Książki na temat „Énergie de la bande interdite”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 19 najlepszych książek naukowych na temat „Énergie de la bande interdite”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
1921-, Bhargava Rameshwar Nath, red. Properties of wide bandgap II-VI semiconductors. London, U.K: INSPEC, Institute of Electrical Engineers, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaJ, Pearton S., red. Wide bandgap semiconductors: Growth, processing and applications. Park Ridge, N.J: Noyes Publications, 2000.
Znajdź pełny tekst źródła1936-1984, McMillan William L., Hutiray Gy, So lyom J i International Conference on Charge Density Waves in Solids (1984 : Budapest, Hungary)., red. Charge density waves in solids: Proceedings of the International Conference held in Budapest, Hungary, September 3-7, 1984. Berlin: Springer-Verlag, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaConduction in non-crystalline materials. Oxford: Clarendon Press, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaF, Mott N. Conduction in non-crystalline materials. Wyd. 2. Oxford: Clarendon Press, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaNATO Advanced Research Workshop on Narrow-Band Phenomena--Influence of Electrons with Both Band and Localized Character (1987 Staverden, Netherlands). Narrow-band phenomena--influence of electrons with both band and localized character. New York: Plenum Press, 1988.
Znajdź pełny tekst źródłaReno, J. L. Narrow Gap Semiconductors 1995: Proceedings of the Seventh International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Santa Fe, New Mexico, 8-12 January 1995 (Institute of Physics Conference Series). Taylor & Francis, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaBhargava, Ramesh. Properties of Wide Bandgap Ii-VI Semiconductors (E M I S Datareviews Series). Institution of Electrical Engineers, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaLitvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaWide Bandgap Semiconductor Spintronics. Taylor & Francis Group, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaLitvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaHodgson, John Noel. Optical Absorption and Dispersion in Solids. Springer London, Limited, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaHodgson, John Noel. Optical Absorption and Dispersion in Solids. Springer, 2013.
Znajdź pełny tekst źródła(Assistant), R. Dornhaus, G. Nimtz (Assistant) i B. Schlicht (Assistant), red. Narrow-Gap Semiconductors (Springer Tracts in Modern Physics). Springer, 1985.
Znajdź pełny tekst źródła(Editor), J. C. Fuggle, G. A. Sawatzky (Editor) i J. Allen (Editor), red. Narrow-Band Phenomena: Influence of Elections With Both Band and Localized Character (NATO Science Series: B:). Springer, 1988.
Znajdź pełny tekst źródłaWang, Fei, Zheyu Zhang i Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaWang, Fei, Zheyu Zhang i Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaOhshima, Takeshi, Hiroshi Yano, Kazuma Eto, Shinsuke Harada i Takeshi Mitani. Silicon Carbide and Related Materials 2019. Trans Tech Publications, Limited, 2020.
Znajdź pełny tekst źródłaOhshima, Takeshi, Hiroshi Yano, Kazuma Eto, Shinsuke Harada i Takeshi Mitani. Silicon Carbide and Related Materials 2019. Trans Tech Publications, Limited, 2020.
Znajdź pełny tekst źródła