Zaloguj się

Gotowe bibliografie tematyczne / AgGaGeS4 / Artykuły w czasopismach

Artykuły w czasopismach na temat „AgGaGeS4”

Kliknij ten link, aby zobaczyć inne rodzaje publikacji na ten temat: AgGaGeS4.

Autor: Grafiati

Data publikacji: 25 maja 2024

Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych

Wybierz rodzaj źródła:

Sprawdź 38 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „AgGaGeS4”.

Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.

Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.

Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА i Вайдотас КАЖУКАУСКАС. "ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er". Physics and educational technology, nr 1 (31.10.2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Pełny tekst źródła

Streszczenie:

У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук i С. П. Данильчук. "Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4". Ukrainian Journal of Physics 57, nr 10 (5.12.2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Pełny tekst źródła

Streszczenie:

Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц. i Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. "ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ". Перспективні технології та прилади, nr 14 (4.12.2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Pełny tekst źródła

Streszczenie:

У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich i in. "Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4". Crystals 13, nr 1 (14.01.2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Pełny tekst źródła

Streszczenie:

AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk i O. Y. Khyzhun. "Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS₄: theory and experiment". RSC Advances 13, nr 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Pełny tekst źródła

Streszczenie:

The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

6

Vasil’eva, I. G., i R. E. Nikolaev. "Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals". Inorganic Materials 42, nr 12 (grudzień 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

7

Vasilyeva, Inga G., i Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems". CrystEngComm 24, nr 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Pełny tekst źródła

Streszczenie:

Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus i in. "IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors". Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, nr 3 (marzec 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk i V. Z. Pankevich. "Single crystal growth and properties of AgGaGeS4". Journal of Crystal Growth 275, nr 1-2 (luty 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska i R. Vlokh. "Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals". Ukrainian Journal of Physical Optics 17, nr 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

11

Martynyuk-Lototska, I., O. Parasyuk i R. Vlokh. "Acoustic and elastic anisotropies of acoustooptic AgGaGeS4 crystals". Ukrainian Journal of Physical Optics 17, nr 4 (2016): 141. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/4/141/2016.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

12

Schunemann, Peter G., Kevin T. Zawilski i Thomas M. Pollak. "Horizontal gradient freeze growth of AgGaGeS4 and AgGaGe5Se12". Journal of Crystal Growth 287, nr 2 (styczeń 2006): 248–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.11.017.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

13

Wu, Haixin, Youbao Ni, Chen Lin, Mingsheng Mao, Ganchao Cheng i Zhenyou Wang. "Growth of large size AgGaGeS4 crystal for infrared conversion". Frontiers of Optoelectronics in China 4, nr 2 (12.05.2011): 137–40. http://dx.doi.org/10.1007/s12200-011-0155-8.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

14

Nikolaev, R. E., i I. G. Vasilyeva. "A new way of phase identification, of AgGaGeS4∙nGeS2 crystals". Journal of Solid State Chemistry 203 (lipiec 2013): 340–44. http://dx.doi.org/10.1016/j.jssc.2013.05.002.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

15

Lin, Changgui, Haizheng Tao, Ruikun Pan, Xiaolin Zheng, Guoping Dong, Haochun Zang i Xiujian Zhao. "Permanent second-harmonic generation in AgGaGeS4 bulk-crystallized chalcogenide glasses". Chemical Physics Letters 460, nr 1-3 (lipiec 2008): 125–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2008.05.094.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

16

Shevchuk, M. V., V. V. Atuchin, A. V. Kityk, A. O. Fedorchuk, Y. E. Romanyuk, S. CaŁus, O. M. Yurchenko i O. V. Parasyuk. "Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution". Journal of Crystal Growth 318, nr 1 (marzec 2011): 708–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.10.038.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

17

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Baojun Chen i Ying Wu. "Effect of Thermal Annealing Treatment and Defect Analysis on AgGaGeS4 Single Crystals". Inorganic Chemistry 58, nr 16 (30.07.2019): 10846–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b01162.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

18

Petrov, V., V. Badikov, G. Shevyrdyaeva, V. Panyutin i V. Chizhikov. "Phase-matching properties and optical parametric amplification in single crystals of AgGaGeS4". Optical Materials 26, nr 3 (sierpień 2004): 217–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.04.007.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

19

Rame, Jérémy, Johan Petit, Denis Boivin, Nicolas Horezan, Jean Michel Melkonian, Antoine Godard i Bruno Viana. "Homogeneity characterization in AgGaGeS4, a single crystal for nonlinear mid-IR laser applications". Journal of Crystal Growth 548 (październik 2020): 125814. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125814.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

20

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu i Baojun Chen. "Crystal growth, structure, and optical properties of new quaternary chalcogenide nonlinear optical crystal AgGaGeS4". Journal of Alloys and Compounds 796 (sierpień 2019): 138–45. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.05.066.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

21

Wu, Jun, Wei Huang, Hong-gang Liu, Zhiyu He, Baojun Chen, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yuxing Lei i Xiaonan Zhou. "Investigation of the Thermal Properties and Crystal Growth of the Nonlinear Optical Crystals AgGaS2 and AgGaGeS4". Crystal Growth & Design 20, nr 5 (19.03.2020): 3140–53. http://dx.doi.org/10.1021/acs.cgd.0c00018.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

22

Huang, Changbao, Mingsheng Mao, Haixin Wu i Jiaren Ma. "Pressure-Assisted Method for the Preparations of High-Quality AaGaS2 and AgGaGeS4 Crystals for Mid-Infrared Laser Applications". Inorganic Chemistry 57, nr 23 (9.11.2018): 14866–71. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.8b02626.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

23

Dang, Junhui, Naizheng Wang, Jiyong Yao, Yuandong Wu, Zheshuai Lin i Dajiang Mei. "AgGaGeSe4: An Infrared Nonlinear Quaternary Selenide with Good Performance". Symmetry 14, nr 7 (12.07.2022): 1426. http://dx.doi.org/10.3390/sym14071426.

Pełny tekst źródła

Streszczenie:

The symmetry of crystals is an extremely important property of crystals. Crystals can be divided into centrosymmetric and non-centrosymmetric crystals. In this paper, an infrared (IR) nonlinear optical (NLO) material AgGaGeSe4 was synthesized. The related performance analysis, nonlinear optical properties, and first-principle calculation of AgGaGeSe4 were also introduced in detail. In the AgGaGeSe4 structure, Ge4+ was replaced with Ga3+ and produced the same number of vacancies at the Ag+ position. The low content of Ge doping kept the original chalcopyrite structure and improved its optical properties such as the band gap. The UV-Vis diffuse reflection spectrum shows that the experimental energy band gap of AgGaGeSe4 is 2.27 eV, which is 0.48 eV larger than that of AgGaSe2 (1.79 eV). From the perspective of charge-transfer engineering strategy, the introduction of Group IV Ge elements into the crystal structure of AgGaSe2 effectively improves its band gap. The second harmonic generation (SHG) effect of AgGaGeSe4 is similar to that of AgGaSe2, and at 1064 nm wavelength, the birefringence of AgGaGeSe4 is 0.03, which is greater than that of AgGaSe2 (∆n = 0.02). The results show that AgGaGeSe4 possessed better optical properties than AgGaSe2, and can been broadly applied as a good infrared NLO material.

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

24

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov i Kiyoshi Kato. "Phase-matching properties for AgGaGeS_4". Applied Optics 46, nr 23 (8.08.2007): 5728. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.005728.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

25

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov i Kiyoshi Kato. "Phase-matching properties for AgGaGeS_4: erratum". Applied Optics 46, nr 27 (20.09.2007): 6848. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.006848.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

26

De-Ming, Ren, Huang Jin-Zhe, Qu Yan-Chen, Hu Xiao-Yong, Andreev Yuri, Geiko Pavel, Badikov Valerii i Shaiduko Anna. "Optical properties and frequency conversion with AgGaGeS 4 crystal". Chinese Physics 13, nr 9 (wrzesień 2004): 1468–73. http://dx.doi.org/10.1088/1009-1963/13/9/019.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

27

Huang, Wei, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Zhiyu He, Baojun Chen, Yunxiao Pu, Li Lin, Zhangrui Zhao i Yikai Zhong. "Synthesis of AgGaGeS 4 polycrystalline materials by vapor transporting and mechanical oscillation method". Journal of Crystal Growth 468 (czerwiec 2017): 469–72. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.027.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

28

Kuznik, Wojciech, Piotr Rakus, Katarzyna Ozga, Oleh V. Parasyuk, Anatolii O. Fedorchuk, Lyudmyla V. Piskach, Andriy Krymus i Iwan V. Kityk. "Laser-induced piezoelectricity in AgGaGe3–xSixSe8chalcogenide single crystals". European Physical Journal Applied Physics 70, nr 3 (czerwiec 2015): 30501. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2015150103.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

29

Tsubouchi, Masaaki, i Takamasa Momose. "Cross-correlation frequency-resolved optical gating for mid-infrared femtosecond laser pulses by an AgGaGeS_4 crystal". Optics Letters 34, nr 16 (7.08.2009): 2447. http://dx.doi.org/10.1364/ol.34.002447.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

30

Kuznik, W., P. Rakus, O. V. Parasyuk, V. Kozer, A. O. Fedorchuk i V. A. Franiv. "Growth of AgGaGe3−xSnxSe8 single crystals with light-operated piezoelectricity". Materials Letters 161 (grudzień 2015): 705–7. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2015.09.071.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

31

Wang, Tie-Jun, Zhi-Hui Kang, Hong-Zhi Zhang, Zhi-Shu Feng, Yun Jiang, Jin-Yue Gao, Yury M. Andreev, Gregory V. Lanskii i Anna V. Shaiduko. "Model and experimental investigation of frequency conversion in AgGaGexS2(1 +x)(x= 0, 1) crystals". Journal of Physics D: Applied Physics 40, nr 5 (16.02.2007): 1357–62. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/40/5/008.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

32

El-Naggar, A. M., A. A. Albassam, O. Parasyuk, I. V. Kityk, G. Myronchuk, O. Zamuruyeva, Yu Kot i in. "Optical and non-linear optical properties of the solid solutions AgGaGe3(1–x)Si3xSe8". Optik 168 (wrzesień 2018): 397–402. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijleo.2018.04.095.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

33

Krymus, A. S., G. L. Myronchuk i O. V. Parasyuk. "Influence of Cu-, Sn-, and In-Doping on Optical Properties of AgGaGe3 Se8 Single Crystals". Ukrainian Journal of Physics 61, nr 7 (lipiec 2016): 606–12. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe61.07.0606.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

34

Kityk, I. V., G. L. Myronchuk, O. V. Parasyuk, A. S. Krymus, P. Rakus, A. M. El-Naggar, A. A. Albassam, G. Lakshminarayana i A. O. Fedorchuk. "Specific features of photoconductivity and photoinduced piezoelectricity in AgGaGe 3 Se 8 doped crystals". Optical Materials 63 (styczeń 2017): 197–206. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2016.05.029.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

35

ANDREEV, YU, P. P. GEIKO, V. V. BADIKOV, G. C. BHAR, DAS S. i A. K. CHAUDHURY. "NONLINEAR OPTICAL PROPERTIES OF DEFECT TETRAHEDRAL CRYSTALS HgGa 2 S 4 AND AgGaGeS 4 AND MIXED CHALCOPYRITE CRYSTAL Cd (0.4) Hg (0.6) Ga 2 S 4". Nonlinear Optics 29, nr 1 (1.01.2002): 19–27. http://dx.doi.org/10.1080/10587260213932.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

36

Huang, Wei, Zhiyu He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Baojun Chen i Sijia Zhu. "Polycrystal Synthesis, Crystal Growth, Structure, and Optical Properties of AgGaGenS2(n+1) (n = 2, 3, 4, and 5) Single Crystals for Mid-IR Laser Applications". Inorganic Chemistry 58, nr 9 (12.04.2019): 5865–74. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b00191.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

37

El Radaf, I. M., i H. Y. S. Al-Zahrani. "Study of morphological, structural, optical, and optoelectrical properties of novel AgGaGeS4 thin films synthesized by thermal evaporation procedure". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34, nr 8 (marzec 2023). http://dx.doi.org/10.1007/s10854-023-10086-6.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

38

Liu, Xinyao, Jing Peng, Xiao Xiao, Zhengbin Xiong, Gaohai Huang, Baojun Chen, Zhiyu He i Wei Huang. "Crystal Growth, Characterization, and Thermal Annealing of Nonlinear Optical Crystals AgGaGe_nSe_2(n+1) (n = 1.5, 1.75, 2, 3, 4, 5, and 9) for Mid-infrared Applications". Inorganic Chemistry, 15.04.2022. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.2c00417.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

Oferujemy zniżki na wszystkie plany premium dla autorów, których prace zostały uwzględnione w tematycznych zestawieniach literatury. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać unikalny kod promocyjny!