Artykuły w czasopismach na temat „C40-TiSi2”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 20 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „C40-TiSi2”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Zhang, Z.-B., S.-L. Zhang, D.-Z. Zhu, H.-J. Xu i Y. Chen. "Different routes to the formation of C54 TiSi2 in the presence of surface and interface molybdenum: A transmission electron microscopy study". Journal of Materials Research 17, nr 4 (kwiecień 2002): 784–89. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0115.
Pełny tekst źródłaChen, S. Y., Z. X. Shen, K. Li, A. K. See i L. H. Chan. "Synthesis and characterization of pure C40 TiSi2". Applied Physics Letters 77, nr 26 (25.12.2000): 4395–97. http://dx.doi.org/10.1063/1.1329864.
Pełny tekst źródłaQuintero, A., M. Libera, C. Cabral, C. Lavoie i J. M. E. Harper. "Mechanisms for enhanced C54–TiSi2 formation in Ti–Ta alloy films on single-crystal Si". Journal of Materials Research 14, nr 12 (grudzień 1999): 4690–700. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0635.
Pełny tekst źródłaLi, K., S. Y. Chen i Z. X. Shen. "Identification of refractory-metal-free C40 TiSi2 for low temperature C54 TiSi2 formation". Applied Physics Letters 78, nr 25 (18.06.2001): 3989–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.1378309.
Pełny tekst źródłaYu, T., S. C. Tan, Z. X. Shen, L. W. Chen, J. Y. Lin i A. K. See. "Structural study of refractory-metal-free C40 TiSi2 and its transformation to C54 TiSi2". Applied Physics Letters 80, nr 13 (kwiecień 2002): 2266–68. http://dx.doi.org/10.1063/1.1466521.
Pełny tekst źródłaQuintero, A., M. Libera, C. Cabral, C. Lavoie i J. M. Harper. "Templating Effects On C54-Tisi2 Formation In Ternary Reactions." Microscopy and Microanalysis 4, S2 (lipiec 1998): 666–67. http://dx.doi.org/10.1017/s143192760002345x.
Pełny tekst źródłaEsposito, L., S. Kerdilès, M. Gregoire, P. Benigni, K. Dabertrand, J. G. Mattei i D. Mangelinck. "Impact of nanosecond laser energy density on the C40-TiSi2 formation and C54-TiSi2 transformation temperature". Journal of Applied Physics 128, nr 8 (sierpień 2020): 085305. http://dx.doi.org/10.1063/5.0016091.
Pełny tekst źródłaWang, R. N., J. Y. Feng i Y. Huang. "Effects of intermediate phase C40 TiSi2 on the formation temperature of C54 TiSi2 with a Ta interlayer". Journal of Crystal Growth 253, nr 1-4 (czerwiec 2003): 280–85. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(03)01012-1.
Pełny tekst źródłaKáňa, T., Mojmír Šob i V. Vitek. "Transformation Paths in Transition-Metal Disilicides". Key Engineering Materials 465 (styczeń 2011): 61–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.465.61.
Pełny tekst źródłaVia, F. La, F. Mammoliti i M. G. Grimaldi. "Reaction of the Si/Ta/Ti system: C40 TiSi2 phase formation andin situkinetics". Journal of Applied Physics 91, nr 2 (15.01.2002): 633–38. http://dx.doi.org/10.1063/1.1421212.
Pełny tekst źródłaMammoliti, F., M. G. Grimaldi i F. La Via. "Electrical resistivity and Hall coefficient of C49, C40, and C54 TiSi2 thin-film phases". Journal of Applied Physics 92, nr 6 (15.09.2002): 3147–51. http://dx.doi.org/10.1063/1.1500787.
Pełny tekst źródłaEsposito, L., S. Kerdilès, M. Gregoire, P. Benigni, K. Dabertrand, J. G. Mattei i D. Mangelinck. "Publisher’s Note: “Impact of nanosecond laser energy density on the C40-TiSi2 formation and C54-TiSi2 transformation temperature” [J. Appl. Phys 128, 085305 (2020)]". Journal of Applied Physics 128, nr 15 (21.10.2020): 159901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0031552.
Pełny tekst źródłaNiranjan, Manish K. "Anisotropy in elastic properties of TiSi2(C49,C40 andC54), TiSi and Ti5Si3: anab-initiodensity functional study". Materials Research Express 2, nr 9 (1.09.2015): 096302. http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/2/9/096302.
Pełny tekst źródłaLa Via, F., S. Privitera, F. Mammoliti i M. G. Grimaldi. "Effects of a Ta interlayer on the titanium silicide reaction: C40 formation and scalability of the TiSi2 process". Microelectronic Engineering 60, nr 1-2 (styczeń 2002): 197–203. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(01)00595-0.
Pełny tekst źródłaLa Via, F., F. Mammoliti, G. Corallo, M. G. Grimaldi, D. B. Migas i Leo Miglio. "Formation of the TiSi2 C40 as an intermediate phase during the reaction of the Si/Ta/Ti system". Applied Physics Letters 78, nr 13 (26.03.2001): 1864–66. http://dx.doi.org/10.1063/1.1359142.
Pełny tekst źródłaZHANG, ZHIBIN, SHILI ZHANG, DEZHANG ZHU, HONGJIE XU i YI CHEN. "FORMATION OF C54 TiSi2 ON Si(100) USING Ti/Mo AND Mo/Ti BILAYERS". International Journal of Modern Physics B 16, nr 01n02 (20.01.2002): 205–12. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202009652.
Pełny tekst źródłaKappius, L., i R. T. Tung. "On the Template Mechanism of Enhanced C54-TiSi2 Formation". MRS Proceedings 611 (2000). http://dx.doi.org/10.1557/proc-611-c8.2.1.
Pełny tekst źródłaChen, S. Y., Z. X. Shen, S. Y. Xu, A. K. See, L. H. Chan i W. S. Li. "Direct Formation of C54 Phase on the Basis of C40 TiSi2 and Its Applications in Deep Sub-Micron Technology". MRS Proceedings 670 (2001). http://dx.doi.org/10.1557/proc-670-k6.4.
Pełny tekst źródłaFrankwicz, P. S., i J. H. Perepezko. "Phase Stability and Solidification Pathways in MoSi2 Based Alloys". MRS Proceedings 213 (1990). http://dx.doi.org/10.1557/proc-213-169.
Pełny tekst źródłaLa Via, F., S. Privitera, F. Mammoliti i M. G. Grimaldi. "Effects of a Ta Interlayer on the Titanium Silicide Reaction: C40 Formation and Higher Scalability of the TiSi2 Process." MRS Proceedings 670 (2001). http://dx.doi.org/10.1557/proc-670-k6.3.
Pełny tekst źródła