Artykuły w czasopismach na temat „Ge1–xSnx”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Ge1–xSnx”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Jang, Han-Soo, Jong Hee Kim, Vallivedu Janardhanam, Hyun-Ho Jeong, Seong-Jong Kim i Chel-Jong Choi. "Microstructural Evolution of Ni-Stanogermanides and Sn Segregation during Interfacial Reaction between Ni Film and Ge1−xSnx Epilayer Grown on Si Substrate". Crystals 14, nr 2 (28.01.2024): 134. http://dx.doi.org/10.3390/cryst14020134.
Pełny tekst źródłaNakatsuka, Osamu, Yosuke Shimura, Shotaro Takeuchi, Noramasa Tsutsui i Shigeaki Zaima. "Growth and Characterization of Ge1-xSnx Layers for High Mobility Tensile-Strained Ge Channels of CMOS Devices". Materials Science Forum 654-656 (czerwiec 2010): 1788–91. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.654-656.1788.
Pełny tekst źródłaHuang, Hongjuan, Desheng Zhao, Chengjian Qi, Jingfa Huang, Zhongming Zeng, Baoshun Zhang i Shulong Lu. "Effect of Growth Temperature on Crystallization of Ge1−xSnx Films by Magnetron Sputtering". Crystals 12, nr 12 (12.12.2022): 1810. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12121810.
Pełny tekst źródłaNakatsuka, Osamu, Shotaro Takeuchi, Yosuke Shimura, Akira Sakai i Shigeaki Zaima. "Strained Ge and Ge1-xSnx Technology for Future CMOS Devices". Key Engineering Materials 470 (luty 2011): 146–51. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.146.
Pełny tekst źródłaMahmodi, Hadi, Md Hashim, Tetsuo Soga, Salman Alrokayan, Haseeb Khan i Mohamad Rusop. "Synthesis of Ge1−xSnx Alloy Thin Films by Rapid Thermal Annealing of Sputtered Ge/Sn/Ge Layers on Si Substrates". Materials 11, nr 11 (12.11.2018): 2248. http://dx.doi.org/10.3390/ma11112248.
Pełny tekst źródłaSun, Sheng Liu, Li Xin Zhang, Wen Qi Huang, Zhen Yu Chen, Hao Wang i Chun Qian Zhang. "First-Principal Investigation of Lattice Constants of Si<sub>1-<i>x</i></sub>Ge<i><sub>x</sub></i>, Si<sub>1-<i>x</i></sub>Sn<i><sub>x</sub></i> and Ge<sub>1-<i>x</i></sub>Sn<i><sub>x</sub></i>". Nano Hybrids and Composites 34 (23.02.2022): 77–82. http://dx.doi.org/10.4028/p-uk1s72.
Pełny tekst źródłaYu-Chen, Li. "Evaluation of the Key Physical Parameters of Compressive Strained Ge1-x Snx for Optoelectronic Devices". Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 13, nr 10 (1.10.2016): 7399–407. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2016.5733.
Pełny tekst źródłaConcepción Díaz, Omar, Nicolaj Brink Søgaard, Oliver Krause, Jin Hee Bae, Thorsten Brazda, Andreas T. Tiedemann, Qing-Tai Zhao, Detlev Grützmacher i Dan Buca. "(Si)GeSn Isothermal Multilayer Growth for Specific Applications Using GeH4 and Ge2H6". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, nr 32 (9.10.2022): 1162. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321162mtgabs.
Pełny tekst źródłaWangila, Emmanuel, Calbi Gunder, Petro M. Lytvyn, Mohammad Zamani-Alavijeh, Fernando Maia de Oliveira, Serhii Kryvyi, Hryhorii Stanchu i in. "The Epitaxial Growth of Ge and GeSn Semiconductor Thin Films on C-Plane Sapphire". Crystals 14, nr 5 (28.04.2024): 414. http://dx.doi.org/10.3390/cryst14050414.
Pełny tekst źródłaQiu, Yingxin, Runsheng Wang, Qianqian Huang i Ru Huang. "Study on the Ge1−xSnx/HfO2 interface and its impacts on Ge1−xSnx tunneling transistor". Journal of Applied Physics 115, nr 23 (21.06.2014): 234505. http://dx.doi.org/10.1063/1.4883760.
Pełny tekst źródłaNishimura, Tsuyoshi, Osamu Nakatsuka, Yosuke Shimura, Shotaro Takeuchi, Benjamin Vincent, Andre Vantomme, Johan Dekoster, Matty Caymax, Roger Loo i Shigeaki Zaima. "Formation of Ni(Ge1−xSnx) layers with solid-phase reaction in Ni/Ge1−xSnx/Ge systems". Solid-State Electronics 60, nr 1 (czerwiec 2011): 46–52. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.01.025.
Pełny tekst źródłaWang, Suyuan, Jun Zheng, Chunlai Xue, Chuanbo Li, Yuhua Zuo, Buwen Cheng i Qiming Wang. "Numerical calculation of strain-N+-Ge1−xSnx/P+-δGe1−xSnx/N−-Ge1−y−zSiySnz/P+-Ge1−y−zSiySnzheterojunction tunnel field-effect transistor". Japanese Journal of Applied Physics 56, nr 5 (18.04.2017): 054001. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.56.054001.
Pełny tekst źródłaLin, Hai, Robert Chen, Yijie Huo, Theodore I. Kamins i James S. Harris. "Raman study of strained Ge1−xSnx alloys". Applied Physics Letters 98, nr 26 (27.06.2011): 261917. http://dx.doi.org/10.1063/1.3606384.
Pełny tekst źródłaLoo, R., B. Vincent, F. Gencarelli, C. Merckling, A. Kumar, G. Eneman, L. Witters i in. "(Invited) Ge1-xSnx Materials: Challenges and Applications". ECS Transactions 50, nr 9 (15.03.2013): 853–63. http://dx.doi.org/10.1149/05009.0853ecst.
Pełny tekst źródłaShang, Colleen K., Vivian Wang, Robert Chen, Suyog Gupta, Yi-Chiau Huang, James J. Pao, Yijie Huo i in. "Dry-wet digital etching of Ge1−xSnx". Applied Physics Letters 108, nr 6 (8.02.2016): 063110. http://dx.doi.org/10.1063/1.4941800.
Pełny tekst źródłaTakeuchi, S., Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, J. Demeulemeester i in. "Ge1−xSnx stressors for strained-Ge CMOS". Solid-State Electronics 60, nr 1 (czerwiec 2011): 53–57. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.01.022.
Pełny tekst źródłaGupta, Suyog, Robert Chen, Yi-Chiau Huang, Yihwan Kim, Errol Sanchez, James S. Harris i Krishna C. Saraswat. "Highly Selective Dry Etching of Germanium over Germanium–Tin (Ge1–xSnx): A Novel Route for Ge1–xSnx Nanostructure Fabrication". Nano Letters 13, nr 8 (10.07.2013): 3783–90. http://dx.doi.org/10.1021/nl4017286.
Pełny tekst źródłaShimura, Y., W. Wang, W. Vandervorst, F. Gencarelli, A. Gassenq, G. Roelkens, A. Vantomme, M. Caymax i R. Loo. "(Invited) Ge1-xSnx Optical Devices: Growth and Applications". ECS Transactions 64, nr 6 (12.08.2014): 677–87. http://dx.doi.org/10.1149/06406.0677ecst.
Pełny tekst źródłaLadrón de Guevara, H. Pérez, A. G. Rodrı́guez, H. Navarro-Contreras i M. A. Vidal. "Ge1−xSnx alloys pseudomorphically grown on Ge(001)". Applied Physics Letters 83, nr 24 (15.12.2003): 4942–44. http://dx.doi.org/10.1063/1.1634374.
Pełny tekst źródłaStange, D., S. Wirths, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, Z. Ikonic, J. M. Hartmann, S. Mantl, D. Grützmacher i D. Buca. "Optical Transitions in Direct-Bandgap Ge1–xSnx Alloys". ACS Photonics 2, nr 11 (16.10.2015): 1539–45. http://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.5b00372.
Pełny tekst źródłaMäder, K. A., A. Baldereschi i H. von Känel. "Band structure and instability of Ge1−xSnx alloys". Solid State Communications 69, nr 12 (marzec 1989): 1123–26. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(89)91046-6.
Pełny tekst źródłaAttar, Gopal Singh, Mimi Liu, Cheng-Yu Lai i Daniela R. Radu. "Green Synthesis of Ge1−xSnx Alloy Nanoparticles for Optoelectronic Applications". Crystals 11, nr 10 (8.10.2021): 1216. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11101216.
Pełny tekst źródłaFukuda, Masahiro, Kazuhiro Watanabe, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka i Shigeaki Zaima. "Control of Ge1−x−ySixSnylayer lattice constant for energy band alignment in Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSnyheterostructures". Semiconductor Science and Technology 32, nr 10 (7.09.2017): 104008. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aa80ce.
Pełny tekst źródłaKorolyuk, Yu G., V. G. Deibuk i Ya I. Vyklyuk. "Optical properties of disordeed diamond-like solid substitutional solutions Ge1-xSix, Ge1-xSnx, Si1-xSnx, Si1-xCx and their thin films". Journal of Physical Studies 8, nr 1 (2004): 77–83. http://dx.doi.org/10.30970/jps.08.77.
Pełny tekst źródłaSuda, K., S. Ishihara, N. Sawamoto, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudoh, Y. Ohshita i A. Ogura. "Ge1-xSnx Epitaxial Growth on Ge Substrate by MOCVD". ECS Transactions 64, nr 6 (12.08.2014): 697–701. http://dx.doi.org/10.1149/06406.0697ecst.
Pełny tekst źródłaAlan Esteves, Richard J., Shopan Hafiz, Denis O. Demchenko, Ümit Özgür i Indika U. Arachchige. "Ultra-small Ge1−xSnx quantum dots with visible photoluminescence". Chemical Communications 52, nr 78 (2016): 11665–68. http://dx.doi.org/10.1039/c6cc04242b.
Pełny tekst źródłaDemeulemeester, J., A. Schrauwen, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Adachi, Y. Shimura, C. M. Comrie i in. "Sn diffusion during Ni germanide growth on Ge1–xSnx". Applied Physics Letters 99, nr 21 (21.11.2011): 211905. http://dx.doi.org/10.1063/1.3662925.
Pełny tekst źródłaRoucka, R., J. Tolle, C. Cook, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, V. D’Costa, J. Menendez, Zhihao D. Chen i S. Zollner. "Versatile buffer layer architectures based on Ge1−xSnx alloys". Applied Physics Letters 86, nr 19 (9.05.2005): 191912. http://dx.doi.org/10.1063/1.1922078.
Pełny tekst źródłaPiao, J. "Molecular-beam epitaxial growth of metastable Ge1−xSnx alloys". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 8, nr 2 (marzec 1990): 221. http://dx.doi.org/10.1116/1.584814.
Pełny tekst źródłaKurosawa, Masashi, Yukihiro Imai, Taisei Iwahashi, Kouta Takahashi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka i Shigeaki Zaima. "(Invited) A New Application of Ge1−xSnx: Thermoelectric Materials". ECS Transactions 86, nr 7 (20.07.2018): 321–28. http://dx.doi.org/10.1149/08607.0321ecst.
Pełny tekst źródłaKumar, Arul, Manu P. Komalan, Haraprasanna Lenka, Ajay Kumar Kambham, Matthieu Gilbert, Federica Gencarelli, Benjamin Vincent i Wilfried Vandervorst. "Atomic insight into Ge1−xSnx using atom probe tomography". Ultramicroscopy 132 (wrzesień 2013): 171–78. http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2013.02.009.
Pełny tekst źródłaSrinivasan, V. S. Senthil, Inga A. Fischer, Lion Augel, Anja Hornung, Roman Koerner, Konrad Kostecki, Michael Oehme, Erlend Rolseth i Joerg Schulze. "Contact resistivities of antimony-doped n-type Ge1−xSnx". Semiconductor Science and Technology 31, nr 8 (23.06.2016): 08LT01. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/31/8/08lt01.
Pełny tekst źródłaAsano, Takanori, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka i Shigeaki Zaima. "Formation of high-quality Ge1−xSnx layer on Ge(110) substrate with strain-induced confinement of stacking faults at Ge1−xSnx/Ge interfaces". Applied Physics Express 7, nr 6 (7.05.2014): 061301. http://dx.doi.org/10.7567/apex.7.061301.
Pełny tekst źródłaBai Min, Xuan Rong-Xi, Song Jian-Jun, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong i Shu Bin. "Study on intrinsic carrier concentration of direct bandgap Ge1-xSnx". Acta Physica Sinica 63, nr 23 (2014): 238502. http://dx.doi.org/10.7498/aps.63.238502.
Pełny tekst źródłaKostecki, K., M. Oehme, R. Koerner, D. Widmann, M. Gollhofer, S. Bechler, G. Mussler, D. Buca, E. Kasper i J. Schulze. "Virtual Substrate Technology for Ge1-XSnX Heteroepitaxy on Si Substrates". ECS Transactions 64, nr 6 (12.08.2014): 811–18. http://dx.doi.org/10.1149/06406.0811ecst.
Pełny tekst źródłaPerez Ladron de Guevara, H., A. G. Rodriguez Vazquez, H. R. Navarro Contreras i M. A. Vidal Borbolla. "Ge1-xSnx Alloys Pseudomorphically Grown on Ge (001) by Sputtering". ECS Transactions 50, nr 9 (15.03.2013): 413–17. http://dx.doi.org/10.1149/05009.0413ecst.
Pełny tekst źródłaLow, K. L., Y. Yang, G. Han, W. J. Fan i Y. C. Yeo. "Electronic Band Structure and Effective Masses of Ge1-xSnx Alloys". ECS Transactions 50, nr 9 (15.03.2013): 519–26. http://dx.doi.org/10.1149/05009.0519ecst.
Pełny tekst źródłaGhetmiri, Seyed Amir, Wei Du, Benjamin R. Conley, Aboozar Mosleh, Amjad Nazzal, Greg Sun, Richard A. Soref i in. "Shortwave-infrared photoluminescence from Ge1−xSnx thin films on silicon". Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 32, nr 6 (listopad 2014): 060601. http://dx.doi.org/10.1116/1.4897917.
Pełny tekst źródłaChang, Chiao, Hui Li, Tsung-Pin Chen, Wei-Kai Tseng, Henry Cheng, Chung-Ting Ko, Chung-Yen Hsieh, Miin-Jang Chen i Greg Sun. "The strain dependence of Ge1−xsnx (x=0.083) Raman shift". Thin Solid Films 593 (październik 2015): 40–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.09.040.
Pełny tekst źródłaShimura, Yosuke, Shotaro Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai i Shigeaki Zaima. "Control of strain relaxation behavior of Ge1−xSnx buffer layers". Solid-State Electronics 60, nr 1 (czerwiec 2011): 84–88. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.01.023.
Pełny tekst źródłaNewton, Kathryn A., Heather Renee Sully, Frank Bridges, Sue A. Carter i Susan M. Kauzlarich. "Structural Characterization of Oleylamine- and Dodecanethiol-Capped Ge1–xSnx Alloy Nanocrystals". Journal of Physical Chemistry C 125, nr 11 (16.03.2021): 6401–17. http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c11637.
Pełny tekst źródłaOlorunsola, Oluwatobi, Hryhorii Stanchu, Solomon Ojo, Krishna Pandey, Abdulla Said, Joe Margetis, John Tolle i in. "Impact of Long-Term Annealing on Photoluminescence from Ge1−xSnx Alloys". Crystals 11, nr 8 (31.07.2021): 905. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11080905.
Pełny tekst źródłaZheng, Jun, Yongwang Zhang, Zhi Liu, Yuhua Zuo, Chuanbo Li, Chunlai Xue, Buwen Cheng i Qiming Wang. "Fabrication of Low-Resistance Ni Ohmic Contacts on n+-Ge1−xSnx". IEEE Transactions on Electron Devices 65, nr 11 (listopad 2018): 4971–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2867622.
Pełny tekst źródłaQian, Li, Jinchao Tong, Weijun Fan, Ji Sheng Pan i Dao Hua Zhang. "Growth of Direct Bandgap Ge1−xSnx Alloys by Modified Magnetron Sputtering". IEEE Journal of Quantum Electronics 56, nr 1 (luty 2020): 1–4. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2019.2956347.
Pełny tekst źródłaMarshall, Ann F., Andrew Meng, Michael Braun, Anahita Pakzad, Huikai Cheng i Paul C. McIntyre. "Strain and Sn distribution in Ge/Ge1−xSnx Core-Shell Nanowires". Microscopy and Microanalysis 25, S2 (sierpień 2019): 2146–47. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927619011462.
Pełny tekst źródłaBouarissa, N., i F. Annane. "Electronic properties and elastic constants of the ordered Ge1−xSnx alloys". Materials Science and Engineering: B 95, nr 2 (sierpień 2002): 100–106. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00203-9.
Pełny tekst źródłaMarshall, Ann F., Gerentt Chan, Andrew C. Meng, Michael Braun i Paul C. McIntyre. "Ge Nanowires: Sn Catalysts and Ge/Ge1-xSnx Core-Shell Structures". Microscopy and Microanalysis 23, S1 (lipiec 2017): 1730–31. http://dx.doi.org/10.1017/s143192761700931x.
Pełny tekst źródłaDemchenko, Denis O., Venkatesham Tallapally, Richard J. Alan Esteves, Shopan Hafiz, Tanner A. Nakagawara, Indika U. Arachchige i Ümit Özgür. "Optical Transitions and Excitonic Properties of Ge1–xSnx Alloy Quantum Dots". Journal of Physical Chemistry C 121, nr 33 (16.08.2017): 18299–306. http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.7b06458.
Pełny tekst źródłaSeifner, Michael S., Felix Biegger, Alois Lugstein, Johannes Bernardi i Sven Barth. "Microwave-Assisted Ge1–xSnx Nanowire Synthesis: Precursor Species and Growth Regimes". Chemistry of Materials 27, nr 17 (21.08.2015): 6125–30. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.5b02757.
Pełny tekst źródłaGao, Kun, S. Prucnal, R. Huebner, C. Baehtz, I. Skorupa, Yutian Wang, W. Skorupa, M. Helm i Shengqiang Zhou. "Ge1−xSnx alloys synthesized by ion implantation and pulsed laser melting". Applied Physics Letters 105, nr 4 (28.07.2014): 042107. http://dx.doi.org/10.1063/1.4891848.
Pełny tekst źródła