Gotowa bibliografia na temat „Emerging Non-Volatile memories”
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Artykuły w czasopismach na temat "Emerging Non-Volatile memories"
Fujisaki, Yoshihisa. "Overview of emerging semiconductor non-volatile memories". IEICE Electronics Express 9, nr 10 (2012): 908–25. http://dx.doi.org/10.1587/elex.9.908.
Pełny tekst źródłaMelanotte, M., R. Bez i G. Crisenza. "Non volatile memories-status and emerging trends". Microelectronic Engineering 15, nr 1-4 (październik 1991): 603–12. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(91)90293-m.
Pełny tekst źródłaSi, Mengwei, Huai-Yu Cheng, Takashi Ando, Guohan Hu i Peide D. Ye. "Overview and outlook of emerging non-volatile memories". MRS Bulletin 46, nr 10 (październik 2021): 946–58. http://dx.doi.org/10.1557/s43577-021-00204-2.
Pełny tekst źródłaDieny, B., i Chennupati Jagadish. "Emerging non-volatile memories: magnetic and resistive technologies". Journal of Physics D: Applied Physics 46, nr 7 (1.02.2013): 070301. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/7/070301.
Pełny tekst źródłaFujisaki, Yoshihisa. "Review of Emerging New Solid-State Non-Volatile Memories". Japanese Journal of Applied Physics 52, nr 4R (1.04.2013): 040001. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.52.040001.
Pełny tekst źródłaMakarov, Alexander, Viktor Sverdlov i Siegfried Selberherr. "Modeling Emerging Non-volatile Memories: Current Trends and Challenges". Physics Procedia 25 (2012): 99–104. http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.056.
Pełny tekst źródłaWang, Yan, Ziyu Lv, Li Zhou, Xiaoli Chen, Jinrui Chen, Ye Zhou, V. A. L. Roy i Su-Ting Han. "Emerging perovskite materials for high density data storage and artificial synapses". Journal of Materials Chemistry C 6, nr 7 (2018): 1600–1617. http://dx.doi.org/10.1039/c7tc05326f.
Pełny tekst źródłaKhan, Mohammad Nasim Imtiaz, Shivam Bhasin, Bo Liu, Alex Yuan, Anupam Chattopadhyay i Swaroop Ghosh. "Comprehensive Study of Side-Channel Attack on Emerging Non-Volatile Memories". Journal of Low Power Electronics and Applications 11, nr 4 (28.09.2021): 38. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea11040038.
Pełny tekst źródłaKhan, Mohammad Nasim Imtiaz, i Swaroop Ghosh. "Comprehensive Study of Security and Privacy of Emerging Non-Volatile Memories". Journal of Low Power Electronics and Applications 11, nr 4 (24.09.2021): 36. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea11040036.
Pełny tekst źródłaWaser, Rainer. "Emerging Non-Volatile Memories by Exploiting Redox Reactions on the Nanoscale". ECS Transactions 25, nr 7 (17.12.2019): 441–46. http://dx.doi.org/10.1149/1.3203981.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Emerging Non-Volatile memories"
GROSSI, Alessandro. "Emerging non volatile memories reliability". Doctoral thesis, Università degli studi di Ferrara, 2017. http://hdl.handle.net/11392/2488205.
Pełny tekst źródłaQuesta tesi presenta i risultati dell’attività di ricerca svolta durante il ciclo XXIX di dottorato in Scienze dell’Ingegneria presso l’Università degli Studi di Ferrara. In particolare la tesi tratta la caratterizzazione elettrica, la analisi statistica ed il modeling dei meccanismi fisici e dell’affidabilità di memorie non volatili innovative. Nel manoscritto vengono considerate tre delle tecnologie più promettenti per la futura sostituzione delle memorie flash, che stanno attualmente raggiungendo i loro limiti di scalabilità tecnologici. Il manoscritto è organizzato come segue. Nel capitolo 1 vengono studiate matrici di celle di memoria CT-NAND planari, mostrando che l’affidabilità di tale tecnologia è principalmente limitata dalla bassa capacità di ritenzione dei dati e dalla breve durata in termini di cicli di scrittura e cancellazione. Nella prima parte del capitolo sono stati caratterizzati algoritmi di programmazione e lettura innovativi in grado di ridurre tali limitazioni, analizzandone i vantaggi ottenuti in termini di affidabilità. In seguito sono state simulate e valutate le prestazioni che sarebbero ottenute in dischi a stato solido (SSD) nel caso in cui tali memorie ed algoritmi fossero utilizzati. Nel capitolo 2 i risultati ottenuti sulla tecnologia RRAM sono presentati e discussi prestando particolare attenzione alla variabilità, che è il problema principale di questa tecnologia di memorizzazione. L’impatto delle operazioni di Forming, Set e Reset sulla variabilità viene valutato sia per operazioni a singolo impulso che per complessi algoritmi di programmazione che prevedono operazioni di verifica della corretta memorizzazione dei dati. Il modello quantum point contact è stato utilizzato per fornire una spiegazione fisica dei risultati ottenuti durante la caratterizzazione elettrica. Successivamente è stato discusso l’impatto dei parametri di processo su variabilità ed affidabilità delle celle di memoria. Infine, nella parte finale del capitolo i limiti intrinseci di variabilità di tale tecnologia sono stati definiti attraverso una caratterizzazione estensiva di matrici di celle di memoria e sono state fornite alcune prospettive di utilizzo per applicazioni spaziali. Nel capitolo 3 vengono riportati i risultati ottenuti sulla tecnologia TAS-MRAM. L’affidabilità e la variabilità tra celle di memoria sono state valutate durante test di durata in cui sono state svolte milioni di operazioni di programmazione e cancellazione, estraendo dalle misure su matrici di celle i parametri caratteristici in grado di descriverne il funzionamento. Dopo un’ottimizzazione preliminare delle operazioni di scrittura, l’efficacia delle condizioni di programmazione ottimizzate è stata verificata con test di durata valutandone i vantaggi nella riduzione sia della variabilità tra celle che del numero di celle degradate durante il test. In seguito è stata testata una matrice di celle TAS-MRAM in cui la procedura di lettura è stata ottimizzata (Self Referenced) ed i risultati ottenuti sono stati confrontati con i precedenti per evidenziarne i vantaggi in termini di affidabilità. Nelle conclusioni di questo lavoro riportate alla fine del manoscritto sono riassunti i risultati ottenuti, proposte possibili applicazioni per le tecnologie analizzate e suggerite eventuali attività future che potrebbero estendere e migliorare la comprensione delle problematiche di affidabilità sulle tecnologie di memoria considerate.
Książki na temat "Emerging Non-Volatile memories"
Hong, Seungbum, Orlando Auciello i Dirk Wouters, red. Emerging Non-Volatile Memories. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7537-9.
Pełny tekst źródłaWouters, Dirk, Orlando Auciello i Seungbum Hong. Emerging Non-Volatile Memories. Springer, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaWouters, Dirk, Orlando Auciello i Seungbum Hong. Emerging Non-Volatile Memories. Springer, 2014.
Znajdź pełny tekst źródłaWouters, Dirk, Orlando Auciello i Seungbum Hong. Emerging Non-Volatile Memories. Springer, 2014.
Znajdź pełny tekst źródłaDimitrakis, Panagiotis. Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 2--Emerging Materials and Structures. Springer, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaDimitrakis, Panagiotis. Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 2--Emerging Materials and Structures. Springer, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaDimitrakis, Panagiotis. Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 2--Emerging Materials and Structures. Springer, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaIn Search of the Next Memory: Inside the Circuitry from the Oldest to the Emerging Non-Volatile Memories. Springer, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaCampardo, Giovanni, i Roberto Gastaldi. In Search of the Next Memory: Inside the Circuitry from the Oldest to the Emerging Non-Volatile Memories. Springer, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaCampardo, Giovanni, i Roberto Gastaldi. In Search of the Next Memory: Inside the Circuitry from the Oldest to the Emerging Non-Volatile Memories. Springer, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Emerging Non-Volatile memories"
Martin, Lane W., Ying-Hao Chu i R. Ramesh. "Emerging Multiferroic Memories". W Emerging Non-Volatile Memories, 103–66. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7537-9_3.
Pełny tekst źródłaYu, Shimeng. "Emerging Non-volatile Memories". W Semiconductor Memory Devices and Circuits, 133–93. Boca Raton: CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003138747-5.
Pełny tekst źródłaLee, Myoung-Jae. "Emerging Oxide Resistance Change Memories". W Emerging Non-Volatile Memories, 195–218. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7537-9_5.
Pełny tekst źródłaAuciello, Orlando, Carlos A. Paz de Araujo i Jolanta Celinska. "Review of the Science and Technology for Low- and High-Density Nonvolatile Ferroelectric Memories". W Emerging Non-Volatile Memories, 3–35. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7537-9_1.
Pełny tekst źródłaDieny, B., R. Sousa, G. Prenat, L. Prejbeanu i O. Redon. "Hybrid CMOS/Magnetic Memories (MRAMs) and Logic Circuits". W Emerging Non-Volatile Memories, 37–101. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7537-9_2.
Pełny tekst źródłaLencer, Dominic, Martin Salinga i Matthias Wuttig. "Phase-Change Materials for Data Storage Applications". W Emerging Non-Volatile Memories, 169–93. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7537-9_4.
Pełny tekst źródłaYang, J. Joshua, i Gilberto Medeiros-Ribeiro. "Oxide Based Memristive Nanodevices". W Emerging Non-Volatile Memories, 219–56. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7537-9_6.
Pełny tekst źródłaHong, Seungbum, i Yunseok Kim. "Ferroelectric Probe Storage Devices". W Emerging Non-Volatile Memories, 259–73. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7537-9_7.
Pełny tekst źródłaPirovano, Agostino. "Physics and Technology of Emerging Non-Volatile Memories". W In Search of the Next Memory, 27–46. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-47724-4_3.
Pełny tekst źródłaWei, Wei, Dejun Jiang, Jin Xiong i Mingyu Chen. "Exploring Opportunities for Non-volatile Memories in Big Data Applications". W Big Data Benchmarks, Performance Optimization, and Emerging Hardware, 209–20. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-13021-7_16.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Emerging Non-Volatile memories"
Xue, Chun Jason, Youtao Zhang, Yiran Chen, Guangyu Sun, J. Jianhua Yang i Hai Li. "Emerging non-volatile memories". W the seventh IEEE/ACM/IFIP international conference. New York, New York, USA: ACM Press, 2011. http://dx.doi.org/10.1145/2039370.2039420.
Pełny tekst źródłaSandhu, Gurtej S. "Emerging memories technology landscape". W 2013 13th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/nvmts.2013.6851050.
Pełny tekst źródła"SESSION 26 - Emerging Non-Volatile Memories". W 2004 Symposium on VLSI Circuits. Digest of Technical Papers. IEEE, 2004. http://dx.doi.org/10.1109/vlsic.2004.1346643.
Pełny tekst źródłaImtiaz Khan, Mohammad Nasim, Karthikeyan Nagarajan i Swaroop Ghosh. "Hardware Trojans in Emerging Non-Volatile Memories". W 2019 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.23919/date.2019.8714843.
Pełny tekst źródłaGao, Bin. "Emerging Non-Volatile Memories for Computation-in-Memory". W 2020 25th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/asp-dac47756.2020.9045394.
Pełny tekst źródłaHamdioui, Said, Peyman Pouyan, Huawei Li, Ying Wang, Arijit Raychowdhur i Insik Yoon. "Test and Reliability of Emerging Non-volatile Memories". W 2017 IEEE 26th Asian Test Symposium (ATS). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/ats.2017.42.
Pełny tekst źródłaTyagi, Vivek, Vikas Rana, Laura Capecchi, Marcella Carissimi i Marco Pasotti. "Power Efficient Sense Amplifier For Emerging Non Volatile Memories". W 2020 33rd International Conference on VLSI Design and 2020 19th International Conference on Embedded Systems (VLSID). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/vlsid49098.2020.00019.
Pełny tekst źródłaShamsi, Kaveh, i Yier Jin. "Security of emerging non-volatile memories: Attacks and defenses". W 2016 IEEE 34th VLSI Test Symposium (VTS). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/vts.2016.7477293.
Pełny tekst źródłaKhan, Mohammad Nasim Imtiaz, i Swaroop Ghosh. "Test challenges and solutions for emerging non-volatile memories". W 2018 IEEE 36th VLSI Test Symposium (VTS). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/vts.2018.8368632.
Pełny tekst źródłaKhan, Mohammad Nasim Imtiaz, i Swaroop Ghosh. "Assuring Security and Reliability of Emerging Non-Volatile Memories". W 2020 IEEE International Test Conference (ITC). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/itc44778.2020.9325231.
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