Artykuły w czasopismach na temat „FD-SOI (transistors)”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „FD-SOI (transistors)”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Angelov, George V., Dimitar N. Nikolov i Marin H. Hristov. "Technology and Modeling of Nonclassical Transistor Devices". Journal of Electrical and Computer Engineering 2019 (3.11.2019): 1–18. http://dx.doi.org/10.1155/2019/4792461.
Pełny tekst źródłaLagaev, Dmitriy A., Aleksey S. Klyuchnikov i Nikolay A. Shelepin. "Prospects for applying FD-SOI technology to space applications". Journal of Physics: Conference Series 2388, nr 1 (1.12.2022): 012135. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2388/1/012135.
Pełny tekst źródłaTaher Abuelma’atti, Muhammad. "Harmonic and intermodulation distortion in SOI FD transistors". Solid-State Electronics 47, nr 5 (maj 2003): 797–800. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00453-7.
Pełny tekst źródłaAssalti, Rafael, Denis Flandre i Michelly De Souza. "Influence of Geometrical Parameters on the DC Analog Behavior of the Asymmetric Self-Cascode FD SOI nMOSFETs". Journal of Integrated Circuits and Systems 13, nr 2 (5.10.2018): 1–7. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v13i2.15.
Pełny tekst źródłaSchmidt, Alexander, Holger Kappert i Rainer Kokozinski. "Enhanced High Temperature Performance of PD-SOI MOSFETs in Analog Circuits Using Reverse Body Biasing". Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 10, nr 4 (1.10.2013): 171–82. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.389.
Pełny tekst źródłaMota Barbosa da Silva, Lucas, Bruna Cardoso Paz i Michelly De Souza. "Analysis of Mobility in Graded-Channel SOI Transistors Aiming at Circuit Simulation". Journal of Integrated Circuits and Systems 15, nr 2 (31.07.2020): 1–5. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v15i2.188.
Pełny tekst źródłaSchmidt, Alexander, Holger Kappert i Rainer Kokozinski. "Enhanced High Temperature Performance of PD-SOI MOSFETs in Analog Circuits Using Reverse Body Biasing". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, HITEN (1.01.2013): 000122–33. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-ta14.
Pełny tekst źródłaCerdeira, A., M. Estrada, R. Quintero, D. Flandre, A. Ortiz-Conde i F. J. Garcı́a Sánchez. "New method for determination of harmonic distortion in SOI FD transistors". Solid-State Electronics 46, nr 1 (styczeń 2002): 103–8. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00258-1.
Pełny tekst źródłaGaillardin, Marc, Philippe Paillet, Veronique Ferlet-Cavrois, Jacques Baggio, Dale McMorrow, Olivier Faynot, Carine Jahan, Lucie Tosti i Sorin Cristoloveanu. "Transient Radiation Response of Single- and Multiple-Gate FD SOI Transistors". IEEE Transactions on Nuclear Science 54, nr 6 (grudzień 2007): 2355–62. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2007.910860.
Pełny tekst źródłaLee, Noriyuki, Ryuta Tsuchiya, Yusuke Kanno, Toshiyuki Mine, Yoshitaka Sasago, Go Shinkai, Raisei Mizokuchi i in. "16 x 8 quantum dot array operation at cryogenic temperatures". Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (16.02.2022): SC1040. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac4c07.
Pełny tekst źródłaVasileska, D., K. Raleva, A. Hossain i S. M. Goodnick. "Current progress in modeling self-heating effects in FD SOI devices and nanowire transistors". Journal of Computational Electronics 11, nr 3 (18.05.2012): 238–48. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-012-0404-0.
Pełny tekst źródłaBhoir, Mandar S., i Nihar R. Mohapatra. "Effects of Scaling on Analog FoMs of UTBB FD-SOI MOS Transistors: A Detailed Analysis". IEEE Transactions on Electron Devices 67, nr 8 (sierpień 2020): 3035–41. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2020.3002878.
Pełny tekst źródłaNocera, Claudio, Giuseppe Papotto i Giuseppe Palmisano. "Two-Path 77-GHz PA in 28-nm FD-SOI CMOS for Automotive Radar Applications". Electronics 11, nr 8 (18.04.2022): 1289. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11081289.
Pełny tekst źródłaBarboni, Leonardo. "Evidence of Limitations of the Transconductance-to-Drain-Current Method (gm/Id) for Transistor Sizing in 28 nm UTBB FD-SOI Transistors". Journal of Low Power Electronics and Applications 10, nr 2 (15.05.2020): 17. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea10020017.
Pełny tekst źródłaAl Mamun, Fahad, Sarma Vrudhula, Dragica Vasileska, Hugh Barnaby i Ivan Sanchez Esqueda. "Evidence of Transport Degradation in 22 nm FD-SOI Charge Trapping Transistors for Neural Network Applications". Solid-State Electronics 209 (listopad 2023): 108783. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2023.108783.
Pełny tekst źródłaFavre, Luc, Mohammed Bouabdellaoui, Elie Assaf, Imene Guelil, Antoine Ronda i Isabelle Berbezier. "(Invited) SiGe/SOI System: Mechanisms of Condensation and Strain Relaxation". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, nr 20 (7.07.2022): 1088. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01201088mtgabs.
Pełny tekst źródłaBertrand, Isabelle, Philippe Flatresse, Guillaume Besnard, Jean-Marc Bethoux, Zdenek Chalupa, Christophe Plantier, Martin Rack, Massinissa Nabet, Jean-Pierre Raskin i Frederic Allibert. "(G02 Best Paper Award Winner) Development Of High Resistivity FD-SOI Substrates for mmWave Applications". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, nr 29 (7.07.2022): 1273. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01291273mtgabs.
Pełny tekst źródłaGao, Shaochen, Duc-Tung Vu, Thibauld Cazimajou, Patrick Pittet, Martine Le Berre, Mohammadreza Dolatpoor Lakeh, Fabien Mandorlo i in. "Shallow Trench Isolation Patterning to Improve Photon Detection Probability of Single-Photon Avalanche Diodes Integrated in FD-SOI CMOS Technology". Photonics 11, nr 6 (1.06.2024): 526. http://dx.doi.org/10.3390/photonics11060526.
Pełny tekst źródłaZheng, Qiwen, Jiangwei Cui, Liewei Xu, Bingxu Ning, Kai Zhao, Mingjie Shen, Xuefeng Yu i in. "Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors". IEEE Transactions on Nuclear Science 66, nr 4 (kwiecień 2019): 702–9. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2019.2901755.
Pełny tekst źródłade Souza, Michelly, Denis Flandre, Rodrigo Trevisoli Doria, Renan Trevisoli i Marcelo Antonio Pavanello. "On the improvement of DC analog characteristics of FD SOI transistors by using asymmetric self-cascode configuration". Solid-State Electronics 117 (marzec 2016): 152–60. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.018.
Pełny tekst źródłaZhang, Guohe, Junhua Lai, Yali Su, Binhong Li, Bo Li, Jianhui Bu i Cheng-Fu Yang. "Study on the Thermal Conductivity Characteristics for Ultra-Thin Body FD SOI MOSFETs Based on Phonon Scattering Mechanisms". Materials 12, nr 16 (15.08.2019): 2601. http://dx.doi.org/10.3390/ma12162601.
Pełny tekst źródłaWatkins, A. C., S. T. Vibbert, J. V. D'Amico, J. S. Kauppila, T. D. Haeffner, D. R. Ball, E. X. Zhang, K. M. Warren, M. L. Alles i L. W. Massengill. "Mitigating Total-Ionizing-Dose-Induced Threshold-Voltage Shifts Using Back-Gate Biasing in 22-nm FD-SOI Transistors". IEEE Transactions on Nuclear Science 69, nr 3 (marzec 2022): 374–80. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2022.3146318.
Pełny tekst źródłaYamaoka, M., R. Tsuchiya i T. Kawahara. "SRAM Circuit With Expanded Operating Margin and Reduced Stand-By Leakage Current Using Thin-BOX FD-SOI Transistors". IEEE Journal of Solid-State Circuits 41, nr 11 (listopad 2006): 2366–72. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2006.882891.
Pełny tekst źródłaMaiellaro, Giorgio, Giovanni Caruso, Salvatore Scaccianoce, Mauro Giacomini i Angelo Scuderi. "40 GHz VCO and Frequency Divider in 28 nm FD-SOI CMOS Technology for Automotive Radar Sensors". Electronics 10, nr 17 (31.08.2021): 2114. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10172114.
Pełny tekst źródłaBhoir, Mandar S., Yogesh Singh Chauhan i Nihar R. Mohapatra. "Back-Gate Bias and Substrate Doping Influenced Substrate Effect in UTBB FD-SOI MOS Transistors: Analysis and Optimization Guidelines". IEEE Transactions on Electron Devices 66, nr 2 (luty 2019): 861–67. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2888799.
Pełny tekst źródłaKochiyama, M., T. Sega, K. Hara, Y. Arai, T. Miyoshi, Y. Ikegami, S. Terada, Y. Unno, K. Fukuda i M. Okihara. "Radiation effects in silicon-on-insulator transistors with back-gate control method fabricated with OKI Semiconductor 0.20μm FD-SOI technology". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 636, nr 1 (kwiecień 2011): S62—S67. http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.086.
Pełny tekst źródłaGoffioul, Michael, Gilles Dambrine, Danielle Vanhoenacker i Jean-Pierre Raskin. "Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs". Journal of Telecommunications and Information Technology, nr 3-4 (30.12.2000): 72–80. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2000.3-4.25.
Pełny tekst źródłaCarvalho, Henrique Lanfredi, Ricardo Cardoso Rangel, Katia Sasaki, Leonardo Yojo, Paula Agopian i Joao Martino. "Improved RFET Performance Using Dual-Aluminum-Contact (DAC)". ECS Meeting Abstracts MA2023-01, nr 33 (28.08.2023): 1855. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01331855mtgabs.
Pełny tekst źródłaKanyandekwe, Joël, Matthias Bauer, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Jean-Baptiste Pin, Jeremie Bisserier, Jérôme Richy i in. "Very Low Temperature Tensile and Selective Si:P Epitaxy for Advanced CMOS Devices". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, nr 32 (9.10.2022): 1190. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321190mtgabs.
Pełny tekst źródłaKarsenty, Avi, i Avraham Chelly. "Anomalous DIBL Effect in Fully Depleted SOI MOSFETs Using Nanoscale Gate-Recessed Channel Process". Active and Passive Electronic Components 2015 (2015): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2015/609828.
Pełny tekst źródłaBédécarrats, Thomas, Philippe Galy, Claire Fenouillet-Béranger i Sorin Cristoloveanu. "Investigation of built-in bipolar junction transistor in FD-SOI BIMOS". Solid-State Electronics 159 (wrzesień 2019): 177–83. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.057.
Pełny tekst źródłaHarame, David L. "Perspectives on How the "Sige, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing, and Devices" Field Has Changed over the Last 20 Years". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, nr 32 (9.10.2022): 1181. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321181mtgabs.
Pełny tekst źródłaGaly, Philippe, S. Athanasiou i S. Cristoloveanu. "BIMOS transistor solutions for ESD protection in FD-SOI UTBB CMOS technology". Solid-State Electronics 115 (styczeń 2016): 192–200. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.09.001.
Pełny tekst źródłaKevkić, Tijana S., Vojkan R. Nikolić, Vladica S. Stojanović, Dragana D. Milosavljević i Slavica J. Jovanović. "Modeling electrostatic potential in FDSOI MOSFETS: An approach based on homotopy perturbations". Open Physics 20, nr 1 (1.01.2022): 106–16. http://dx.doi.org/10.1515/phys-2022-0012.
Pełny tekst źródłaSharma, Rajneesh, Rituraj S. Rathore i Ashwani K. Rana. "Impact of High-k Spacer on Device Performance of Nanoscale Underlap Fully Depleted SOI MOSFET". Journal of Circuits, Systems and Computers 27, nr 04 (6.12.2017): 1850063. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126618500639.
Pełny tekst źródłaCao, Yong-Feng, M. Arsalan, J. Liu, Yu-Long Jiang i J. Wan. "A Novel One-Transistor Active Pixel Sensor With In-Situ Photoelectron Sensing in 22 nm FD-SOI Technology". IEEE Electron Device Letters 40, nr 5 (maj 2019): 738–41. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2908632.
Pełny tekst źródłaArtemio Schoulten, Felipe, Rémy Vauche, Jean Gaubert, Sylvain Bourdel i André Augusto Mariano. "Design of a multi-standard IR-UWB emitter in a 28 nm FD-SOI technology based on the frequency transposition pulse synthesis". Journal of Integrated Circuits and Systems 18, nr 3 (28.12.2023): 1–11. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v18i3.793.
Pełny tekst źródłaDuan, F. L., S. P. Sinha, D. E. Ioannou i F. T. Brady. "LDD design tradeoffs for single transistor latch-up and hot carrier degradation control in accumulation mode FD SOI MOSFET's". IEEE Transactions on Electron Devices 44, nr 6 (czerwiec 1997): 972–77. http://dx.doi.org/10.1109/16.585553.
Pełny tekst źródłaMayeda, Jill, Donald Y. C. Lie i Jerry Lopez. "Broadband Millimeter-Wave 5G Power Amplifier Design in 22 nm CMOS FD-SOI and 40 nm GaN HEMT". Electronics 11, nr 5 (23.02.2022): 683. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11050683.
Pełny tekst źródłaGolman, Roman, Robert Giterman i Adam Teman. "Multi-Ported GC-eDRAM Bitcell with Dynamic Port Configuration and Refresh Mechanism". Journal of Low Power Electronics and Applications 14, nr 1 (4.01.2024): 2. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea14010002.
Pełny tekst źródłaGiterman, Robert, Alexander Fish, Andreas Burg i Adam Teman. "A 4-Transistor nMOS-Only Logic-Compatible Gain-Cell Embedded DRAM With Over 1.6-ms Retention Time at 700 mV in 28-nm FD-SOI". IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 65, nr 4 (kwiecień 2018): 1245–56. http://dx.doi.org/10.1109/tcsi.2017.2747087.
Pełny tekst źródła"(Keynote) FD-SOI: The History from Early Transistors to Today". ECS Meeting Abstracts, 2016. http://dx.doi.org/10.1149/ma2016-02/30/1952.
Pełny tekst źródłaValdivieso, C., R. Rodriguez, A. Crespo-Yepes, J. Martin-Martinez i M. Nafria. "Resistive Switching like-behavior in FD-SOI Ω-gate transistors". Solid-State Electronics, wrzesień 2023, 108759. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2023.108759.
Pełny tekst źródłaYEH, Wenchang, i Masato Ohya. "Characteristics and deviation of low temperature FD-SOI-MOSFETs using sputtering SiO2 gate insulator". Japanese Journal of Applied Physics, 13.01.2023. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/acb2d3.
Pełny tekst źródłaZhang, Ruiqin, Qiwen Zheng, Jiangwei Cui, Yudong Li, Xuefeng Yu, Wu Lu i Qi Guo. "Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI transistors". IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022, 1. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2022.3219432.
Pełny tekst źródłaBhardwaj, Anuj, Sujit K. Singh i Abhisek Dixit. "Narrow-Width Effects in 28-nm FD-SOI Transistors Operating at Cryogenic Temperatures". IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022, 1. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2022.3233302.
Pełny tekst źródłaShin, Hyun-Jin, Sunil Babu Eadi, Yeong-Jin An, Tae-Gyu Ryu, Do-woo Kim, Hi-Deok Lee i Hyuk-Min Kwon. "Effect of high-pressure D2 and H2 annealing on LFN properties in FD-SOI pTFET". Scientific Reports 12, nr 1 (2.11.2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-022-22575-5.
Pełny tekst źródłaBergamaschi, Flávio Enrico, Tadeu Mota Frutuoso, Bruna Cardoso Paz, Gérard Billiot, Aloysius G. M. Jansen, Phillipe Galy, Emmanuel Vincent, Fred Gaillard, Blandine Duriez i Mikaël Cassé. "Experimental Analysis and Modeling of Self-Heating and Thermal Coupling in 28 nm FD-SOI CMOS Transistors Down to Cryogenic Temperatures". IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 1–7. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2024.3367316.
Pełny tekst źródła"Ультратонкие скрытые стеки оксидов гафния и алюминия в полевых структурах кремний-на-изоляторе / Попов В.П., Антонов В.А., Ильницкий М.А., Мяконьких А.В., Руденко К.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20.08.2019, 174. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-174.
Pełny tekst źródłaXueyin, Su, Xu Binbin, Bo Tang, Jing Xu, Jinbiao Liu, Cui Yan, Yang Meiyin i in. "Comparative Cryogenic Investigation of FD-SOI Devices with Doped Epitaxial and Metallic Source/Drain". ECS Journal of Solid State Science and Technology, 20.05.2024. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ad4de0.
Pełny tekst źródła