Gotowa bibliografia na temat „Double Heterojunction Bipolar Transistor”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Double Heterojunction Bipolar Transistor”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Magno, R., J. B. Boos, P. M. Campbell, B. R. Bennett, E. R. Glaser, B. P. Tinkham, M. G. Ancona, K. D. Hobart, D. Park i N. A. Papanicolaou. "InAlAsSb∕InGaSb double heterojunction bipolar transistor". Electronics Letters 41, nr 6 (2005): 370. http://dx.doi.org/10.1049/el:20058107.
Pełny tekst źródłaYan, B. P., C. C. Hsu, X. Q. Wang i E. S. Yang. "InGaP∕GaAs0.94Sb0.06∕GaAs double heterojunction bipolar transistor". Electronics Letters 38, nr 6 (2002): 289. http://dx.doi.org/10.1049/el:20020201.
Pełny tekst źródłaLIU, QINGMIN, SURAJIT SUTAR i ALAN SEABAUGH. "TUNNEL DIODE/TRANSISTOR DIFFERENTIAL COMPARATOR". International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, nr 03 (wrzesień 2004): 640–45. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002600.
Pełny tekst źródłaChang, P. C., A. G. Baca, N. Y. Li, X. M. Xie, H. Q. Hou i E. Armour. "InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor". Applied Physics Letters 76, nr 16 (17.04.2000): 2262–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.126315.
Pełny tekst źródłaCoquillat, D., V. Nodjiadjim, S. Blin, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, P. Nouvel i in. "High-Speed Room Temperature Terahertz Detectors Based on InP Double Heterojunction Bipolar Transistors". International Journal of High Speed Electronics and Systems 25, nr 03n04 (wrzesień 2016): 1640011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156416400115.
Pełny tekst źródłaPelouard, J.-L., P. Hesto i R. Castagné. "Monte-Carlo study of the double heterojunction bipolar transistor". Solid-State Electronics 31, nr 3-4 (marzec 1988): 333–36. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(88)90289-4.
Pełny tekst źródłaLew, K. L., i S. F. Yoon. "Model for InGaP/GaAs/InGaP double heterojunction bipolar transistor". Journal of Applied Physics 89, nr 6 (15.03.2001): 3464–68. http://dx.doi.org/10.1063/1.1343888.
Pełny tekst źródłaPrinz, E. J., X. Xiao, P. V. Schwartz i J. C. Sturm. "A novel double-base heterojunction bipolar transistor for low-temperature bipolar logic". IEEE Transactions on Electron Devices 39, nr 11 (1992): 2636–37. http://dx.doi.org/10.1109/16.163484.
Pełny tekst źródłaYamina, Berrichi, i Ghaffour Kherreddine. "Modelling Electronic Characteristic of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor". International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 5, nr 3 (1.06.2015): 525. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v5i3.pp525-530.
Pełny tekst źródłaLee, Geonyeop, Stephen J. Pearton, Fan Ren i Jihyun Kim. "Heterojunction Bipolar Transistor: 2D Material-Based Vertical Double Heterojunction Bipolar Transistors with High Current Amplification (Adv. Electron. Mater. 3/2019)". Advanced Electronic Materials 5, nr 3 (marzec 2019): 1970015. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201970015.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Ang, Oon Sim. "Modeling of double heterojunction bipolar transistors". Thesis, University of British Columbia, 1990. http://hdl.handle.net/2429/29458.
Pełny tekst źródłaApplied Science, Faculty of
Electrical and Computer Engineering, Department of
Graduate
BALARAMAN, PRADEEP ARUGUNAM. "DESIGN, SIMULATION AND MODELING OF InP/GaAsSb/InP DOUBLE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS". University of Cincinnati / OhioLINK, 2003. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ucin1069275786.
Pełny tekst źródłaFlitcroft, Richard M. "Wide bandgap collector III-V double heterojunction bipolar transistors". Thesis, University of Sheffield, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.341875.
Pełny tekst źródłaSchnyder, Iwan. "An indium-phosphide double-heterojunction bipolar transistor technology for 80 Gb/s integrated circuits /". Konstanz : Hartung-Gorre, 2005. http://www.loc.gov/catdir/toc/fy0610/2006356171.html.
Pełny tekst źródłaZhang, Yun. "Development of III-nitride bipolar devices: avalanche photodiodes, laser diodes, and double-heterojunction bipolar transistors". Diss., Georgia Institute of Technology, 2011. http://hdl.handle.net/1853/42703.
Pełny tekst źródłaLee, Tae-Woo. "An experimental and theoretical study of InGaP-GaAs double heterojunction bipolar transistors". Thesis, University of Sheffield, 1992. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.324090.
Pełny tekst źródłaBalaraman, Pradeep A. "Design, simulation and modelling of InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors". Cincinnati, Ohio : University of Cincinnati, 2003. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc%5Fnum=ucin1069275786.
Pełny tekst źródłaBauknecht, Raimond. "InP double heterojunction bipolar transistors for driver circuits in fiber optical communication systems /". [S.l.] : [s.n.], 1998. http://e-collection.ethbib.ethz.ch/show?type=diss&nr=12455.
Pełny tekst źródłaMohiuddin, Muhammad. "InGaAs/InA1As Double Heterojunction Bipolar transistors for high-speed, low-power digital applications". Thesis, University of Manchester, 2010. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.511942.
Pełny tekst źródłaSchneider, Karl. "Broadband amplifiers for high data rates using InP, InGaAs double heterojunction bipolar transistors". Karlsruhe : Univ.-Verl. Karlsruhe, 2006. http://deposit.d-nb.de/cgi-bin/dokserv?idn=979772826.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
An indium-phosphide double-heterojunction bipolar transistor technology for 80 Gb/s integrated circuits. Konstanz: Hartung-Gorre Verlag, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaLam, Pui Leng. InGaAs-InAIAs N-P-N double heterojunction bipolar transistors grown by molecular beam epitaxy. Manchester: UMIST, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaHammer, Urs. Sub-micron InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors for ultra high-speed digital integrated circuits. Konstanz: Hartung-Gorre, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaChink, Hope Wuming. Emitter-up heterojunction bipolar transistor compatible laser. Ottawa: National Library of Canada, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaYoung, Stephen M. A superlattice emitter structure for a heterojunction bipolar transistor. Manchester: UMIST, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaXavier, Bernard Anthony. Analysis & modelling of gallium arsenide heterojunction bipolar transistor mixers. Uxbridge: Brunel University, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaLebby, Michael Stephen. Fabrication and characterisation of the heterojunction field effect transistor (HFET) and the bipolar inversion channel field effect transistor (BICFET): Characterisations of HFETs.... Bradford, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Ramberg, L. P., P. M. Enquist, Y. K. Chen, F. E. Najjar, L. F. Eastman, E. A. Fitzgerald i K. L. Kavanagh. "Lattice-Strained Double Heterojunction InGaAs/GaAs Bipolar Transistors". W High-Speed Electronics, 168–71. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82979-6_34.
Pełny tekst źródłaWei, C. J., H. C. Chung, Y. A. Tkachenko i J. C. M. Hwang. "Capacitance Model of Microwave InP-Based Double Heterojunction Bipolar Transistors". W Simulation of Semiconductor Devices and Processes, 298–301. Vienna: Springer Vienna, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6619-2_72.
Pełny tekst źródłaPelouard, J. L., P. Hesto, J. P. Praseuth i L. Goldstein. "InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs NnpnN Double Heterojunction Bipolar Transistors: Experimental Characteristics and Monte-Carlo Interpretation". W High-Speed Electronics, 164–67. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82979-6_33.
Pełny tekst źródłaAhmad, Md Mufassal, Md Faiaad Rahman i Tahmid Aziz Chowdhury. "Performance Analysis of MgF2-Si3N4 and MgF2-Ta2O5 Double-Layer Anti-reflection Coating on Heterojunction Bipolar Transistor Solar Cell". W Lecture Notes in Electrical Engineering, 285–94. Singapore: Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-16-1978-6_25.
Pełny tekst źródłaDubon-Chevallier, C., P. Desrousseaux, A. M. Duchenois, C. Besombes, J. Dangla, C. Bacot i D. Ankri. "Emitter-Coupled Logic Ring Oscillators Implemented with GaAs/GaAlAs Single and Double Heterojunction Bipolar Transistors: A Comparison". W High-Speed Electronics, 151–55. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82979-6_30.
Pełny tekst źródłaCressler, John D. "Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistor". W Device and Circuit Cryogenic Operation for Low Temperature Electronics, 69–84. Boston, MA: Springer US, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-3318-1_4.
Pełny tekst źródłaSu, L. M., N. Grote, P. Schumacher i D. Franke. "Implanted-collector InGaAsP/InP Heterojunction Bipolar Transistor". W ESSDERC ’89, 275–78. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_57.
Pełny tekst źródłaDas, Arnima, Maitreyi Ray Kanjilal i Payel Biswas. "Frequency Response of Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistor". W Computational Advancement in Communication Circuits and Systems, 339–44. New Delhi: Springer India, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-81-322-2274-3_37.
Pełny tekst źródłaAsbeck, P. M. "Heterojunction Bipolar Transistor Technology for High-Speed Integrated Circuits". W Picosecond Electronics and Optoelectronics, 32–37. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-70780-3_5.
Pełny tekst źródłaTeeter, Douglas A., Jack R. East, Richard K. Mains i George I. Haddad. "A Numerical Large Signal Model for the Heterojunction Bipolar Transistor". W Computational Electronics, 43–46. Boston, MA: Springer US, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-2124-9_7.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Yu-Qiu Chen i Shiou-Ying Cheng. "An InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor". W 2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/edssc.2014.7061115.
Pełny tekst źródłaDiouf, I., P. Nouvel, L. Varani, A. Penarier, N. Diakonova, D. Coquillat, V. Nodjiadjim i in. "Double-Heterojunction Bipolar Transistor as THz Detector for Communications". W 2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/irmmw-thz50926.2021.9566983.
Pełny tekst źródłaCoquillat, D., V. Nodjiadjim, A. Konczykowska, M. Riet, N. Dyakonova, C. Consejo, F. Teppe, J. Godin i W. Knap. "InP double heterojunction bipolar transistor as sub-terahertz detector". W 2014 39th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/irmmw-thz.2014.6956515.
Pełny tekst źródłaLiu, Min, Yuming Zhang, Hongliang Lu, Yimen Zhang, Jincan Zhang, Chenghuan Li, Wei Zhou i Lifan Wu. "Geometrical scaling effects in InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor". W 2014 IEEE 12th International Conference on Solid -State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/icsict.2014.7021230.
Pełny tekst źródłaCoquillat, D., V. Nodjiadjim, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, S. Ruffenach, F. Teppe i in. "InP double heterojunction bipolar transistor for detection above 1 THz". W 2015 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/irmmw-thz.2015.7327777.
Pełny tekst źródłaArabhavi, Akshay Mahadev, Sara Hamzeloui, Filippo Ciabattini, Olivier Ostinelli i Colombo R. Bolognesi. "Terahertz InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors". W 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2022. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2022.j-3-01.
Pełny tekst źródłaBolognesi, C. R., A. M. Arabhavi, W. Quan, O. Ostinelli, X. Wen i M. Luisier. "Advances in InP Double Heterojunction Bipolar Transistors". W 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2018. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2018.d-5-01.
Pełny tekst źródłaOkada, Y., K. Tada, R. J. Simes, L. A. Coldren i J. L. Merz. "GaAs/AlGaAs Double-Heterojunction Bipolar Transistor Carrier-Injected Optical Intensity Modulator". W 1989 Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1989. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1989.s-c-6.
Pełny tekst źródłaHIDAKA, Osamu, Kouhei MORIZUKA i Hiroshi MOCHIZUKI. "Thermal Runaway Tolerance in Double Heterojunction Bipolar Transistors". W 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1994. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1994.d-2-3.
Pełny tekst źródłaZhou, Xingbao, Shouli Zhou, Hao Wen, Hongliang Ren, Guiyong Huang, Jun Xu i Yuhua Wang. "Simulation of electrical characteristics of InP/In0.24Ga0.76As0.73Sb0.27/In0.53Ga0.47As double heterojunction bipolar transistor". W 2014 IEEE 9th Conference on Industrial Electronics and Applications (ICIEA). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/iciea.2014.6931447.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Rodwell, Mark, M. Urtega, D. Scott, M. Dahlstrom i Y. Betser. Ultra High Speed Heterojunction Bipolar Transistor Technology. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, styczeń 2000. http://dx.doi.org/10.21236/ada413790.
Pełny tekst źródłaMiller, D. L., i P. M. Asbeck. Fundamental Aspects of Heterojunction Bipolar Transistor Technology. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, lipiec 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada171225.
Pełny tekst źródłaGillespie, James K. AFRL/GaAsTek Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Process Development. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, październik 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada415646.
Pełny tekst źródłaPatrizi, G. A., M. L. Lovejoy, R. P. Jr Schneider, H. Q. Hou i P. M. Enquist. Multi-level interconnects for heterojunction bipolar transistor integrated circuit technologies. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), grudzień 1995. http://dx.doi.org/10.2172/212553.
Pełny tekst źródłaLong, Stephen I., Herbert Kroemer i M. A. Rao. Development of a Planar Heterojunction Bipolar Transistor for Very High Speed Logic. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, październik 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada174580.
Pełny tekst źródłaMitchell, Gregory A. The Role of the Silicon Germanium (SiGe) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) in Mobile Technology Platforms. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, wrzesień 2011. http://dx.doi.org/10.21236/ada552934.
Pełny tekst źródła