 281–86. http://dx.doi.org/10.3169/itej.66.281.
Pełny tekst źródłaLee, Tsung-Wen, i Janice H. Nickel. "Memristor Resistance Modulation for Analog Applications". IEEE Electron Device Letters 33, nr 10 (październik 2012): 1456–58. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2207429.
Pełny tekst źródłaShih, Ju Yi, Shu Ling Lai i Huai Tzu Cheng. "Design and Applications of LED Textiles". Advanced Materials Research 821-822 (wrzesień 2013): 453–58. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.821-822.453.
Pełny tekst źródłaTitkov, I. E., L. A. Delimova, A. S. Zubrilov, N. V. Seredova, I. A. Liniichuk i I. V. Grekhov. "ZnO/GaN heterostructure for LED applications". Journal of Modern Optics 56, nr 5 (10.03.2009): 653–60. http://dx.doi.org/10.1080/09500340902737051.
Pełny tekst źródłaTan, Siew Li, Shiyong Zhang, Wai Mun Soong, Yu Ling Goh, Lionel J. J. Tan, Jo Shien Ng, John P. R. David i in. "GaInNAsSb/GaAs Photodiodes for Long-Wavelength Applications". IEEE Electron Device Letters 32, nr 7 (lipiec 2011): 919–21. http://dx.doi.org/10.1109/led.2011.2145351.
Pełny tekst źródłaWang, Han, Thiti Taychatanapat, Allen Hsu, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Pablo Jarillo-Herrero i Tomas Palacios. "BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications". IEEE Electron Device Letters 32, nr 9 (wrzesień 2011): 1209–11. http://dx.doi.org/10.1109/led.2011.2160611.
Pełny tekst źródłaLiao, Yu-An, Wei-Hsun Lin, Yi-Kai Chao, Wen-Hao Chang, Jen-Inn Chyi i Shih-Yen Lin. "In-Plane Gate Transistors for Photodetector Applications". IEEE Electron Device Letters 34, nr 6 (czerwiec 2013): 780–82. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2258456.
Pełny tekst źródłaPark, Bong-Ryeol, i Ho-Young Cha. "Thermal consideration in LED array design for LCD backlight unit applications". IEICE Electronics Express 7, nr 1 (2010): 40–46. http://dx.doi.org/10.1587/elex.7.40.
Pełny tekst źródłaWang, Chih-Lin, Yuan-Jung Yao, Ruei-Teng Lin, Ming-Lun Chen i Sheng-Lung Su. "P-77: Some Requirements on LED Characteristics for LCD TV Applications". SID Symposium Digest of Technical Papers 41, nr 1 (2010): 1536. http://dx.doi.org/10.1889/1.3500003.
Pełny tekst źródłaJaeseok Jeon, V. Pott, Hei Kam, R. Nathanael, E. Alon i Tsu-Jae King Liu. "Perfectly Complementary Relay Design for Digital Logic Applications". IEEE Electron Device Letters 31, nr 4 (kwiecień 2010): 371–73. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2039916.
Pełny tekst źródłaLee, Yi-Chia, Ming-Huang Li, Y. T. Cheng, Wensyang Hsu i Sheng-Shian Li. "Electroplated Ni-CNT Nanocomposite for Micromechanical Resonator Applications". IEEE Electron Device Letters 33, nr 6 (czerwiec 2012): 872–74. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2190131.
Pełny tekst źródłaSalcedo, Javier A., Jean-Jacques Hajjar, Slavica Malobabic i Juin J. Liou. "Bidirectional Devices for Automotive-Grade Electrostatic Discharge Applications". IEEE Electron Device Letters 33, nr 6 (czerwiec 2012): 860–62. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2190261.
Pełny tekst źródłaYun, Yang-Hun, Te-Yu J. Kao i Kenneth K. O. "Variable Inductors in CMOS for Millimeter-Wave Applications". IEEE Electron Device Letters 33, nr 7 (lipiec 2012): 1081–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2196966.
Pełny tekst źródłaSun Jung Kim, Byung Jin Cho, Ming Fu Li, Xiongfei Yu, Chunxiang Zhu, A. Chin i Dim-Lee Kwong. "PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications". IEEE Electron Device Letters 24, nr 6 (czerwiec 2003): 387–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2003.813381.
Pełny tekst źródłaBonderover, E., i S. Wagner. "A Woven Inverter Circuit for e-Textile Applications". IEEE Electron Device Letters 25, nr 5 (maj 2004): 295–97. http://dx.doi.org/10.1109/led.2004.826537.
Pełny tekst źródłaPasslack, M., R. Droopad, Z. Yu, N. Medendorp, D. Braddock, X. W. Wang, T. P. Ma i T. Buyuklimanli. "Screening of Oxide/GaAs Interfaces for MOSFET Applications". IEEE Electron Device Letters 29, nr 11 (listopad 2008): 1181–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2004569.
Pełny tekst źródłaYagi, Takaaki. "High Power LED products and its applications". JOURNAL OF THE ILLUMINATING ENGINEERING INSTITUTE OF JAPAN 85, Appendix (2001): 289–90. http://dx.doi.org/10.2150/jieij1980.85.appendix_289.
Pełny tekst źródłaPark, Seo-Jun, Sung-Hwan Byeon, Sun-Jae Kim, Kyoung-Soo Park i Gyung-Suk Kil. "Economic analysis on the applications of shipboard LED luminaires". Journal of the Korean Society of Marine Engineering 40, nr 4 (31.05.2016): 342–47. http://dx.doi.org/10.5916/jkosme.2016.40.4.342.
Pełny tekst źródłaSHATALOV, M., A. LUNEV, X. HU, O. BILENKO, I. GASKA, W. SUN, J. YANG i in. "PERFORMANCE AND APPLICATIONS OF DEEP UV LED". International Journal of High Speed Electronics and Systems 21, nr 01 (marzec 2012): 1250011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156412500115.
Pełny tekst źródłaLiu, W. F., J. I. Oh i W. Z. Shen. "Light Trapping in Single Coaxial Nanowires for Photovoltaic Applications". IEEE Electron Device Letters 32, nr 1 (styczeń 2011): 45–47. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2086428.
Pełny tekst źródłaMoon, J. S., D. Curtis, D. Zehnder, S. Kim, D. K. Gaskill, G. G. Jernigan, R. L. Myers-Ward i in. "Low-Phase-Noise Graphene FETs in Ambipolar RF Applications". IEEE Electron Device Letters 32, nr 3 (marzec 2011): 270–72. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2100074.
Pełny tekst źródłaDong, Shurong, Jian Wu, Meng Miao, Jie Zeng, Yan Han i Juin J. Liou. "High-Holding-Voltage Silicon-Controlled Rectifier for ESD Applications". IEEE Electron Device Letters 33, nr 10 (październik 2012): 1345–47. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2208934.
Pełny tekst źródłaSingh, Pushpapraj, Chua Geng Li, Prakash Pitchappa i Chengkuo Lee. "Tantalum-Nitride Antifuse Electromechanical OTP for Embedded Memory Applications". IEEE Electron Device Letters 34, nr 8 (sierpień 2013): 987–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2262918.
Pełny tekst źródłaCan Zheng, R. Coffie, D. Buttari, J. Champlain i U. K. Mishra. "Oxidation control of GaAs pHEMTs for high efficiency applications". IEEE Electron Device Letters 23, nr 7 (lipiec 2002): 380–82. http://dx.doi.org/10.1109/led.2002.1015203.
Pełny tekst źródłaLevenets, V. V., R. E. Amaya, N. G. Tarr, T. J. Smy i J. W. M. Rogers. "Characterization of silver CPWs for applications in silicon MMICs". IEEE Electron Device Letters 26, nr 6 (czerwiec 2005): 357–59. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.848120.
Pełny tekst źródłaPalacios, T., A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck i U. K. Mishra. "High-power AlGaN/GaN HEMTs for Ka-band applications". IEEE Electron Device Letters 26, nr 11 (listopad 2005): 781–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.857701.
Pełny tekst źródłaQuoc Ngo, A. M. Cassell, A. J. Austin, Jun Li, S. Krishnan, M. Meyyappan i C. Y. Yang. "Characteristics of aligned carbon nanofibers for interconnect via applications". IEEE Electron Device Letters 27, nr 4 (kwiecień 2006): 221–24. http://dx.doi.org/10.1109/led.2006.870865.
Pełny tekst źródłaVentrice, D., P. Fantini, Andrea Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti i F. Pellizzer. "A Phase Change Memory Compact Model for Multilevel Applications". IEEE Electron Device Letters 28, nr 11 (listopad 2007): 973–75. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.907288.
Pełny tekst źródłaChu, Rongming, Likun Shen, Nicholas Fichtenbaum, David Brown, Zhen Chen, Stacia Keller, Steven P. DenBaars i Umesh K. Mishra. "V-Gate GaN HEMTs for X-Band Power Applications". IEEE Electron Device Letters 29, nr 9 (wrzesień 2008): 974–76. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2001639.
Pełny tekst źródłaSung-Min Yoon, Soon-Won Jung, Seung-Yun Lee, Young-Sam Park i Byoung-Gon Yu. "Phase-Change-Driven Programmable Switch for Nonvolatile Logic Applications". IEEE Electron Device Letters 30, nr 4 (kwiecień 2009): 371–73. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2013879.
Pełny tekst źródłaChowdhury, Sk F., Maruthi N. Yogeesh, Sanjay K. Banerjee i Deji Akinwande. "Black Phosphorous Thin-Film Transistor and RF Circuit Applications". IEEE Electron Device Letters 37, nr 4 (kwiecień 2016): 449–51. http://dx.doi.org/10.1109/led.2016.2536102.
Pełny tekst źródłaZhang, Kai, Yuechan Kong, Guangrun Zhu, Jianjun Zhou, Xinxin Yu, Cen Kong, Zhonghui Li i Tangsheng Chen. "High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications". IEEE Electron Device Letters 38, nr 5 (maj 2017): 615–18. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2687440.
Pełny tekst źródłaSyamsul, Mohd, Nobutaka Oi, Satoshi Okubo, Taisuke Kageura i Hiroshi Kawarada. "Heteroepitaxial Diamond Field-Effect Transistor for High Voltage Applications". IEEE Electron Device Letters 39, nr 1 (styczeń 2018): 51–54. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2774290.
Pełny tekst źródłaLuo, Shijiang, Nuo Xu, Zhe Guo, Yue Zhang, Jeongmin Hong i Long You. "Voltage-Controlled Skyrmion Memristor for Energy-Efficient Synapse Applications". IEEE Electron Device Letters 40, nr 4 (kwiecień 2019): 635–38. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2898275.
Pełny tekst źródłaDu, Feibo, Shiyu Song, Fei Hou, Wenqiang Song, Long Chen, Jizhi Liu, Zhiwei Liu i Juin J. Liou. "An Enhanced Gate-Grounded NMOSFET for Robust ESD Applications". IEEE Electron Device Letters 40, nr 9 (wrzesień 2019): 1491–94. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2926103.
Pełny tekst źródłaJaveed, Patan, Lochan Krishna Yadav, P. Venkatesh Kumar, Ranjit Kumar i Shakti Swaroop. "SEPIC Converter for Low Power LED Applications". Journal of Physics: Conference Series 1818, nr 1 (1.03.2021): 012220. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1818/1/012220.
Pełny tekst źródłaKirm, M., E. Feldbach, H. Mägi, V. Nagirnyi, E. Tõldsepp, S. Vielhauer, T. Jüstel, T. Jansen, N. M. Khaidukov i V. N. Makhov. "Silicate apatite phosphors for pc-LED applications". Proceedings of the Estonian Academy of Sciences 66, nr 4 (2017): 383. http://dx.doi.org/10.3176/proc.2017.4.14.
Pełny tekst źródłaLuo, Xiaobing, i Run Hu. "THERMAL MANAGEMENT IN LED PACKAGING AND APPLICATIONS". Annual Review of Heat Transfer 18 (2015): 371–414. http://dx.doi.org/10.1615/annualrevheattransfer.2015011154.
Pełny tekst źródłaHaladejová, K., A. Prnová, R. Klement, W. H. Tuan, S. J. Shih i D. Galusek. "Aluminate glass based phosphors for LED applications". Journal of the European Ceramic Society 36, nr 12 (wrzesień 2016): 2969–73. http://dx.doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2015.11.027.
Pełny tekst źródłaBreidenassel, Nicole, Stefan Grötsch i Wolfgang Schnabel. "61.3: LED Light Source for RPTV Applications". SID Symposium Digest of Technical Papers 37, nr 1 (2006): 1816. http://dx.doi.org/10.1889/1.2433393.
Pełny tekst źródłaNakane, Hiroki, Mio Kumai, Masayoshi Hagi i Kiyofumi Nagai. "Advanced LED UV inks for industrial applications". NIP & Digital Fabrication Conference 31, nr 1 (1.01.2015): 448–51. http://dx.doi.org/10.2352/issn.2169-4451.2015.31.1.art00099_1.
Pełny tekst źródłaYang, Guomao, Sheng Peng, Andrew Ridyard i John Kuta. "UV LED Curing in Inkjet Printing Applications". NIP & Digital Fabrication Conference 24, nr 1 (1.01.2008): 535–37. http://dx.doi.org/10.2352/issn.2169-4451.2008.24.1.art00020_2.
Pełny tekst źródłaKo, Young-Seok, i Shi-Hong Park. "A Study of White-LED Driver IC for Mobile Applications". Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 22, nr 7 (1.07.2009): 572–75. http://dx.doi.org/10.4313/jkem.2009.22.7.572.
Pełny tekst źródłaChang, S. Z., H. Y. Yu, A. Veloso, A. Lauwers, A. Delabie, J.-L. Everaert, C. Kerner, P. Absil, T. Hoffmann i S. Biesemans. "The Application of an Ultrathin ALD HfSiON Cap Layer on SiON Dielectrics for Ni-FUSI CMOS Technology Targeting at Low-Power Applications". IEEE Electron Device Letters 28, nr 7 (lipiec 2007): 634–36. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.899331.
Pełny tekst źródłaJeong, Duk Young, Mohammad Masum Billah i Jin Jang. "Amorphous InGaZnO/Poly-Si Coplanar Heterojunction TFT for Memory Applications". IEEE Electron Device Letters 42, nr 8 (sierpień 2021): 1172–75. http://dx.doi.org/10.1109/led.2021.3090785.
Pełny tekst źródłaXue, Mei, Sanaz Kabehie, Adam Z. Stieg, Ekaterina Tkatchouk, Diego Benitez, William A. Goddard, Jeffrey I. Zink i Kang L. Wang. "A Molecular-Rotor Device for Nonvolatile High-Density Memory Applications". IEEE Electron Device Letters 31, nr 9 (wrzesień 2010): 1047–49. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2052018.
Pełny tekst źródła