Gotowe bibliografie tematyczne / AgGaGeS4

Gotowa bibliografia na temat „AgGaGeS4”

Autor: Grafiati
Data publikacji: 25 maja 2024

Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych

Wybierz rodzaj źródła:

Spis treści

Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „AgGaGeS4”.

Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.

Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.

Artykuły w czasopismach na temat "AgGaGeS4"

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА i Вайдотас КАЖУКАУСКАС. "ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er". Physics and educational technology, nr 1 (31.10.2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук i С. П. Данильчук. "Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4". Ukrainian Journal of Physics 57, nr 10 (5.12.2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц. i Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. "ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ". Перспективні технології та прилади, nr 14 (4.12.2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich i in. "Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4". Crystals 13, nr 1 (14.01.2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk i O. Y. Khyzhun. "Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS4: theory and experiment". RSC Advances 13, nr 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
6

Vasil’eva, I. G., i R. E. Nikolaev. "Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals". Inorganic Materials 42, nr 12 (grudzień 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
7

Vasilyeva, Inga G., i Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems". CrystEngComm 24, nr 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus i in. "IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors". Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, nr 3 (marzec 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk i V. Z. Pankevich. "Single crystal growth and properties of AgGaGeS4". Journal of Crystal Growth 275, nr 1-2 (luty 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska i R. Vlokh. "Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals". Ukrainian Journal of Physical Optics 17, nr 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
Więcej źródeł

Rozprawy doktorskie na temat "AgGaGeS4"

1

Кримусь, А. С., Г. Л. Мирончук, О. М. Кльоц i К. В. Каплявка. "Дослідження коефіцієнта поглинання світла у монокристалах сполук Ag[0.95]Cu[0.05]GaGe[3]Se[8], AgGa[0.95]In[0.05]Ge[3]Se[8] та AgGaGe[2.85]Sn[0.15]Se[8]". Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45786.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
Розраховано значення сили електрон-фононної взаємодії (g), яке дорівнює 1.04, 1.06 та 1.08 для кристалів легованих Сu, In та Sn відповідно, що є типовим для кристалів, що мають дефекти стехіометрії у катіонних підрешітках.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

Części książek na temat "AgGaGeS4"

1

Eckardt, R. C. "Infrared Frequency Generation in Chalcopyrite Crystals AgGaS2 and AgGaGe2". W Tunable Solid State Lasers for Remote Sensing, 138–40. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-39765-6_37.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

Streszczenia konferencji na temat "AgGaGeS4"

1

Rame, J., J. Petit, Q. Clement, J. M. Melkonian i B. Viana. "Chemical synthesis and crystal growth of AgGaGeS4, a material for mid-IR nonlinear laser applications". W SPIE LASE, redaktor Konstantin L. Vodopyanov. SPIE, 2015. http://dx.doi.org/10.1117/12.2075582.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
2

Rame, Jérémy, Johan Petit i Bruno Viana. "Synthesis and growth of AgGaGeS4, a promising material for the frequency conversion in the mid-IR range". W Advanced Solid State Lasers. Washington, D.C.: OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/assl.2013.am4a.32.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
3

Miyata, K., V. Petrov, N. Umemura, K. Kato, N. Saito i S. Wada. "New experimental results for SHG and DFG in AgGaGeS 4". W Lasers and Applications in Science and Engineering, redaktor Peter E. Powers. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.698079.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
4

Andreev, Yuri M., Pavel P. Geiko, Valery V. Badikov, Vladimir L. Panyutin, Galina S. Shevyrdayeva, Maxim V. Ivaschenko, Alexander I. Karapuzikov i Igor V. Sherstov. "Parametric frequency converters with LiInSe 2 , AgGaGeS 4 , HgGa 2 S 4 and Hg 0.65 Cd 0.35 Ga 2 S 4 crystals". W Ninth Joint International Symposium on Atmospheric and Ocean Optics/Atmospheric Physics, redaktorzy Gennadii G. Matvienko i Vladimir P. Lukin. SPIE, 2003. http://dx.doi.org/10.1117/12.497306.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
Możesz być także zainteresowany rozszerzonymi bibliografiami na temat „AgGaGeS4” dla poszczególnych typów źródeł:
Artykuły w czasopismach
Oferujemy zniżki na wszystkie plany premium dla autorów, których prace zostały uwzględnione w tematycznych zestawieniach literatury. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać unikalny kod promocyjny!

Do bibliografii