Artykuły w czasopismach na temat „Compact analytical model”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Compact analytical model”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Paul, Bipul C., Ryan Tu, Shinobu Fujita, Masaki Okajima, Thomas H. Lee i Yoshio Nishi. "An Analytical Compact Circuit Model for Nanowire FET". IEEE Transactions on Electron Devices 54, nr 7 (lipiec 2007): 1637–44. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2007.899397.
Pełny tekst źródłaBanerjee, Ayan, M. K. Jasim i Anirudh Pradhan. "Analytical model of dark energy stars". Modern Physics Letters A 35, nr 10 (8.01.2020): 2050071. http://dx.doi.org/10.1142/s0217732320500716.
Pełny tekst źródłaVerma, Yogesh Kumar, Varun Mishra i Santosh Kumar Gupta. "A Physics-Based Analytical Model for MgZnO/ZnO HEMT". Journal of Circuits, Systems and Computers 29, nr 01 (26.03.2019): 2050009. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620500097.
Pełny tekst źródłaBaskey, Lipi, Shyam Das i Farook Rahaman. "An analytical anisotropic compact stellar model of embedding class I". Modern Physics Letters A 36, nr 05 (20.01.2021): 2150028. http://dx.doi.org/10.1142/s0217732321500280.
Pełny tekst źródłaPavanello, Marcelo Antonio, Renan Trevisoli, Rodrigo Trevisoli Doria i Michelly de Souza. "Static and dynamic compact analytical model for junctionless nanowire transistors". Journal of Physics: Condensed Matter 30, nr 33 (25.07.2018): 334002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/aad34f.
Pełny tekst źródłaNaeve, T., M. Hohenbild i P. Seegebrecht. "A new analytical compact model for two-dimensional finger photodiodes". Solid-State Electronics 52, nr 2 (luty 2008): 299–304. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2007.09.008.
Pełny tekst źródłaBalaguer, M., B. Iñiguez i J. B. Roldán. "An analytical compact model for Schottky-barrier double gate MOSFETs". Solid-State Electronics 64, nr 1 (październik 2011): 78–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.06.045.
Pełny tekst źródłaMantelli, M. B. H., i M. M. Yovanovich. "Compact analytical model for overall thermal resistance of bolted joints". International Journal of Heat and Mass Transfer 41, nr 10 (maj 1998): 1255–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0017-9310(97)00204-4.
Pełny tekst źródłaInokawa, H., i Y. Takahashi. "A compact analytical model for asymmetric single-electron tunneling transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 50, nr 2 (luty 2003): 455–61. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2002.808554.
Pełny tekst źródłaJia, Yonghao, Yuehang Xu, Zhang Wen, Yunqiu Wu i Yongxin Guo. "Analytical Gate Capacitance Models for Large-Signal Compact Model of AlGaN/GaN HEMTs". IEEE Transactions on Electron Devices 66, nr 1 (styczeń 2019): 357–63. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2881255.
Pełny tekst źródłaLobontiu, Nicolae, Morgan Moses, Jozef Hunter, Daniel Min i Mircea Gh Munteanu. "A Compact Three-Dimensional Two-Layer Flexible Hinge". Machines 11, nr 8 (11.08.2023): 825. http://dx.doi.org/10.3390/machines11080825.
Pełny tekst źródłaRossello, J. L., i J. Segura. "An Analytical Charge-Based Compact Delay Model for Submicrometer CMOS Inverters". IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 51, nr 7 (lipiec 2004): 1301–11. http://dx.doi.org/10.1109/tcsi.2004.830692.
Pełny tekst źródłaZong, Zhiwei, Ling Li, Jin Jang, Nianduan Lu i Ming Liu. "Analytical surface-potential compact model for amorphous-IGZO thin-film transistors". Journal of Applied Physics 117, nr 21 (7.06.2015): 215705. http://dx.doi.org/10.1063/1.4922181.
Pełny tekst źródłaÁvila-Herrera, F., B. C. Paz, A. Cerdeira, M. Estrada i M. A. Pavanello. "Charge-based compact analytical model for triple-gate junctionless nanowire transistors". Solid-State Electronics 122 (sierpień 2016): 23–31. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.04.013.
Pełny tekst źródłaBazigos, Antonios, Christopher L. Ayala, Montserrat Fernandez-Bolanos, Yu Pu, Daniel Grogg, Christoph Hagleitner, Sunil Rana, Tyson Tian Qin, Dinesh Pamunuwa i Adrian M. Ionescu. "Analytical Compact Model in Verilog-A for Electrostatically Actuated Ohmic Switches". IEEE Transactions on Electron Devices 61, nr 6 (czerwiec 2014): 2186–94. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2014.2318199.
Pełny tekst źródłaHao, Yang, Jing Li, Federico Bianchi, Peisen Zhang, Gastone Ciuti, Paolo Dario i Qiang Huang. "Analytical Magnetic Model Towards Compact Design of Magnetically-Driven Capsule Robots". IEEE Transactions on Medical Robotics and Bionics 2, nr 2 (maj 2020): 188–95. http://dx.doi.org/10.1109/tmrb.2020.2989335.
Pełny tekst źródłaLázaro, A., B. Nae, C. Muthupandian i B. Iñíguez. "High-frequency compact analytical noise model of gate-all-around MOSFETs". Semiconductor Science and Technology 25, nr 3 (5.02.2010): 035015. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/25/3/035015.
Pełny tekst źródłaLin, Kuan-Chou, Wei-Wen Ding i Meng-Hsueh Chiang. "An Analytical Gate-All-Around MOSFET Model for Circuit Simulation". Advances in Materials Science and Engineering 2015 (2015): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2015/320320.
Pełny tekst źródłaKumar, P. "A compact analytical material model for unconfined concrete under uni-axial compression". Materials and Structures 37, nr 273 (17.09.2004): 585–90. http://dx.doi.org/10.1617/13974.
Pełny tekst źródłaHyunsik Im, T. Inukai, H. Gomyo, T. Hiramoto i T. Sakurai. "VTCMOS characteristics and its optimum conditions predicted by a compact analytical model". IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 11, nr 5 (październik 2003): 755–61. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2003.814320.
Pełny tekst źródłaKumar, B. N., A. K. Singh, C. M. R. Prabhu, C. Venkataseshaiah i G. C. Sheng. "Compact Analytical Model for One Dimensional Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET)". ECS Solid State Letters 4, nr 6 (9.04.2015): M12—M14. http://dx.doi.org/10.1149/2.0031506ssl.
Pełny tekst źródłaHao, Guangbo, Xiuyun He i Shorya Awtar. "Design and analytical model of a compact flexure mechanism for translational motion". Mechanism and Machine Theory 142 (grudzień 2019): 103593. http://dx.doi.org/10.1016/j.mechmachtheory.2019.103593.
Pełny tekst źródłaChandra, S. Theodore, N. B. Balamurugan, G. Subalakshmi, T. Shalini i G. Lakshmi Priya. "Compact analytical model for single gate AlInSb/InSb high electron mobility transistors". Journal of Semiconductors 35, nr 11 (listopad 2014): 114003. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/35/11/114003.
Pełny tekst źródłaInokawa, H., i Y. Takahasi. "Correction to "A compact analytical model for asymmetric single-electron tunneling transistors"". IEEE Transactions on Electron Devices 50, nr 3 (marzec 2003): 862. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2003.814307.
Pełny tekst źródłaKumar, P. "A compact analytical material model for unconfined concrete under uni-axial compression". Materials and Structures 37, nr 9 (listopad 2004): 585–90. http://dx.doi.org/10.1007/bf02483287.
Pełny tekst źródłaPoiroux, T., O. Rozeau, P. Scheer, S. Martinie, M. A. Jaud, M. Minondo, A. Juge, J. C. Barbe i M. Vinet. "Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies—Part I: Interface Potentials Analytical Model". IEEE Transactions on Electron Devices 62, nr 9 (wrzesień 2015): 2751–59. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2015.2458339.
Pełny tekst źródłaLu, Zhao Hui, Yan Gang Zhao i Zhi Wu Yu. "A Strength Model for Square CFT Stub Columns with Compact Sections". Applied Mechanics and Materials 94-96 (wrzesień 2011): 425–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.94-96.425.
Pełny tekst źródłaJones, Nicholas A., i Jason Clark. "Analytical Modeling and Simulation of S-Drive Piezoelectric Actuators". Actuators 10, nr 5 (25.04.2021): 87. http://dx.doi.org/10.3390/act10050087.
Pełny tekst źródłaChoi, Jae Hyouk, i Kenichi Ohi. "Analytical Evaluation of Plastic Resistance of Column Base Connection Using Convex Set Theory". Key Engineering Materials 321-323 (październik 2006): 386–89. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.321-323.386.
Pełny tekst źródłaPalanichamy, Vimala, i N. B. Balamurugan. "Analytical modeling of quantization effects in surrounding-gate MOSFETs". COMPEL: The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering 33, nr 1/2 (20.12.2013): 630–44. http://dx.doi.org/10.1108/compel-03-2013-0101.
Pełny tekst źródłaAvery, Philip, i Mahen Mahendran. "Analytical Benchmark Solutions for Steel Frame Structures Subject to Local Buckling Effects". Advances in Structural Engineering 3, nr 3 (lipiec 2000): 215–29. http://dx.doi.org/10.1260/1369433001502157.
Pełny tekst źródłaSeon, Kim, Kim i Jeon. "Analytical Current-Voltage Model for Gate-All-Around Transistor with Poly-Crystalline Silicon Channel". Electronics 8, nr 9 (4.09.2019): 988. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8090988.
Pełny tekst źródłaGuo, Jingrui, Ying Zhao, Guanhua Yang, Xichen Chuai, Wenhao Lu, Dongyang Liu, Qian Chen i in. "Analytical Surface Potential-Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT". IEEE Transactions on Electron Devices 68, nr 4 (kwiecień 2021): 2049–55. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2021.3054359.
Pełny tekst źródłaAshouri, Mahyar, i Majid Bahrami. "Heat and mass transfer in laminar falling film absorption: A compact analytical model". International Journal of Heat and Mass Transfer 188 (czerwiec 2022): 122598. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2022.122598.
Pełny tekst źródłaDarbandy, Ghader, François Lime, Antonio Cerdeira, Magali Estrada, Salvador Ivan Garduño i Benjamin Iñiguez. "Gate leakage current partitioning in nanoscale double gate MOSFETs, using compact analytical model". Solid-State Electronics 75 (wrzesień 2012): 22–27. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2012.05.006.
Pełny tekst źródłaNumata, Tatsuhiro, Shigeyasu Uno, Kazuo Nakazato, Yoshinari Kamakura i Nobuya Mori. "Analytical Compact Model of Ballistic Cylindrical Nanowire Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor". Japanese Journal of Applied Physics 49, nr 4 (20.04.2010): 04DN05. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.49.04dn05.
Pełny tekst źródłaEstevez-Delgado, Joaquin, Gabino Estevez-Delgado, Noel Enrique Rodríguez Maya, José Martínez Peña i Modesto Pineda Duran. "An isotropic analytical model for charged stars". Modern Physics Letters A 36, nr 13 (29.03.2021): 2150089. http://dx.doi.org/10.1142/s0217732321500899.
Pełny tekst źródłaSaqib, Muhammad, Shahid Hasnain, Abdul Khaliq, Uzair Ahmed, Nawal Odah Al-Atawi i Daoud Suleiman Mashat. "Novel 3D coupled convection–diffusion model algorithm". AIP Advances 12, nr 10 (1.10.2022): 105324. http://dx.doi.org/10.1063/5.0112488.
Pełny tekst źródłaAhmad, Masniezam, Khairul Azwan Ismail, Fauziah Mat i William James Stronge. "Improved Model for Impact of Viscoplastic Bodies". Key Engineering Materials 715 (wrzesień 2016): 180–85. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.715.180.
Pełny tekst źródłaA Hamid, Fatimah K., N. Ezaila Alias, R. Ismail i M. Anas Razali. "Compact modeling of strained GAA SiNW". Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science 14, nr 1 (1.04.2019): 241. http://dx.doi.org/10.11591/ijeecs.v14.i1.pp241-249.
Pełny tekst źródłaChen, J. S., C. P. Liang, C. W. Liu i L. Y. Li. "A parsimonious analytical model for simulating multispecies plume migration". Hydrology and Earth System Sciences Discussions 12, nr 9 (1.09.2015): 8675–726. http://dx.doi.org/10.5194/hessd-12-8675-2015.
Pełny tekst źródłaBotas, J. D., i H. Águas. "The Stiffness of Syntactic Metal-Matrix Composites: A Statistical Model". ISRN Ceramics 2011 (6.02.2011): 1–9. http://dx.doi.org/10.5402/2011/510474.
Pełny tekst źródłaMavredakis, Nikolaos, Ramon Garcia Cortadella, Xavi Illa, Nathan Schaefer, Andrea Bonaccini Calia, Anton-Guimerà-Brunet, Jose A. Garrido i David Jiménez. "Bias dependent variability of low-frequency noise in single-layer graphene FETs". Nanoscale Advances 2, nr 11 (2020): 5450–60. http://dx.doi.org/10.1039/d0na00632g.
Pełny tekst źródłaChen, Jui-Sheng, Ching-Ping Liang, Chen-Wuing Liu i Loretta Y. Li. "An analytical model for simulating two-dimensional multispecies plume migration". Hydrology and Earth System Sciences 20, nr 2 (18.02.2016): 733–53. http://dx.doi.org/10.5194/hess-20-733-2016.
Pełny tekst źródłaHuet, Maxime, i Alexis Giauque. "A nonlinear model for indirect combustion noise through a compact nozzle". Journal of Fluid Mechanics 733 (23.09.2013): 268–301. http://dx.doi.org/10.1017/jfm.2013.442.
Pełny tekst źródłaChiang Te-Kuang. "A Compact Analytical Threshold-Voltage Model for Surrounding-Gate MOSFETs With Interface Trapped Charges". IEEE Electron Device Letters 31, nr 8 (sierpień 2010): 788–90. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2051317.
Pełny tekst źródłaBazigos, A., F. Krummenacher, J. M. Sallese, M. Bucher, E. Seebacher, W. Posch, K. Molnár i Mingchun Tang. "A Physics-Based Analytical Compact Model for the Drift Region of the HV-MOSFET". IEEE Transactions on Electron Devices 58, nr 6 (czerwiec 2011): 1710–21. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2011.2119487.
Pełny tekst źródłaWeidemann, Michaela, Alexander Kloes i Benjamin Iñiguez. "Compact model of output conductance in nanoscale bulk MOSFET based on 2D analytical calculations". Solid-State Electronics 52, nr 11 (listopad 2008): 1722–29. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.06.043.
Pełny tekst źródłaJain, Amit, Basanta Singh Nameriakpam i Subir Kumar Sarkar. "A new compact analytical model of single electron transistor for hybrid SET–MOS circuits". Solid-State Electronics 104 (luty 2015): 90–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2014.11.019.
Pełny tekst źródłaSmaani, Billel, Samir Labiod, Fares Nafa, Mohamed Salah Benlatreche i Saida Latreche. "Analytical Drain-Current Model and Surface-Potential Calculation for Junctionless Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs". International Journal of Circuits, Systems and Signal Processing 15 (25.10.2021): 1585–90. http://dx.doi.org/10.46300/9106.2021.15.170.
Pełny tekst źródła