Gotowe bibliografie tematyczne / 40~nm / Artykuły w czasopismach

Artykuły w czasopismach na temat „40~nm”

Kliknij ten link, aby zobaczyć inne rodzaje publikacji na ten temat: 40~nm.
Autor: Grafiati
Data publikacji: 25 maja 2024

Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych

Wybierz rodzaj źródła:

Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „40~nm”.

Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.

Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.

Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.

1

Durkan, C., i I. V. Shvets. "40 nm resolution in reflection-mode SNOM with λ = 685 nm". Ultramicroscopy 61, nr 1-4 (grudzień 1995): 227–31. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3991(95)00114-x.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
2

Pezeshki, B., M. Zelinski, H. Zhao i V. Agrawal. "40-mW 650-nm distributed feedback lasers". IEEE Photonics Technology Letters 10, nr 1 (styczeń 1998): 36–38. http://dx.doi.org/10.1109/68.651093.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
3

Ono, M., M. Saito, T. Yoshitomi, C. Fiegna, T. Ohguro i H. Iwai. "A 40 nm gate length n-MOSFET". IEEE Transactions on Electron Devices 42, nr 10 (1995): 1822–30. http://dx.doi.org/10.1109/16.464413.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
4

Park, Chaeeun, i Munkyo Seo. "A 140 GHz Low-Noise Amplifier in 40 nm CMOS". Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 33, nr 4 (kwiecień 2022): 312–17. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2022.33.4.312.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
5

Wandt, D., M. Laschek, K. Przyklenk, A. Tünnermann i H. Welling. "External cavity laser diode with 40 nm continuous tuning range around 825 nm". Optics Communications 130, nr 1-3 (wrzesień 1996): 81–84. http://dx.doi.org/10.1016/0030-4018(96)00171-x.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
6

Zaghib, Karim, Alain Mauger, Monika Kopec, Francois Gendron i C. M. Julien. "Intrinsic Properties of 40 nm-sized LiFePO4 Particles". ECS Transactions 16, nr 42 (18.12.2019): 31–41. http://dx.doi.org/10.1149/1.3112726.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
7

Appenzeller, J., R. Martel, Ph Avouris, J. Knoch, J. Scholvin, J. A. del Alamo, P. Rice i P. Solomon. "Sub-40 nm SOI V-groove n-MOSFETs". IEEE Electron Device Letters 23, nr 2 (luty 2002): 100–102. http://dx.doi.org/10.1109/55.981319.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
8

Homulle, Harald, Fabio Sebastiano i Edoardo Charbon. "Deep-Cryogenic Voltage References in 40-nm CMOS". IEEE Solid-State Circuits Letters 1, nr 5 (maj 2018): 110–13. http://dx.doi.org/10.1109/lssc.2018.2875821.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
9

Hofmann, W., M. Müller, P. Wolf, A. Mutig, T. Gründl, G. Böhm, D. Bimberg i M. C. Amann. "40 Gbit/s modulation of 1550 nm VCSEL". Electronics Letters 47, nr 4 (2011): 270. http://dx.doi.org/10.1049/el.2010.3631.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
10

Takeuchi, Issei, Yosuke Shimamura, Yuki Kakami, Tsunenori Kameda, Keitaro Hattori, Seiji Miura, Hiroyuki Shirai i in. "Transdermal delivery of 40-nm silk fibroin nanoparticles". Colloids and Surfaces B: Biointerfaces 175 (marzec 2019): 564–68. http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfb.2018.12.012.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
11

Durán, Vicente, Peter A. Andrekson i Víctor Torres-Company. "Electro-optic dual-comb interferometry over 40 nm bandwidth". Optics Letters 41, nr 18 (7.09.2016): 4190. http://dx.doi.org/10.1364/ol.41.004190.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
12

Gutierrez, Eric, Carlos Perez, Luis Hernandez, Fernando Cardes, Violeta Petrescu, Sergio Walter i Ulrich Gaier. "A Pulse Frequency Modulation VCO-ADC in 40 nm". IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 66, nr 1 (styczeń 2019): 51–55. http://dx.doi.org/10.1109/tcsii.2018.2837757.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
13

Liu, Yibo, Luhong Mao i Baoyong Chi. "185–220 GHz wideband amplifier in 40 nm CMOS". Electronics Letters 54, nr 13 (czerwiec 2018): 802–4. http://dx.doi.org/10.1049/el.2018.1135.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
14

Zhao, Dixian, Shailesh Kulkarni i Patrick Reynaert. "A 60-GHz Outphasing Transmitter in 40-nm CMOS". IEEE Journal of Solid-State Circuits 47, nr 12 (grudzień 2012): 3172–83. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2012.2216692.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
15

Atef, Mohamed, Andreas Polzer i Horst Zimmermann. "Avalanche Double Photodiode in 40-nm Standard CMOS Technology". IEEE Journal of Quantum Electronics 49, nr 3 (marzec 2013): 350–56. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2013.2246546.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
16

Cong, Jia, Dong Yan, Jiling Tang, Weilian Guo i Xurui Mao. "Integrated Color Photodetectors in 40-nm Standard CMOS Technology". IEEE Photonics Technology Letters 31, nr 24 (15.12.2019): 1979–82. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2019.2952204.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
17

Suteewong, Teeraporn, Kai Ma, Jennifer E. Drews, Ulrike Werner-Zwanziger, Josef Zwanziger, Ulrich Wiesner i Michelle S. Bradbury. "Highly fluorescent sub 40-nm aminated mesoporous silica nanoparticles". Journal of Sol-Gel Science and Technology 74, nr 1 (21.11.2014): 32–38. http://dx.doi.org/10.1007/s10971-014-3567-2.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
18

Kakami, Yuki, Issei Takeuchi i Kimiko Makino. "Percutaneous immunization with 40-nm antigen-encapsulated elastic liposomes". Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 566 (kwiecień 2019): 128–33. http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfa.2019.01.023.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
19

Mansur, Dan. "A New 40-nm FPGA and ASIC Common Platform". IEEE Micro 29, nr 2 (marzec 2009): 46–53. http://dx.doi.org/10.1109/mm.2009.22.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
20

Ochiai, Y., S. Manako, S. Samukawa, K. Takeuchi i T. Yamamoto. "Accurate nano-EB lithography for 40-nm gate MOSFETs". Microelectronic Engineering 30, nr 1-4 (styczeń 1996): 415–18. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00276-6.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
21

Martinez-Lopez, A. G., A. Cerdeira, J. C. Tinoco, J. Alvarado, W. Y. Padron, C. Mendoza i J. P. Raskin. "RF modeling of 40-nm SOI triple-gate FinFET". International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields 28, nr 4 (16.10.2014): 465–78. http://dx.doi.org/10.1002/jnm.2028.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
22

Coelho, M. F., M. A. Rivas, E. M. Nogueira i T. P. Iglesias. "Permittivity of (40 nm and 80 nm) alumina nanofluids in ethylene glycol at different temperatures". Journal of Chemical Thermodynamics 158 (lipiec 2021): 106423. http://dx.doi.org/10.1016/j.jct.2021.106423.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
23

Usami, Yoshihisa, Tetsuya Watanabe, Yoshinori Kanazawa, Kazuaki Taga, Hiroshi Kawai i Kimio Ichikawa. "405 nm Laser Thermal Lithography of 40 nm Pattern Using Super Resolution Organic Resist Material". Applied Physics Express 2, nr 12 (27.11.2009): 126502. http://dx.doi.org/10.1143/apex.2.126502.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
24

Goldstein, John C., Brian D. McVey i C. James Elliott. "Conceptual designs of a 50 nm FEL oscillator and a 20–40 nm SASE amplifier". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 272, nr 1-2 (październik 1988): 177–82. http://dx.doi.org/10.1016/0168-9002(88)90219-7.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
25

Tang, Ming, Xiaolong Tian, Xiaona Lu, Songnian Fu, Perry Ping Shum, Zhenrong Zhang, Ming Liu, Yuan Cheng i Jian Liu. "Single-frequency 1060 nm semiconductor-optical-amplifier-based fiber laser with 40 nm tuning range". Optics Letters 34, nr 14 (13.07.2009): 2204. http://dx.doi.org/10.1364/ol.34.002204.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
26

Kim, Jaegwan, Changjung Lee i Munkyo Seo. "A 130-GHz Low-Area Power Amplifier in 40-nm CMOS". Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 34, nr 4 (kwiecień 2023): 310–16. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2022.34.4.310.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
27

Kim, Jaegwan, Changjung Lee i Munkyo Seo. "A 130-GHz Low-Area Power Amplifier in 40-nm CMOS". Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 34, nr 4 (kwiecień 2023): 310–16. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2023.34.4.310.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
28

Shuangyi Yan, 延双毅, 张建国 Jianguo Zhang i 赵卫 Wei Zhao. "40-GHz wavelength tunable mode-locked SOA-based fiber laser with 40-nm tuning range". Chinese Optics Letters 6, nr 9 (2008): 676–78. http://dx.doi.org/10.3788/col20080609.0676.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
29

Tanaka, Hiroaki, Yasuyuki Miyamoto, Toshihiko Otake, Jiroo Yoshinaga i Kazuhito Furuya. "Electrical Properties of 100 nm Pitch Cr/Au Fine Electrodes with 40 nm Width on GaInAs". Japanese Journal of Applied Physics 35, Part 2, No. 8A (1.08.1996): L964—L967. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.35.l964.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
30

Zhao Junfa, 赵军发, 杨秀峰 Yang Xiufeng, 刘卓琳 Liu Zhuolin, 童峥嵘 Tong Zhengrong, 刘艳格 Liu Yange i 赵启大 Zhao Qida. "Multiwavelength Brillouin/Erbium Fiber Source with 40 nm Tuning Range". Chinese Journal of Lasers 37, nr 10 (2010): 2482–86. http://dx.doi.org/10.3788/cjl20103710.2482.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
31

Melul, Franck, Vincenzo Della Marca, Marc Bocquet, Madjid Akbal, Pierre Laine, Frederique Trenteseaux, Marc Mantelli i in. "Morphology and reliability aspects of 40 nm eSTM™ architecture". Microelectronics Reliability 126 (listopad 2021): 114266. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114266.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
32

Sialm, G., C. Kromer, T. Morf, F. Ellinger i H. Jäckel. "40 Gbit∕s limiting output buffer in 80 nm CMOS". Electronics Letters 41, nr 19 (2005): 1051. http://dx.doi.org/10.1049/el:20052172.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
33

Lee, K. J., R. LaComb, B. Britton, M. Shokooh-Saremi, H. Silva, E. Donkor, Y. Ding i R. Magnusson. "Silicon-Layer Guided-Mode Resonance Polarizer With 40-nm Bandwidth". IEEE Photonics Technology Letters 20, nr 22 (listopad 2008): 1857–59. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2008.2004777.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
34

Shin, Jinuk Luke, Dawei Huang, Bruce Petrick, Changku Hwang, Kenway W. Tam, Alan Smith, Ha Pham i in. "A 40 nm 16-Core 128-Thread SPARC SoC Processor". IEEE Journal of Solid-State Circuits 46, nr 1 (styczeń 2011): 131–44. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2010.2080491.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
35

Ko, Chun-Lin, Chun-Hsing Li, Chien-Nan Kuo, Ming-Ching Kuo i Da-Chiang Chang. "A 210-GHz Amplifier in 40-nm Digital CMOS Technology". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 61, nr 6 (czerwiec 2013): 2438–46. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2013.2260767.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
36

Aiello, Orazio, Paolo Crovetti i Massimo Alioto. "Standard Cell-Based Ultra-Compact DACs in 40-nm CMOS". IEEE Access 7 (2019): 126479–88. http://dx.doi.org/10.1109/access.2019.2938737.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
37

Martín-González, M., A. L. Prieto, R. Gronsky, T. Sands i A. M. Stacy. "High-Density 40 nm Diameter Sb-Rich Bi2xSbxTe3 Nanowire Arrays". Advanced Materials 15, nr 12 (17.06.2003): 1003–6. http://dx.doi.org/10.1002/adma.200304781.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
38

Zhang, Sheng, Ke Wei, Xiao-Hua Ma, Bin Hou, Guo-Guo Liu, Yi-chuan Zhang, Xin-Hua Wang i in. "Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer". Applied Physics Letters 114, nr 1 (7.01.2019): 013503. http://dx.doi.org/10.1063/1.5077050.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
39

Wang, Weihuai, Hao Jin, Shurong Dong, Lei Zhong i Yan Han. "Study of drain-extended NMOS under electrostatic discharge stress in 28 nm and 40 nm CMOS process". Solid-State Electronics 116 (luty 2016): 80–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.033.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
40

Yoneda, Shinichi, Satoru Ito, Yukio Hayakawa, Zhiqiang Wei, Shunsaku Muraoka, Ryutaro Yasuhara, Koichi Kawashima, Atsushi Himeno i Takumi Mikawa. "Newly developed process integration technologies for highly reliable 40 nm ReRAM". Japanese Journal of Applied Physics 58, SB (22.02.2019): SBBB06. http://dx.doi.org/10.7567/1347-4065/aafd8d.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
41

Zhou Hongjun, 周洪军, 王冠军 Wang Guanjun, 郑津津 Zheng Jinjin, 霍同林 Hou Tonglin i 邱克强 Qiu Keqiang. "Suppression of HigherOrder Harmonics by Different Filter in 5~40 nm". Acta Optica Sinica 30, nr 9 (2010): 2753–56. http://dx.doi.org/10.3788/aos20103009.2753.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
42

Yoo, Seong Ho, Benjamin Y. H. Liu, James Sun, Natraj Narayanswami i Gregory P. Thomes. "Particle Removal Efficiency Evaluation at 40 nm Using Haze Particle Standard". Solid State Phenomena 76-77 (styczeń 2001): 259–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.259.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
43

Kmon, P., R. Szczygieł, R. Kłeczek, D. Górni, G. Węgrzyn, A. Niedzielska, K. Sitko i P. Drwal. "Spectrum1k — integrated circuit for medical imaging designed in CMOS 40 nm". Journal of Instrumentation 17, nr 03 (1.03.2022): C03023. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/03/c03023.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
Abstract We present a multichannel integrated circuit of pixel architecture designed in CMOS 40 nm technology. The chip is composed of 40 × 24 pixels of 75 µm pitch working in the single photon counting mode, each built of front-end amplifier, peak and hold detector, 6-bit analog to digital converter, and memory composed of 64 × 12-bit counters. Thanks to the proposed functionality it is possible to store in each pixel separately information of incoming particles energy spectrum. The chip is dedicated to operating with both electrons and holes of 2.2 ke−–35 ke− energy range. The IC occupies an area of 2 × 4.5 mm2, is already back from fabrication, and is under preliminary measurements.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
44

Xu, Lei-jun, Zhi-jian Xie, Xue Bai, Qin Li, Bai-kang Wang i Peng-cheng Yin. "Design of THz Monolithic Source and Detector in 40-nm CMOS". Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 42, nr 9-10 (wrzesień 2021): 1040–60. http://dx.doi.org/10.1007/s10762-021-00787-6.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
45

Moons, Bert, i Marian Verhelst. "An Energy-Efficient Precision-Scalable ConvNet Processor in 40-nm CMOS". IEEE Journal of Solid-State Circuits 52, nr 4 (kwiecień 2017): 903–14. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2016.2636225.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
46

Wang, X., F. Gao, K. Huang, Z. s. Zhang, Y. Shi i Y. Xu. "Spectral Sensitivity Analysis of OCD Tool for Sub 40 Nm Process". ECS Transactions 60, nr 1 (27.02.2014): 887–92. http://dx.doi.org/10.1149/06001.0887ecst.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
47

Kalyuzhnyy, N. A., S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, D. V. Rybalchenko i M. Z. Shvarts. "InGaAs metamorphic laser (1064 nm) power converters with over 40% efficiency". Electronics Letters 53, nr 3 (luty 2017): 173–75. http://dx.doi.org/10.1049/el.2016.4308.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
48

Tan, Chee Hing, Shiyu Xie i Jingjing Xie. "Low Noise Avalanche Photodiodes Incorporating a 40 nm AlAsSb Avalanche Region". IEEE Journal of Quantum Electronics 48, nr 1 (styczeń 2012): 36–41. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2011.2176105.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
49

Liu, H. D., Y. P. Zhao, G. Ramanath, S. P. Murarka i G. C. Wang. "Thickness dependent electrical resistivity of ultrathin (<40 nm) Cu films". Thin Solid Films 384, nr 1 (marzec 2001): 151–56. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01818-6.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
50

Mauricio, Joan, Francesc Moll i Sergio Gomez. "Measurements of Process Variability in 40-nm Regular and Nonregular Layouts". IEEE Transactions on Electron Devices 61, nr 2 (luty 2014): 365–71. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2294742.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
Oferujemy zniżki na wszystkie plany premium dla autorów, których prace zostały uwzględnione w tematycznych zestawieniach literatury. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać unikalny kod promocyjny!

Do bibliografii