Artykuły w czasopismach na temat „High temperature semiconductors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „High temperature semiconductors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
TREW, R. J., i M. W. SHIN. "HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, nr 01 (marzec 1995): 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Pełny tekst źródłaPalmstrøm, Chris. "Epitaxial Heusler Alloys: New Materials for Semiconductor Spintronics". MRS Bulletin 28, nr 10 (październik 2003): 725–28. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.213.
Pełny tekst źródłaMa, Xi Ying. "Study of the Electrical Properties of Monolayer MoS2 Semiconductor". Advanced Materials Research 651 (styczeń 2013): 193–97. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.651.193.
Pełny tekst źródłaWESSELS, B. W. "MAGNETORESISTANCE OF NARROW GAP MAGNETIC SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS". SPIN 03, nr 04 (grudzień 2013): 1340011. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324713400110.
Pełny tekst źródłaDezaki, Hikari, Meng Long Jing, Sundararajan Balasekaran, Tadao Tanabe i Yutaka Oyama. "Room Temperature Terahertz Emission via Intracenter Transition in Semiconductors". Key Engineering Materials 500 (styczeń 2012): 66–69. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.500.66.
Pełny tekst źródłaGuyenot, M., M. Reinold, Y. Maniar i M. Rittner. "Advanced wire bonding for high reliability and high temperature applications". International Symposium on Microelectronics 2016, nr 1 (1.10.2016): 000214–18. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2016-wa51.
Pełny tekst źródłaZhao, Youyang, Charles Rinzler i Antoine Allanore. "Molten Semiconductors for High Temperature Thermoelectricity". ECS Journal of Solid State Science and Technology 6, nr 3 (5.12.2016): N3010—N3016. http://dx.doi.org/10.1149/2.0031703jss.
Pełny tekst źródłaChen, Sheng. "Theory And Application of Gallium Nitride Based Dilute Magnetic Semiconductors". Highlights in Science, Engineering and Technology 81 (26.01.2024): 286–90. http://dx.doi.org/10.54097/26qm0041.
Pełny tekst źródłaKappert, Holger, Sebastian Braun, Norbert Kordas, Stefan Dreiner i Rainer Kokozinski. "High Temperature GaN Gate Driver in SOI CMOS Technology". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2016, HiTEC (1.01.2016): 000112–15. http://dx.doi.org/10.4071/2016-hitec-112.
Pełny tekst źródłaTournier, Dominique, Pierre Brosselard, Christophe Raynaud, Mihai Lazar, Herve Morel i Dominique Planson. "Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications". Advanced Materials Research 324 (sierpień 2011): 46–51. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.46.
Pełny tekst źródłaGumyusenge, Aristide, i Jianguo Mei. "High Temperature Organic Electronics". MRS Advances 5, nr 10 (2020): 505–13. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.31.
Pełny tekst źródłaPrikhod’ko, A. V. "High-Temperature Superconductivity in Chalcogenide Vitreous Semiconductors". Semiconductors 35, nr 6 (czerwiec 2001): 677. http://dx.doi.org/10.1134/1.1379402.
Pełny tekst źródłaNagaev, E. L. "High-temperature resistivity of degenerate ferromagnetic semiconductors". Physics Letters A 255, nr 4-6 (maj 1999): 336–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0375-9601(99)00188-7.
Pełny tekst źródłaRuddy, Frank H., Laurent Ottaviani, Abdallah Lyoussi, Christophe Destouches, Olivier Palais i Christelle Reynard-Carette. "Performance and Applications of Silicon Carbide Neutron Detectors in Harsh Nuclear Environments". EPJ Web of Conferences 253 (2021): 11003. http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/202125311003.
Pełny tekst źródłaWang, Haidi, Qingqing Feng, Xingxing Li i Jinlong Yang. "High-Throughput Computational Screening for Bipolar Magnetic Semiconductors". Research 2022 (15.03.2022): 1–8. http://dx.doi.org/10.34133/2022/9857631.
Pełny tekst źródłaZaizen, Shohei, Kyohei Asami, Takashi Furukawa, Takeshi Hatta, Tsubasa Nakamura, Takashi Sakugawa i Takahisa Ueno. "The Development of a Compact Pulsed Power Supply with Semiconductor Series Connection". Electronics 12, nr 21 (4.11.2023): 4541. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12214541.
Pełny tekst źródłaHan, Da-Gyeong, Dong-Hwan Lee i Jeong-Won Yoon. "Optimization of TLPS Bonding Process and Joint Property using Ni-Sn Paste for High Temperature Power Module Applications". Journal of Welding and Joining 42, nr 2 (30.04.2024): 165–73. http://dx.doi.org/10.5781/jwj.2024.42.2.3.
Pełny tekst źródłaHuang, Chengxi, Junsheng Feng, Jian Zhou, Hongjun Xiang, Kaiming Deng i Erjun Kan. "Ultra-High-Temperature Ferromagnetism in Intrinsic Tetrahedral Semiconductors". Journal of the American Chemical Society 141, nr 31 (16.07.2019): 12413–18. http://dx.doi.org/10.1021/jacs.9b06452.
Pełny tekst źródłaBonanni, Alberta, i Tomasz Dietl. "A story of high-temperature ferromagnetism in semiconductors". Chem. Soc. Rev. 39, nr 2 (2010): 528–39. http://dx.doi.org/10.1039/b905352m.
Pełny tekst źródłaChaves, Andrey, i David Neilson. "Two-dimensional semiconductors host high-temperature exotic state". Nature 574, nr 7776 (2.10.2019): 39–40. http://dx.doi.org/10.1038/d41586-019-02906-9.
Pełny tekst źródłaGraham, Mike J. "Modern Analytical Techniques in High Temperature Oxidation and Corrosion". Materials Science Forum 522-523 (sierpień 2006): 61–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.522-523.61.
Pełny tekst źródłaLu, Zhizhong, Menglin Jiang, Jieshi Huang, Xinlei Zhou, Kejie Li, Yue Zheng, Wenkai Jiang, Tao Zhang, Hangbing Yan i Huan Xia. "Study on NO2 gas sensitivity of metal phthalocyanine enhanced by graphene quantum dots". Journal of Physics: Conference Series 2369, nr 1 (1.11.2022): 012083. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2369/1/012083.
Pełny tekst źródłaGumyusenge, Aristide, Dung T. Tran, Xuyi Luo, Gregory M. Pitch, Yan Zhao, Kaelon A. Jenkins, Tim J. Dunn, Alexander L. Ayzner, Brett M. Savoie i Jianguo Mei. "Semiconducting polymer blends that exhibit stable charge transport at high temperatures". Science 362, nr 6419 (6.12.2018): 1131–34. http://dx.doi.org/10.1126/science.aau0759.
Pełny tekst źródłaKim, Jong-Woo, Seong-Geon Park, Min Kyu Yang i Byeong-Kwon Ju. "Microwave-Assisted Annealing Method for Low-Temperature Fabrication of Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors". Electronics 11, nr 19 (28.09.2022): 3094. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11193094.
Pełny tekst źródłaGulyamov, G., U. I. Erkaboev i N. Yu. Sharibaev. "The De Haas–Van Alphen effect at high temperatures and in low magnetic fields in semiconductors". Modern Physics Letters B 30, nr 07 (20.03.2016): 1650077. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984916500779.
Pełny tekst źródłaLostetter, Alexander B., J. Hornberger, B. McPherson, J. Bourne, R. Shaw, E. Cilio, W. Cilio i in. "High Temperature Silicon Carbide Power Modules for High Performance Systems". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1219–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1219.
Pełny tekst źródłaHarada, T., S. Ito i A. Tsukazaki. "Electric dipole effect in PdCoO2/β-Ga2O3 Schottky diodes for high-temperature operation". Science Advances 5, nr 10 (październik 2019): eaax5733. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aax5733.
Pełny tekst źródłaPavlidis, Georges, Muhammad Jamil i Bivek Bista. "(Invited) Sub-Bandgap Thermoreflectance Imaging of Ultra-Wide Bandgap Semiconductors". ECS Meeting Abstracts MA2023-01, nr 32 (28.08.2023): 1822. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01321822mtgabs.
Pełny tekst źródłaWang, Baron, Andrea S. Chen i Randy H. Y. Lo. "Characteristics of Organic-Based Thermal Interface Materials Suitable for High Temperature Operation". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2019, HiTen (1.07.2019): 000041–44. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491.2019.hiten.000041.
Pełny tekst źródłaArkin, Michael, Jeff Watson, Michael Siu i Michael Cusack. "Precision Analog Signal Conditioning Semiconductors for Operation in Very High Temperature Environments". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, HITEN (1.01.2013): 000139–51. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-ta17.
Pełny tekst źródłaFurnival, Benjamin J. D., Sandip K. Roy, Nicolas G. Wright i Alton B. Horsfall. "Influence of Contact Metallisation on the High Temperature Characteristics of High-κ Dielectrics". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 837–40. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.837.
Pełny tekst źródłaQi, Siyuan, Chris Powley, Maria Mirgkizoudi, Adele Pliscott i Peter Collier. "Evaluation of High Temperature Joining Technologies for Semiconductor Die Attach". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2017, HiTEN (1.07.2017): 000177–92. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491.2017.hiten.177.
Pełny tekst źródłaHuang, Luying, Fenghua Liu, Jiachen Bao, Xiaoman Li i Weiping Wu. "High-Performance Organic Field-Effect Transistors of Liquid Crystalline Organic Semiconductor by Laser Mapping Annealing". Materials 17, nr 6 (19.03.2024): 1395. http://dx.doi.org/10.3390/ma17061395.
Pełny tekst źródłaChen, Yu, S. W. Fan i P. Xu. "Defect induced ambipolar conductivity in wide-bandgap semiconductor SrS: Theoretical perspectives". Applied Physics Letters 121, nr 25 (19.12.2022): 252102. http://dx.doi.org/10.1063/5.0125543.
Pełny tekst źródłaNeudeck, P. G., R. S. Okojie i Liang-Yu Chen. "High-temperature electronics - a role for wide bandgap semiconductors?" Proceedings of the IEEE 90, nr 6 (czerwiec 2002): 1065–76. http://dx.doi.org/10.1109/jproc.2002.1021571.
Pełny tekst źródłaKuroda, Shinji, Nozomi Nishizawa, Kôki Takita, Masanori Mitome, Yoshio Bando, Krzysztof Osuch i Tomasz Dietl. "Origin and control of high-temperature ferromagnetism in semiconductors". Nature Materials 6, nr 6 (21.05.2007): 440–46. http://dx.doi.org/10.1038/nmat1910.
Pełny tekst źródłaArciszewska, M., A. Mycielski, C. Testelin, C. Rigaux i A. Mauger. "High-temperature magnetic susceptibility ofCd1−xFexTe diluted magnetic semiconductors". Physical Review B 45, nr 15 (15.04.1992): 8746–48. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.8746.
Pełny tekst źródłaZhang, Wenxu, Zhishuo Huang, Wanli Zhang i Yanrong Li. "Two-dimensional semiconductors with possible high room temperature mobility". Nano Research 7, nr 12 (3.09.2014): 1731–37. http://dx.doi.org/10.1007/s12274-014-0532-x.
Pełny tekst źródłaWang, Yaqi, Huasheng Sun, Shihai Wu, Ang Li, Yi Wan, Erjun Kan i Chengxi Huang. "Prediction of high-temperature ferromagnetic semiconductors in tetrahedral superlattices". Science China Materials 67, nr 4 (20.03.2024): 1225–30. http://dx.doi.org/10.1007/s40843-023-2863-2.
Pełny tekst źródłaZhan, Tianzhuo, Mao Xu, Zhi Cao, Chong Zheng, Hiroki Kurita, Fumio Narita, Yen-Ju Wu i in. "Effects of Thermal Boundary Resistance on Thermal Management of Gallium-Nitride-Based Semiconductor Devices: A Review". Micromachines 14, nr 11 (8.11.2023): 2076. http://dx.doi.org/10.3390/mi14112076.
Pełny tekst źródłaShur, Michael. "(Invited) Ultrawide Bandgap Transistors for High Temperature and Radiation Hard Applications". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, nr 37 (9.10.2022): 1348. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02371348mtgabs.
Pełny tekst źródłaKizilyalli, Isik C., Olga Blum Spahn i Eric P. Carlson. "(Invited) Recent Progress in Wide-Bandgap Semiconductor Devices for a More Electric Future". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, nr 37 (9.10.2022): 1344. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02371344mtgabs.
Pełny tekst źródłaWang, M., R. A. Marshall, K. W. Edmonds, A. W. Rushforth, R. P. Campion i B. L. Gallagher. "Determining Curie temperatures in dilute ferromagnetic semiconductors: High Curie temperature (Ga,Mn)As". Applied Physics Letters 104, nr 13 (31.03.2014): 132406. http://dx.doi.org/10.1063/1.4870521.
Pełny tekst źródłaMonobe, Hirosato, Masaomi Kimoto i Yo Shimizu. "Influence of Temperature Variation on Field Effect Transistor Properties Using a Solution-Processed Liquid Crystalline Semiconductor, 8TNAT8". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 16, nr 4 (1.04.2016): 3277–81. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2016.12299.
Pełny tekst źródłaHöhne, Jens, Matthias Bühler, Theo Hertrich i Uwe Hess. "Cryodetectors for High Resolution X-Ray Spectroscopy". Microscopy and Microanalysis 6, S2 (sierpień 2000): 740–41. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600036199.
Pełny tekst źródłaKucukgok, B., Q. He, A. Carlson, A. G. Melton, I. T. Ferguson i N. Lu. "Investigation of Wide Bandgap Semiconductors for Thermoelectric Applications". MRS Proceedings 1490 (2013): 161–66. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.26.
Pełny tekst źródłaOstapchuk, Mikhail, Dmitry Shishov, Daniil Shevtsov i Sergey Zanegin. "Research of Static and Dynamic Properties of Power Semiconductor Diodes at Low and Cryogenic Temperatures". Inventions 7, nr 4 (18.10.2022): 96. http://dx.doi.org/10.3390/inventions7040096.
Pełny tekst źródłaRaju, Krishna Murti. "High temperature elastic anharmonicity in lanthanum mono-chalcogenides". Canadian Journal of Physics 89, nr 7 (lipiec 2011): 817–24. http://dx.doi.org/10.1139/p11-062.
Pełny tekst źródłaEndo, Hirohisa, Kozaburo Tamura i Makoto Yao. "Liquid metals and semiconductors under pressure". Canadian Journal of Physics 65, nr 3 (1.03.1987): 266–85. http://dx.doi.org/10.1139/p87-036.
Pełny tekst źródłaFan, Yan. "Recent progress in diluted ferromagnetism for spintronic application". Journal of Physics: Conference Series 2608, nr 1 (1.10.2023): 012046. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2608/1/012046.
Pełny tekst źródła