Artykuły w czasopismach na temat „Couloir de mobilité”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Couloir de mobilité”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Bovey, Laurent. "De la classe spéciale à la classe régulière". Revue suisse de pédagogie spécialisée 14, nr 01 (7.03.2024): 13–19. http://dx.doi.org/10.57161/r2024-01-03.
Pełny tekst źródłaNagy, Raluca. "Tourisme et migration dans le Maramureş". Ethnologies 31, nr 1 (9.11.2009): 111–26. http://dx.doi.org/10.7202/038502ar.
Pełny tekst źródłaPotbhare, Siddharth, Gary Pennington, Neil Goldsman, Aivars J. Lelis, Daniel B. Habersat, F. Barry McLean i J. M. McGarrity. "Using a First Principles Coulomb Scattering Mobility Model for 4H-SiC MOSFET Device Simulation". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 1321–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1321.
Pełny tekst źródłaPérez-Tomás, Amador, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, James A. Covington, Phillippe Godignon, José Millan i Narcis Mestres. "SiC MOSFET Channel Mobility Dependence on Substrate Doping and Temperature Considering High Density of Interface Traps". Materials Science Forum 556-557 (wrzesień 2007): 835–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.835.
Pełny tekst źródłaJi, Qizheng, Jun Liu, Ming Yang, Xiaofeng Hu, Guangfu Wang, Menglin Qiu i Shanghe Liu. "Influence of Proton Irradiation Energy on Gate–Channel Low-Field Electron Mobility in AlGaN/GaN HEMTs". Electronics 12, nr 6 (20.03.2023): 1473. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12061473.
Pełny tekst źródłaPérez-Tomás, Amador, Miquel Vellvehi, Narcis Mestres, José Millan, P. Vennegues i J. Stoemenos. "Modelling of the Anomalous Field-Effect Mobility Peak of O-Ta2Si/4H-SiC High-k MOSFETs Measured in Strong Inversion". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 1059–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1059.
Pełny tekst źródłaChen, W. P. N., Pin Su i K. I. Goto. "Investigation of Coulomb Mobility in Nanoscale Strained PMOSFETs". IEEE Transactions on Nanotechnology 7, nr 5 (wrzesień 2008): 538–43. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2008.2004771.
Pełny tekst źródłaDriussi, Francesco, i David Esseni. "Simulation Study of Coulomb Mobility in Strained Silicon". IEEE Transactions on Electron Devices 56, nr 9 (wrzesień 2009): 2052–59. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2026394.
Pełny tekst źródłaWalczak, Jakub, i Bogdan Majkusiak. "Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers". Journal of Telecommunications and Information Technology, nr 1 (30.03.2004): 39–49. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2004.1.230.
Pełny tekst źródłaIhlenborg, Marvin, Ann-Kathrin Schuster, Jürgen Grotemeyer i Frank Gunzer. "Measuring the effects of Coulomb repulsion via signal decay in an atmospheric pressure laser ionization ion mobility spectrometer". European Journal of Mass Spectrometry 24, nr 4 (2.03.2018): 330–36. http://dx.doi.org/10.1177/1469066718761585.
Pełny tekst źródłaSanquer, M., M. Specht, L. Ghenim, S. Deleonibus i G. Guegan. "Coulomb blockade in low-mobility nanometer size Si MOSFET’s". Physical Review B 61, nr 11 (15.03.2000): 7249–52. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.61.7249.
Pełny tekst źródłaVincens, Marion, Marie-Hélène Vandersmissen i Marius Thériault. "Impacts de la restructuration du réseau d’autobus de la ville de Québec sur l’accessibilité aux emplois des femmes et sur leur mobilité professionnelle". Cahiers de géographie du Québec 51, nr 144 (19.02.2008): 419–46. http://dx.doi.org/10.7202/017628ar.
Pełny tekst źródłaCui, Peng, i Yuping Zeng. "Effect of Device Scaling on Electron Mobility in Nanoscale GaN HEMTs with Polarization Charge Modulation". Nanomaterials 12, nr 10 (18.05.2022): 1718. http://dx.doi.org/10.3390/nano12101718.
Pełny tekst źródłaMatocha, Kevin, i Vinayak Tilak. "Understanding the Inversion-Layer Properties of the 4H-SiC/SiO2 Interface". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 318–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.318.
Pełny tekst źródłaMortet, V., E. Bedel-Pereira, J. F. Bobo, F. Cristiano, Christian Strenger, V. Uhnevionak, A. Burenkov i A. J. Bauer. "Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 525–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.525.
Pełny tekst źródłaRao, R. Ramakrishna, Kevin Matocha i Vinayak Tilak. "Quasi-Charge-Sheet Model for Inversion Layer Mobility in 4H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 615-617 (marzec 2009): 797–800. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.797.
Pełny tekst źródłaLiu, Dongyang, Jiawei Wang, Chong Bi, Mengmeng Li, Nianduan Lu, Zhekai Chen i Ling Li. "Lattice Relaxation Forward Negative Coulomb Drag in Hopping Regime". Electronics 11, nr 8 (17.04.2022): 1273. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11081273.
Pełny tekst źródłaStrenger, Christian, Viktoryia Uhnevionak, Vincent Mortet, Guillermo Ortiz, Tobias Erlbacher, Alexander Burenkov, A. J. Bauer i in. "Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 778-780 (luty 2014): 583–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.583.
Pełny tekst źródłaLiu, Yan, Zhao-Jun Lin, Ming Yang, Chong-Biao Luan, Yu-Tang Wang, Yuan-Jie Lv i Zhi-Hong Feng. "Effect of polarization Coulomb field scattering on low temperature electron mobility in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors". Modern Physics Letters B 30, nr 35 (20.12.2016): 1650411. http://dx.doi.org/10.1142/s021798491650411x.
Pełny tekst źródłaKutsuki, Katsuhiro, Sachiko Kawaji, Yukihiko Watanabe, Shinichiro Miyahara i Jun Saito. "Improved Evaluation Method for Channel Mobility in SiC Trench MOSFETs". Materials Science Forum 821-823 (czerwiec 2015): 757–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.757.
Pełny tekst źródłaRudenko, Tamara, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, P. Razavi, G. Fagas i A. N. Nazarov. "On the Mobility Behavior in Highly Doped Junctionless Nanowire SOI MOSFETs". Advanced Materials Research 854 (listopad 2013): 35–43. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.854.35.
Pełny tekst źródłaYang, Yu, Franz A. Koeck, Xingye Wang i Robert J. Nemanich. "Surface transfer doping of MoO3 on hydrogen terminated diamond with an Al2O3 interfacial layer". Applied Physics Letters 120, nr 19 (9.05.2022): 191602. http://dx.doi.org/10.1063/5.0083971.
Pełny tekst źródłaYang, Yongxiong, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin, Guangyuan Jiang i Yang Liu. "Application of Polarization Coulomb Field Scattering to a Physics-Based Compact Model for AlGaN/GaN HFETs with I–V Characteristics". Electronics 9, nr 10 (19.10.2020): 1719. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101719.
Pełny tekst źródłaChen, Siheng, Peng Cui, Mingsheng Xu, Zhaojun Lin, Xiangang Xu, Yuping Zeng i Jisheng Han. "Improved Electrical Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Post Bis(trifluoromethane) Sulfonamide Treatment". Crystals 12, nr 11 (26.10.2022): 1521. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12111521.
Pełny tekst źródłaHatakeyama, Tetsuo, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto i Shinsuke Harada. "Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs". Journal of Applied Physics 131, nr 14 (14.04.2022): 145701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0086172.
Pełny tekst źródłaZhao, Yi, Mitsuru Takenaka i Shinichi Takagi. "Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially Strained-Si pMOSFETs". IEEE Transactions on Electron Devices 56, nr 5 (maj 2009): 1152–56. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2015170.
Pełny tekst źródłaHarrysson Rodrigues, Isabel, Andrey Generalov, Miika Soikkeli, Anton Murros, Sanna Arpiainen i Andrei Vorobiev. "Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors". Applied Physics Letters 121, nr 1 (4.07.2022): 013502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0088564.
Pełny tekst źródłaCHEN, YONG-CONG. "A DILUTE NEUTRAL-CLUSTER APPROXIMATION FOR THE QUANTUM WASHBOARD POTENTIAL". International Journal of Modern Physics B 07, nr 22 (10.10.1993): 3907–26. http://dx.doi.org/10.1142/s021797929300353x.
Pełny tekst źródłaLee, K., Benedetto Buono, Martin Domeij i Jimmy Franchi. "TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 689–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.689.
Pełny tekst źródłaOKTYABRSKY, S., P. NAGAIAH, V. TOKRANOV, M. YAKIMOV, R. KAMBHAMPATI, S. KOVESHNIKOV, D. VEKSLER, N. GOEL i G. BERSUKER. "ELECTRON SCATTERING IN BURIED InGaAs/HIGH-K MOS CHANNELS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, nr 01 (marzec 2011): 95–103. http://dx.doi.org/10.1142/s012915641100643x.
Pełny tekst źródłaGOLD, A., i O. ANTONIE. "MAGNETORESISTANCE OF A SILICON MOSFET ON THE (111) SURFACE IN A PARALLEL MAGNETIC FIELD". International Journal of Modern Physics B 21, nr 08n09 (10.04.2007): 1529–34. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207043142.
Pełny tekst źródłaДавыдов, С. Ю., i А. А. Лебедев. "Влияние адсорбированной макромолекулы на подвижность носителей в однослойном графене: модель оборванных связей". Физика и техника полупроводников 57, nr 5 (2023): 392. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.05.56210.4958.
Pełny tekst źródłaHan, Kai, Xiaolei Wang, Jinjuan Xiang, Lixing Zhou, Jiazhen Zhang, Yanrong Wang, Xueli Ma i in. "Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs". Semiconductor Science and Technology 34, nr 7 (12.06.2019): 075009. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab2167.
Pełny tekst źródłaCurran, Anya, Farzan Gity, Agnieszka Gocalinska, Enrica Mura, Roger E. Nagle, Michael Schmidt, Brendan Sheehan, Emanuele Pelucchi, Colm O’Dwyer i Paul K. Hurley. "High Hole Mobility Polycrystalline GaSb Thin Films". Crystals 11, nr 11 (5.11.2021): 1348. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11111348.
Pełny tekst źródłaTsujimura, Masatoshi, Hidenori Kitai, Hiromu Shiomi, Kazutoshi Kojima, Kenji Fukuda, Kunihiro Sakamoto, Kimiyoshi Yamasaki, Shin-Ichi Takagi i Hajime Okumura. "Analysis of Gate Oxide Nitridation Effect on SiC MOSFETs by Using Hall Measurement and Split C–V Measurement". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 441–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.441.
Pełny tekst źródłaZhou, Lixing, Jinjuan Xiang, Xiaolei Wang i Wenwu Wang. "Investigation on the passivation, band alignment, gate charge, and mobility degradation of the Ge MOSFET with a GeO x /Al2O3 gate stack by ozone oxidation". Journal of Semiconductors 43, nr 1 (1.01.2022): 013101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/013101.
Pełny tekst źródłaKittler, Martin, Manfred Reiche i Hans Michael Krause. "Charge Carrier Transport along Grain Boundaries in Silicon". Solid State Phenomena 205-206 (październik 2013): 293–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.205-206.293.
Pełny tekst źródłaПоклонский, Н. А., С. А. Вырко i А. Н. Деревяго. "Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах". Физика и техника полупроводников 52, nr 6 (2018): 544. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.06.45913.8651.
Pełny tekst źródłaTilak, Vinayak, Kevin Matocha, Greg Dunne, Fredrik Allerstam i Einar Ö. Sveinbjörnsson. "Scattering Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs with Gate Oxides Fabricated Using Sodium Enhanced Oxidation Technique". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 687–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.687.
Pełny tekst źródłaПротасов, Д. Ю., А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев i К. С. Журавлев. "Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев". Физика и техника полупроводников 52, nr 1 (2018): 48. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.01.45318.8610.
Pełny tekst źródłaMamatrishat, M., M. Kouda, T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, Y. Kataoka i in. "The effect of remote Coulomb scattering on electron mobility in La2O3gate stacked MOSFETs". Semiconductor Science and Technology 27, nr 4 (14.03.2012): 045014. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/4/045014.
Pełny tekst źródłaEsseni, D., i A. Abramo. "Modeling of electron mobility degradation by remote coulomb scattering in ultrathin oxide MOSFETs". IEEE Transactions on Electron Devices 50, nr 7 (lipiec 2003): 1665–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2003.814973.
Pełny tekst źródłaArokianathan, C. R., J. H. Davies i A. Asenov. "Ab-initio Coulomb Scattering in Atomistic Device Simulation". VLSI Design 8, nr 1-4 (1.01.1998): 331–35. http://dx.doi.org/10.1155/1998/76027.
Pełny tekst źródłaOhata, Akiko, Romain Ritzenthaler, Olivier Faynot i Sorin Cristoloveanu. "Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors". Journal of Telecommunications and Information Technology, nr 2 (25.06.2023): 14–24. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2007.2.804.
Pełny tekst źródłaZhou, Heng, Yuanjie Lv, Mingyan Wang, Peng Cui i Zhaojun Lin. "Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors". Applied Physics Letters 121, nr 21 (21.11.2022): 212107. http://dx.doi.org/10.1063/5.0124626.
Pełny tekst źródłaCretu, Bogdan, Abderrahim Tahiat, Anabela Veloso i Eddy Simoen. "(Invited) In-Depth DC and Low Frequency Noise Characterization of Nanosheet FETs at Room and Cryogenic Temperatures". ECS Transactions 111, nr 1 (19.05.2023): 197–208. http://dx.doi.org/10.1149/11101.0197ecst.
Pełny tekst źródłaRozen, John, Xing Guang Zhu, Ayayi Claude Ahyi, John R. Williams i Leonard C. Feldman. "The Limits of Post Oxidation Annealing in NO". Materials Science Forum 645-648 (kwiecień 2010): 693–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.693.
Pełny tekst źródłaBonnefoy, Baptiste. "À l’origine des milices de couleur : mobilité sociale et ségrégation dans les villes de l’empire espagnol". Genèses 123, nr 2 (12.05.2021): 90–114. http://dx.doi.org/10.3917/gen.123.0090.
Pełny tekst źródłaMamatrishat, Mamat, Miyuki Kouda, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, Takeo Hattori i Hiroshi Iwai. "Analysis of Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFET with CeO2/La2O3 Gate Stacks". ECS Transactions 25, nr 7 (17.12.2019): 253–57. http://dx.doi.org/10.1149/1.3203963.
Pełny tekst źródłaChen, William P. N., Pin Su i K. Goto. "Impact of Process-Induced Strain on Coulomb Scattering Mobility in Short-Channel n-MOSFETs". IEEE Electron Device Letters 29, nr 7 (lipiec 2008): 768–70. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2000909.
Pełny tekst źródła