Książki na temat „Gallium nitride”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych książek naukowych na temat „Gallium nitride”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Quay, Rüdiger. Gallium nitride electronics. Berlin: Springer, 2008.
Znajdź pełny tekst źródła1922-, Pankove Jacques I., i Moustakas T. D, red. Gallium nitride (GaN). San Diego: Academic Press, 1998.
Znajdź pełny tekst źródła1922-, Pankove Jacques I., Moustakas T. D i Willardson Robert K, red. Gallium nitride (GaN) II. San Diego: Academic Press, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaFeenstra, Randall M., i Colin E. C. Wood, red. Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2008. http://dx.doi.org/10.1002/9780470751817.
Pełny tekst źródłaEhrentraut, Dirk, Elke Meissner i Michal Bockowski, red. Technology of Gallium Nitride Crystal Growth. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-04830-2.
Pełny tekst źródłaEhrentraut, Dirk, Elke Meissner i Michal Bockowski. Technology of gallium nitride crystal growth. Heidelberg: Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaMichael, Shur, i Davis Robert F. 1942-, red. GaN-based materials and devices: Growth, fabrication, characterization and performance. Singapore: World Scientific, 2004.
Znajdź pełny tekst źródłaChuan, Feng Zhe, red. III-nitride devices and nanoengineering. London: Imperial College Press, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaB, Gil, red. Low-dimensional nitride semiconductors. Oxford: Oxford University Press, 2002.
Znajdź pełny tekst źródłaInternational Conference on Nitride Semiconductors (4th 2001 Denver, Colo.). ICNS-4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, 2001 : proceedings. Berlin: Wiley-VCH, 2002.
Znajdź pełny tekst źródłaVserossiĭskoe soveshchanie "Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory" (2nd 1998 St. Petersburg, Russia). Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory: Materialy 2-go vserossiĭskogo soveshchanii︠a︡, 2 ii︠u︡nii︠a︡ 1998 g., Sankt-Peterburgskiĭ gosudarstvennyĭ tekhnicheskiĭ universitet = Gallium nitride, indium nitride, aluminum nitride--structures and devices : technical digest : the 2nd Russian Workshop, June 2, 1998, St.-Petersburg State Technical University. Sankt-Peterburg: Sankt-Peterburgskiĭ gos. tekhn. universitet, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaInternational, Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya Japan). IWN Nagoya 2000: International Workshop on Nitride Semiconductors : IWN2000 : September 24-27, 2000, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan. Tokyo: Institute of Pure and Applied Physics, 2000.
Znajdź pełny tekst źródłaConference on Semiconducting and Insulating Materials (9th 1996 Toulouse, France). Semiconducting and insulating materials 1996: Proceedings of the 9th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC'9), April 29/May 3, 1996, Toulouse, France. New York: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaInternational Symposium on Gallium Nitride and Related Materials (1st 1995 Boston, Mass.). Gallium nitride and related materials: The First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A. Redaktor Ponce Fernando A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaYao, Takafumi. Oxide and nitride semiconductors: Processing, properties, and applications. Berlin: Springer, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaMaterials Research Society. Meeting Symposium C. Advances in GaN, GaAs, SiC and related alloys on silicon substrates: Symposium held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.S.A. Redaktor Li Tingkai. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaFong, Chee Yong. Sol-gel spin coating growth of gallium nitride thin films: A simple, safe, and cheap approach. Pulau Pinang: Penerbit Universiti Sains Malaysia, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaMeneghesso, Gaudenzio, Matteo Meneghini i Enrico Zanoni, red. Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-77994-2.
Pełny tekst źródłaH, Edgar James, red. Properties, processing and applications of gallium nitride and related semiconductors. London: INSPEC, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaFeenstra, Randall M. Porous silicon carbide and gallium nitride: Epitaxy, catalysis, and biotechnology applications. Chichester, England: John Wiley & Sons, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaKorbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaKorbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaW, Litton Cole, i Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., red. Gallium nitride materials and devices: 23-25 January 2006, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2006.
Znajdź pełny tekst źródłaSymposium on GaN, AIN, InN and Related Materials (2005 Boston, Mass.). GaN, AIN, InN and related materials: Symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A. Redaktorzy Kuball Martin i Materials Research Society Meeting. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2006.
Znajdź pełny tekst źródłaChristian, Wetzel, red. GaN and related alloys--2002: Symposium held December 2-6, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2003.
Znajdź pełny tekst źródłaConference on Semiconducting and Insulating Materials (11th 2000 Canberra, A.C.T.). SIMC-XI: 2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference : 3-7 July, 2000, the Australian National University, Canberra, Australia. Redaktorzy Jagadish C i Welham N. J. Piscataway, NJ: IEEE, 2000.
Znajdź pełny tekst źródłaEuropean, GaN Workshop (2nd 1997 Sophia-Antipolis France). EGW-2 proceedings: The Second European GaN Workshop, June 11-13, 1997, Valbonne Sophia-Antipolis, France. [S.l.]: Materials Research Society, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaEuropean GaN Workshop (1st 1996 Rigi-Kaltbad, Switzerland). EGW-1 proceedings: The First European GaN Workshop held June 2-4, 1996, Rigi, Switzerland. Redaktorzy Hellman Eric Sven, Kamp Markus i Strite Toby. [S.l.]: Materials Research Society, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaEuropean GaN Workshop (3rd 1998 Jadwisin, Poland). EGW-3 proceedings: The Third European GaN Workshop, held June 22-24 June 1998, Jadwisin, Poland. Redaktor Krukowski Stanisław. Warrendale, PA: Materials Research Society, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaR, Abernathy C., Amano H i Zolper J. C, red. Gallium nitride and related materials II: Symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaSzweda, Roy. Gallium nitride & related wide bandgap materials & devices: A market & technology overview 1996-2001. Oxford, UK: Elsevier Advanced Technology, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaRussell, D. The preparation and characterisation of gallium nitride and group III-V related compounds. Leicester: De Montfort University, 2003.
Znajdź pełny tekst źródłaFriedhelm, Bechstedt, Meyer B. K, Stutzmann M i Deutsche Forschungsgemeinschaft, red. Group III-nitrides and their heterostructures: Growth, characterization and applications. Weinheim: Wiley-VCH, 2003.
Znajdź pełny tekst źródłaGallium Nitride Electronics. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-71892-5.
Pełny tekst źródłaQuay, Rüdiger. Gallium Nitride Electronics. Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaLuminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Aluminum Gallium Nitride. Storming Media, 2003.
Znajdź pełny tekst źródłaWillardson, Robert K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber i Jacques I. Pankove. Gallium Nitride (GaN) I. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaYu, Hongyu, i Tianli Duan, red. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315196626.
Pełny tekst źródłaGallium Nitride (GaN) I. Elsevier, 1997. http://dx.doi.org/10.1016/s0080-8784(08)x6082-x.
Pełny tekst źródłaYu, HongYu, i Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaYu, HongYu, i Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Taylor & Francis Group, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaWillardson, R. K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber i Jacques I. Pankove. Gallium-Nitride (GaN) II. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaYu, HongYu, i Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaTwo-Dimensional Modeling of Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor. Storming Media, 2002.
Znajdź pełny tekst źródła(Editor), Jacques I. Pankove, i Theodore D. Moustakas (Editor), red. Gallium Nitride 1,2 (Semiconductors & Semimetals). Academic Press, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaTadjer, Marko, i Travis J. Anderson. Thermal Management of Gallium Nitride Electronics. Elsevier Science & Technology, 2022.
Znajdź pełny tekst źródłaMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Znajdź pełny tekst źródła