Artykuły w czasopismach na temat „Bit Erasable”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 15 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Bit Erasable”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Lutkenhaus, Norbert, Ashutosh Marwah i Dave Touchette. "Erasable Bit Commitment From Temporary Quantum Trust". IEEE Journal on Selected Areas in Information Theory 1, nr 2 (sierpień 2020): 536–54. http://dx.doi.org/10.1109/jsait.2020.3017054.
Pełny tekst źródłaYamada, Noboru. "Erasable Phase-Change Optical Materials". MRS Bulletin 21, nr 9 (wrzesień 1996): 48–50. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400036368.
Pełny tekst źródłaLibera, Matthew, i Martin Chen. "Multilayered Thin-Film Materials for Phase-Change Erasable Storage". MRS Bulletin 15, nr 4 (kwiecień 1990): 40–45. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400059947.
Pełny tekst źródłaRensner, Gary D., David A. Eckhardt i Michael Page. "Nuclear Radiation Response of Intel 64k-Bit and 128k-Bit HMOS Ultraviolet Erasable Programmable Read Only Memories (UVEPROMs)". IEEE Transactions on Nuclear Science 32, nr 6 (1985): 4056–60. http://dx.doi.org/10.1109/tns.1985.4334068.
Pełny tekst źródłaXu, Meili, Weihao Qi, Wenfa Xie i Wei Wang. "High-speed, low-voltage programmable/erasable flexible 2-bit organic transistor nonvolatile memory with a monolayer buffered ferroelectric terpolymer insulator". Applied Physics Letters 121, nr 8 (22.08.2022): 083502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0105190.
Pełny tekst źródłaHerrojo, Cristian, Javier Mata-Contreras, Ferran Paredes, Alba Nunez, Eloi Ramon i Ferran Martin. "Near-Field Chipless-RFID System With Erasable/Programmable 40-bit Tags Inkjet Printed on Paper Substrates". IEEE Microwave and Wireless Components Letters 28, nr 3 (marzec 2018): 272–74. http://dx.doi.org/10.1109/lmwc.2018.2802718.
Pełny tekst źródłaJeon, Jin-Kwan, In-Won Hwang, Hyun-Jun Lee i Younho Lee. "Improving the Performance of RLizard on Memory-Constraint IoT Devices with 8-Bit ATmega MCU". Electronics 9, nr 9 (22.09.2020): 1549. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9091549.
Pełny tekst źródłaLibera, Matthew R., i Martin Chen. "The effect of an aluminum heat-sink layer on the laser-induced amorphization of SiOx/TeGeSn/SiOx phase-change recording films". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (6.08.1989): 574–75. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100154846.
Pełny tekst źródłaArima, Hideaki, Natuo Ajika, Makoto Ohi, Takayuki Matsukawa i Natsuro Tsubouchi. "A High Density High Performance Cell for 4M Bit Full Feature Electrically Erasable / Programmable Read-Only Memory". Japanese Journal of Applied Physics 30, Part 2, No. 3A (1.03.1991): L334—L337. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.30.l334.
Pełny tekst źródłaDay, Daniel, Min Gu i Andrew Smallridge. "Use of two-photon excitation for erasable–rewritable three-dimensional bit optical data storage in a photorefractive polymer". Optics Letters 24, nr 14 (15.07.1999): 948. http://dx.doi.org/10.1364/ol.24.000948.
Pełny tekst źródłaRokeakh, A. I., i M. Yu Artyomov. "Precision Hall Effect magnetometer". Review of Scientific Instruments 94, nr 3 (1.03.2023): 034702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0131896.
Pełny tekst źródłaHoltzman, Roi, Geva Arwas i Oren Raz. "Hamiltonian memory: An erasable classical bit". Physical Review Research 3, nr 1 (12.03.2021). http://dx.doi.org/10.1103/physrevresearch.3.013232.
Pełny tekst źródłaHoucine, Naim, Hassini Abdelatif, Benabadji Noureddine, Falil Fatima Zohra i Bouadi Abed. "Realization of an Inexpensive Embedded Mini-Datalogger for Measuring and Controlling Photovoltaic System". Journal of Solar Energy Engineering 137, nr 2 (1.04.2015). http://dx.doi.org/10.1115/1.4029232.
Pełny tekst źródłaDing, Yin, Qingling Xu, Haitian Wei, Jing Su i Wei Wang. "High-Speed, Low-Voltage Programmable/ Erasable Flexible Two-Bit Organic Transistor Nonvolatile Memories Base on Ultraviolet-Ozone Treated Terpolymer Ferroelectric Gate". IEEE Electron Device Letters, 2023, 1. http://dx.doi.org/10.1109/led.2023.3337822.
Pełny tekst źródłaZhang, Ruiting, Yahong Jin, Yanmei Li, Haoyi Wu i Yihua Hu. "Bi3+/Sm3+ co-doped LiTaO3 photochromic perovskites: An ultrafast erasable optical information storage medium". Inorganic Chemistry Frontiers, 2023. http://dx.doi.org/10.1039/d3qi00956d.
Pełny tekst źródła