Artykuły w czasopismach na temat „Boron diffusion”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Boron diffusion”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Wirbeleit, Frank. "Non-Gaussian Local Density Diffusion (LDD-) Model for Boron Diffusion in Si- and SixGe1-x Ultra-Shallow Junction Post-Implant and Advanced Rapid-Thermal-Anneals". Defect and Diffusion Forum 305-306 (październik 2010): 71–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.305-306.71.
Pełny tekst źródłaWirbeleit, Frank. "Local Density Diffusivity (LDD-) Model for Boron Out-Diffusion of In Situ Boron-Doped Si0.75Ge0.25 Epitaxial Films Post Advanced Rapid Thermal Anneals with Carbon Co-Implant". Defect and Diffusion Forum 307 (grudzień 2010): 63–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.307.63.
Pełny tekst źródłaAleksandrov, O. V., i E. N. Mokhov. "Boron Diffusion in Silicon Carbide". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 561–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.561.
Pełny tekst źródłaAgarwal, Aditya, H. J. Gossmann i D. J. Eaglesham. "Boron-enhanced diffusion of boron: Physical mechanisms". Applied Physics Letters 74, nr 16 (19.04.1999): 2331–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.123841.
Pełny tekst źródłaMarchiando, J. F., P. Roitman i J. Albers. "Boron diffusion in silicon". IEEE Transactions on Electron Devices 32, nr 11 (listopad 1985): 2322–30. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1985.22278.
Pełny tekst źródłaBorowiecka-Jamrozek, J., i J. Lachowski. "Diffusion of Boron in Cobalt Sinters". Archives of Metallurgy and Materials 58, nr 4 (1.12.2013): 1131–36. http://dx.doi.org/10.2478/amm-2013-0137.
Pełny tekst źródłaAtabaev, I. G., Chin Che Tin, B. G. Atabaev, T. M. Saliev, E. N. Bakhranov, N. A. Matchanov, S. L. Lutpullaev i in. "Diffusion and Electroluminescence Studies of Low Temperature Diffusion of Boron in 3C-SiC". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 457–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.457.
Pełny tekst źródłaShevchuk, E. P., V. A. Plotnikov i G. S. Bektasova. "Boron Diffusion in Steel 20". Izvestiya of Altai State University, nr 1(111) (6.03.2020): 58–62. http://dx.doi.org/10.14258/izvasu(2020)1-08.
Pełny tekst źródłaVenezia, V. C., R. Duffy, L. Pelaz, M. J. P. Hopstaken, G. C. J. Maas, T. Dao, Y. Tamminga i P. Graat. "Boron diffusion in amorphous silicon". Materials Science and Engineering: B 124-125 (grudzień 2005): 245–48. http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2005.08.079.
Pełny tekst źródłaLa Via, F., K. T. F. Janssen i A. H. Reader. "Boron diffusion in Co74Ti26amorphous alloy". Applied Physics Letters 60, nr 6 (10.02.1992): 701–3. http://dx.doi.org/10.1063/1.106542.
Pełny tekst źródłaWang, Wendong, Sanhong Zhang i Xinlai He. "Diffusion of boron in alloys". Acta Metallurgica et Materialia 43, nr 4 (kwiecień 1995): 1693–99. http://dx.doi.org/10.1016/0956-7151(94)00347-k.
Pełny tekst źródłaSung, T., G. Popovici, M. A. Prelas, R. G. Wilson i S. K. Loyalka. "Boron diffusion into diamond under electric bias". Journal of Materials Research 12, nr 5 (maj 1997): 1169–71. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1997.0161.
Pełny tekst źródłaLi, Wei, Huan Yang, Shuaifeng Chen, Qing Chen, Lijie Luo, Jianbao Li, Yongjun Chen i Changjiu Li. "Temperature-Dependent Morphology Evolution of Boron Nitride and Boron Carbonitride Nanostructures". Journal of Nanomaterials 2019 (6.03.2019): 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2019/3572317.
Pełny tekst źródłaArmand, Jimmy, Cyril Oliver, F. Martinez, B. Semmache, M. Gauthier, Alain Foucaran i Yvan Cuminal. "Modeling of the Boron Emitter Formation Process from BCl3 Diffusion for N-Type Silicon Solar Cells Processing". Advanced Materials Research 324 (sierpień 2011): 261–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.261.
Pełny tekst źródłaBolotnikov, A. V., Peter G. Muzykov, Anant K. Agarwal, Qing Chun Jon Zhang i Tangali S. Sudarshan. "Two-Branch Boron Diffusion from Gas Phase in n-Type 4H-SiC". Materials Science Forum 615-617 (marzec 2009): 453–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.453.
Pełny tekst źródłaCampos-Silva, Ivan, M. Ortíz-Domínguez, C. VillaVelázquez, R. Escobar i N. López. "Growth Kinetics of Boride Layers: A Modified Approach". Defect and Diffusion Forum 272 (marzec 2008): 79–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.272.79.
Pełny tekst źródłaMochizuki, Kazuhiro, Haruka Shimizu i Natsuki Yokoyama. "Modeling of Boron Diffusion and Segregation in Poly-Si/4H-SiC Structures". Materials Science Forum 645-648 (kwiecień 2010): 243–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.243.
Pełny tekst źródłaAgarwal, Aditya, H. J. Gossmann, D. J. Eaglesham, S. B. Herner, A. T. Fiory i T. E. Haynes. "Boron-enhanced diffusion of boron from ultralow-energy ion implantation". Applied Physics Letters 74, nr 17 (26.04.1999): 2435–37. http://dx.doi.org/10.1063/1.123872.
Pełny tekst źródłaShevchuk, E. P., V. A. Plotnikov i G. S. Bektasova. "Boron Diffusion During Carbon Steel Boriding". Izvestiya of Altai State University, nr 1(117) (17.03.2021): 64–67. http://dx.doi.org/10.14258/izvasu(2021)1-10.
Pełny tekst źródłaKurachi, Ikuo, i Kentaro Yoshioka. "Investigation of Boron Thermal Diffusion from Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposited Boron Silicate Glass for N-Type Solar Cell Process Application". International Journal of Photoenergy 2016 (2016): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2016/8183673.
Pełny tekst źródłaWu, Ji Jun, Wen Hui Ma, Bin Yang, Da Chun Liu i Yong Nian Dai. "Phase Equilibria of Boron in Metallurgical Grade Silicon at 1300°C". Materials Science Forum 675-677 (luty 2011): 85–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.675-677.85.
Pełny tekst źródłaBockstedte, M., Alexander Mattausch i Oleg Pankratov. "Kinetic Aspects of the Interstitial-Mediated Boron Diffusion in SiC". Materials Science Forum 483-485 (maj 2005): 527–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.527.
Pełny tekst źródłaAn, Dao Khac, Phan Ahn Tuan, Vu Ba Dung i Nguyen Van Truong. "On the Atomistic Dynamic Modelling of Simultaneous Diffusion of Dopant and Point Defect (B, V, I) in Silicon Material". Defect and Diffusion Forum 258-260 (październik 2006): 32–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.258-260.32.
Pełny tekst źródłaRüschenschmidt, K., H. Bracht, M. Laube, N. A. Stolwijk i G. Pensl. "Diffusion of boron in silicon carbide". Physica B: Condensed Matter 308-310 (grudzień 2001): 734–37. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00889-4.
Pełny tekst źródłaMoriya, N., L. C. Feldman, H. S. Luftman, C. A. King, J. Bevk i B. Freer. "Boron diffusion in strainedSi1−xGexepitaxial layers". Physical Review Letters 71, nr 6 (9.08.1993): 883–86. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.71.883.
Pełny tekst źródłaKawagishi, Kyoko, Masahiro Susa, Toshio Maruyama i Kazuhiro Nagata. "Boron Diffusion in Amorphous Silica Films". Journal of The Electrochemical Society 144, nr 9 (1.09.1997): 3270–75. http://dx.doi.org/10.1149/1.1837996.
Pełny tekst źródłaHopkins, L. C., T. E. Seidel, J. S. Williams i J. C. Bean. "Enhanced Diffusion in Boron Implanted Silicon". Journal of The Electrochemical Society 132, nr 8 (1.08.1985): 2035–36. http://dx.doi.org/10.1149/1.2114279.
Pełny tekst źródłaMarmelstein, R., M. Sinder i J. Pelleg. "Boron Diffusion in TaSi2 Thin Films". physica status solidi (a) 168, nr 1 (lipiec 1998): 223–29. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1521-396x(199807)168:1<223::aid-pssa223>3.0.co;2-4.
Pełny tekst źródłaStelmakh, V. F., Yu R. Suprun-Belevich, V. D. Tkachev i A. R. Chelyadinskii. "Diffusion of Boron Implanted into Silicon". physica status solidi (a) 89, nr 1 (16.05.1985): K45—K49. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2210890155.
Pełny tekst źródłaSchnabel, Manuel, Charlotte Weiss, Mariaconcetta Canino, Thomas Rachow, Philipp Löper, Caterina Summonte, Salvo Mirabella, Stefan Janz i Peter R. Wilshaw. "Boron diffusion in nanocrystalline 3C-SiC". Applied Physics Letters 104, nr 21 (26.05.2014): 213108. http://dx.doi.org/10.1063/1.4880722.
Pełny tekst źródłaLiu, T., i M. K. Orlowski. "Arsenic diffusion in boron‐doped germanium". Electronics Letters 49, nr 2 (styczeń 2013): 154–56. http://dx.doi.org/10.1049/el.2012.3444.
Pełny tekst źródłaSchmidt, H., G. Borchardt, C. Schmalzried, R. Telle, S. Weber i H. Scherrer. "Self-diffusion of boron in TiB2". Journal of Applied Physics 93, nr 2 (15.01.2003): 907–11. http://dx.doi.org/10.1063/1.1530715.
Pełny tekst źródłaMcLellan, R. B. "The diffusion of boron in nickel". Scripta Metallurgica et Materialia 33, nr 8 (październik 1995): 1265–67. http://dx.doi.org/10.1016/0956-716x(95)00365-3.
Pełny tekst źródłaKim, Jeong-Gyoo, i Choong-Ki Kim. "Two-step rapid thermal diffusion of boron into silicon using a boron nitride solid diffusion source". Journal of Electronic Materials 18, nr 5 (wrzesień 1989): 573–77. http://dx.doi.org/10.1007/bf02657468.
Pełny tekst źródłaGüleryüz, Hasan, Erdem Atar, Fared Seahjani i Hüseyin Çimenoğlu. "An Overview on Surface Hardening of Titanium Alloys by Diffusion of Interstitial Atoms". Diffusion Foundations 4 (lipiec 2015): 103–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/df.4.103.
Pełny tekst źródłaCampos-Silva, Ivan, M. Ortíz-Domínguez, N. López-Perrusquia, R. Escobar Galindo, O. A. Gómez-Vargas i E. Hernández-Sánchez. "Determination of Boron Diffusion Coefficients in Borided Tool Steels". Defect and Diffusion Forum 283-286 (marzec 2009): 681–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.283-286.681.
Pełny tekst źródłaVuong, H. H., Y. H. Xie, M. R. Frei, G. Hobler, L. Pelaz i C. S. Rafferty. "Use of transient enhanced diffusion to tailor boron out-diffusion". IEEE Transactions on Electron Devices 47, nr 7 (lipiec 2000): 1401–5. http://dx.doi.org/10.1109/16.848283.
Pełny tekst źródłaDung, Vu Ba. "Uphill diffusion of Si-interstitial during boron diffusion in silicon". Indian Journal of Physics 91, nr 10 (24.05.2017): 1233–36. http://dx.doi.org/10.1007/s12648-017-1024-0.
Pełny tekst źródłaYeckel, Andrew, i Stanley Middleman. "Mathematical modeling of boron diffusion from boron oxide glass film sources". AIChE Journal 34, nr 9 (wrzesień 1988): 1455–67. http://dx.doi.org/10.1002/aic.690340907.
Pełny tekst źródłaVELICHKO, O. I. "SIMULATION OF BORON DIFFUSION IN THE NEAR-SURFACE REGION OF SILICON SUBSTRATE". Surface Review and Letters 27, nr 11 (18.08.2020): 2050010. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x20500109.
Pełny tekst źródłaLinnarsson, Margareta K., J. Isberg, Adolf Schöner i Anders Hallén. "A Comparison of Transient Boron Diffusion in Silicon, Silicon Carbide and Diamond". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 453–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.453.
Pełny tekst źródłaLin, Bing-Hong, Yung-Shin Tseng, Jong-Rong Wang, Liang-Che Dai i Chunkuan Shih. "ICONE19-43157 Boron Evaluation of Diffusion Phenomenon and Distribution in the Core Using Fluent". Proceedings of the International Conference on Nuclear Engineering (ICONE) 2011.19 (2011): _ICONE1943. http://dx.doi.org/10.1299/jsmeicone.2011.19._icone1943_54.
Pełny tekst źródłaWang, Ling Yun, Ru Hai Zhou, Yi Fang Liu, Cheng Zheng, Jian Fa Cai i Yong He. "Simulation and Typical Application of Multi-Step Diffusion Method for MEMS Device Layers". Key Engineering Materials 645-646 (maj 2015): 341–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.645-646.341.
Pełny tekst źródłaHong, Phan Thi Thanh, Vu Van Hung, Nguyen Van Nghia i Ho Khac Hieu. "Pressure effects on the diffusion of boron and phosphorus in silicon". International Journal of Modern Physics B 33, nr 23 (20.09.2019): 1950267. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979219502679.
Pełny tekst źródłaOEHME, M., i E. KASPER. "ABRUPT BORON PROFILES BY SILICON-MBE". International Journal of Modern Physics B 16, nr 28n29 (20.11.2002): 4285–88. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202015273.
Pełny tekst źródłaKara, Gökhan, Gencaga Purcek i Harun Yanar. "Improvement of wear behaviour of titanium by boriding". Industrial Lubrication and Tribology 69, nr 1 (9.01.2017): 65–70. http://dx.doi.org/10.1108/ilt-11-2015-0174.
Pełny tekst źródłaMakuch, Natalia, Piotr Dziarski i Michał Kulka. "Gas Technique of Simultaneous Borocarburizing of Armco Iron Using Trimethyl Borate". Coatings 10, nr 6 (14.06.2020): 564. http://dx.doi.org/10.3390/coatings10060564.
Pełny tekst źródłaLebow, Patricia K., Stan T. Lebow i Steven A. Halverson. "Boron Diffusion in Surface-Treated Framing Lumber". Forest Products Journal 63, nr 7-8 (grudzień 2013): 275–82. http://dx.doi.org/10.13073/fpj-d-12-00098.
Pełny tekst źródła"Diffusion of: Boron". Defect and Diffusion Forum 47 (styczeń 1986): 26–53. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.47.26.
Pełny tekst źródłaSchreutelkamp, R. J., W. X. Lu, F. W. Saris, K. T. F. Janssen, J. J. M. Ottenheim, R. E. Kaim i J. F. M. Westendorp. "Avoiding Transient Diffusion of Boron in Si(100)". MRS Proceedings 157 (1989). http://dx.doi.org/10.1557/proc-157-691.
Pełny tekst źródła