Artykuły w czasopismach na temat „22~nm”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „22~nm”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Bloomstein, T. M., Michael F. Marchant, Sandra Deneault, Dennis E. Hardy i Mordechai Rothschild. "22-nm immersion interference lithography". Optics Express 14, nr 14 (2006): 6434. http://dx.doi.org/10.1364/oe.14.006434.
Pełny tekst źródłaSadana, Devendra, Stephen W. Bedell, J. P. De Souza, Y. Sun, E. Kiewra, A. Reznicek, T. Adams i in. "CMOS Scaling Beyond 22 nm Node". ECS Transactions 19, nr 5 (18.12.2019): 267–74. http://dx.doi.org/10.1149/1.3119551.
Pełny tekst źródłaBuengener, Ralf, Carol Boye, Bryan N. Rhoads, Sang Y. Chong, Charu Tejwani, Sean D. Burns, Andrew D. Stamper i in. "Process Window Centering for 22 nm Lithography". IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 24, nr 2 (maj 2011): 165–72. http://dx.doi.org/10.1109/tsm.2011.2106807.
Pełny tekst źródłaParker, Matthew. "A sub-terahertz transceiver in 22 nm FinFET". Nature Electronics 5, nr 3 (marzec 2022): 126. http://dx.doi.org/10.1038/s41928-022-00741-x.
Pełny tekst źródłaKurd, Nasser, Muntaquim Chowdhury, Edward Burton, Thomas P. Thomas, Christopher Mozak, Brent Boswell, Praveen Mosalikanti i in. "Haswell: A Family of IA 22 nm Processors". IEEE Journal of Solid-State Circuits 50, nr 1 (styczeń 2015): 49–58. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2014.2368126.
Pełny tekst źródłaHuang, Ru, HanMing Wu, JinFeng Kang, DeYuan Xiao, XueLong Shi, Xia An, Yu Tian i in. "Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology". Science in China Series F: Information Sciences 52, nr 9 (wrzesień 2009): 1491–533. http://dx.doi.org/10.1007/s11432-009-0167-9.
Pełny tekst źródłaShiotani, Hideaki, Shota Suzuki, Dong Gun Lee, Patrick Naulleau, Yasuyuki Fukushima, Ryuji Ohnishi, Takeo Watanabe i Hiroo Kinoshita. "Dual Grating Interferometric Lithography for 22-nm Node". Japanese Journal of Applied Physics 47, nr 6 (20.06.2008): 4881–85. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.47.4881.
Pełny tekst źródłaSeifert, N., B. Gill, S. Jahinuzzaman, J. Basile, V. Ambrose, Quan Shi, R. Allmon i A. Bramnik. "Soft Error Susceptibilities of 22 nm Tri-Gate Devices". IEEE Transactions on Nuclear Science 59, nr 6 (grudzień 2012): 2666–73. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2012.2218128.
Pełny tekst źródłaZhang, Bo, Min Zhang i Tianhong Cui. "Low-cost shrink lithography with sub-22 nm resolution". Applied Physics Letters 100, nr 13 (26.03.2012): 133113. http://dx.doi.org/10.1063/1.3697836.
Pełny tekst źródłaLi, Zongru, Christopher Jarrett Elash, Chen Jin, Li Chen, Jiesi Xing, Zhiwu Yang i Shuting Shi. "Comparison of Total Ionizing Dose Effects in 22-nm and 28-nm FD SOI Technologies". Electronics 11, nr 11 (1.06.2022): 1757. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11111757.
Pełny tekst źródłaSeaberg, Matthew D., Daniel E. Adams, Ethan L. Townsend, Daisy A. Raymondson, William F. Schlotter, Yanwei Liu, Carmen S. Menoni i in. "Ultrahigh 22 nm resolution coherent diffractive imaging using a desktop 13 nm high harmonic source". Optics Express 19, nr 23 (25.10.2011): 22470. http://dx.doi.org/10.1364/oe.19.022470.
Pełny tekst źródłaJeong-Dong Choe, Chang-Sub Lee, Sung-Ho Kim, Sung-Min Kim, Shin-Ae Lee, Ju-Won Lee, Y. G. Shin, Donggun Park i Kinam Kim. "A 22-nm damascene-gate MOSFET fabrication with 0.9-nm EOT and local channel implantation". IEEE Electron Device Letters 24, nr 3 (marzec 2003): 195–97. http://dx.doi.org/10.1109/led.2003.811401.
Pełny tekst źródłaBrewer, Rachel M., En Xia Zhang, Mariia Gorchichko, Peng Fei Wang, Jonathan Cox, Steven L. Moran, Dennis R. Ball i in. "Total Ionizing Dose Responses of 22-nm FDSOI and 14-nm Bulk FinFET Charge-Trap Transistors". IEEE Transactions on Nuclear Science 68, nr 5 (maj 2021): 677–86. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2021.3059594.
Pełny tekst źródłaGao, Ping, Na Yao, Changtao Wang, Zeyu Zhao, Yunfei Luo, Yanqin Wang, Guohan Gao, Kaipeng Liu, Chengwei Zhao i Xiangang Luo. "Enhancing aspect profile of half-pitch 32 nm and 22 nm lithography with plasmonic cavity lens". Applied Physics Letters 106, nr 9 (2.03.2015): 093110. http://dx.doi.org/10.1063/1.4914000.
Pełny tekst źródłaCao Zhen, 曹振, 李艳秋 Li Yanqiu i 刘菲 Liu Fei. "Manufacturable Design of 16~22 nm Extreme Ultraviolet Lithographic Objective". Acta Optica Sinica 33, nr 9 (2013): 0922005. http://dx.doi.org/10.3788/aos201333.0922005.
Pełny tekst źródłaChakraborty, Wriddhi, Khandker Akif Aabrar, Jorge Gomez, Rakshith Saligram, Arijit Raychowdhury, Patrick Fay i Suman Datta. "Characterization and Modeling of 22 nm FDSOI Cryogenic RF CMOS". IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 7, nr 2 (grudzień 2021): 184–92. http://dx.doi.org/10.1109/jxcdc.2021.3131144.
Pełny tekst źródłaChung, Shine C., Wen-Kuang Fang i Fang-Hua Chen. "A 4Kx8 Innovative Fuse OTP on 22-nm FD-SOI". IEEE Journal of the Electron Devices Society 7 (2019): 837–45. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2019.2922711.
Pełny tekst źródłaXiaobin Wang, Yiran Chen, Hai Li, D. Dimitrov i H. Liu. "Spin Torque Random Access Memory Down to 22 nm Technology". IEEE Transactions on Magnetics 44, nr 11 (listopad 2008): 2479–82. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.2008.2002386.
Pełny tekst źródłaRusu, Stefan, Harry Muljono, David Ayers, Simon Tam, Wei Chen, Aaron Martin, Shenggao Li, Sujal Vora, Raj Varada i Eddie Wang. "A 22 nm 15-Core Enterprise Xeon® Processor Family". IEEE Journal of Solid-State Circuits 50, nr 1 (styczeń 2015): 35–48. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2014.2368933.
Pełny tekst źródłaFukushima, Yasuyuki, Yuya Yamaguchi, Takafumi Iguchi, Takuro Urayama, Tetsuo Harada, Takeo Watanabe i Hiroo Kinoshita. "Development of interference lithography for 22 nm node and below". Microelectronic Engineering 88, nr 8 (sierpień 2011): 1944–47. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.02.076.
Pełny tekst źródłaXie, Peng, i Bruce W. Smith. "Scanning interference evanescent wave lithography for sub-22-nm generations". Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 12, nr 1 (11.02.2013): 013011. http://dx.doi.org/10.1117/1.jmm.12.1.013011.
Pełny tekst źródłaNaulleau, Patrick P., Christopher N. Anderson, Lorie-Mae Baclea-an, Paul Denham, Simi George, Kenneth A. Goldberg, Michael Goldstein i in. "Pushing extreme ultraviolet lithography development beyond 22 nm half pitch". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 27, nr 6 (2009): 2911. http://dx.doi.org/10.1116/1.3237092.
Pełny tekst źródłaMohsen, Ali, Adnan Harb, Nathalie Deltimple i Abraham Serhane. "28-nm UTBB FD-SOI vs. 22-nm Tri-Gate FinFET Review: A Designer Guide—Part I". Circuits and Systems 08, nr 04 (2017): 93–110. http://dx.doi.org/10.4236/cs.2017.84006.
Pełny tekst źródłaMohsen, Ali, Adnan Harb, Nathalie Deltimple i Abraham Serhane. "28-nm UTBB FD-SOI vs. 22-nm Tri-Gate FinFET Review: A Designer Guide—Part II". Circuits and Systems 08, nr 05 (2017): 111–21. http://dx.doi.org/10.4236/cs.2017.85007.
Pełny tekst źródłaJeevan, B., i K. Sivani. "Design of 0.8V, 22 nm DG-FinFET based efficient VLSI multiplexers". Microelectronics Journal 113 (lipiec 2021): 105059. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105059.
Pełny tekst źródłaFreeman, G., P. Chang, E. R. Engbrecht, K. J. Giewont, D. F. Hilscher, M. Lagus, T. J. McArdle i in. "Performance-optimized gate-first 22-nm SOI technology with embedded DRAM". IBM Journal of Research and Development 59, nr 1 (styczeń 2015): 5:1–5:14. http://dx.doi.org/10.1147/jrd.2014.2380252.
Pełny tekst źródłaXu, Peng, Yinghua Piao, Liang Ge, Cheng Hu, Lun Zhu, Zhiwei Zhu, David Wei Zhang i Dongping Wu. "Investigation of Novel Junctionless MOSFETs for Technology Node Beyond 22 nm". ECS Transactions 44, nr 1 (15.12.2019): 33–39. http://dx.doi.org/10.1149/1.3694293.
Pełny tekst źródłaSchmidt, Matthias, Martin J. Suess, Angelica D. Barros, Richard Geiger, Hans Sigg, Ralph Spolenak i Renato A. Minamisawa. "A Patterning-Based Strain Engineering for Sub-22 nm Node FinFETs". IEEE Electron Device Letters 35, nr 3 (marzec 2014): 300–302. http://dx.doi.org/10.1109/led.2014.2300865.
Pełny tekst źródłaSze-Ann Wu, Yi-Lung Cheng, Chia-Yang Wu i Wen-Hsi Lee. "A Study of Cu/CuMn Barrier for 22-nm Semiconductor Manufacturing". IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 14, nr 1 (marzec 2014): 286–90. http://dx.doi.org/10.1109/tdmr.2013.2262525.
Pełny tekst źródłaHolmes, Steven. "22-nm-node technology active-layer patterning for planar transistor devices". Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 9, nr 1 (1.01.2010): 013001. http://dx.doi.org/10.1117/1.3302125.
Pełny tekst źródłaPark, Joon-Min, Dai-Gyoung Kim, Joo-Yoo Hong, Ilsin An i Hye-Keun Oh. "Anisotropic Resist Reflow Process Simulation for 22 nm Elongated Contact Holes". Japanese Journal of Applied Physics 47, nr 6 (20.06.2008): 4940–43. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.47.4940.
Pełny tekst źródłaKozawa, Takahiro, Seiichi Tagawa, Julius Joseph Santillan i Toshiro Itani. "Quencher Effects at 22 nm Pattern Formation in Chemically Amplified Resists". Japanese Journal of Applied Physics 47, nr 7 (11.07.2008): 5404–8. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.47.5404.
Pełny tekst źródłaBrown, J., i Z. Zuo. "Renal receptors for atrial and C-type natriuretic peptides in the rat". American Journal of Physiology-Renal Physiology 263, nr 1 (1.07.1992): F89—F96. http://dx.doi.org/10.1152/ajprenal.1992.263.1.f89.
Pełny tekst źródłaMayeda, Jill, Donald Y. C. Lie i Jerry Lopez. "Broadband Millimeter-Wave 5G Power Amplifier Design in 22 nm CMOS FD-SOI and 40 nm GaN HEMT". Electronics 11, nr 5 (23.02.2022): 683. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11050683.
Pełny tekst źródłaWurm, Stefan. "EUV Lithography Development and Research Challenges for the 22 nm Half-pitch". Journal of Photopolymer Science and Technology 22, nr 1 (2009): 31–42. http://dx.doi.org/10.2494/photopolymer.22.31.
Pełny tekst źródłaDas, S., R. Yu, K. Cherkaoui, P. Razavi i S. Barraud. "Performance of 22 nm Tri-Gate Junctionless Nanowire Transistors at Elevated Temperatures". ECS Solid State Letters 2, nr 8 (23.05.2013): Q62—Q65. http://dx.doi.org/10.1149/2.004308ssl.
Pełny tekst źródłaBenk, Markus P., Kenneth A. Goldberg, Antoine Wojdyla, Christopher N. Anderson, Farhad Salmassi, Patrick P. Naulleau i Michael Kocsis. "Demonstration of 22-nm half pitch resolution on the SHARP EUV microscope". Journal of Vacuum Science & Technology B 33, nr 6 (listopad 2015): 06FE01. http://dx.doi.org/10.1116/1.4929509.
Pełny tekst źródłaBaklanov, Mikhail R., Evgeny A. Smirnov i Larry Zhao. "Ultra Low Dielectric Constant Materials for 22 nm Technology Node and Beyond". ECS Transactions 35, nr 4 (16.12.2019): 717–28. http://dx.doi.org/10.1149/1.3572315.
Pełny tekst źródłaSeo, Soon-Cheon, Chih-Chao Yang, Miaomiao Wang, Frederic Monsieur, Lahir Adam, Jeffrey B. Johnson, Dave Horak i in. "Copper Contact for 22 nm and Beyond: Device Performance and Reliability Evaluation". IEEE Electron Device Letters 31, nr 12 (grudzień 2010): 1452–54. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2078483.
Pełny tekst źródłaYan, H., A. J. Bergren, R. McCreery, M. L. Della Rocca, P. Martin, P. Lafarge i J. C. Lacroix. "Activationless charge transport across 4.5 to 22 nm in molecular electronic junctions". Proceedings of the National Academy of Sciences 110, nr 14 (18.03.2013): 5326–30. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.1221643110.
Pełny tekst źródłaYounkin, Todd R. "Extreme-ultraviolet secondary electron blur at the 22-nm half pitch node". Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 10, nr 3 (1.07.2011): 033004. http://dx.doi.org/10.1117/1.3607429.
Pełny tekst źródłaWu, Banqiu. "Next-generation lithography for 22 and 16 nm technology nodes and beyond". Science China Information Sciences 54, nr 5 (maj 2011): 959–79. http://dx.doi.org/10.1007/s11432-011-4227-6.
Pełny tekst źródłaKozawa, Takahiro, Seiichi Tagawa, Julius Joseph Santillan, Minoru Toriumi i Toshiro Itani. "Feasibility Study of Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists for 22 nm Fabrication". Japanese Journal of Applied Physics 47, nr 6 (13.06.2008): 4465–68. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.47.4465.
Pełny tekst źródłaKim, Eugene, Andrea Steinbrück, Maria Teresa Buscaglia, Vincenzo Buscaglia, Thomas Pertsch i Rachel Grange. "Second-Harmonic Generation of Single BaTiO3 Nanoparticles down to 22 nm Diameter". ACS Nano 7, nr 6 (24.05.2013): 5343–49. http://dx.doi.org/10.1021/nn401198g.
Pełny tekst źródłaTawarayama, Kazuo, Hajime Aoyama, Kentaro Matsunaga, Shunko Magoshi, Yukiyasu Arisawa i Taiga Uno. "Resolution Enhancement for Beyond-22-nm Node Using Extreme Ultraviolet Exposure Tool". Japanese Journal of Applied Physics 49, nr 6 (21.06.2010): 06GD01. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.49.06gd01.
Pełny tekst źródłaAcri, G., F. Podevin, E. Pistono, L. Boccia, N. Corrao, T. Lim, E. N. Isa i P. Ferrari. "A Millimeter-Wave Miniature Branch-Line Coupler in 22-nm CMOS Technology". IEEE Solid-State Circuits Letters 2, nr 6 (czerwiec 2019): 45–48. http://dx.doi.org/10.1109/lssc.2019.2930197.
Pełny tekst źródłaHuang, Mingjing, i Xiaoyong He. "A Reconfigurable Analog Baseband for Multistandard Wireless Receivers in 22-nm CMOS". Journal of Physics: Conference Series 2613, nr 1 (1.10.2023): 012024. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2613/1/012024.
Pełny tekst źródłaHaarig, Moritz, Albert Ansmann, Holger Baars, Cristofer Jimenez, Igor Veselovskii, Ronny Engelmann i Dietrich Althausen. "Depolarization and lidar ratios at 355, 532, and 1064 nm and microphysical properties of aged tropospheric and stratospheric Canadian wildfire smoke". Atmospheric Chemistry and Physics 18, nr 16 (20.08.2018): 11847–61. http://dx.doi.org/10.5194/acp-18-11847-2018.
Pełny tekst źródłaIbe, Eishi, Hitoshi Taniguchi, Yasuo Yahagi, Ken-ichi Shimbo i Tadanobu Toba. "Impact of Scaling on Neutron-Induced Soft Error in SRAMs From a 250 nm to a 22 nm Design Rule". IEEE Transactions on Electron Devices 57, nr 7 (lipiec 2010): 1527–38. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2010.2047907.
Pełny tekst źródłaEitan, Ro'ee, i Ariel Cohen. "Untrimmed Low-Power Thermal Sensor for SoC in 22 nm Digital Fabrication Technology". Journal of Low Power Electronics and Applications 4, nr 4 (9.12.2014): 304–16. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea4040304.
Pełny tekst źródła