Gotowa bibliografia na temat „Hétérostructures – Modèles mathématiques”
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Rozprawy doktorskie na temat "Hétérostructures – Modèles mathématiques"
Saint, Pol Loïc de. "Modélisation de l'effet tunnel résonnant dans des hétérostructures double barrière en vue d'applications analogiques très hautes fréquences". Lille 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LIL10022.
Pełny tekst źródłaRoger, Mathieu. "Etude, optimisation et réalisation de composants HIGFET complémentaires à grille submicronique : application à la conception de convertisseurs analogiques numériques ultrarapides". Lille 1, 2001. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2001/50376-2001-99.pdf.
Pełny tekst źródłaGratens, Xavier. "Etude des SCSM IV-VI à base de terres rares par modélisation des mesures d'aimantation à 20 mK et de RPE : matériaux massifs et hétérostructures élaborées par EJM". Montpellier 2, 1998. http://www.theses.fr/1998MON20100.
Pełny tekst źródłaTang, Xiao. "Optimisation théorique et expérimentale de composants hyperfréquences de la filière nitrure de gallium à partir d’études physico-thermiques et électriques". Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10004/document.
Pełny tekst źródłaThe work of this thesis is dedicated to study gallium nitride based components by means of electric studies and a physical-thermal model. The GaN based devices are very promising for high-frequency microwave power applications. However, their electric performances are limited by two principal causes: The first cause is related to the contacts realization. In this work, we studied TiN Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures on Si (111) substrates realized by magnetron spray. A detailed analysis of the obtained parameters, such as the barrier height, the ideality factor and the reverse leakage current, permits optimizing the topology and the technological processes, such as the annealing temperature and time, thepassivation and the surface pre-etching. The theory related to the conduction mechanisms through the contact is also recalled, showing that the electric field assisted tunnel effect and the space charge limited current are the dominant mechanisms. The second cause is related to the important self-heating effect in the GaN based components inconsideration of the high dissipated power, which degrades the electric performances and the reliability as well. In this framework, a physical-thermal model based on the coupling of an energy-balance model with a thermal model was developed. Such a model takes into account the lattice temperature everywhere in the device and describes the electric and thermal performances of GaN based components. Thanks to the developed model, firstly the AlGaN/GaN and InAlN/GaN heterostructures were analyzed on different substrates by means of TLM patterns, in order to evaluate their electric and thermal performances so as to optimize the substrate choice. The GaN based Gunn diodes with different topologies were also studied with the goal to optimize a structure in terms of frequency oscillation and power conversion, taking into account the thermal effects. After a comparison between the simulation results and the measured ones, it is proved that the physical-thermal model is an accurate and reliable predictive tool, which is extremely useful for the technologists and furthermore, permits a better understanding of the observed physical phenomena
Planes, Nicolas. "Propriétés physiques de 3C-SiC sur substrats SOI : perspectives d'application". Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20156.
Pełny tekst źródłaCamacho, Mojica Dulce. "Modélisation des propriétés structurales, électroniques et optiques des nanofils de nitrures GaN/AlN". Grenoble, 2010. https://theses.hal.science/tel-00595868.
Pełny tekst źródłaNous avons modélisé les propriétés structurales et électroniques d'hétérostructures de nanofils de nitrures GaN/AlN à l'aide de méthodes de simulation atomistiques. Nous avons tout d'abord construit un champ de forces " à la Keating "' pour les matériaux wurtzite afin de calculer les positions atomiques et la distribution des contraintes dans ces hétérostructures. Grâce à ce modèle, nous avons pu suggérer la présence ou confirmer l'absence de dislocations dans différentes hétérostructures de nanofils GaN/AlN caractérisées expérimentalement par microscopie électronique et diffraction de rayons X. Nous avons ensuite étudié les propriétés électroniques et optiques de ces nanostructures avec la méthode des liaisons fortes. Nous nous sommes particulièrement intéressés à l'effet des champs électriques internes sur les nanofils GaN/AlN. Les expériences de spectroscopie optique ont en effet mis en évidence un important décalage vers le rouge (effet Stark confiné) des raies de luminescence de ces fils, consécutif à la séparation des électrons et des trous par les champs pyro- et piézoélectriques. Ce décalage est toutefois inférieur à celui mesuré sur des puits et des boîtes de dimensions équivalentes. Pour l'expliquer, nous avons montré qu'il était essentiel de tenir compte de l'écrantage du champ électrique par les charges déplacées par celui-ci, et en particulier depuis les états de surface des nanofils. Nous avons notamment proposé un modèle analytique simple pour comprendre les tendances et aider la conception des hétérostructures de nanofils de nitrures
Ahmad-Shawki, Tarek. "Conception d'un modèle hydrodynamique bidimensionnel de transistors à effet de champ à hétérostructure : application à l'analyse physique et à l'optimisation des composants submicroniques". Lille 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LIL10109.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Hétérostructures – Modèles mathématiques"
Cressler, John D. Measurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices. Taylor & Francis Group, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaMeasurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices. CRC, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaCressler, John D. Measurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices. Taylor & Francis Group, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaCressler, John D. Measurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices. Taylor & Francis Group, 2018.
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