Letteratura scientifica selezionata sul tema "RF sputtering"
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Articoli di riviste sul tema "RF sputtering"
Yokogawa, Yoshiyuki, Taishi Morishima, Mitunori Uno, Masakazu Kurachi, Yutaka Doi, Harumi Kawaki e Masato Hotta. "Wettability and Durability of Si-O Coatings on Zirconia Substrate by RF-Magnetron Plasma Sputtering". Key Engineering Materials 782 (ottobre 2018): 189–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.782.189.
Testo completoPark, Min Woo, Wang Woo Lee, Jae Gab Lee e Chong Mu Lee. "A Comparison of the Mechanical Properties of RF- and DC- Sputter-Deposited Cr Thin Films". Materials Science Forum 546-549 (maggio 2007): 1695–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.546-549.1695.
Testo completoZhao, Haili, Jingpei Xie e Aixia Mao. "Effects of Bottom Layer Sputtering Pressures and Annealing Temperatures on the Microstructures, Electrical and Optical Properties of Mo Bilayer Films Deposited by RF/DC Magnetron Sputtering". Applied Sciences 9, n. 7 (3 aprile 2019): 1395. http://dx.doi.org/10.3390/app9071395.
Testo completoBiederman, H., P. Bílková, J. Ježek, P. Hlídek e D. Slavínská. "RF magnetron sputtering of polymers". Journal of Non-Crystalline Solids 218 (settembre 1997): 44–49. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3093(97)00196-8.
Testo completoStelmashuk, V., H. Biederman, D. Slavı́nská, M. Trchová e P. Hlidek. "Rf magnetron sputtering of polypropylene". Vacuum 75, n. 3 (luglio 2004): 207–15. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2004.02.007.
Testo completoMorohashi, Shin'ichi, Atsunori Matsuo, Toshihiro Hara, Shogo Tsujimura e Masanori Kawanishi. "SiO2Insulation Layer Fabricated using RF Magnetron Facing Target Sputtering and Conventional RF Magnetron Sputtering". Japanese Journal of Applied Physics 40, Part 1, No. 8 (15 agosto 2001): 4876–77. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.40.4876.
Testo completoMa, Wei Hong, e Chang Long Cai. "Studying on Thickness Control of ITO Films Deposited Using RF Magnetron Sputtering". Advanced Materials Research 415-417 (dicembre 2011): 1921–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.415-417.1921.
Testo completoJin, Chun Long, Ha Na Shim, Eou Sik Cho e Sang Jik Kwon. "Effect of Pulsed-DC Power on the Zinc Oxide Window Layer of CIGS Solar Cells Deposited by In-Line Sputtering Methods". Advanced Materials Research 805-806 (settembre 2013): 131–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.805-806.131.
Testo completoLee, Chong Mu, Choong Mo Kim, Sook Joo Kim e Yun Kyu Park. "Enhancement of the Quality of the ZnO Thin Films by Optimizing the Process Parameters of High-Temperature RF Magnetron Sputtering". Key Engineering Materials 336-338 (aprile 2007): 581–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.336-338.581.
Testo completoWatazu, Akira, Katsuhiko Kimoto, Sonoda Tsutomu, Kinya Tanaka, Tomoji Sawada, Minoru Toyoda e Naobumi Saito. "Ti-Ca-P Films Formed by RF Magnetron Sputtering Method Using Dual Targets". Materials Science Forum 544-545 (maggio 2007): 495–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.544-545.495.
Testo completoTesi sul tema "RF sputtering"
Prasankumar, Rohit Prativadi 1975. "Novel saturable absorber devices grown using RF and magnetron RF sputtering". Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1999. http://hdl.handle.net/1721.1/80599.
Testo completoIncludes bibliographical references (leaves 81-85).
by Rohit Prativadi Prasankumar.
S.M.
Subramanian, Senthilnathan. "Characterization of cadmium zinc telluride solar cells by RF sputtering". [Tampa, Fla.] : University of South Florida, 2004. http://purl.fcla.edu/fcla/etd/SFE0000429.
Testo completoSilva, Adilson Oliveira da. "Estudo da obtenção de filmes de anatásio utilizando rf-magnetron sputtering". Florianópolis, SC, 2000. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/78441.
Testo completoMade available in DSpace on 2012-10-17T14:24:13Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2014-09-25T18:14:24Z : No. of bitstreams: 1 171844.pdf: 210584418 bytes, checksum: d9e7ff65b380888e7b8f6e1f64840d9e (MD5)
Filmes finos de TiO2 foram preparados pela técnica de RF-magnetron sputtering utilizando-se um alvo de rutilo. As camadas foram depositadas sobre substratos de Silício monocristalino e sílica vítrea, mantidos a temperatura ambiente. Primeiramente foi verificado a influência da fração molar de oxigénio na formação da estrutura dos filmes de TiO2. As frações testadas foram 25, 37,5 e 50 % de O2 na mistura gasosa oxigênio/argônio. Após o processo de deposição todas as amostras tiveram suas estruturas analisadas e indicaram a formação de camadas de filmes amorfos. Entretanto as mesmas amostras, após tratamentos térmicos nas temperaturas de 400 e 1000 °C, desenvolveram filmes cristalinos com a presença unicamente da fase rutilo. Dessa forma foi observado que as variações das doações molares de oxigênio não foram determinantes para a formação de filmes com a fase anatásio. Numa segunda etapa, SiO2 foi adicionada com impurezas na camada dos filmes- de TiO2. Placas de sílica vítrea foram disposta sobre o alvo de rutilo de forma a produzirem filmes com diferentes teores de sílica. As análises químicas das superfícies indicaram a obtenção de amostras de TiO2 com 15, 33 e 49 % de SiO2. Após o processo de deposição os filmes também apresentaram a formação de uma fase amorfa, porém as camadas depositadas sobre substratos de silício desenvolveram a fase anatásio após o tratamento térmico. Nas amostras de TiO2 com 15% SiO2 a fase anatásio cresceu juntamente com a fase rutilo, mas nos filmes com teores de 33 e 49% de sílica apenas o crescimento a fase anatásio foi observado. As mesmas formações não foram identificados nos- filmes depositados sobre substratos de sílica vítrea. Nesses substratos a única fase desenvolvida foi a do rutilo. Sendo assim é possível observar que a presença sílica tem uma grande influência nas transformações de fases dos filmes de TiO2, porém somente a sua adição não é suficiente para garantir a formação da fase anatásio. A interação da camada dos filmes com o substrato é também um dos fatores determinantes da estrutura final dos filmes de TiO2. Por fim verificou-se que a formação de filmes de TiO2 com deficiência em oxigênio podem favorecer a nucleação e o crescimento da fase anatásio.
Todi, Ravi. "INVESTIGATIONS ON RF SPUTTER DEPOSITED SICN THIN FILMS FOR MEMS APPLICATIONS". Master's thesis, University of Central Florida, 2005. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/3330.
Testo completoM.S.M.E.
Department of Mechanical, Materials and Aerospace Engineering;
Engineering and Computer Science
Mechanical Engineering
Treharne, Robert E. "RF magnetron sputtering of transparent conducting oxides and CdTe/CdS solar cells". Thesis, Durham University, 2011. http://etheses.dur.ac.uk/3310/.
Testo completoRamalhadeiro, Rui Miguel Martins. "Estudo estrutural e ótico de filmes de ZnO/MgO por RF-sputtering". Master's thesis, Universidade de Aveiro, 2012. http://hdl.handle.net/10773/9300.
Testo completoEste trabalho tem como objetivo o estudo estrutural e ótico de filmes de óxido de Zinco (ZnO) em substrato de óxido de Magnésio (MgO), em função das condições de crescimento por RF-sputtering (pulverização catódica de rádiofrequência). As condições de pressão parcial de O2 e temperatura do substrato são variáveis que influenciam bastante o crescimento de filmes finos de ZnO. A escolha do substrato cúbico de MgO, reside no facto deste material além de ser um óxido, possuir arranjo atómico não polar que poderá favorecer o crescimento de filmes finos de ZnO com orientações segundo o plano-m. Na análise estrutural foi usado difração de raio-X, mapas de espaço recíproco, figura de pólos por High Resolution X-Ray Difraction, “HRXRD” e espetroscopia de Raman permitindo observar a orientação dos planos de crescimento e a relação epitaxial entre o filme e o substrato. Na caracterização ótica é apresentada medidas de fotoluminescência em que se observa emissão excitónica para valores mais elevados de energia, assim como bandas largas não estruturadas para valores inferiores.
The aim of this work is the structural and optical characterization of samples of zinc oxide (ZnO) on substrates of magnesium oxide (MgO) in relation to growth conditions by RF-sputtering. The conditions for O2 partial pressure and substrate temperature are variables that influence the growth of ZnO thin films. The choice of cubic MgO substrates, besides being an oxide, possesses atomic non-polar arrangements that could favor the growth of ZnO thin films with m-plane orientations. In structural analysis was used X-ray diffraction, reciprocal space maps, pole figure by High Resolution X-Ray Diffraction, "HRXRD" and Raman spectroscopy allowing to observe the orientation of growth plans and the epitaxial relationship between film and substrate. In optical analyses was used photoluminescence as technique and it is observed for higher values of energy excitonic emission as well as unstructured broad bands for lower energy values.
Peres, Marco António Baptista. "Estudo de defeitos em filmes finos de ZnO depositados por Rf-sputtering". Doctoral thesis, Universidade de Aveiro, 2014. http://hdl.handle.net/10773/13983.
Testo completoNeste trabalho foram estudados diferentes filmes finos de ZnO depositados por Rf-Sputtering. Filmes finos de ZnO com diferentes propriedades óticas foram obtidos intencionalmente variando os parâmetros de deposição. De modo a correlacionar as propriedades óticas e estruturais com os parâmetros de deposição, foram utilizadas diferentes técnicas de caracterização avançadas, tais como, fotoluminescência, microscopia de força atómica, difração de raios- X e retrodispersão de Rutherford. Este trabalho centra-se na discussão e análise das bandas de emissão vermelha, verde e azul, comumente observadas em amostras de ZnO e cuja natureza tem sido objeto de grande controvérsia na literatura. A utilização de técnicas de caracterização estrutural revelou-se de extrema importância para correlacionar as propriedades físicas de composição e estrutura com os centros óticos observados nos filmes. Nesta base, foram propostos e discutidos diferentes modelos de recombinação ótica associados à qualidade estrutural dos filmes, considerando modelos de camadas que descrevem a heterogeneidade lateral e em profundidade. Desta análise verificou-se a presença de heterogeneidade estrutural e composicional, que aumenta a complexidade na compreensão da correlação dos parâmetros de deposição com as propriedades óticas dos filmes. Foi discutida a limitação e validade de diferentes modelos tendo em conta a presença da heterogeneidade existente nos filmes estudados. Este trabalho contribui assim para uma melhor compreensão da complexidade de interação dos diferentes defeitos e o seu efeito nas propriedades óticas, nomeadamente o papel dos defeitos de interface, na superfície, nas fronteiras de grão e junto ao substrato.
This thesis focuses on the study of different ZnO thin films deposited by Rf- Sputtering. Thin films deposited under different conditions were produced to deliberately induce distinct optical active centres. To correlate the optical and structural properties, different characterization techniques were used such as, Photoluminescence, X-ray Diffraction, Atomic Force Microscopy and Rutherford Backscattering Spectroscopy. The main purpose of this study is the investigation and discussion of the controversial red, green, and blue emission bands, often observed in ZnO samples. The structural and compositional characterization techniques showed to be of extreme importance to correlate the luminescence with the samples morphology, composition and structure. Based on temperature and excitation dependent photoluminescence models for the recombination centres were proposed and discussed. Considering layer models, the role of the samples heterogeneity in the optical properties was explored. This analysis confirms the presence of a compositional and structural heterogeneity, which increases the complexity of potential correlations between the deposition parameters, structural properties and optically active defects. The validity and limitation of the proposed models was studied and discussed. This thesis intends to contribute to a higher comprehension of the complexity of the interaction between different defects, and its effects on the optical properties.
Campbell, Bryce W. "Preparation and characterization of lithium thiogermanate thin films using RF magnetron sputtering". [Ames, Iowa : Iowa State University], 2006.
Cerca il testo completoBosco, Giácomo Bizinoto Ferreira 1987. "Photoluminescence of Tb3+ in a-Si3N4:H prepared by reactive RF-Sputtering and ECR PECVD = Fotoluminescência de Tb3+ em a-Si3N4:H preparado por RF-Sputtering reativo e ECR PECVD". [s.n.], 2017. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/322722.
Testo completoTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin
Made available in DSpace on 2018-09-01T20:54:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bosco_GiacomoBizinotoFerreira_D.pdf: 9507140 bytes, checksum: 4980b29f48f98f8ff97e8a0a37b7577e (MD5) Previous issue date: 2017
Resumo: Este trabalho fornece caracterização ótica e estrutural de filmes finos compostos por nitreto de silício amorfo hidrogenado dopado com térbio (a-SiNx:H) ¿ crescidos por deposição química a vapor assistida por plasma gerado através de ressonância ciclotrônica de elétrons (ECR PECVD) e por pulverização catódica reativa em radiofrequência (reactive RF-Sputtering) ¿ com o propósito de avançar a investigação em fabricação de novos materiais e dos mecanismos da emissão de luz de íons de Tb quando diluídos em materiais baseados em silício. A fotoluminescência (PL) atribuída aos filmes de a-SiNx:H foi investigada em termos das condições de deposição e correlacionadas com suas propriedades estruturais e de recozimento pós-deposição. Entre as propriedades caracterizadas estão: estequiometria, taxa de deposição, índice de refração, coeficiente de extinção, bandgap ótico E04, concentração de térbio e vizinhança química presente ao redor de íons Tb3+. Concentrações de Tb da ordem de 1.8 at.% ou 1.4×?10?^21 at/cm^3 foram obtidas em amostras crescidas por Sputtering enquanto que concentrações de 14.0 at.%, ou da ordem ?10?^22 at/cm^3, puderam ser obtidas em amostras crescidas por ECR PECVD. Em Sputtering, a incorporação de Tb varia linearmente com a área recoberta por pastilhas de Tb4O7 em pó, enquanto que em PECVD, a incorporação de Tb é inversamente proporcional e pode ser ajustada sensivelmente pelo fluxo de gás SiH4. Forte emissão de luz, atribuída às transições eletrônicas em Tb3+ (PL do Tb), foi obtida em filmes não-recozidos que possuíam bandgap estequiométrico (E04 = 4.7 ± 0.4 eV and x = 1.5 ± 0.2). Espectros de PL do Tb não mostraram mudanças significativas no formato e na posição dos picos de emissão devido a alterações na temperatura de recozimento, nas condições de deposição ou entre amostras crescidas por diferentes técnicas de deposição. Entretanto, esses parâmetros influenciaram fortemente a intensidade da PL do Tb. Estudos da estrutura fina de absorção de raios-X (XAFS) em filmes crescidos por sputtering mostraram a estabilidade da vizinhança química ao redor dos íons Tb3+ mesmo em altas temperaturas (1100ºC). Investigações por sonda atômica tomográfica (APT) não encontraram formação de nanoclusters envolvendo ou não Tb, mesmo após recozimentos em altas temperaturas. Isso sugere que a excitação de Tb3+ deve ocorrer através da própria matriz hospedeira amorfa e não por mudanças no campo cristalino e, portanto, na força de oscilador das transições eletrônicas do Tb3+. Caracterização da densidade de ligações Si-H por espectroscopia infravermelha a transformada de Fourier (FTIR) em filmes recozidos em diferentes temperaturas foi relacionada com a intensidade da PL do Tb. Ela mostra que um decréscimo na densidade das ligações Si-H, que está relacionada a um aumento na concentração de ligações pendentes de Si (Si-dbs), resulta em filmes com maior intensidade na PL do Tb. Portanto, isso sugere que a excitação de Tb3+ parece acontecer através de transições envolvendo Si-dbs e estados estendidos, o que é consistente com o modelo de excitação Auger por defeitos (DRAE)
Abstract: This work offers optical and structural characterization of terbium (Tb) doped hydrogenated amorphous silicon nitrides thin films (a-SiNx:H) grown by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition (ECR PECVD) and reactive RF-Sputtering with the purpose of advancing the investigation in fabrication of novel materials and the mechanisms of light emission of Tb ions when embedded in Si-based materials. Photoluminescence (PL) of a-SiNx:H films were investigated and correlated with the deposition conditions, structural properties, and post-deposition thermal treatments (isochronal annealing under flow of N2). Among the characterized properties are: film stoichiometry, deposition rate, refractive index, extinction coefficient, optical bandgap, terbium concentration, and the chemical neighborhood around Tb ions. Tb concentrations of about 1.8 at.% or 1.4×?10?^21 at/cm^3 have been achieved in Sputtering system while concentrations of 14.0 at.%, or about ?10?^22 at/cm^3, could be achieved in ECR PECVD samples. In Sputtering, Tb incorporation varies linearly with the covered area of the Si target by Tb4O7 powder pellets, while in PECVD, Tb incorporation is inversely proportional to and can be sensitively adjusted through SiH4 gas flow. Bright PL attributed to Tb3+ electronic transitions (Tb PL) were obtained in as-deposited films with stoichiometric bandgaps (E04 = 4.7 ± 0.4 eV and x = 1.5 ± 0.2). The Tb PL spectra did not show any significant change in shape and in PL peak positions due to alterations in annealing temperature, deposition conditions or due to the used deposition method. However, these parameters strongly affected Tb PL intensity. Studies of X-ray absorption fine structure (XAFS) in Sputtering grown films show the stability of the chemical neighborhood around Tb3+ under annealing conditions even after thermal treatments at temperatures as high as 1100ºC. Atom probe tomography (APT) investigation also found no formation of nanoclusters of any type (involving Tb ions or not) after high temperature annealing treatments suggesting that Tb3+ excitation should come from the amorphous host matrix itself and not by changes in crystal field and thus in oscillator strength of Tb3+ electronic transitions. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) characterization of Si-H bond density in films treated atin different annealing temperatures were crossed correlated with Tb PL intensity. It shows that a decrease in Si-H bond density, related to increase in Si dangling bonds (Si-dbs) concentration, results in greater Tb PL intensity. Thus, it suggests that excitation of Tb3+ happens through transitions involving silicon dangling bonds and extended states, consistent with the defect related Auger excitation model (DRAE)
Doutorado
Física
Doutor em Ciências
142174/2012-2
010308/2014-08
CNPQ
CAPES
Gignac, Lynne Marie. "Processing and characterization of RF sputtered alumina thin films". Diss., The University of Arizona, 1988. http://hdl.handle.net/10150/184611.
Testo completoLibri sul tema "RF sputtering"
Hayes, John Richard. Validation of a plasma sheath model for use in RF sputtering systems. [s.l: The Author], 2003.
Cerca il testo completoCentre, Bhabha Atomic Research, a cura di. Development of a state-of-the-art R.F. sputtering coating system for the fabrication of multilayer x-ray mirrors. Mumbai: Bhabha Atomic Research Centre, 2000.
Cerca il testo completoKarner, Christine. Thin film characterisation of polycrystalline II-VI display phosphor materials prepared bypulsed laser deposition and RF sputtering. [s.l: The Author], 1997.
Cerca il testo completoAng, Wie Ming. ACTFEL phosphor deposition by RF sputtering. 1992.
Cerca il testo completoCapitoli di libri sul tema "RF sputtering"
Tang, Hui Dong, Shou Hong Tan e Zheng Ren Huang. "SiC Coatings Deposited by RF Magnetron Sputtering". In High-Performance Ceramics III, 1309–12. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-959-8.1309.
Testo completoTamai, Fujio, e Yuji Kawakami. "Reflecting Multi-Layer Coatings by RF Sputtering". In Materials Science Forum, 309–14. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2005. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-980-6.309.
Testo completoVasanelli, L., A. Valentini, A. Quirini, A. M. Mancini e A. Losacco. "ZnO/CdTe Solar Cells Prepared by RF Sputtering". In Seventh E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference, 635–40. Dordrecht: Springer Netherlands, 1987. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-3817-5_113.
Testo completoNaoe, Hiroyuki, Satoru Kishida, Fumihiko Toda, Yuzuru Mitani e Heizo Tokutaka. "Ba0.6Rb0.4 BiO Thin Films by RF Magnetron Sputtering". In Advances in Superconductivity X, 1011–14. Tokyo: Springer Japan, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-4-431-66879-4_239.
Testo completoHattori, Hisao, Hideo Itozaki e Shuji Yazu. "(100) Oriented BSCCO Thin Film by RF Magnetron Sputtering". In Advances in Superconductivity III, 1049–52. Tokyo: Springer Japan, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-4-431-68141-0_237.
Testo completoSingha, R. K., K. Das, S. Das, A. Dhar e S. K. Ray. "Characteristics of Ge Nanocrystals Grown by RF Magnetron Sputtering". In Semiconductor Photonics: Nano-Structured Materials and Devices, 89–91. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-471-5.89.
Testo completoNaoe, Hiroyuki, Yuzuru Mitani, Toshiyuki Kitagawa, Satoru Kishida, Fumihiko Toda e Heizo Tokutaka. "Ba1-xRbxBiOy Thin Films Prepared by Rf Magnetron Sputtering". In Advances in Superconductivity XI, 1055–58. Tokyo: Springer Japan, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-4-431-66874-9_247.
Testo completoShimizu, Kenichi, e Tomoaki Mitani. "Application Example 16: On the Nature of rf-GD Sputtering". In New Horizons of Applied Scanning Electron Microscopy, 49–51. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-03160-1_17.
Testo completoDíaz-Reyes, Joel, Roberto S. Castillo-Ojeda e Javier Martínez-Juárez. "Characterization of Wurtzite Type ZnS Grown by RF Magnetron Sputtering". In Materials Characterization, 189–96. Cham: Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-15204-2_19.
Testo completoVan Cromphaut, C., V. G. de Resende, E. De Grave, L. Presmanes, I. Pasquet e P. Thaillades. "ILEEMS of thin α-Fe2O3 films prepared by RF sputtering". In ISIAME 2008, 175–81. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-01370-6_22.
Testo completoAtti di convegni sul tema "RF sputtering"
Churton, B., L. Couëdel, A. A. Samarian, M. Mikikian, L. Boufendi, José Tito Mendonça, David P. Resendes e Padma K. Shukla. "Dust Growth by RF Sputtering". In MULTIFACETS OF DUSTRY PLASMAS: Fifth International Conference on the Physics of Dusty Plasmas. AIP, 2008. http://dx.doi.org/10.1063/1.2996830.
Testo completoBiederman, H. "Plasma polymers prepared by rf sputtering". In IEE Seminar Plasma Polymerisation - Processing for the Future. IEE, 1999. http://dx.doi.org/10.1049/ic:19990163.
Testo completoJing Li, Suntao Wu e Junyong Kang. "ZnO films deposited by RF magnetron sputtering". In 2004 13th International Conference on Semiconducting and Insulating Materials. IEEE, 2004. http://dx.doi.org/10.1109/sim.2005.1511390.
Testo completoChiasera, Alessandro, Francesco Scotognella, Dominik Dorosz, Gianluca Galzerano, Anna Lukowiak, Davor Ristic, Giorgio Speranza et al. "Glass based structures fabricated by rf-sputtering". In 2017 40th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.23919/mipro.2017.7973384.
Testo completoChiasera, A., F. Scotognella, S. Varas, I. Kriegel, G. Galzerano, L. Criante, A. Lukowiak et al. "Dielectric multilayer structures fabricated by rf-sputtering". In 2017 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe (CLEO/Europe) & European Quantum Electronics Conference (EQEC). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/cleoe-eqec.2017.8086607.
Testo completoGerman, J., e R. Lovro. "RF Sputtering of ITO on Rotary Cathodes". In Society of Vacuum Coaters Annual Technical Conference. Society of Vacuum Coaters, 2014. http://dx.doi.org/10.14332/svc14.proc.1828.
Testo completoChiasera, A., C. Macchi, S. Mariazzi, S. Valligatla, S. Varas, M. Mazzola, N. Bazzanella et al. "GeO2glass ceramic planar waveguides fabricated by RF-sputtering". In SPIE OPTO, a cura di Michel J. F. Digonnet e Shibin Jiang. SPIE, 2014. http://dx.doi.org/10.1117/12.2042099.
Testo completoAdamiec, Krzysztof, Jaroslaw Rutkowski, S. Bednarek e E. Michalski. "RF sputtering deposition of CdTe on GaAs substrate". In XII Conference on Solid State Crystals: Materials Science and Applications, a cura di Antoni Rogalski, Jaroslaw Rutkowski, Andrzej Majchrowski e Jerzy Zielinski. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.276217.
Testo completoGrozeva, Margarita G., e Nikola V. Sabotinov. "Sputtering capacitively coupled rf-excited copper ion laser". In Ninth International School on Quantum Electronics: Lasers--Physics and Applications, a cura di Peter A. Atanasov. SPIE, 1996. http://dx.doi.org/10.1117/12.262909.
Testo completoYu, Zhinong, Jin Xu, We Xue, Xia Li e Jinwei Li. "The preparation of AZO films with RF sputtering". In International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging: Technology and Applications 2007, a cura di Liwei Zhou. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.791173.
Testo completoRapporti di organizzazioni sul tema "RF sputtering"
L.H. Ouyang, D.L. Rode, T. Zulkifli, B. Abraham-Shrauner, N. Lewis e M.R. Freeman. GaAs Films Prepared by RF-Magnetron Sputtering. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), agosto 2001. http://dx.doi.org/10.2172/821684.
Testo completoTzeng, Yonhua, e Hongbin Zhu. Electron Assisted Deposition of Cubic Boron Nitride by RF Magnetron Sputtering. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, aprile 1999. http://dx.doi.org/10.21236/ada362770.
Testo completoCoutts, T. J., X. Wu e W. P. Mulligan. High performance transparent conducting films of cadmium indate prepared by RF sputtering. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), aprile 1996. http://dx.doi.org/10.2172/296769.
Testo completoFoster, C. M., R. Csencsits, P. M. Baldo, G. R. Bai, Z. Li, L. E. Rehn, L. A. Wills e R. Hiskes. Epitaxial Pb(Zr{sub x}Ti{sub 1{minus}x})O{sub 3}/SrRuO{sub 3} (x = 0, 0.35, 0.65) multilayer thin films on SrTiO{sub 3}(100) and MgO(100) prepared by MOCVD and RF sputtering. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), febbraio 1995. http://dx.doi.org/10.2172/52818.
Testo completo