Gotowa bibliografia na temat „Amplificateurs optiques à semiconducteurs”
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Artykuły w czasopismach na temat "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Girard, G., P. Pringent i A. Lavenant. "Accord et affinement spectrale de l'émission optique de lasers/amplificateurs à semiconducteurs à large ouverture". Annales de Physique 20, nr 5-6 (1995): 635–36. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556048.
Pełny tekst źródłaTchelnokov, A. V., J. M. Lourtioz i P. Gavrilovic. "Dynamique saptiale et spectrale de l'émission optique de lasers/amplificateurs à semiconducteurs à large ouverture". Annales de Physique 20, nr 5-6 (1995): 637–38. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556049.
Pełny tekst źródłaGinovart, F., i J. C. Simon. "Effets de longueur d'un amplificateur optique à semiconducteur sur la dynamique de gain". Journal de Physique IV (Proceedings) 12, nr 5 (czerwiec 2002): 189–91. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20020128.
Pełny tekst źródłaPankoke, R., A. Cassineli, P. Sillard, C. Dorrer, P. Leisching i R. Frey. "Générateurs et amplificateurs paramétriques optiques monomodes transverse". Annales de Physique 20, nr 5-6 (1995): 593–94. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556027.
Pełny tekst źródłaFortin, ER, i AP Roth. "Quelques propriétés optiques et électro-optiques des super-réseaux et puits quantiques semiconducteurs InGaAs/GaAs". Journal de Chimie Physique 88 (1991): 2197–209. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1991882197.
Pełny tekst źródłaDallot, V., i P. Gallion. "Évolution du bruit dans des amplificateurs optiques décrite par un nouveau formalisme classique". Journal de Physique IV (Proceedings) 12, nr 5 (czerwiec 2002): 183–84. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20020125.
Pełny tekst źródłaGrojo, David. "L’émergence de procédés d’écriture laser 3D dans les technologies silicium". Photoniques, nr 112 (2022): 37–42. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202211237.
Pełny tekst źródłaDUAN, Guang-Hua, Hélène DEBRÉGEAS i Romain BRENOT. "Lasers et amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour télécommunications optiques". Optique Photonique, lipiec 2015. http://dx.doi.org/10.51257/a-v1-e7005.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Soto, Ortiz Horacio. "Dynamique des amplificateurs optiques à semi-conducteurs massifs /". Paris : Ecole nationale supérieure des télécommunications, 1996. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb358101180.
Pełny tekst źródłaLablonde, Laurent. "Etude des non-linéarites de gain d'un amplificateur optique à semi-conducteur". Limoges, 1996. http://www.theses.fr/1996LIMO0029.
Pełny tekst źródłaHamie, Ali. "Étude de la mise en cascade de deux amplificateurs optiques à semi-conducteur en topologie contra-propagative en vue de la réalisation de fonctions tout-optiques pour les sytèmes de télécommunications". Brest, 2004. http://www.theses.fr/2004BRES2013.
Pełny tekst źródłaIn this work, a theoretical and experimental study of two cascaded semiconductor optical amplifiers (SOA) in a counter-propagating topology was performed. This study was aimed at exploiting cross gain modulation (XGM) in order to device new all-optical functions for optical communication systems. In a first stage, the theroretical and experimental static characterization of the configuration established the possibility to renforce significantly the gain non-linearity of the two SOAs, leading to either a positive or a negative variation for the gain as a function of the input optical power. Thus, a large extinction ratio can be reached even for a small variation of the incident power. This property can be exploited in order to ensure 2R regeneration. Moreover, this study made it possible to determine those parameters of the configuration that optimize the extinction ratio, in particular the length and the small-signal gain of both SOAs. In a second stage, a dynamic characterization of the configuration was performed, which showed the influence of gain saturation on the frequency and time responses at the output of the two SOAs. Evaluating the rate that can be reached with such a structure revealed a strong dependence on the interconnection distance althought this can be reduced thought integration. Finally, several all-optical functions were devised with the studied configuration, such as an all-opticals switch, a NOR gate, a wavelength conversion function (either direct or inverse) and an OR gate
Huygue, Sarah. "Fiabilité des amplificateurs optiques à semiconducteur 1,55 um pour des applications de télécommunication : étude expérimentale et modélisation physique". Bordeaux 1, 2005. http://www.theses.fr/2005BOR12952.
Pełny tekst źródłaDoussiere, Pierre. "Contribution à l'étude et à la réalisation d'amplificateurs optiques à semi-conducteur". Nice, 1989. http://www.theses.fr/1989NICE4265.
Pełny tekst źródłaGirault, Gwenaëlle. "Contribution à l'étude de portes optiques à base d'amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour le traitement tout-optique de signaux de télécommunications à très hauts débits". Rennes 1, 2007. http://www.theses.fr/2007REN1E003.
Pełny tekst źródłaBuldawoo, Naveena. "Module d'émission-réception pour communications optiques à base d'amplificateur optique à semi-conducteur". Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20139.
Pełny tekst źródłaMoreau, Gautier. "Contribution à la caractérisation des propriétés optiques de guides planaires à boîtes quantiques InAs/InP(311)B émettant à 1,55 µm". Rennes 1, 2005. http://www.theses.fr/2005REN1E002.
Pełny tekst źródłaBoula-Picard, Reynald. "Contribution à l'étude des amplificateurs optiques à semiconducteur pour applications analogiques". Rennes 1, 2004. http://www.theses.fr/2004REN10072.
Pełny tekst źródłaHessler, Thierry. "Dynamique du gain dans les amplificateurs optiques à semiconducteur en régime femtoseconde /". [S.l.] : [s.n.], 2000. http://library.epfl.ch/theses/?nr=2176.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Arvin, Grabel, red. Microélectronique. Paris: McGraw-Hill, 1988.
Znajdź pełny tekst źródłaF, Digonnet Michel J., red. Rare-earth-doped fiber lasers and amplifiers. Wyd. 2. New York: Marcel Dekker, 2001.
Znajdź pełny tekst źródłaFundamentals of microelectronics. Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, 2008.
Znajdź pełny tekst źródła1928-, Elliott R. J., i Ipatova I. P. 1929-, red. Optical properties of mixed crystals. Amsterdam: North-Holland, 1988.
Znajdź pełny tekst źródłaOptical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge, UK: Cambridge Unviersity Press, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaA, Balzarotti, Guizzetti G i Stella A, red. Highlights on spectroscopies of semiconductors and insulators: Castro Marina, Italy, September 1987. Singapore: World Scientific, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaT, Kobayashi, i Kobunshi Sozai Center (Japan), red. Nonlinear optics of organics and semiconductors: Proceedings of the international symposium, Tokyo, Japan, July 25-26, 1988. Berlin: Springer-Verlag, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaDonnerberg, Hansjörg. Atomic simulation of electrooptic and magnetooptic oxide materials. Berlin: Springer, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaSaid, Youssef. Etude Avancée des Amplificateurs Optiques à Semi-conducteurs: Application en communications optiques à très haut débit. Omniscriptum, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaSchäfer, Wilfried, i Martin Wegener. Semiconductor Optics and Transport Phenomena. Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Cormier, E. "Amplificateurs paramétriques optiques pour la physique attoseconde". W UVX 2008 - 9e Colloque sur les Sources Cohérentes et Incohérentes UV, VUV et X : Applications et Développements Récents. Les Ulis, France: EDP Sciences, 2009. http://dx.doi.org/10.1051/uvx/2009006.
Pełny tekst źródłaPocholle, J. P. "Propriétés optiques des matériaux semiconducteurs à puits quantiques et applications dans le domaine du traitement du signal". W Optoélectronique (Volume 1). Les Ulis, France: EDP Sciences, 1990. http://dx.doi.org/10.1051/sfo/1990006.
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