Artykuły w czasopismach na temat „GaN. InN. InGaN”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „GaN. InN. InGaN”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
SEO*, Hye-Won. "Enhanced InN Solid Solubility in Pseudo-Binary InN-GaN (InGaN) Nanostructures". New Physics: Sae Mulli 66, nr 11 (30.11.2016): 1440–43. http://dx.doi.org/10.3938/npsm.66.1440.
Pełny tekst źródłaPopov, Maxim N., Jürgen Spitaler, Lorenz Romaner, Natalia Bedoya-Martínez i René Hammer. "Bayesian Optimization of Hubbard U’s for Investigating InGaN Superlattices". Electronic Materials 2, nr 3 (5.08.2021): 370–81. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat2030025.
Pełny tekst źródłaKangawa, Yoshihiro, Tomonori Ito, Yoshinao Kumagai i Akinori Koukitu. "Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE". Applied Surface Science 216, nr 1-4 (czerwiec 2003): 453–57. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(03)00396-9.
Pełny tekst źródłaLai, Wei-Chih, Cheng-Hsiung Yen i Shoou-Jinn Chang. "GaN-Based Green-Light-Emitting Diodes with InN/GaN Growth-Switched InGaN Wells". Applied Physics Express 6, nr 10 (1.10.2013): 102101. http://dx.doi.org/10.7567/apex.6.102101.
Pełny tekst źródłaGeerts, Wim, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton i Thomas Schmiedel. "Electrical transport in p-GaN, n-InN and n-InGaN". Solid-State Electronics 39, nr 9 (wrzesień 1996): 1289–94. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(96)00047-0.
Pełny tekst źródłaKusakabe, Kazuhide, Daichi Imai, Ke Wang i Akihiko Yoshikawa. "InN/GaN short-period superlattices as ordered InGaN ternary alloys". physica status solidi (c) 13, nr 5-6 (9.12.2015): 205–8. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201510306.
Pełny tekst źródłaYu, Chun-Ta, Wei-Chih Lai, Cheng-Hsiung Yen i Shoou-Jinn Chang. "InN/GaN alternative growth of thick InGaN wells on GaN-based light emitting diodes". Optical Materials Express 3, nr 11 (24.10.2013): 1952. http://dx.doi.org/10.1364/ome.3.001952.
Pełny tekst źródłaHazari, Arnab, Md Zunaid Baten, Lifan Yan, Joanna M. Millunchick i Pallab Bhattacharya. "An InN/InGaN/GaN nanowire array guided wave photodiode on silicon". Applied Physics Letters 109, nr 19 (7.11.2016): 191102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4967439.
Pełny tekst źródłaLi, Yi, Bin Liu, Rong Zhang, Zili Xie i Youdou Zheng. "Investigation of optical properties of InGaN–InN–InGaN/GaN quantum-well in the green spectral regime". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, nr 4 (styczeń 2012): 821–25. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2011.12.014.
Pełny tekst źródłaZhou, X. W., i R. E. Jones. "A Stillinger-Weber Potential for InGaN". Journal of Materials Science Research 6, nr 4 (27.09.2017): 88. http://dx.doi.org/10.5539/jmsr.v6n4p88.
Pełny tekst źródłaIslam, SM, Vladimir Protasenko, Sergei Rouvimov, Huili (Grace) Xing i Debdeep Jena. "High-quality InN films on GaN using graded InGaN buffers by MBE". Japanese Journal of Applied Physics 55, nr 5S (25.04.2016): 05FD12. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.05fd12.
Pełny tekst źródłaKim, Taek-Seung, Sang-Woo Kim, Han-Ki Kim i Ji-Myon Lee. "Surface confinement of the InN-rich phase in thick InGaN on GaN". Superlattices and Microstructures 40, nr 4-6 (październik 2006): 545–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2006.08.003.
Pełny tekst źródłaNakano, Yoshitaka, Liwen Sang i Masatomo Sumiya. "Electrical Characterization of Thick InGaN Films for Photovoltaic Applications". MRS Proceedings 1635 (2014): 29–34. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.205.
Pełny tekst źródłaXiang, Leilei, Enming Zhang, Wenyu Kang, Wei Lin i Junyong Kang. "Material Design of Ultra-Thin InN/GaN Superlattices for a Long-Wavelength Light Emission". Micromachines 15, nr 3 (1.03.2024): 361. http://dx.doi.org/10.3390/mi15030361.
Pełny tekst źródłaMuthuraj, Vineeta R., Wenjian Liu, Henry Collins, Weiyi Li, Robert Hamwey, Steven P. DenBaars, Umesh K. Mishra i Stacia Keller. "N-Polar Indium Nitride Quantum Dashes and Quantum Wire-like Structures: MOCVD Growth and Characterization". Crystals 13, nr 4 (19.04.2023): 699. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13040699.
Pełny tekst źródłaChan, Michael C. Y., Kwok-On Tsang, E. Herbert Li i Steven P. Denbaars. "Thermal Annealing of InGaN/GaN Strained-Layer Quantum Well". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 642–47. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003185.
Pełny tekst źródłaTu, Ru-Chin, Chang-Cheng Chuo, Shyi-Ming Pan, Yu-Mei Fan, Ching-En Tsai, Te-Chung Wang, Chun-Ju Tun, Gou-Chung Chi, Bing-Chi Lee i Chien-Ping Lee. "Improvement of near-ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes by inserting anin siturough SiNx interlayer inn-GaN layers". Applied Physics Letters 83, nr 17 (27.10.2003): 3608–10. http://dx.doi.org/10.1063/1.1622441.
Pełny tekst źródłaCheng, Yung-Chen, Cheng-Ming Wu, Meng-Kuo Chen, C. C. Yang, Zhe-Chuan Feng, Gang Alan Li, Jer-Ren Yang, Andreas Rosenauer i Kung-Je Ma. "Improvements of InGaN∕GaN quantum-well interfaces and radiative efficiency with InN interfacial layers". Applied Physics Letters 84, nr 26 (28.06.2004): 5422–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.1767603.
Pełny tekst źródłaHu, F. R., K. Ochi, Y. Zhao i K. Hane. "InGaN/GaN quantum-well nanocolumn crystals on pillared Si substrate with InN as interlayer". physica status solidi (c) 4, nr 7 (czerwiec 2007): 2338–41. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200674734.
Pełny tekst źródłaDas, Aparna. "A Systematic Exploration of InGaN/GaN Quantum Well-Based Light Emitting Diodes on Semipolar Orientations -=SUP=-*-=/SUP=-". Оптика и спектроскопия 130, nr 3 (2022): 376. http://dx.doi.org/10.21883/os.2022.03.52165.1549-21.
Pełny tekst źródłaHwang, Jeongwoo, Kwanjae Lee, Jin Soo Kim, Cheul-Ro Lee, In-Hwan Lee, Kwangjae Lee, Jin Hong Lee i in. "Manipulation on the optical properties of InGaN/GaN light emitting diodes by adopting InN layer". Journal of Crystal Growth 370 (maj 2013): 109–13. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.08.049.
Pełny tekst źródłaMoses, Poul Georg, Maosheng Miao, Qimin Yan i Chris G. Van de Walle. "Hybrid functional investigations of band gaps and band alignments for AlN, GaN, InN, and InGaN". Journal of Chemical Physics 134, nr 8 (28.02.2011): 084703. http://dx.doi.org/10.1063/1.3548872.
Pełny tekst źródłaАндреев, Б. А., Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, П. А. Юнин, М. А. Калинников, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев i З. Ф. Красильник. "Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов". Физика и техника полупроводников 55, nr 9 (2021): 766. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.09.51292.22.
Pełny tekst źródłaJafar, Naveed, Jianliang Jiang, Heng Lu, Muhammad Qasim i Hengli Zhang. "Recent Research on Indium-Gallium-Nitride-Based Light-Emitting Diodes: Growth Conditions and External Quantum Efficiency". Crystals 13, nr 12 (23.11.2023): 1623. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13121623.
Pełny tekst źródłaYu, Chun-Ta, Wei-Chih Lai, Cheng-Hsiung Yen, Hsu-Cheng Hsu i Shoou-Jinn Chang. "Optoelectrical characteristics of green light-emitting diodes containing thick InGaN wells with digitally grown InN/GaN". Optics Express 22, S3 (19.03.2014): A633. http://dx.doi.org/10.1364/oe.22.00a633.
Pełny tekst źródłaShioda, Tomonari, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki i Yoshiaki Nakano. "Selective area metal-organic vapor-phase epitaxy of InN, GaN and InGaN covering whole composition range". Journal of Crystal Growth 311, nr 10 (maj 2009): 2809–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.01.013.
Pełny tekst źródłaNagai, Katsuya, Toru Akiyama, Kohji Nakamura i Tomonori Ito. "A Simple Approach to Growth Mode of InN and InGaN Thin Films on GaN(0001) Substrate". ECS Meeting Abstracts MA2020-02, nr 26 (23.11.2020): 1831. http://dx.doi.org/10.1149/ma2020-02261831mtgabs.
Pełny tekst źródłaNagai, Katsuya, Toru Akiyama, Kohji Nakamura i Tomonori Ito. "A Simple Approach to Growth Mode of InN and InGaN Thin Films on GaN(0001) Substrate". ECS Transactions 98, nr 6 (23.09.2020): 155–64. http://dx.doi.org/10.1149/09806.0155ecst.
Pełny tekst źródłaChandrasekhar, D., D. J. Smith, S. Strite, M. E. Lin i H. Morkoc. "Characterization of group Ill-nitrides by high-resolution electron microscopy". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994): 846–47. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100171961.
Pełny tekst źródłaNee, Tzer-En, Jen-Cheng Wang, Bo-Yan Zhong, Jui-Ju Hsiao i Ya-Fen Wu. "Thermophysical Characterization of Efficiency Droop in GaN-Based Light-Emitting Diodes". Nanomaterials 11, nr 6 (30.05.2021): 1449. http://dx.doi.org/10.3390/nano11061449.
Pełny tekst źródłaChe, Song-Bek, Wataru Terashima, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa, Takeyoshi Matsuda, Hirotatsu Ishii i Seikoh Yoshida. "Fine-structure N-polarity InN∕InGaN multiple quantum wells grown on GaN underlayer by molecular-beam epitaxy". Applied Physics Letters 86, nr 26 (27.06.2005): 261903. http://dx.doi.org/10.1063/1.1954877.
Pełny tekst źródłaKadys, A., T. Malinauskas, T. Grinys, M. Dmukauskas, J. Mickevičius, J. Aleknavičius, R. Tomašiūnas i in. "Growth of InN and In-Rich InGaN Layers on GaN Templates by Pulsed Metalorganic Chemical Vapor Deposition". Journal of Electronic Materials 44, nr 1 (12.11.2014): 188–93. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-014-3494-6.
Pełny tekst źródłaZhang, Zi-Hui, Wei Liu, Zhengang Ju, Swee Tiam Tan, Yun Ji, Zabu Kyaw, Xueliang Zhang, Liancheng Wang, Xiao Wei Sun i Hilmi Volkan Demir. "InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with a grading InN composition suppressing the Auger recombination". Applied Physics Letters 105, nr 3 (21.07.2014): 033506. http://dx.doi.org/10.1063/1.4891334.
Pełny tekst źródłaReed, M. L., E. D. Readinger, C. G. Moe, H. Shen, M. Wraback, A. Syrkin, A. Usikov, O. V. Kovalenkov i V. A. Dmitriev. "Benefits of negative polarization charge inn-InGaN onp-GaN single heterostructure light emitting diode withp-side down". physica status solidi (c) 6, nr 2 (luty 2009): 585–88. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200880401.
Pełny tekst źródłaChe, Songbek, Akihiko Yuki, Hiroshi Watanabe, Yoshihiro Ishitani i Akihiko Yoshikawa. "Fabrication of Asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN Quantum-Well Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum-Confined Stark Effect in the Blue-Green Region". Applied Physics Express 2 (23.01.2009): 021001. http://dx.doi.org/10.1143/apex.2.021001.
Pełny tekst źródłaPhước, Dương Đình, i Đinh Như Thảo. "SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN". Hue University Journal of Science: Natural Science 130, nr 1A (10.03.2021): 13–21. http://dx.doi.org/10.26459/hueunijns.v130i1a.5964.
Pełny tekst źródłaEmanuel Thomet, Jonathan, Aman Kamlesh Singh, Mélanie Nelly Rouèche, Nils Toggwyler, Franz-Josef Haug, Gabriel Christmann, Sylvain Nicolay i in. "Bandgap engineering of indium gallium nitride layers grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, nr 6 (grudzień 2022): 063102. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002039.
Pełny tekst źródłaJustice, J., A. Kadiyala, J. Dawson i D. Korakakis. "Group III-Nitride Based Electronic and Optoelectronic Integrated Circuits for Smart Lighting Applications". MRS Proceedings 1492 (2013): 123–28. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.369.
Pełny tekst źródłaYarar, Z., B. Ozdemir i M. Ozdemir. "Transport and Mobility Properties of Bulk Indium Nitride (InN) and a Two-Dimensional Electron Gas in an InGaN/GaN Quantum Well". Journal of Electronic Materials 36, nr 10 (11.09.2007): 1303–12. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-007-0210-9.
Pełny tekst źródłaŁepkowski, S. P., i J. A. Majewski. "Pressure dependence of elastic constants in zinc-blende GaN and InN and their influence on the pressure coefficients of the light emission in cubic InGaN/GaN quantum wells". Solid State Communications 131, nr 12 (wrzesień 2004): 763–67. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2004.07.002.
Pełny tekst źródłaPoliani, E., M. R. Wagner, J. S. Reparaz, M. Mandl, M. Strassburg, X. Kong, A. Trampert, C. M. Sotomayor Torres, A. Hoffmann i J. Maultzsch. "Nanoscale Imaging of InN Segregation and Polymorphism in Single Vertically Aligned InGaN/GaN Multi Quantum Well Nanorods by Tip-Enhanced Raman Scattering". Nano Letters 13, nr 7 (28.06.2013): 3205–12. http://dx.doi.org/10.1021/nl401277y.
Pełny tekst źródłaKangawa, Y., T. Ito, Y. Kumagai i A. Koukitu. "Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE". physica status solidi (c), nr 7 (grudzień 2003): 2575–79. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200303538.
Pełny tekst źródłaAbboudi, Hassan, Haddou EL Ghazi, Redouane En-nadir, Mohamed A. Basyooni-M. Kabatas, Anouar Jorio i Izeddine Zorkani. "Efficiency of InN/InGaN/GaN Intermediate-Band Solar Cell under the Effects of Hydrostatic Pressure, In-Compositions, Built-in-Electric Field, Confinement, and Thickness". Nanomaterials 14, nr 1 (1.01.2024): 104. http://dx.doi.org/10.3390/nano14010104.
Pełny tekst źródłaKent, P. R. C., Gus L. W. Hart i Alex Zunger. "Biaxial strain-modified valence and conduction band offsets of zinc-blende GaN, GaP, GaAs, InN, InP, and InAs, and optical bowing of strained epitaxial InGaN alloys". Applied Physics Letters 81, nr 23 (2.12.2002): 4377–79. http://dx.doi.org/10.1063/1.1524299.
Pełny tekst źródłaListya Ningrum, Andi Alfina, i A. Andriyani Asra. "Pemanfaatan Teknik SCAMPER dalam Meningkatkan HOTS (High Order of Thinking Skills) pada Mata Kuliah Pengembangan Materi Ajar Bahasa dan Sastra Indonesia Mahasiswa Universitas Muhammadiyah Bulukumba". Jurnal Ilmiah Telaah 6, nr 1 (20.01.2021): 11. http://dx.doi.org/10.31764/telaah.v6i1.3350.
Pełny tekst źródłaChe, Songbek, Takuro Shinada, Tomoyasu Mizuno, Yoshihiro Ishitani i Akihiko Yoshikawa. "Polarity dependence of In-rich InGaN and InN/InGaN MQWs". MRS Proceedings 892 (2005). http://dx.doi.org/10.1557/proc-0892-ff06-03.
Pełny tekst źródłaYeo, Y. C., T. C. Chong i M. F. Li. "Valence Band Parameters for Wurtzite GaN and InN". MRS Proceedings 482 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-482-923.
Pełny tekst źródłaBinsted, Peter W., Kenneth Scott A. Butcher, Dimiter Alexandrov, Penka Terziyska, Dimka Georgieva, Rositsa Gergova i Vasil Georgiev. "InN on GaN Heterostructure Growth by Migration Enhanced Epitaxial Afterglow (MEAglow)". MRS Proceedings 1396 (2012). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.15.
Pełny tekst źródłaSingh, R., i T. D. Moustakas. "Growth of InGaN Films by MBE at the Growth Temperature of GaN". MRS Proceedings 395 (1995). http://dx.doi.org/10.1557/proc-395-163.
Pełny tekst źródłaVartuli, C. B., J. W. Lee, J. D. MacKenzie, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul i in. "ICP Dry Etching of III-V Nitrides". MRS Proceedings 468 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-468-393.
Pełny tekst źródła