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  1. Tesi

Letteratura scientifica selezionata sul tema "Semiconducteurs actifs"

Autore: Grafiati
Pubblicato: 19 ottobre 2024
Ultima modifica: 31 luglio 2025

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Tesi sul tema "Semiconducteurs actifs"

1

Heiser, Thomas. "Developpement d'une technique d'analyse localisee des defauts electriquement actifs dans les semiconducteurs." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1988. http://www.theses.fr/1988STR13136.

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Abstract (sommario):
Methode basee sur l'emission thermique de porteurs electriques pieges par les niveaux profonds dans la bande interdite. La modelisation de la technique a permis de determiner l'influence des divers parametres physiques sur la resolution spatiale de la technique et d'etablir les conditions optimales de mesures. L'exploitation numerisee des signaux augmente sensiblement la capacite de detection de la technique. Le phenomene de "gettering" de l'or par les dislocations ainsi que la diffusion acceleree de l'or a travers le joint de grain d'un bicristal de silicium ont ete mis en evidence
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2

Heiser, Thomas. "Développement d'une technique d'analyse localisée des défauts électriquement actifs dans les semiconducteurs." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37614162c.

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3

Azouani, Rabah. "Elaboration de nouveaux nanomatériaux photocatalytiques actifs sous rayonnement visible." Paris 13, 2009. http://www.theses.fr/2009PA132016.

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Abstract (sommario):
Ce travail de thèse est consacré à la synthèse par méthode sol-gel de nanoparticules de TiO2(précurseur de tétraisopropoxyde de titane) dopées à l’azote de taille contrôlée pour des applications en nanodépôts et en photocatalyse. Les colloïdes métastables sont préparés dans un réacteur à micromélange rapide (turbulent). Des mesures de granulométrie in-situ permettent le suivi de la cinétique de formation des nanoparticules. L’effet du processus de mélange des réactifs sur la distribution de taille a été analysé en utilisant le modèle hydrodynamique k-ε. L’étude de la cinétique de nucléation-cr
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4

Remram, Mohamed. "Etude des défauts électriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium." Lyon, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAL0028.

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Abstract (sommario):
Nous avons utilisé la technique de spectroscopie capacitive (DLTS) pour étudier les défauts électriquement actifs introduits par le recuit rapide isotherme (RRI) dans le silicium vierge ou implanté. Aucun niveau piège n'a été détecté dans une structure Schottky Au-Si dopé Phosphore et recuit pendant 5 s, à différentes températures. D'un autre côté, trois niveaux pièges à trous Hl (O,4 eV), H2 (0,29 eV) et H3 (0,31 eV) ont été observés dans le silicium dopé bore (Al-Si(p)) et recuit pendant 5 s entre 850 et 1050°C. Pour les temps de recuit de 10 s et 20h aucun niveau n'a été observé. Les pics d
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5

Marrakchi, Ghanem. "Etude comparative de différentes techniques de recuit rapide sur les défauts électriquement actifs dans l’arséniure de gallium non implante." Lyon, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAL0049.

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Abstract (sommario):
Nous avons étudié les effets de traitements thermiques rapides sur les propriétés électriques de l'Arséniure de Gallium non implanté. Trois types de recuit sont considérés : le recuit électronique pulsé (REP), le Recuit par Laser Continu (RLC) et le Recuit Rapide Isotherme par lampe (RRI). Nos mesures ont été effectuées sur des dispositifs Schottky formés après traitement thermique. Elles se basent sur l'étude des courbes I(V) : courant-tension et C(V) : capacité-tension pour les caractéristiques électriques, et spectroscopie transitoire de capacité (DLTS) pour l'étude des défauts. Après REP,
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6

Talib, Abdullah Saleh. "Influence du caractère semiconducteur des minéraux sur leur interaction avec les tensio-actifs en solution : application au système galène-xanthate." Montpellier 2, 1986. http://www.theses.fr/1986MON20202.

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Abstract (sommario):
L'etude du mecanisme de flottation de la galene est realisee par la mesure de l'impedance interfaciale sur une electrode de galene naturelle. La presence de l'additif (xanthate) ne modifie pas la structure des spectres. La galene naturelle se comporte comme un semiconducteur de type n non degenere. La variation de la capacite de charge d'espace en presence de xanthate s'explique par son adsorption a l'etat d'anion modifiant la composante electrostatique du potentiel de bandes plates
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7

Gassoumi, Malek. "Etude des défauts électriquement actifs dans les composants hyperfréquences de puissance dans les filières SiC et GaN." Lyon, INSA, 2006. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2006ISAL0029/these.pdf.

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Abstract (sommario):
La demande croissante de composants permettant d'opérer à de fortes puissances, à hautes fréquences et à hautes températures a conduit au développement de filières électroniques à base de semiconducteurs à large bande interdite tels que le nitrure de galium (GaN) et le carbure de silicium (SiC). Toutefois, la maîtrise encore imparfaite des matériaux en termes des défauts au sens large (impuretés, défauts cristallins) limite les performances des dispositifs à base de SiC et GaN. Dans ce travail de thèse, nous nous sommes partculièrement intéressé à l'étude de deux dispositifs : les transistors
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8

Gassoumi, Malek Guillot Gérard Maaref Hassen. "Etude des défauts électriquement actifs dans les composants hyperfréquences de puissance dans les filières SiC et GaN." Villeurbanne : Doc'INSA, 2006. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=gassoumi.

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Abstract (sommario):
Thèse doctorat : Physique des Solides. Matière Condensée, Surfaces et Interfaces : Villeurbanne, INSA : 2006. Thèse doctorat : Physique des Solides. Matière Condensée, Surfaces et Interfaces : Université de Monastir. Faculté des sciences de Monastir : 2006.<br>Thèse soutenue en co-tutelle. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre.
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9

Mehor, Benchenane Halima. "Spectroscopie des défauts électriquement actifs par simplex-DLTS dans les structures P+N silicium préamorphisées au Germanium." Rouen, 2005. http://www.theses.fr/2005ROUES054.

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Abstract (sommario):
Notre travail est une contribution à la caractérisation des structures au Silicium requises en technologie ULSI. Ce sont des jonctions P+N ultra-minces obtenues sur un substrat de Silicium préamorphisé au Germanium à différentes énergies et dopées au Bore qui pose des problèmes associés à sa diffusion anormale pendant le recuit. Dans le chapitre I, nous présentons les étapes de la réalisation de ces jonctions et les défauts engendrés par la préamorphisation et le recuit thermique rapide. L'objet du chapitre II est la caractérisation électrique pour déterminer dans un premier temps les mécanism
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10

Ben, Naceur Walim. "Evaluation des solutions d’encapsulation quasi-hermétique pour les composants actifs hyperfréquences." Thesis, Bordeaux 1, 2013. http://www.theses.fr/2013BOR14793/document.

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Abstract (sommario):
Les composants hyperfréquences embarqués dans des satellites utilisent actuellement l’encapsulation hermétique dans des boîtiers métalliques ou céramiques. La très forte amélioration des matériaux organiques en termes de dégazage et d’impureté ionique notamment rend possible l’utilisation de solutions quasi-hermétiques pour l’environnement spatial. Les encapsulations plastiques ouvrent des perspectives avérées de gain de dimension et de coût. La validation d’une technologie d’encapsulation repose sur la réalisation d’essais de fiabilité normatifs (1000 heures à 85°C et 85% d’humidité relative)
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