Artykuły w czasopismach na temat „Dielectric thin layer”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Dielectric thin layer”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Lee, Sangwoo, Joonbong Lee, Jaeyoung Yang i Taekjib Choi. "Study of Etch Stop Layer on Characteristics of Amorphous Aluminum Oxide Thin Film". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, nr 21 (7.07.2022): 2433. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01212433mtgabs.
Pełny tekst źródłaGagarin, Alexander, Diana Tsyganova, Andrey Altynnikov, Andrey Komlev i Roman Platonov. "An Adaptation of the Split-Cylinder Resonator Method for Measuring the Microwave Properties of Thin Ferroelectric Films in a “Thin Film—Substrate” Structure". Sensors 24, nr 3 (24.01.2024): 755. http://dx.doi.org/10.3390/s24030755.
Pełny tekst źródłaShih-Chang Shei, Shih-Chang Shei, i Yichu Wang Shih-Chang Shei. "以三氧化二鋁為閘極絕緣層之銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研究". 理工研究國際期刊 13, nr 1 (kwiecień 2023): 1–10. http://dx.doi.org/10.53106/222344892023041301001.
Pełny tekst źródłaSun, Xiao Hua, Ping Feng, Jun Zou i Min Wu. "Dielectric Tunable Properties of Ba0.6Sr0.4TiO3 Thin Films with and without LSCO Buffer Layer". Advanced Materials Research 97-101 (marzec 2010): 504–9. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.97-101.504.
Pełny tekst źródłaNiu, Jia Qi, Zhen Kun Xie, Zhen Xing Yue i Wei Qiang Wang. "Using Ferroelectric Thin Film as the Dielectric for Electrowetting-on-Dielectric". Key Engineering Materials 697 (lipiec 2016): 227–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.697.227.
Pełny tekst źródłaKovalchuk, N. S., A. A. Omelchenko, V. A. Pilipenko, V. A. Solodukha, S. V. Demidovich, V. V. Kolos, V. A. Filipenia i D. V. Shestovski. "Research of Electrophysical Properties of Thin Gate Dielectrics Obtained by Rapid Thermal Processing Method". Doklady BGUIR 20, nr 4 (29.06.2022): 44–52. http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-4-44-52.
Pełny tekst źródłaBazarova, Sayana B., Ivan G. Simakov, Chingis Zh Gulgenov i Tumen Ch Ochirov. "Determination of the dielectric properties of water in a thin layer". Himičeskaâ fizika i mezoskopiâ 26, nr 1 (2024): 85–94. http://dx.doi.org/10.62669/17270227.2024.1.8.
Pełny tekst źródłaSenior, Thomas B. A., i John L. Volakis. "Sheet simulation of a thin dielectric layer". Radio Science 22, nr 7 (grudzień 1987): 1261–72. http://dx.doi.org/10.1029/rs022i007p01261.
Pełny tekst źródłaBrosseau, C. "Breakdown of a thin dielectric liquid layer". IEEE Transactions on Electrical Insulation 27, nr 6 (1992): 1217–21. http://dx.doi.org/10.1109/14.204875.
Pełny tekst źródłaSvetovoy, Vitaly B. "Casimir Forces between a Dielectric and Metal: Compensation of the Electrostatic Interaction". Physics 5, nr 3 (25.07.2023): 814–22. http://dx.doi.org/10.3390/physics5030051.
Pełny tekst źródłaKim, Min-Jin, Cheol-Jun Kim i Bo-Soo Kang. "Mechanism of the Wake-Up and the Split-Up in AlOx/Hf0.5Zr0.5Ox Film". Nanomaterials 13, nr 14 (24.07.2023): 2146. http://dx.doi.org/10.3390/nano13142146.
Pełny tekst źródłaXu, Haiyang, Xingwei Ding, Jie Qi, Xuyong Yang i Jianhua Zhang. "A Study on Solution-Processed Y2O3 Films Modified by Atomic Layer Deposition Al2O3 as Dielectrics in ZnO Thin Film Transistor". Coatings 11, nr 8 (15.08.2021): 969. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11080969.
Pełny tekst źródłaRATHEE, KANTA, i B. P. MALIK. "STRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF TANTALUM PENTAOXIDE (Ta2O5) THIN FILMS – A REVIEW". International Journal of Modern Physics: Conference Series 22 (styczeń 2013): 564–69. http://dx.doi.org/10.1142/s2010194513010672.
Pełny tekst źródłaSharma, Yogesh, Elizabeth Skoropata, Binod Paudel, Kyeong Tae Kang, Dmitry Yarotski, T. Zac Ward i Aiping Chen. "Epitaxial Stabilization of Single-Crystal Multiferroic YCrO3 Thin Films". Nanomaterials 10, nr 10 (21.10.2020): 2085. http://dx.doi.org/10.3390/nano10102085.
Pełny tekst źródłaSEKHAR, M. CHANDRA. "STRUCTURAL AND DIELECTRIC PROPERTIES OF Ba0.5Sr0.5TiO3 THIN FILMS GROWN ON LAO WITH HOMO-EPITAXIAL LAYER FOR TUNABLE APPLICATIONS". International Journal of Modern Physics B 18, nr 15 (20.06.2004): 2153–68. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979204025270.
Pełny tekst źródłaKim, Dae-Cheol, i Young-Geun Ha. "Self-Assembled Hybrid Gate Dielectrics for Ultralow Voltage of Organic Thin-Film Transistors". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, nr 3 (1.03.2021): 1761–65. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19083.
Pełny tekst źródłaGong, Hui Ling, Xiao Hui Wang, Shao Peng Zhang, Xin Ye Yang i Long Tu Li. "Microstructures and Highly Accelerated Lifetime Test of X5R Type BaTiO3-Based Ni-MLCC with Ultra-Thin Active Layers". Key Engineering Materials 602-603 (marzec 2014): 695–99. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.602-603.695.
Pełny tekst źródłaWang, Wei Qiang, Jia Qi Niu i Yan Su. "BaTiO3/ Teflon Nanocomposite Ferroelectric Thin Films for Low Voltage Electrowetting Systems". Solid State Phenomena 281 (sierpień 2018): 616–21. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.281.616.
Pełny tekst źródłaSkettrup, Torben. "Three-layer approximation of dielectric thin film systems". Applied Optics 28, nr 14 (15.07.1989): 2860. http://dx.doi.org/10.1364/ao.28.002860.
Pełny tekst źródłaRychetský, I., N. Novotná i M. Glogarová. "Dielectric response of ferroelectric liquid crystal thin layer". Le Journal de Physique IV 10, PR7 (maj 2000): Pr7–119—Pr7–122. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2000724.
Pełny tekst źródłaLyly Nyl, Ismail, Mohamad Hafiz Mohd Wahid, Zulkefle Habibah, Sukreen Hana Herman i Mohamad Rusop Mahmood. "Dielectric Properties of PVDF-TrFE/PMMA: TiO2 Multilayer Dielectric Thin Films". Advanced Materials Research 576 (październik 2012): 582–85. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.576.582.
Pełny tekst źródłaKoo, Jae Bon, Jung Wook Lim, Chan Hoe Ku, Sang Chul Lim, Jung Hun Lee, Seong Hyun Kim, Sun Jin Yun, Yong Suk Yang i Kyung Soo Suh. "Pentacene Organic Thin-Film Transistors with Dual-Gate Structure". Solid State Phenomena 124-126 (czerwiec 2007): 383–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.124-126.383.
Pełny tekst źródłaKo, Jieun, Su Jeong Lee, Kyongjun Kim, EungKyu Lee, Keon-Hee Lim, Jae-Min Myoung, Jeeyoung Yoo i Youn Sang Kim. "A robust ionic liquid–polymer gate insulator for high-performance flexible thin film transistors". Journal of Materials Chemistry C 3, nr 17 (2015): 4239–43. http://dx.doi.org/10.1039/c5tc00067j.
Pełny tekst źródłaJia, Dongdong, C. Shaffer, S. Pickering, A. Goonewardene i Xiao-Jun Wang. "Behavior of TiO2 Thin Film in a Nanocapacitor". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, nr 3 (1.03.2008): 1234–37. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.18175.
Pełny tekst źródłaRao, Wei, Ding Guo Li i Hong Chun Yan. "Effects of Individual Layer Thickness on the Structure and Electrical Properties of Sol-Gel-Derived Ba0.8Sr0.2TiO3 Thin Films". Advanced Materials Research 621 (grudzień 2012): 23–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.621.23.
Pełny tekst źródłaNa, Moonkyong, Hoyyul Park i Myeongsang Ahn. "Dielectric Properties of Polymer Thin Films for the Organic Gate Dielectric Layer". Molecular Crystals and Liquid Crystals 510, nr 1 (14.09.2009): 223/[1357]—231/[1365]. http://dx.doi.org/10.1080/15421400903066414.
Pełny tekst źródłaWESSELINOWA, J. M., i S. TRIMPER. "LAYER POLARIZATIONS AND DIELECTRIC SUSCEPTIBILITIES OF ANTIFERROELECTRIC THIN FILMS". Modern Physics Letters B 17, nr 25 (30.10.2003): 1343–47. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984903006359.
Pełny tekst źródłaHuang, Ting, Yan Zhang, Haonan Liu, Ruiqiang Tao, Chunlai Luo, Yushan Li, Cheng Chang, Xubing Lu, Takeo Minari i Junming Liu. "Interface scattering dominated carrier transport in hysteresis-free amorphous InGaZnO thin film transistors with high-k HfAlO gate dielectrics by atom layer deposition". Semiconductor Science and Technology 37, nr 2 (16.12.2021): 025005. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac3e05.
Pełny tekst źródłaChen, Siting, Yuzhi Li, Yilong Lin, Penghui He, Teng Long, Caihao Deng, Zhuo Chen i in. "Inkjet-Printed Top-Gate Thin-Film Transistors Based on InGaSnO Semiconductor Layer with Improved Etching Resistance". Coatings 10, nr 4 (24.04.2020): 425. http://dx.doi.org/10.3390/coatings10040425.
Pełny tekst źródłaBahrami, Amin, Jun Yang, Xingwei Ding, Panpan Zhao, Shiyang He, Sebastian Lehmann, Mikko Laitinen i in. "Low-Temperature Atomic Layer Deposition of High-K SbO x for Thin Film Transistors". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, nr 29 (22.12.2023): 1436. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02291436mtgabs.
Pełny tekst źródłaLibera, Matthew, i Martin Chen. "Multilayered Thin-Film Materials for Phase-Change Erasable Storage". MRS Bulletin 15, nr 4 (kwiecień 1990): 40–45. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400059947.
Pełny tekst źródłaZhou, X. Y., Yun Zhou, G. Y. Wang, Y. Wang, Helen Lai Wah Chan, C. L. Choy i Guo Zhong Cao. "Study on Barium Strontium Titanate Thin Films Integrated on Si Substrates by Laser Molecular Beam Epitaxy". Advanced Materials Research 79-82 (sierpień 2009): 823–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.79-82.823.
Pełny tekst źródłaSaid, R. A., i M. Hamid. "Scattering by a thin multicoated perfectly conducting spherical shell with a circular aperture". Canadian Journal of Physics 70, nr 2-3 (1.02.1992): 164–72. http://dx.doi.org/10.1139/p92-022.
Pełny tekst źródłaKhound, Sagarika, Jayanta K. Sarmah i Ranjit Sarma. "Hybrid La2O3-cPVP Dielectric for Organic Thin Film Transistor Applications". ECS Journal of Solid State Science and Technology 11, nr 1 (1.01.2022): 013007. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac4a7e.
Pełny tekst źródłaUgwu, Emmanuel Ifeanyi. "Perovskite Oxide Material Based Thin Films Prospect and Applicability". Nanomedicine & Nanotechnology Open Access 8, nr 3 (2023): 1. http://dx.doi.org/10.23880/nnoa-16000240.
Pełny tekst źródłaSoum, Veasna, Yunpyo Kim, Sooyong Park, Mary Chuong, Soo Ryu, Sang Lee, Georgi Tanev, Jan Madsen, Oh-Sun Kwon i Kwanwoo Shin. "Affordable Fabrication of Conductive Electrodes and Dielectric Films for a Paper-based Digital Microfluidic Chip". Micromachines 10, nr 2 (7.02.2019): 109. http://dx.doi.org/10.3390/mi10020109.
Pełny tekst źródłaLi, Yang, Biao Xu, Song Xia i Peng Shi. "Microwave dielectric properties and optical transmittance of SrTiO3/ZnTiO3 heterolayer thin films fabricated by sol–gel processing". Journal of Advanced Dielectrics 10, nr 06 (12.11.2020): 2050027. http://dx.doi.org/10.1142/s2010135x20500277.
Pełny tekst źródłaIhlemann, J., J. Békési, J. H. Klein-Wiele i P. Simon. "Processing of Dielectric Optical Coatings by Nanosecond and Femtosecond UV Laser Ablation". Laser Chemistry 2008 (16.10.2008): 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2008/623872.
Pełny tekst źródłaDam, V. A. T., M. A. Blauw, S. H. Brongersma i R. van Schaijk. "Gas Sensing with Atomic Layer Deposited Dielectric Thin Film". Key Engineering Materials 605 (kwiecień 2014): 71–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.605.71.
Pełny tekst źródłaChoi, Seungbeom, Kyung-Tae Kim, Sung Park i Yong-Hoon Kim. "High-Mobility Inkjet-Printed Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Using Sr-Doped Al2O3 Gate Dielectric". Materials 12, nr 6 (13.03.2019): 852. http://dx.doi.org/10.3390/ma12060852.
Pełny tekst źródłaReinheimer, Timo, Tim P. Mach, Kevin Häuser, Michael J. Hoffmann i Joachim R. Binder. "Dielectric Behavior of Thin Polymerized Composite Layers Fabricated by Inkjet-Printing". Nanomaterials 13, nr 3 (21.01.2023): 441. http://dx.doi.org/10.3390/nano13030441.
Pełny tekst źródłaZhu, Jun, Jun Luo, Qing Meng Zhang, Qun Tang i Jun Du. "Gold Thin Film as Transition Layer in Electrode Design of Na2O−PbO−Nb2O5−SiO2 Glass-Ceramic Capacitors". Materials Science Forum 687 (czerwiec 2011): 457–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.687.457.
Pełny tekst źródłaZhang, Nana, Di Wang, Jie Wang, Hong Fang, Bin He, Jinrui Guo, Yue Han i in. "Enhanced Piezoresponse and Dielectric Properties for Ba1-XSrXTiO3 Composition Ultrathin Films by the High-Throughput Method". Coatings 11, nr 12 (3.12.2021): 1491. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11121491.
Pełny tekst źródłaChen, Chao Nan, Jung Jie Huang, Gwo Mei Wu i How Wen Chien. "Taper Angle of Silicon Nitride Thin Film Control by Laser Direct Pattern for Transistors Fabrication". Applied Mechanics and Materials 284-287 (styczeń 2013): 225–29. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.284-287.225.
Pełny tekst źródłaCUI, LIAN, HAIYING CUI, CHUNMEI WU, GUIHUA YANG, ZELONG HE, YULING WANG i JIXIN CHE. "DYNAMIC PROPERTIES OF DIELECTRIC SUSCEPTIBILITY IN FERROELECTRIC THIN FILMS". Surface Review and Letters 23, nr 03 (3.05.2016): 1650010. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x16500104.
Pełny tekst źródłaChou, Chun-Yi, Teng-Jan Chang, Chin-I. Wang, Chun-Yuan Wang, Yu-Tung Yin, Tsai-Fu Chung, Jer-Ren Yang, Hsin-Chih Lin i Miin-Jang Chen. "Dielectric properties and reliability enhancement of atomic layer deposited thin films by in situ atomic layer substrate biasing". Journal of Materials Chemistry C 8, nr 37 (2020): 13025–32. http://dx.doi.org/10.1039/d0tc02346a.
Pełny tekst źródłaVucheva, Yordanka Dilyanova, Georgi Dobrev Kolev, Mariya Petrova Aleksandrova i Krassimir Hristov Denishev. "Investigation of MEMS Piezoelectric Transformer with PVDF Thin Layer". Materials Science Forum 856 (maj 2016): 356–61. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.856.356.
Pełny tekst źródłaPark, Chul Ho, i Young Gook Son. "Electrical Properties of (Ba,Sr)TiO3 Thin Films with Self-Seed Layer Deposited by R.F. Magnetron Sputtering". Materials Science Forum 510-511 (marzec 2006): 1038–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.510-511.1038.
Pełny tekst źródłaRogers, Bridget R., Zhe Song, Robert D. Geil i Robert A. Weller. "Optimization of UHV-CVD Thin Films for Gate Dielectric Applications". Advances in Science and Technology 45 (październik 2006): 1351–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.45.1351.
Pełny tekst źródłaJafari, A., i A. Rahmat. "Band structure of one-dimensional photonic crystal with graphene layers using the Fresnel coefficients method". International Journal of Modern Physics B 32, nr 11 (16.04.2018): 1850132. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979218501321.
Pełny tekst źródła