Artykuły w czasopismach na temat „Atomic Layer Etching”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Atomic Layer Etching”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
AOYAGI, Yoshinobu, i Takashi MEGURO. "Atomic Layer Etching." Nihon Kessho Gakkaishi 33, nr 3 (1991): 169–74. http://dx.doi.org/10.5940/jcrsj.33.169.
Pełny tekst źródłaEliceiri, Matthew, Yoonsoo Rho, Runxuan Li i Costas P. Grigoropoulos. "Pulsed laser induced atomic layer etching of silicon". Journal of Vacuum Science & Technology A 41, nr 2 (marzec 2023): 022602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002399.
Pełny tekst źródłaHatch, Kevin A., Daniel C. Messina i Robert J. Nemanich. "Plasma enhanced atomic layer deposition and atomic layer etching of gallium oxide using trimethylgallium". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, nr 4 (lipiec 2022): 042603. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001871.
Pełny tekst źródłaOh, Chang-Kwon, Sang-Duk Park i Geun-Young Yeom. "Atomic Layer Etching of Silicon Using a Ar Neutral Beam of Low Energy". Korean Journal of Materials Research 16, nr 4 (27.04.2006): 213–17. http://dx.doi.org/10.3740/mrsk.2006.16.4.213.
Pełny tekst źródłaGeorge, Steven M. "(Tutorial) Thermal Atomic Layer Etching". ECS Meeting Abstracts MA2021-02, nr 29 (19.10.2021): 847. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0229847mtgabs.
Pełny tekst źródłaIkeda, Keiji, Shigeru Imai i Masakiyo Matsumura. "Atomic layer etching of germanium". Applied Surface Science 112 (marzec 1997): 87–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00995-6.
Pełny tekst źródłaNieminen, Heta-Elisa, Mykhailo Chundak, Mikko J. Heikkilä, Paloma Ruiz Kärkkäinen, Marko Vehkamäki, Matti Putkonen i Mikko Ritala. "In vacuo cluster tool for studying reaction mechanisms in atomic layer deposition and atomic layer etching processes". Journal of Vacuum Science & Technology A 41, nr 2 (marzec 2023): 022401. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002312.
Pełny tekst źródłaYao, Yong Zhao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara i Koji Sato. "Removal of Mechanical-Polishing-Induced Surface Damages on 4H-SiC Wafers by Using Chemical Etching with Molten KCl+KOH". Materials Science Forum 778-780 (luty 2014): 746–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.746.
Pełny tekst źródłaReif, Johanna, Martin Knaut, Sebastian Killge, Matthias Albert, Thomas Mikolajick i Johann W. Bartha. "In situ studies on atomic layer etching of aluminum oxide using sequential reactions with trimethylaluminum and hydrogen fluoride". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, nr 3 (maj 2022): 032602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001630.
Pełny tekst źródłaHirano, Tomoki, Kenya Nishio, Takashi Fukatani, Suguru Saito, Yoshiya Hagimoto i Hayato Iwamoto. "Characterization of Wet Chemical Atomic Layer Etching of InGaAs". Solid State Phenomena 314 (luty 2021): 95–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.314.95.
Pełny tekst źródłaFischer, Andreas, Aaron Routzahn, Steven M. George i Thorsten Lill. "Thermal atomic layer etching: A review". Journal of Vacuum Science & Technology A 39, nr 3 (maj 2021): 030801. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000894.
Pełny tekst źródłaT. Carver, Colin, John J. Plombon, Patricio E. Romero, Satyarth Suri, Tristan A. Tronic i Robert B. Turkot. "Atomic Layer Etching: An Industry Perspective". ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, nr 6 (2015): N5005—N5009. http://dx.doi.org/10.1149/2.0021506jss.
Pełny tekst źródłaTAKAKUWA, Yuji. "Surface Reactions in Atomic Layer Etching." Hyomen Kagaku 16, nr 6 (1995): 373–77. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.16.373.
Pełny tekst źródłaKanarik, Keren J., Samantha Tan, Wenbing Yang, Taeseung Kim, Thorsten Lill, Alexander Kabansky, Eric A. Hudson i in. "Predicting synergy in atomic layer etching". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, nr 5 (wrzesień 2017): 05C302. http://dx.doi.org/10.1116/1.4979019.
Pełny tekst źródłaGong, Yukun, i Rohan Akolkar. "Electrochemical Atomic Layer Etching of Ruthenium". Journal of The Electrochemical Society 167, nr 6 (14.04.2020): 062510. http://dx.doi.org/10.1149/1945-7111/ab864b.
Pełny tekst źródłaChalker, P. R. "Photochemical atomic layer deposition and etching". Surface and Coatings Technology 291 (kwiecień 2016): 258–63. http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2016.02.046.
Pełny tekst źródłaGeorge, Steven M. "Mechanisms of Thermal Atomic Layer Etching". Accounts of Chemical Research 53, nr 6 (1.06.2020): 1151–60. http://dx.doi.org/10.1021/acs.accounts.0c00084.
Pełny tekst źródłaKuzmenko, V., A. Miakonkikh i K. Rudenko. "Atomic layer etching of Silicon Oxide". Journal of Physics: Conference Series 1410 (grudzień 2019): 012023. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012023.
Pełny tekst źródłaFaraz, T., F. Roozeboom, H. C. M. Knoops i W. M. M. Kessels. "Atomic Layer Etching: What Can We Learn from Atomic Layer Deposition?" ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, nr 6 (2015): N5023—N5032. http://dx.doi.org/10.1149/2.0051506jss.
Pełny tekst źródłaCrawford, Kevin G., James Grant, Dilini Tania Hemakumara, Xu Li, Iain Thayne i David A. J. Moran. "High synergy atomic layer etching of AlGaN/GaN with HBr and Ar". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, nr 4 (lipiec 2022): 042601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001862.
Pełny tekst źródłade Marneffe, J. F., D. Marinov, A. Goodyear, P. J. Wyndaele, N. St. J. Braithwaite, S. Kundu, I. Asselberghs, M. Cooke i S. De Gendt. "Plasma enhanced atomic layer etching of high-k layers on WS2". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, nr 4 (lipiec 2022): 042602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001726.
Pełny tekst źródłaAroulanda, Sébastien, Olivier Patard, Philippe Altuntas, Nicolas Michel, Jorge Pereira, Cédric Lacam, Piero Gamarra i in. "Cl2/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers". Journal of Vacuum Science & Technology A 37, nr 4 (lipiec 2019): 041001. http://dx.doi.org/10.1116/1.5090106.
Pełny tekst źródłaKim, Y. Y., W. S. Lim, J. B. Park i G. Y. Yeom. "Layer by Layer Etching of the Highly Oriented Pyrolythic Graphite by Using Atomic Layer Etching". Journal of The Electrochemical Society 158, nr 12 (2011): D710. http://dx.doi.org/10.1149/2.061112jes.
Pełny tekst źródłaYao, Yikun, Xinjia Zhao, Xiangqian Tang, Jianmei Li, Xinyan Shan i Xinghua Lu. "Laser etching of 2D materials with single-layer precision up to ten layers". Journal of Laser Applications 34, nr 4 (listopad 2022): 042051. http://dx.doi.org/10.2351/7.0000848.
Pełny tekst źródłaHirata, Akiko, Masanaga Fukasawa, Katsuhisa Kugimiya, Kojiro Nagaoka, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi i Hayato Iwamoto. "Mechanism of SiN etching rate fluctuation in atomic layer etching". Journal of Vacuum Science & Technology A 38, nr 6 (grudzień 2020): 062601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000257.
Pełny tekst źródłaGuan, Lulu, Xingyu Li, Dongchen Che, Kaidong Xu i Shiwei Zhuang. "Plasma atomic layer etching of GaN/AlGaN materials and application: An overview". Journal of Semiconductors 43, nr 11 (1.11.2022): 113101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/11/113101.
Pełny tekst źródłaHoffmann, M., J. A. Murdzek, S. M. George, S. Slesazeck, U. Schroeder i T. Mikolajick. "Atomic layer etching of ferroelectric hafnium zirconium oxide thin films enables giant tunneling electroresistance". Applied Physics Letters 120, nr 12 (21.03.2022): 122901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0084636.
Pełny tekst źródłaLee, Y., J. W. DuMont i S. M. George. "(Invited) Atomic Layer Etching Using Thermal Reactions: Atomic Layer Deposition in Reverse". ECS Transactions 69, nr 7 (2.10.2015): 233–41. http://dx.doi.org/10.1149/06907.0233ecst.
Pełny tekst źródłaJung, Junho, i Kyongnam Kim. "Atomic Layer Etching Using a Novel Radical Generation Module". Materials 16, nr 10 (9.05.2023): 3611. http://dx.doi.org/10.3390/ma16103611.
Pełny tekst źródłaKim, Seon Yong, In-Sung Park i Jinho Ahn. "Atomic layer etching of SiO2 using trifluoroiodomethane". Applied Surface Science 589 (lipiec 2022): 153045. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.153045.
Pełny tekst źródłaKim, Doo San, Ju Eun Kim, You Jung Gill, Yun Jong Jang, Ye Eun Kim, Kyong Nam Kim, Geun Young Yeom i Dong Woo Kim. "Anisotropic/Isotropic Atomic Layer Etching of Metals". Applied Science and Convergence Technology 29, nr 3 (31.05.2020): 41–49. http://dx.doi.org/10.5757/asct.2020.29.3.041.
Pełny tekst źródłaSakaue, Hiroyuki, Seiji Iseda, Kazushi Asami, Jirou Yamamoto, Masataka Hirose i Yasuhiro Horiike. "Atomic Layer Controlled Digital Etching of Silicon". Japanese Journal of Applied Physics 29, Part 1, No. 11 (20.11.1990): 2648–52. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.29.2648.
Pełny tekst źródłaSherpa, Sonam D., i Alok Ranjan. "Quasi-atomic layer etching of silicon nitride". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, nr 1 (styczeń 2017): 01A102. http://dx.doi.org/10.1116/1.4967236.
Pełny tekst źródłaKauppinen, Christoffer, Sabbir Ahmed Khan, Jonas Sundqvist, Dmitry B. Suyatin, Sami Suihkonen, Esko I. Kauppinen i Markku Sopanen. "Atomic layer etching of gallium nitride (0001)". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, nr 6 (listopad 2017): 060603. http://dx.doi.org/10.1116/1.4993996.
Pełny tekst źródłaGong, Yukun, Kailash Venkatraman i Rohan Akolkar. "Communication—Electrochemical Atomic Layer Etching of Copper". Journal of The Electrochemical Society 165, nr 7 (2018): D282—D284. http://dx.doi.org/10.1149/2.0901807jes.
Pełny tekst źródłaAthavale, Satish D. "Realization of atomic layer etching of silicon". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 14, nr 6 (listopad 1996): 3702. http://dx.doi.org/10.1116/1.588651.
Pełny tekst źródłaKanarik, Keren J., Samantha Tan, Wenbing Yang, Ivan L. Berry, Yang Pan i Richard A. Gottscho. "Universal scaling relationship for atomic layer etching". Journal of Vacuum Science & Technology A 39, nr 1 (styczeń 2021): 010401. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000762.
Pełny tekst źródłaFischer, Andreas, Aaron Routzahn, Younghee Lee, Thorsten Lill i Steven M. George. "Thermal etching of AlF3 and thermal atomic layer etching of Al2O3". Journal of Vacuum Science & Technology A 38, nr 2 (marzec 2020): 022603. http://dx.doi.org/10.1116/1.5135911.
Pełny tekst źródłaPark, Sang-Duk, Kyung-Suk Min, Byoung-Young Yoon, Do-Haing Lee i Geun-Young Yeom. "Precise Depth Control of Silicon Etching Using Chlorine Atomic Layer Etching". Japanese Journal of Applied Physics 44, nr 1A (11.01.2005): 389–93. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.44.389.
Pełny tekst źródłaTsutsumi, Takayoshi, Masaru Zaitsu, Akiko Kobayashi, Nobuyoshi Kobayashi i Masaru Hori. "(Invited) Advanced Plasma Etching Processing: Atomic Layer Etching for Nanoscale Devices". ECS Transactions 77, nr 3 (21.04.2017): 25–28. http://dx.doi.org/10.1149/07703.0025ecst.
Pełny tekst źródłaKhan, M. B., Sh Shakeel, K. Richter, S. Ghosh, A. Erbe i Yo M. Georgiev. "Atomic layer etching of nanowires using conventional reactive ion etching tool". Journal of Physics: Conference Series 2443, nr 1 (1.02.2023): 012004. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2443/1/012004.
Pełny tekst źródłaPollet, Olivier, Nicolas Possémé, Vincent Ah-Leung i Maxime Garcia Barros. "Thin Layer Etching of Silicon Nitride: Comparison of Downstream Plasma, Liquid HF and Gaseous HF Processes for Selective Removal after Light Ion Implantation". Solid State Phenomena 255 (wrzesień 2016): 69–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.69.
Pełny tekst źródłaAbromavičius, Giedrius, Martynas Skapas i Remigijus Juškėnas. "Enhancing Laser Damage Resistance of Co2+:MgAl2O4 Crystal by Plasma Etching". Applied Sciences 13, nr 2 (14.01.2023): 1150. http://dx.doi.org/10.3390/app13021150.
Pełny tekst źródłaChittock, Nicholas John, Wilhelmus M. M. (Erwin) Kessels, Harm Knoops i Adrie Mackus. "(Invited) The Use of Plasmas for Isotropic Atomic Layer Etching". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, nr 29 (22.12.2023): 1464. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02291464mtgabs.
Pełny tekst źródłaMOCHIJI, KOZO. "Atomic Layer Etching by Using Multiply-Charged Ions." Hyomen Kagaku 16, nr 6 (1995): 367–72. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.16.367.
Pełny tekst źródłaTan, Samantha, Wenbing Yang, Keren J. Kanarik, Thorsten Lill, Vahid Vahedi, Jeff Marks i Richard A. Gottscho. "Highly Selective Directional Atomic Layer Etching of Silicon". ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, nr 6 (2015): N5010—N5012. http://dx.doi.org/10.1149/2.0031506jss.
Pełny tekst źródłaKim, Woo-Hee, Dougyong Sung, Sejin Oh, Jehun Woo, Seungkyu Lim, Hyunju Lee i Stacey F. Bent. "Thermal adsorption-enhanced atomic layer etching of Si3N4". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 36, nr 1 (styczeń 2018): 01B104. http://dx.doi.org/10.1116/1.5003271.
Pełny tekst źródłaBerry, Ivan L., Keren J. Kanarik, Thorsten Lill, Samantha Tan, Vahid Vahedi i Richard A. Gottscho. "Applying sputtering theory to directional atomic layer etching". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 36, nr 1 (styczeń 2018): 01B105. http://dx.doi.org/10.1116/1.5003393.
Pełny tekst źródłaLee, Kang-Il, Dong Chan Seok, Soo Ouk Jang i Yong Sup Choi. "Development of Silicon Carbide Atomic Layer Etching Technology". Thin Solid Films 707 (sierpień 2020): 138084. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138084.
Pełny tekst źródłaKim, Ki Seok, Ki Hyun Kim, Yeonsig Nam, Jaeho Jeon, Soonmin Yim, Eric Singh, Jin Yong Lee i in. "Atomic Layer Etching Mechanism of MoS2 for Nanodevices". ACS Applied Materials & Interfaces 9, nr 13 (27.03.2017): 11967–76. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b15886.
Pełny tekst źródła