Artykuły w czasopismach na temat „4H-SiC”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „4H-SiC”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Shilpa, A., S. Singh i N. V. L. Narasimha Murty. "Spectroscopic performance of Ni/4H-SiC and Ti/4H-SiC Schottky barrier diode alpha particle detectors". Journal of Instrumentation 17, nr 11 (1.11.2022): P11014. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/11/p11014.
Pełny tekst źródłaYoneda, S., Tomoaki Furusho, H. Takagi, S. Ohta i Shigehiro Nishino. "Homoepitaxial Growth on 4H-SiC (03-38) Face by Sublimation Close Space Technique". Materials Science Forum 483-485 (maj 2005): 129–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.129.
Pełny tekst źródłaYang, Guang, Hao Luo, Jiajun Li, Qinqin Shao, Yazhe Wang, Ruzhong Zhu, Xi Zhang i in. "Discrimination of dislocations in 4H-SiC by inclination angles of molten-alkali etched pits". Journal of Semiconductors 43, nr 12 (1.12.2022): 122801. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/12/122801.
Pełny tekst źródłaFurusho, Tomoaki, Ryota Kobayashi, Taro Nishiguchi, M. Sasaki, K. Hirai, Toshihiko Hayashi, Hiroyuki Kinoshita i Hiromu Shiomi. "Growth of Micropipe Free Crystals on 4H-SiC {03-38} Seeds". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 35–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.35.
Pełny tekst źródłaAlexander, Kazuaki Seki, Shigeta Kozawa, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara i Yoshikazu Takeda. "Polytype Stability of 4H-SiC Seed Crystal on Solution Growth". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 24–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.24.
Pełny tekst źródłaNaik, Harsh, i T. Paul Chow. "Comparison of Inversion Electron Transport Properties of (0001) 4H and 6H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 678–81. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.678.
Pełny tekst źródłaMoon, Jeong Hyun, Da Il Eom, Sang Yong No, Ho Keun Song, Jeong Hyuk Yim, Hoon Joo Na, Jae Bin Lee i Hyeong Joon Kim. "Electrical Properties of the La2O3/4H-SiC Interface Prepared by Atomic Layer Deposition Using La(iPrCp)3 and H2O". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 1083–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1083.
Pełny tekst źródłaKinoshita, Akimasa, Takasumi Ohyanagi, Tsutomu Yatsuo, Kenji Fukuda, Hajime Okumura i Kazuo Arai. "Fabrication of 1.2kV, 100A, 4H-SiC(0001) and (000-1) Junction Barrier Schottky Diodes with Almost Same Schottky Barrier Height". Materials Science Forum 645-648 (kwiecień 2010): 893–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.893.
Pełny tekst źródłaShao, Shi Qian, Wei Cheng Lien, Ayden Maralani, Jim C. Cheng, Kristen L. Dorsey i Albert P. Pisano. "4H-Silicon Carbide p-n Diode for High Temperature (600 °C) Environment Applications". Materials Science Forum 821-823 (czerwiec 2015): 636–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.636.
Pełny tekst źródłaXu, Bei, Changjun Zhu, Xiaomin He, Yuan Zang, Shenghuang Lin, Lianbi Li, Song Feng i Qianqian Lei. "First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge/4H-SiC Heterojunction". Advances in Condensed Matter Physics 2018 (2018): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2018/8010351.
Pełny tekst źródłaSun, Guo Sheng, Yong Mei Zhao, Liang Wang, Lei Wang, Wan Shun Zhao, Xing Fang Liu, Gang Ji i Yi Ping Zeng. "In Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.147.
Pełny tekst źródłaSinelnik, A. V., i A. V. Semenov. "Theoretical study of the band structure of 2H-SiC and 4H-SiC of silicon carbide polytypes". Condensed Matter Physics 24, nr 2 (2021): 23706. http://dx.doi.org/10.5488/cmp.24.23706.
Pełny tekst źródłaTupitsyn, Eugene Y., Arul Arjunan, Robert T. Bondokov, Robert M. Kennedy i Tangali S. Sudarshan. "A Study of 6H-Seeded 4H-SiC Bulk Growth by PVT". Materials Science Forum 483-485 (maj 2005): 21–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.21.
Pełny tekst źródłaTu, Rong, Chengyin Liu, Qingfang Xu, Kai Liu, Qizhong Li, Xian Zhang, Marina L. Kosinova, Takashi Goto i Song Zhang. "Epitaxial Growth of SiC Films on 4H-SiC Substrate by High-Frequency Induction-Heated Halide Chemical Vapor Deposition". Coatings 12, nr 3 (2.03.2022): 329. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12030329.
Pełny tekst źródłaZhang, Mengyu, Jingtao Huang, Xiao Liu, Long Lin i Hualong Tao. "Electronic Structure and High Magnetic Properties of (Cr, Co)-codoped 4H–SiC Studied by First-Principle Calculations". Crystals 10, nr 8 (23.07.2020): 634. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10080634.
Pełny tekst źródłaГромова, П. С., i Г. Г. Давыдов. "ОСОБЕННОСТИ РАДИАЦИОННОГО ПОВЕДЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА 4H-SIC ПО ЭФФЕКТАМ НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЫ И ОДИНОЧНЫМ ЭФФЕКТАМ ОТКАЗОВ". NANOINDUSTRY Russia 96, nr 3s (15.06.2020): 609–11. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.609.611.
Pełny tekst źródłaKusunoki, Kazuhiko, Kazuhito Kamei, Nobuyoshi Yashiro, Koji Moriguchi i Nobuhiro Okada. "Crystal Growth of 4H-SiC on 6H-SiC by Traveling Solvent Method". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 36–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.36.
Pełny tekst źródłaNaik, Harsh, i T. Paul Chow. "Study of Mobility Limiting Mechanisms in (0001) 4H and 6H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 595–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.595.
Pełny tekst źródłaEto, Kazuma, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato i Hajime Okumura. "Growth of Low Resistivity p-Type 4H-SiC Crystals by Sublimation with Using Aluminum and Nitrogen Co-Doping". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 77–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.77.
Pełny tekst źródłaGlembocki, Orest J., Marek Skowronski, S. M. Prokes, D. Kurt Gaskill i Joshua D. Caldwell. "Observation of Free Carrier Redistribution Resulting from Stacking Fault Formation in Annealed 4H-SiC". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 347–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.347.
Pełny tekst źródłaBai, Yun, Cheng Zhan Li, Hua Jun Shen, Yi Dan Tang i Xin Yu Liu. "Structural Optimization of 4H-SiC BJT for Ultraviolet Detection with High Optical Gain". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 1036–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.1036.
Pełny tekst źródłaYamamoto, Yuji, Kazuaki Seki, Shigeta Kozawa, Alexander, S. Harada i Toru Ujihara. "Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 53–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.53.
Pełny tekst źródłaLim, Jang Kwon, Ludwig Östlund, Qin Wang, Wlodek Kaplan, Sergey A. Reshanov, Adolf Schöner, Mietek Bakowski i Hans Peter Nee. "A Theoretical and Experimental Comparison of 4H- and 6H-SiC MSM UV Photodetectors". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1207.
Pełny tekst źródłaSeo, Han Seok, Ho Geun Song, Jeong Hyun Moon, Jeong Hyuk Yim, Myeong Sook Oh, Jong Ho Lee, Yu Jin Choi i Hyeong Joon Kim. "Homoepitaxial Growth of 4H-SiC by Hot-Wall CVD Using BTMSM". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 151–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.151.
Pełny tekst źródłaStarke, Ulrich, W. Y. Lee, Camilla Coletti, Stephen E. Saddow, Robert P. Devaty i Wolfgang J. Choyke. "SiC Pore Surfaces: Surface Studies of 4H-SiC(1-102) and 4H-SiC(-110-2)". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 677–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.677.
Pełny tekst źródłaRyu, Sei Hyung, Sumi Krishnaswami, Mrinal K. Das, Jim Richmond, Anant K. Agarwal, John W. Palmour i James D. Scofield. "4H-SiC DMOSFETs for High Speed Switching Applications". Materials Science Forum 483-485 (maj 2005): 797–800. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.797.
Pełny tekst źródłaEttisserry, D. P., Neil Goldsman, Akin Akturk i Aivars J. Lelis. "Mechanisms of Nitrogen Incorporation at 4H-SiC/SiO2 Interface during Nitric Oxide Passivation – A First Principles Study". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 465–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.465.
Pełny tekst źródłaNoborio, Masato, Jun Suda i Tsunenobu Kimoto. "High Channel Mobility in P-Channel MOSFETs Fabricated on 4H-SiC (0001) and Non-Basal Faces". Materials Science Forum 615-617 (marzec 2009): 789–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.789.
Pełny tekst źródłaLi, Liang, Lei, Hong, Li, Li, Ghaffar, Li i Xiong. "Quantitative Analysis of Piezoresistive Characteristic Based on a P-type 4H-SiC Epitaxial Layer". Micromachines 10, nr 10 (20.09.2019): 629. http://dx.doi.org/10.3390/mi10100629.
Pełny tekst źródłaHuang, Yuanchao, Rong Wang, Naifu Zhang, Yiqiang Zhang, Deren Yang i Xiaodong Pi. "Effect of hydrogen on the unintentional doping of 4H silicon carbide". Journal of Applied Physics 132, nr 15 (21.10.2022): 155704. http://dx.doi.org/10.1063/5.0108726.
Pełny tekst źródłaTsuchida, Hidekazu, Isaho Kamata, Masahiko Ito, Tetsuya Miyazawa, Norihiro Hoshino, Hiroaki Fujibayashi, Hideki Ito i in. "Evolution of Fast 4H-SiC CVD Growth and Defect Reduction Techniques". Materials Science Forum 778-780 (luty 2014): 85–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.85.
Pełny tekst źródłaHuang, Yuanchao, Yixiao Qian, Yiqiang Zhang, Deren Yang i Xiaodong Pi. "Kick-out diffusion of Al in 4H-SiC: an ab initio study". Journal of Applied Physics 132, nr 1 (7.07.2022): 015701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0096577.
Pełny tekst źródłaSonde, Sushant, Carmelo Vecchio, Filippo Giannazzo, Rositza Yakimova, Emanuele Rimini i Vito Raineri. "Local Electrical Properties of the 4H-SiC(0001)/Graphene Interface". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 769–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.769.
Pełny tekst źródłaLebedev, A. A., G. A. Oganesyan, V. V. Kozlovski, I. A. Eliseyev i P. V. Bulat. "Radiation Defects in Heterostructures 3C-SiC/4H-SiC". Crystals 9, nr 2 (22.02.2019): 115. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9020115.
Pełny tekst źródłaWilson, S., C. S. Dickens, J. Griffin i M. G. Spencer. "Comparative Growth of AlN on Singular and Off-Axis 6H and 4H-SiC by MOCVD". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 344–50. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002702.
Pełny tekst źródłaOkamoto, Dai, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka i Takashi Fuyuki. "Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 747–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.747.
Pełny tekst źródłaHiyoshi, Toru, Takeyoshi Masuda, Keiji Wada, Shin Harada i Yasuo Namikawa. "Improvement of Interface State and Channel Mobility Using 4H-SiC (0-33-8) Face". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 506–9. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.506.
Pełny tekst źródłaPark, Jong Hwi, Tae Kyoung Yang, Il Soo Kim, Won Jae Lee, Im Gyu Yeo, Tai Hee Eun, Seung Suk Lee, Jang Yul Kim i Myoung Chul Chun. "Process and Crucible Modification for Growth of High Doped 4H-SiC Crystal with Larger Diameter". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 17–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.17.
Pełny tekst źródłaAoki, Masahiko, Megumi Miyazaki, Taro Nishiguchi, Hiroyuki Kinoshita i Masahiro Yoshimoto. "TEM Observation of the Polytype Transformation of Bulk SiC Ingot". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 365–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.365.
Pełny tekst źródłaGeng, Wenhao, Guang Yang, Xuqing Zhang, Xi Zhang, Yazhe Wang, Lihui Song, Penglei Chen i in. "Identification of subsurface damage of 4H-SiC wafers by combining photo-chemical etching and molten-alkali etching". Journal of Semiconductors 43, nr 10 (1.10.2022): 102801. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/10/102801.
Pełny tekst źródłaKildemo, Morten, Ulrike Grossner, Bengt Gunnar Svensson i S. Raaen. "XPS Study of the Electronic Properties of the Ce/4H-SiC Interface, and the Formation of the SiO2/Ce2Si2O7/4H-SiC Interface Structure upon Oxidation". Materials Science Forum 556-557 (wrzesień 2007): 549–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.549.
Pełny tekst źródłaHuang, Yuanchao, Rong Wang, Yiqiang Zhang, Deren Yang i Xiaodong Pi. "Compensation of p-type doping in Al-doped 4H-SiC". Journal of Applied Physics 131, nr 18 (14.05.2022): 185703. http://dx.doi.org/10.1063/5.0085510.
Pełny tekst źródłaUshio, Shoji, Tatsuya Karaki, Kenta Hagiwara, Noboru Ohtani i Tadaaki Kaneko. "Surface Phase Diagram of 4H-SiC {0001} Step-Terrace Structures during Si-Vapor Etching in a TaC Crucible". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 573–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.573.
Pełny tekst źródłaYeo, Im Gyu, Tae Woo Lee, Jong Hwi Park, Woo Sung Yang, Heui Bum Ryu, Mi Seon Park, Il Soo Kim i in. "The Effect of Process Parameters on 4H-SiC Single Crystal Grown by a PVT Method". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 40–43. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.40.
Pełny tekst źródłaCuong, Vuong Van, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, Satoshi Yasuno, Tomoyuki Koganezawa i Shinichiro Kuroki. "Optimization of Ni/Nb Ratio for High-Temperature-Reliable Ni/Nb Silicide Ohmic Contact on 4H-SiC". Materials Science Forum 963 (lipiec 2019): 498–501. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.498.
Pełny tekst źródłaul Hassan, Jawad, Patrik Ščajev, Kęstutis Jarašiūnas i Peder Bergman. "Optically Detected Temperature Dependences of Carrier Lifetime and Diffusion Coefficient in 4H- and 3C-SiC". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 205–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.205.
Pełny tekst źródłaBerger, Clement, Jean François Michaud, David Chouteau i Daniel Alquier. "Laser Annealing Simulations of Metallisations Deposited on 4H-SiC". Materials Science Forum 963 (lipiec 2019): 502–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.502.
Pełny tekst źródłaAfanasev A. V., Ilyin V. A., Luchinin V. V., Serkov A. V. i Chigirev D. A. "On the Formation of Low-Resistivity Contacts for 4H-SiC Bipolar Devices". Semiconductors 56, nr 6 (2022): 442. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2022.06.53548.9827.
Pełny tekst źródłaShen, Zhan Wei, Feng Zhang, Sima Dimitrijev, Ji Sheng Han, Li Xin Tian, Guo Guo Yan, Zheng Xin Wen i in. "Prediction of High-Density and High-Mobility Two-Dimensional Electron Gas at AlxGa1-xN/4H-SiC Interface". Materials Science Forum 897 (maj 2017): 719–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.719.
Pełny tekst źródłaFiorenza, Patrick, Filippo Giannazzo, Lukas K. Swanson, Alessia Frazzetto, Simona Lorenti, Mario S. Alessandrino i Fabrizio Roccaforte. "A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments". Beilstein Journal of Nanotechnology 4 (8.04.2013): 249–54. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.4.26.
Pełny tekst źródła