Artykuły w czasopismach na temat „Double Heterojunction Bipolar Transistor”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Double Heterojunction Bipolar Transistor”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Magno, R., J. B. Boos, P. M. Campbell, B. R. Bennett, E. R. Glaser, B. P. Tinkham, M. G. Ancona, K. D. Hobart, D. Park i N. A. Papanicolaou. "InAlAsSb∕InGaSb double heterojunction bipolar transistor". Electronics Letters 41, nr 6 (2005): 370. http://dx.doi.org/10.1049/el:20058107.
Pełny tekst źródłaYan, B. P., C. C. Hsu, X. Q. Wang i E. S. Yang. "InGaP∕GaAs0.94Sb0.06∕GaAs double heterojunction bipolar transistor". Electronics Letters 38, nr 6 (2002): 289. http://dx.doi.org/10.1049/el:20020201.
Pełny tekst źródłaLIU, QINGMIN, SURAJIT SUTAR i ALAN SEABAUGH. "TUNNEL DIODE/TRANSISTOR DIFFERENTIAL COMPARATOR". International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, nr 03 (wrzesień 2004): 640–45. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002600.
Pełny tekst źródłaChang, P. C., A. G. Baca, N. Y. Li, X. M. Xie, H. Q. Hou i E. Armour. "InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor". Applied Physics Letters 76, nr 16 (17.04.2000): 2262–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.126315.
Pełny tekst źródłaCoquillat, D., V. Nodjiadjim, S. Blin, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, P. Nouvel i in. "High-Speed Room Temperature Terahertz Detectors Based on InP Double Heterojunction Bipolar Transistors". International Journal of High Speed Electronics and Systems 25, nr 03n04 (wrzesień 2016): 1640011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156416400115.
Pełny tekst źródłaPelouard, J.-L., P. Hesto i R. Castagné. "Monte-Carlo study of the double heterojunction bipolar transistor". Solid-State Electronics 31, nr 3-4 (marzec 1988): 333–36. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(88)90289-4.
Pełny tekst źródłaLew, K. L., i S. F. Yoon. "Model for InGaP/GaAs/InGaP double heterojunction bipolar transistor". Journal of Applied Physics 89, nr 6 (15.03.2001): 3464–68. http://dx.doi.org/10.1063/1.1343888.
Pełny tekst źródłaPrinz, E. J., X. Xiao, P. V. Schwartz i J. C. Sturm. "A novel double-base heterojunction bipolar transistor for low-temperature bipolar logic". IEEE Transactions on Electron Devices 39, nr 11 (1992): 2636–37. http://dx.doi.org/10.1109/16.163484.
Pełny tekst źródłaYamina, Berrichi, i Ghaffour Kherreddine. "Modelling Electronic Characteristic of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor". International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 5, nr 3 (1.06.2015): 525. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v5i3.pp525-530.
Pełny tekst źródłaLee, Geonyeop, Stephen J. Pearton, Fan Ren i Jihyun Kim. "Heterojunction Bipolar Transistor: 2D Material-Based Vertical Double Heterojunction Bipolar Transistors with High Current Amplification (Adv. Electron. Mater. 3/2019)". Advanced Electronic Materials 5, nr 3 (marzec 2019): 1970015. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201970015.
Pełny tekst źródłaIkossi-Anastasiou, K., A. Ezis, K. R. Evans i C. E. Stutz. "Double heterojunction bipolar transistor in AlxGa1−xAs/GaAs1−ySby system". Electronics Letters 27, nr 2 (1991): 142. http://dx.doi.org/10.1049/el:19910093.
Pełny tekst źródłaCheng, Shiou-Ying, Hsi-Jen Pan, Shun-Ching Feng, Kuo-Hui Yu, Jung-Hui Tsai i Wen-Chau Liu. "A new wide voltage operation regime double heterojunction bipolar transistor". Solid-State Electronics 44, nr 4 (kwiecień 2000): 581–85. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00301-9.
Pełny tekst źródłaWang, W.-C., S.-Y. Cheng, W.-L. Chang, H.-J. Pan, Y.-H. Shie i W.-C. Liu. "Investigation of InGaP/GaAs double-delta-doped heterojunction bipolar transistor". Semiconductor Science and Technology 13, nr 6 (1.06.1998): 630–33. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/13/6/015.
Pełny tekst źródłaPelouard, J. L., P. Hesto, J. P. Praseuth i L. Goldstein. "Double-heterojunction GaAlInAs/GaInAs bipolar transistor grown by molecular beam epitaxy". IEEE Electron Device Letters 7, nr 9 (wrzesień 1986): 516–18. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1986.26457.
Pełny tekst źródłaLin, Y. S. "Breakdown characteristics of InP/InGaAs composite-collector double heterojunction bipolar transistor". Applied Physics Letters 83, nr 26 (29.12.2003): 5545–47. http://dx.doi.org/10.1063/1.1637147.
Pełny tekst źródłaBerger, Paul R., Naresh Chand i Niloy K. Dutta. "An AlGaAs double‐heterojunction bipolar transistor grown by molecular‐beam epitaxy". Applied Physics Letters 59, nr 9 (26.08.1991): 1099–101. http://dx.doi.org/10.1063/1.106356.
Pełny tekst źródłaTaira, K., H. Kawai i K. Kaneko. "Nonequilibrium electron transport in an AlGaAs/GaAs double‐heterojunction bipolar transistor". Journal of Applied Physics 64, nr 5 (wrzesień 1988): 2767–69. http://dx.doi.org/10.1063/1.341625.
Pełny tekst źródłaSugiyama, Hiroki, Yasuhiro Oda, Takashi Kobayashi, Masahiro Uchida i Noriyuki Watanabe. "Photoreflectance characterization of InP∕GaAsSb double-heterojunction bipolar transistor epitaxial wafers". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 23, nr 3 (2005): 1004. http://dx.doi.org/10.1116/1.1924423.
Pełny tekst źródłaKurishima, K., H. Nakajima, T. Kobayashi, Y. Matsuoka i T. Ishibashi. "InP/InGaAs double-heterojunction bipolar transistor with step-graded InGaAsP collector". Electronics Letters 29, nr 3 (1993): 258. http://dx.doi.org/10.1049/el:19930177.
Pełny tekst źródłaYuxiong, Cao, Jin Zhi, Ge Ji, Su Yongbo i Liu Xinyu. "A symbolically defined InP double heterojunction bipolar transistor large-signal model". Journal of Semiconductors 30, nr 12 (grudzień 2009): 124006. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/30/12/124006.
Pełny tekst źródłaPekarik, John J. "An AlSb–InAs–AlSb double-heterojunction P-n-P bipolar transistor". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 10, nr 2 (marzec 1992): 1032. http://dx.doi.org/10.1116/1.586407.
Pełny tekst źródłaZhang, Q. M., K. Lee, G. L. Tan i J. M. Xu. "Analysis of the emitter-down configuration of double-heterojunction bipolar transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 39, nr 10 (1992): 2220–28. http://dx.doi.org/10.1109/16.158791.
Pełny tekst źródłaGao, G. B., M. S. Ünlü, J. Chen, B. Mazhari, K. Adomi, G. X. Liu, Z. F. Fan i H. Morkoç. "Double-layer collector for heterojunction bipolar transistors". Solid-State Electronics 35, nr 1 (styczeń 1992): 57–60. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(92)90304-u.
Pełny tekst źródłaJahan, M. M., i A. F. M. Anwar. "Early voltage in double heterojunction bipolar transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 42, nr 11 (1995): 2028–29. http://dx.doi.org/10.1109/16.469414.
Pełny tekst źródłaLin, Y. S., J. H. Huang i C. H. Ho. "Improved InP-based double heterojunction bipolar transistors". physica status solidi (c) 4, nr 5 (kwiecień 2007): 1680–84. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200674254.
Pełny tekst źródłaMcKinnon, W. R., S. P. McAlister, Z. Abid, E. E. Guzzo i S. Laframboise. "A comparison of the dc and rf characteristics of single and double InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors". Canadian Journal of Physics 74, S1 (1.12.1996): 239–42. http://dx.doi.org/10.1139/p96-866.
Pełny tekst źródłaLevi, A. F. J., J. R. Hayes, A. C. Gossard i J. H. English. "Electroluminescence from the base of a GaAs/AlGaAs double heterojunction bipolar transistor". Applied Physics Letters 50, nr 2 (12.01.1987): 98–100. http://dx.doi.org/10.1063/1.97831.
Pełny tekst źródłaLiu, W., E. Beam i A. Khatibzadeh. "1.5-W CW S-band GaInP/GaAs/GaInP double heterojunction bipolar transistor". IEEE Electron Device Letters 15, nr 6 (czerwiec 1994): 215–17. http://dx.doi.org/10.1109/55.286696.
Pełny tekst źródłaCoquillat, D., V. Nodjiadjim, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, S. Ruffenach, F. Teppe i in. "InP Double Heterojunction Bipolar Transistor for broadband terahertz detection and imaging systems". Journal of Physics: Conference Series 647 (13.10.2015): 012036. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/647/1/012036.
Pełny tekst źródłaLiu, W. C., S. Y. Cheng, H. J. Pan, J. Y. Chen, W. C. Wang, S. C. Feng i K. H. Yu. "A new In0.5Ga0.5P/GaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) prepared by MOCVD". Le Journal de Physique IV 09, PR8 (wrzesień 1999): Pr8–1155—Pr8–1161. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:19998144.
Pełny tekst źródłaPoh, Z. S., H. K. Yow, P. A. Houston, A. B. Krysa i D. S. Ong. "GaInP∕GaAs double heterojunction bipolar transistor with GaAs∕Al0.11Ga0.89As∕GaInP composite collector". Journal of Applied Physics 100, nr 2 (15.07.2006): 026105. http://dx.doi.org/10.1063/1.2218027.
Pełny tekst źródłaSquartecchia, Michele, Tom K. Johansen, Jean-Yves Dupuy, Virginio Midili, Virginie Nodjiadjim, Muriel Riet i Agnieszka Konczykowska. "Optimization of InP DHBT stacked-transistors for millimeter-wave power amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 10, nr 9 (7.08.2018): 999–1010. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078718001137.
Pełny tekst źródłaChen, Chung‐Zen, Si‐Chen Lee i Hao‐Hsiung Lin. "Design ofn‐p‐nAlGaAs double‐heterojunction bipolar transistors". Journal of Applied Physics 62, nr 9 (listopad 1987): 3976–79. http://dx.doi.org/10.1063/1.339196.
Pełny tekst źródłaYee, Marcus, i Peter A. Houston. "High current effects in double heterojunction bipolar transistors". Semiconductor Science and Technology 20, nr 5 (15.03.2005): 412–17. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/20/5/015.
Pełny tekst źródłaWai Lee i C. G. Fonstad. "In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As abrupt double-heterojunction bipolar transistors". IEEE Electron Device Letters 7, nr 12 (grudzień 1986): 683–85. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1986.26519.
Pełny tekst źródłaYow, H. K., T. W. Lee, C. C. Button, P. A. Houston, J. S. Roberts i H. Y. Lee. "Double heterojunction bipolar transistors Using AlGaInP/GaAs/GaInP". Electronics Letters 30, nr 2 (20.01.1994): 167–69. http://dx.doi.org/10.1049/el:19940092.
Pełny tekst źródłaHidaka, Osamu, Kouhei Morizuka i Hiroshi Mochizuki. "Thermal Runaway Tolerance in Double-Heterojunction Bipolar Transistors". Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 2B (28.02.1995): 886–88. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.886.
Pełny tekst źródłaJ. García-Loureiro, Antonio, i Juan M. López-González. "A model for abrupt double heterojunction bipolar transistors". International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields 17, nr 1 (styczeń 2004): 29–42. http://dx.doi.org/10.1002/jnm.522.
Pełny tekst źródłaLaurent, S., J. C. Nallatamby, M. Prigent, M. Riet i V. Nodjiadjim. "Characterization and Modeling of DHBT in InP/GaAsSb Technology for the Design and Fabrication of a Ka Band MMIC Oscillator". Active and Passive Electronic Components 2012 (2012): 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2012/796973.
Pełny tekst źródłaYee, M., P. A. Houston i J. P. R. David. "Measurement of electron saturation velocity in Ga0.52In0.48P in a double heterojunction bipolar transistor". Journal of Applied Physics 91, nr 3 (luty 2002): 1601–5. http://dx.doi.org/10.1063/1.1428100.
Pełny tekst źródłaCheng, Shiou-Ying, Wei-Chou Wang, Wen-Lung Chang, Jing-Yuh Chen, His-Jen Pan i Wen-Chau Liu. "A new InGaP/GaAs double delta-doped heterojunction bipolar transistor (D 3 HBT)". Thin Solid Films 345, nr 2 (maj 1999): 270–72. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01422-9.
Pełny tekst źródłaLee, Si‐Chen, i Hao‐Hsiung Lin. "Transport theory of the double heterojunction bipolar transistor based on current balancing concept". Journal of Applied Physics 59, nr 5 (marzec 1986): 1688–95. http://dx.doi.org/10.1063/1.336432.
Pełny tekst źródłaWelty, R. J., H. P. Xin, K. Mochizuki, C. W. Tu i P. M. Asbeck. "GaAs/Ga0.89In0.11N0.02As0.98/GaAs NpN double heterojunction bipolar transistor with low turn-on voltage". Solid-State Electronics 46, nr 1 (styczeń 2002): 1–5. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00315-x.
Pełny tekst źródłaSchreiber, H. U. "High-speed double mesa Si/SiGe heterojunction bipolar transistor fabricated by selfalignment technology". Electronics Letters 28, nr 5 (1992): 485. http://dx.doi.org/10.1049/el:19920306.
Pełny tekst źródłaWang, Wei-Chou, Jing-Yuh Chen, Hsi-Jen Pan, Shun-Ching Feng, Kuo-Hui Yu i Wen-Chau Liu. "Study of In0.49Ga0.51P/GaAs/In0.49Ga0.51P doubleδ-doped heterojunction bipolar transistor". Superlattices and Microstructures 26, nr 1 (lipiec 1999): 23–33. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.1999.0701.
Pełny tekst źródłaShivan, T., E. Kaule, M. Hossain, R. Doerner, T. Johansen, D. Stoppel, S. Boppel, W. Heinrich, V. Krozer i M. Rudolph. "Design and modeling of an ultra-wideband low-noise distributed amplifier in InP DHBT technology". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 11, nr 7 (3.05.2019): 635–44. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078719000515.
Pełny tekst źródłaMakimoto, Toshiki, Kenji Kurishima, Takashi Kobayashi i Tadao Ishibashi. "InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Si". Japanese Journal of Applied Physics 30, Part 1, No. 12B (30.12.1991): 3815–17. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.30.3815.
Pełny tekst źródłaCoquillat, Dominique, Alexandre Duhant, Meriam Triki, Virginie Nodjiadjim, Agnieszka Konczykowska, Muriel Riet, Nina Dyakonova, Olivier Strauss i Wojciech Knap. "InP double heterojunction bipolar transistors for terahertz computed tomography". AIP Advances 8, nr 8 (sierpień 2018): 085320. http://dx.doi.org/10.1063/1.5039331.
Pełny tekst źródłaShyh-Chiang Shen, Yi-Che Lee, Hee-Jin Kim, Yun Zhang, Suk Choi, R. D. Dupuis i Jae-Hyun Ryou. "Surface Leakage in GaN/InGaN Double Heterojunction Bipolar Transistors". IEEE Electron Device Letters 30, nr 11 (listopad 2009): 1119–21. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2030373.
Pełny tekst źródłaLo, C. F., F. Ren, C. Y. Chang, S. J. Pearton, S. H. Chen, C. M. Chang, S. Y. Wang, J. I. Chyi i I. I. Kravchenko. "Fabrication of InAlAs/InGaAsSb/InGaAs double heterojunction bipolar transistors". Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 29, nr 3 (maj 2011): 031205. http://dx.doi.org/10.1116/1.3589808.
Pełny tekst źródła