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1

Welter, Michael. Transistor dictionary: Bipolar transistors. Bonn: International Thomson, 1996.

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2

Intermetall, ITT. Transistors. [Germany]: ITT Intermetall, 1996.

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3

Semiconductors, ITT. Transistors. Freiburg: ITT Semiconductors, 1987.

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4

Semiconductors, ITT. Transistors. Freiburg: ITT Semiconductors, 1992.

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5

(Firm), Knovel, a cura di. Understanding modern transistors and diodes. Cambridge: Cambridge University Press, 2010.

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6

Components, Philips. PowerMOS transistors. [London]: Philips Components, 1988.

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7

(Firm), Harris Semiconductor. Bipolar power transistors. Melbourne, Florida: Harris Semiconductor, 1992.

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8

Kuo, Yue, a cura di. Thin Film Transistors. Boston, MA: Springer US, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-0397-2.

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9

Bindal, Ahmet, e Sotoudeh Hamedi-Hagh. Silicon Nanowire Transistors. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-27177-4.

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10

Semiconductors, Philips. Small-signal transistors. Eindhoven: Philips Semiconductors, 1995.

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11

Semiconductors, Philips. RF wideband transistors, video transistors and modules: Data handbook. Eindhoven: Philips Semiconductors, 1993.

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12

Shvart͡s, N. Z. Usiliteli SVCh na polevykh tranzistorakh. Moskva: Radio i sviazʹ, 1987.

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13

1914-, Towers T. D., a cura di. Towers' international transistor selector: Specification data for the identification, selection and substitution of transistors. 5a ed. London: Foulsham, 1996.

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14

Zhenan, Bao, e Locklin Jason John, a cura di. Organic field-effect transistors. Boca Raton: CRC Press, 2007.

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15

Grebennikov, Andrei. RF and microwave transistor oscillator design. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2007.

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16

Towers, T. D. Towers' international transistor selector: Specification data for the identification, selection and substitution of transistors. 4a ed. London: Foulsham, 1990.

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17

SGS-Thomson. Power bipolar transistors databook. (s.l.): SGS-Thomson, 1989.

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18

Zetex. Junction field effect transistors. Chadderton: Zetex, 1991.

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19

Reisch, Michael. High-Frequency Bipolar Transistors. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-55900-6.

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20

Muccini, Michele, e Stefano Toffanin. Organic Light-Emitting Transistors. Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, Inc, 2016. http://dx.doi.org/10.1002/9781119189978.

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21

Kymissis, Ioannis. Organic Field Effect Transistors. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-92134-1.

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22

Semiconductors, Philips. Microwave transistors: Data handbook. Eindhoven: Philips Semiconductors, 1992.

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Heime, Klaus. InGaAs field-effect transistors. Taunton, Somerset, England: Research Studies Press, 1989.

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24

Zetex. Super E-line transistors. Chadderton: Zetex, 1992.

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25

Panasonic. Discrete semiconductors, power transistors. Kyoto: Matsushita Electronics Corp., 1990.

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26

K, Kapoor Ashok, Roulston David J e IEEE Electron Devices Society, a cura di. Polysilicon emitter bipolar transistors. New York: IEEE Press, 1989.

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27

Semiconductors, Philips. Microwave transistors: Data handbook. Eindhoven: Philips Semiconductors, 1995.

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28

Limited, Ferranti Electronics. Super E-line transistors. Chadderton: Ferranti Electronics Ltd, 1987.

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29

Samuel, T. S. Arun, Young Suh Song, Shubham Tayal, P. Vimala e Shiromani Balmukund Rahi. Tunneling Field Effect Transistors. Boca Raton: CRC Press, 2023. http://dx.doi.org/10.1201/9781003327035.

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30

Yadav, Dharmendra Singh, Shiromani Balmukund Rahi e Sukeshni Tirkey. Advanced Field-Effect Transistors. Boca Raton: CRC Press, 2023. http://dx.doi.org/10.1201/9781003393542.

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31

Fazal, Ali, Bahl I. J e Gupta Aditya Kumar 1952-, a cura di. Microwave and millimeter-wave heterostructure transistors and their applications. Norwood, MA: Artech House, 1989.

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32

Fickers, Andreas. Der "Transistor" als technisches und kulturelles Phänomen: Die Transistorisierung der Radio- und Fernsehempfänger in der deutschen Rundfunkindustrie 1955 bis 1965. Bassum: Verlag für Geschichte der Naturwissenschaften und der Technik, 1998.

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Handy, Roger. Made inJapan: Transistor radios of the 1950s and 1960s. San Francisco: Chronicle Books, 1993.

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34

Zetex. SOT-223 surface mount transistors. Chadderton: Zetex, 1990.

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35

Transistors! World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2022.

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36

Transistors. Lulu Press, Inc., 2015.

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37

Kendall, E. J. M. Transistors. Elsevier Science & Technology Books, 2013.

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38

Transistors! World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2022.

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39

Inc, Bergwall Productions. 807 Transistors/808 Transistors II. Delmar Pub, 1992.

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40

Pulfrey, David L. Understanding Modern Transistors and Diodes. Cambridge University Press, 2010.

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41

Pulfrey, David L. Understanding Modern Transistors and Diodes. Cambridge University Press, 2010.

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42

Pulfrey, David L. Understanding Modern Transistors and Diodes. Cambridge University Press, 2010.

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43

Thompson, Scott, Faran Nouri, Wen-Chin Lee e Wilman Tsai. Transistor Scaling : Volume 913: Methods, Materials and Modeling. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.

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44

Dye, Norman, e Helge Granberg. Radio Frequency Transistors: Principles and Practical Applications. Elsevier Science & Technology Books, 2013.

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Dye, Norman, e Helge Granberg. Radio Frequency Transistors: Principles and Practical Applications. Elsevier Science & Technology Books, 2001.

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46

Nanoscale Transistors. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/0-387-28003-0.

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47

Tiwari, Sandip. Nanoscale transistors. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198759874.003.0002.

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Abstract (sommario):
This chapter brings together the physical underpinnings of field-effect transistors operating in their nanoscale limits. It tackles the change in dominant behavior from scattering-limited long-channel transport to mesoscopic and few scattering events limits in quantized channels. It looks at electrostatics and a transistor’s controllability as dimensions are shrunk—the interplay of geometry and control—and then brings out the operational characteristics in “off”-state, e.g., the detailed nature of insulator’s implications or threshold voltage’s statistical variations grounded in short-range and long-range effects, and “on”-state, where quantization, quantized channels, ballistic transport and limited scattering are important. It also explores the physical behavior for zero bandgap and monoatomic layer materials by focusing on real-space and reciprocal-space funneling as one of the important dimensional change consequences through a discussion of parasitic resistances.
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48

Miniaturized Transistors. MDPI, 2019. http://dx.doi.org/10.3390/books978-3-03921-011-4.

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49

undifferentiated, Hunter. Transistors II. Delmar Pub, 1987.

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50

Inc, Bergwall Productions. Understand Transistors. Delmar Thomson Learning, 1990.

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