Segui questo link per vedere altri tipi di pubblicazioni sul tema: Metallizing.
Tesi sul tema "Metallizing"
Cita una fonte nei formati APA, MLA, Chicago, Harvard e in molti altri stili
Vedi i top-25 saggi (tesi di laurea o di dottorato) per l'attività di ricerca sul tema "Metallizing".
Accanto a ogni fonte nell'elenco di riferimenti c'è un pulsante "Aggiungi alla bibliografia". Premilo e genereremo automaticamente la citazione bibliografica dell'opera scelta nello stile citazionale di cui hai bisogno: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver ecc.
Puoi anche scaricare il testo completo della pubblicazione scientifica nel formato .pdf e leggere online l'abstract (il sommario) dell'opera se è presente nei metadati.
Vedi le tesi di molte aree scientifiche e compila una bibliografia corretta.
1
Chapples, J. "Electrochemical and chemical methods of metallizing plastic films". Thesis, Cranfield University, 1991. http://hdl.handle.net/1826/3240.
Testo completoAbstract (sommario):
This thesis describes two novel techniques for the metallization of
non-electroactive polymer films and thicker sectioned polyethylene and nylon
substrates.
In the first approach, non-electroactive polymer substrates were impregnated
with surface layers of polypyrrole and polyaniline, using electrochemical and chemical
methods of polymerization. The relative merits of both these approaches are discussed
and compared with other methods in the literature. The resultant composite materials
exhibited sufficient conductivity to permit the direct electrodeposition of metal surface
coats. Polypyrrole coated substrates were also metallized using chemical methods.
Cyclic voltammetry studies and scanning electron microscopy of metal coated
polypyrrole, showed that metal deposition occurred mainly at the polymer surface by
a mechanism of instantaneous nucleation and growth. Using optimized deposition
conditions, both electrochemical and chemical metal deposition methods were used to
deposit highly reflecting and coherent metal layers onto conducting polymer coated
materials.
The second approach of metallizing polymers, was the metallization of
non-electroactive polymer films by the electroreduction of silver from non-aqueous
based silver plating solutions. The effects of the electrode substrate, the deposition
potential, and the concentration of metal ions in solution were investigated to
determine suitable metal salt/solvent, and polymer film/solvent combinations. The
resultant metallized polymer films were evaluated using optical and scanning electron
microscopy, ac impedance, and reflectance measurements. These studies enabled the
optimum deposition conditions to be determined, and these were subsequently used
for the preparation of high quality, uniform, and reflective metal coated films.
The results for the electrodeposition of silver into polymer films using the
latter approach are compared with those obtained from alternative electrochemical and
chemical methods of metallizing polymer films.
2
Leong, Chuen Shiong. "Repair/strengthening of steel angles using thermal spray metallizing". Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2000. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape3/PQDD_0013/MQ53172.pdf.
Testo completo
3
Gall, Martin. "Investigation of electromigration reliability in Al(Cu) interconnects /". Digital version accessible at:, 1999. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Testo completo
4
Contarino, Mark Ryan Chaiken Irwin M. Pourrezaei Kambiz. "Self-assembling, coiled coil interfaces for nanoscale amperometric biosensors /". Philadelphia, Pa. : Drexel University, 2008. http://hdl.handle.net/1860/2819.
Testo completo
5
Martini, David M. Kelber Jeffry Alan. "Metallization and modification of low-k dielectric materials". [Denton, Tex.] : University of North Texas, 2008. http://digital.library.unt.edu/permalink/meta-dc-9754.
Testo completo
6
Chan, Yu Hin. "Optimization of metallization and process variables in low temperature wire bonding technology /". View Abstract or Full-Text, 2003. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?MECH%202003%20CHAN.
Testo completoAbstract (sommario):
Thesis (M. Phil.)--Hong Kong University of Science and Technology, 2003.Includes bibliographical references (leaves 129-132). Also available in electronic version. Access restricted to campus users.
7
Adedeji, Adetayo V. William John R. "Composite contact metallization on SiC for high temperature applications in air". Auburn, Ala., 2005. http://repo.lib.auburn.edu/2005%20Summer/doctoral/ADEDEJI_ADETAYO_15.pdf.
Testo completo
8
Witt, Kevin L. "Development of a Ti:W salicide-nitride based multilayer metallization for VLSI application /". Online version of thesis, 1992. http://hdl.handle.net/1850/11045.
Testo completo
9
Pritchett, Merry. "Adherence/Diffusion Barrier Layers for Copper Metallization: Amorphous Carbon:Silicon Polymerized Films". Thesis, University of North Texas, 2004. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc4493/.
Testo completoAbstract (sommario):
Semiconductor circuitry feature miniaturization continues in response to Moore 's Law pushing the limits of aluminum and forcing the transition to Cu due to its lower resistivity and electromigration. Copper diffuses into silicon dioxide under thermal and electrical stresses, requiring the use of barriers to inhibit diffusion, adding to the insulator thickness and delay time, or replacement of SiO2 with new insulator materials that can inhibit diffusion while enabling Cu wetting. This study proposes modified amorphous silicon carbon hydrogen (a-Si:C:H) films as possible diffusion barriers and replacements for SiO2 between metal levels, interlevel dielectric (ILD), or between metal lines (IMD), based upon the diffusion inhibition of previous a-Si:C:H species expected lower dielectric constants, acceptable thermal conductivity. Vinyltrimethylsilane (VTMS) precursor was condensed on a titanium substrate at 90 K and bombarded with electron beams to induce crosslinking and form polymerized a-Si:C:H films. Modifications of the films with hydroxyl and nitrogen was accomplished by dosing the condensed VTMS with water or ammonia before electron bombardment producing a-Si:C:H/OH and a-Si:C:H/N and a-Si:C:H/OH/N polymerized films in expectation of developing films that would inhibit copper diffusion and promote Cu adherence, wetting, on the film surface. X-ray Photoelectron Spectroscopy was used to characterize Cu metallization of these a-Si:C:H films. XPS revealed substantial Cu wetting of a-Si:C:H/OH and a-Si:C:H/OH/N films and some wetting of a-Si:C:H/N films, and similar Cu diffusion inhibition to 800 K by all of the a-:S:C:H films. These findings suggest the possible use of a-Si:C:H films as ILD and IMD materials, with the possibility of further tailoring a-Si:C:H films to meet future device requirements.
10
Manandhar, Sudha. "Free Radical Induced Oxidation, Reduction and Metallization of NiSi and Ni(Pt)Si Surfaces". Thesis, University of North Texas, 2010. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc31542/.
Testo completoAbstract (sommario):
NiSi and Ni(Pt)Si, and of the effects of dissociated ammonia on oxide reduction was carried out under controlled ultrahigh vacuum (UHV) conditions. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) has been used to characterize the evolution of surface composition. Vicinal surfaces on NiSi and Ni(Pt)Si were formed in UHV by a combination of Ar+ sputtering and thermal annealing. Oxidation of these surfaces in the presence of either O+O2 or pure O2 at room temperature results in the initial formation of a SiO2 layer ~ 7 Å thick. Subsequent exposure to O2 yields no further oxidation. Continued exposure to O+O2, however, results in rapid silicon consumption and, at higher exposures, the kinetically-driven oxidation of the transition metal(s), with oxides >35Ǻ thick formed on all samples, without passivation. The addition of Pt retards but does not eliminate oxide growth or Ni oxidation. At higher exposures, in Ni(Pt)Si surface the kinetically-limited oxidation of Pt results in Pt silicate formation. Substrate dopant type has almost no effect on oxidation rate. Reduction of the silicon oxide/metal silicate is carried out by reacting with dissociated NH3 at room temperature. The reduction from dissociated ammonia (NHx+H) on silicon oxide/ metal silicate layer shows selective reduction of the metal oxide/silicate layer, but does not react with SiO2 at ambient temperature.
11
De, Vecchi Sylvain. "Développement de cellules photovoltaïques à hétérojonction de silicium et contacts interdigités en face arrière". Thesis, Lyon, INSA, 2013. http://www.theses.fr/2013ISAL0050/document.
Testo completoAbstract (sommario):
Cette thèse est axée sur la fabrication et l’optimisation d’une nouvelle structure permettant théoriquement d’améliorer les performances des cellules à base de silicium cristallin. Cette nouvelle architecture de cellule utilise la technologie des hétérojonctions de silicium a-Si:H/ c-Si (Si-HJ) appliquée sur des structures à contacts interdigités en face arrière (IBC). Le potentiel de rendement des cellules IBC Si-HJ est supérieur à 25%, mais leur fabrication nécessite une localisation des couches de a-Si:H de dopage différent et de leurs métallisations. L’intégration de ces étapes dans un procédé simplifié utilisant des techniques industrielles (PECVD, pulvérisation, sérigraphie et laser) a été étudiée. De plus, une structure obtenue sans séparation entre le BSF et l’émetteur est présentée, permettant de réduire le nombre d’étapes de fabrication. Les avantages ainsi que les limites liés à cette architecture simplifiée ont été illustrés du point de vue expérimental et par simulation. Dans le cadre de ces travaux, le rendement maximum atteint sur les dispositifs IBC Si-HJ simplifiés de 25cm² est de 19% (substrats de type n), ce qui constitue le 3e meilleur résultat au niveau mondial. Les performances des cellules restent encore limitées par l’absorption des couches de a-Si:H utilisées pour la passivation de la face avant, et par la conductivité des couches dopées en face arrière. De nombreuses pistes d’amélioration sont explorées dans cette étude. Un procédé de métallisation innovant a également été élaboré pour le passage sur des substrats de grande taille (150cm²). Il permet de limiter les pertes résistives tout en offrant de la flexibilité au niveau de la géométrie des contacts. La mise en module de cellules ayant ce design de métallisation a ensuite été étudiée, et un module de 4 cellules IBC Si-HJ a pu être fabriquéThis thesis studies the fabrication and the optimization of a new structure to enhance the efficiency of crystalline silicon based solar cells. This new cell design uses a-Si:H/c-Si heterojunction (Si-HJ) technology applied on interdigitated back contact structures (IBC). With IBC Si-HJ solar cells, the efficiency potential is theoretically higher than 25%. Their fabrication requires to pattern doped a-Si:H and the associated metallization on the same side. The implementation of those process steps has been carefully studied. All processes used in this study are potentially industrial (PECVD, sputtering, screen-printing, and laser) and the obtained structure without buffer layer between the BSF and the emitter allows to reduce fabrication steps. Issues linked to this design have been investigated. Within the frame of this work, the maximum efficiency reached on reduced size devices (25cm²) with n-type substrate and is 19% which is the 3rd best result worldwide. The cell performances are still limited by the absorption of front surface passivating layer (a-Si:H) and by the low doped layer conductivity. Several optimization ways are explored in this study. An innovative metallization process is then elaborated to allow large area solar cell fabrication while limiting resistive losses and offering more flexibility on metallized pattern. The interconnection and the encapsulation of cells with this metallization design have been illustrated and a module with 4 cells has been fabricated
12
Meemongkolkiat, Vichai. "Development of high efficiency monocrystalline Si solar cells through improved optical and electrical confinement". Diss., online access from Digital Dissertation Consortium, 2008. http://libweb.cityu.edu.hk/cgi-bin/er/db/ddcdiss.pl?3346030.
Testo completo
13
Martini, David M. "Metallization and Modification of Low-k Dielectric Materials". Thesis, University of North Texas, 2008. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc9754/.
Testo completoAbstract (sommario):
Aluminum was deposited onto both Teflon AF and Parylene AF surfaces by chemical vapor deposition of trimethylaluminum. This work shows that similar thin film (100 Angstroms) aluminum oxide adlayers form on both polymers at the low temperature dosing conditions used in the studies. Upon anneal to room temperature and above, defluorination of the polymer surfaces increased and resulted in fluorinated aluminum oxide adlayers; the adlayers were thermally stable to the highest temperatures tested (600 K). Angle-resolved spectra showed higher levels of fluorination toward the polymer/adlayer interface region. Copper films were also deposited at low temperature onto Teflon AF using a copper hexafluoroacetylacetonate-cyclooctadiene precursor. Annealing up to 600 K resulted in the loss of precursor ligands and a shift to metallic copper. As with aluminum adlayers, some polymer defluorination and resulting metal (copper) fluoride was detected. Parylene AF and polystyrene films surfaces were modified by directly dosing with water vapor passed across a hot tungsten filament. Oxygen incorporation into polystyrene occurred exclusively at aromatic carbon sites, whereas oxygen incorporation into parylene occurred in both aromatic and aliphatic sites. Oxygen x-ray photoelectron spectra of the modified polymers were comparable, indicating that similar reactions occurred. The surface oxygenation of parylene allowed enhanced reactivity toward aluminum chemical vapor deposition. Silicon-carbon (Si-Cx) films were formed by electron beam bombardment of trimethylvinylsilane films which were adsorbed onto metal substrates at low temperatures in ultra-high vacuum. Oxygen was also added to the films by coadsorbing water before electron beam bombardment; the films were stable to more than 700 K, with increasing silicon-oxygen bond formation at elevated temperatures. Copper metal was sputter deposited in small increments onto non-oxygenated films. X-ray photoelectric spectra show three-dimensional copper growth (rather than layer-by-layer growth), indicating only weak interaction between the copper and underlying films. Annealing at elevated temperatures caused coalescence or growth of the copper islands, with spectra indicating metallic copper rather than copper oxide.
14
Pospíchalová, Eva. "Studie nákupní strategie podniku". Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta podnikatelská, 2016. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-241175.
Testo completoAbstract (sommario):
This diploma thesis analyzes the current state of company´s purchasing strategy. In the introduction is described the company and its production program, followed by theoretical part of the thesis. The suggestion part deals with the application of the issue to the practical example as well as the calculation of savings as a result of the purchasing strategy change over.
15
Fisher, Kate School of Photovoltaic & Renewable Energy Engineering UNSW. "The pitfalls of pit contacts: electroless metallization for c-Si solar cells". Awarded by:University of New South Wales. School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, 2007. http://handle.unsw.edu.au/1959.4/29568.
Testo completoAbstract (sommario):
This thesis focuses on improving the adhesion of electroless metal layers plated to pit contacts in interdigitated, backside buried contact (IBBC) solar cells. In an electrolessly plated, pit contact IBBC cell, the contact grooves are replaced with lines of pits which are interconnected by the plated metal. It is shown, however, that electroless metal layers, plated by the standard IBBC plating sequence, are not adherent on pit contact IBBC solar cells. The cause of this adhesion problem is investigated by examining the adhesive properties of each of the metal layers in the electroless metallization sequence on planar test structures. This investigation reveals that Pd activation of heavily P diffused Si impedes Ni silicide growth and that, in the absence of a silicide at the Ni/Si interface, an electrolessly plated Cu layer will cause the underlying Ni layer to peel away from the substrate. It is also found that the Ni silicidation process itself intermittently causes the unreacted Ni to spontaneously peel away from the substrate. An electroless metallization sequence that results in thick, adhesive Cu deposits on planar < 100> surfaces is developed in this thesis. It is shown that this process leads to the formation of a Ni silicide on both n- and p- type, heavily diffused surfaces. Fully plated, pit contact IBBC solar cells were not able to be fabricated during the course of this work but it is reasonable to expect that the modified plating sequence developed in this work will result in the metal layers being adhesive on these cells.
16
SASSOULAS, PIERRE-OLIVIER. "Decharges partielles et autocicatrisation dans les condensateurs au polypropylene metallise impregne". Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10105.
Testo completoAbstract (sommario):
Afin de determiner s'il est possible d'impregner les condensateurs au polypropylene metallise, nous avons tout d'abord etudie les decharges se produisant au voisinage du bord de metallisation. Cette etude a montre que l'utilisation d'un liquide dielectrique tel que le m/dbt, l'huile de colza ou l'huile silicone, permet une elevation considerable de la tension d'apparition des decharges partielles par rapport aux condensateurs metallises secs. Nous avons mis en evidence l'existence de deux regimes de decharges : les decharges du 1#e#r regime sont dues a des avalanches electroniques dans le liquide, tandis les decharges du 2#n#d regime se produisent dans des bulles de gaz et conduisent tres rapidement au claquage. Nous avons egalement examine l'influence de l'epaisseur de l'isolant, de la pression d'appui et de la nature de l'impregnant. Nous avons ensuite mis au point un dispositif experimental permettant de mesurer l'impulsion de courant et la lumiere emise au cours de l'autocicatrisation. Ce dispositif a ete valide dans un premier temps par des mesures sur des films non impregnes et en etudiant l'influence de l'epaisseur du film de polypropylene, de la nature et de l'epaisseur de la metallisation ainsi que de la pression. Nous avons ensuite etudie comment la presence d'un impregnant modifie le deroulement de l'autocicatrisation. Ces mesures electriques et optiques ont ete completees par des observations au meb, par des analyses chimiques et par une etude thermodynamique visant a determiner la nature des depots formes au cours de l'autocicatrisation, en presence ou non d'un impregnant. Ces experiences ont montre que lors du claquage du polypropylene metallise impregne au m/dbt ou a l'huile de colza, il y a formation de ponts de graphite qui empechent l'isolement du defaut. En revanche, dans l'huile silicone l'autocicatrisation fonctionne parfaitement, grace a la formation d'un depot de sio#2 qui empeche la formation d'un depot conducteur.
17
Kadri, Mohammed. "Formation à basse température et nouvelles techniques de caractérisations [sic] du disiliciure de tungstène WSi2". Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10053.
Testo completoAbstract (sommario):
Le disiliciure wsi::(2) pour la metallisation d'un circuit vlsi (contacts et lignes d'interconnexion) est forme a une temperature aussi basse que possible en utilisant la structure "sandwich" a-si: h(150 a)/w(110 a)/a-si: h(540 a)/c-si implantee par des ions a faible courant et a temperature ambiante. La concentration residuelle d'oxygene dans les couches de w et de a-si:h et a leur interface a une influence decisive sur la formation et la resistivite de wsi::(2). Les plus faibles temperatures de formation de wsi::(2) atteintes sont les plus basses, 550**(o)c apres recuit, 350**(o)c apres implantation de w puis recuit. Les resistivites sont aussi plus faible. Interet et sensibilite de la spectroscopie ir dans la caracterisation des impuretes
18
Marcadal, Christophe. "Étude du dépot de cuivre par MOCVD pour les interconnexions des circuits à très haute densité d'intégration". Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0217.
Testo completoAbstract (sommario):
Avec la reduction des dimensions des circuits integres, les metallisations usuelles a base d'alliages d'aluminium revelent des limitations, en ce qui concerne le temps de propagation du signal dans les interconnexions, ainsi que la duree de vie des circuits. Ceci justifie l'introduction dans les circuits, d'un nouveau type de metallisation, le cuivre. En effet, les proprietes intrinseques de celui ci (faible resistivite 1,67. Cm et bonne tenue aux phenomenes d'electromigration), permettront de depasser les limitations actuelles. Le but de cette these etait donc, la mise au point du procede de depot du cuivre, afin de permettre la realisation d'interconnexions cuivre, dans les circuits integres, en utilisant une architecture dual damascene. Le procede de depot developpe est le depot chimique en phase vapeur, a partir d'un precurseur organo metallique, le cupraselect. Cette etude a ete realisee sur un equipement de type industriel. Les principaux objectifs de cette etude etaient : * l'obtention d'une vitesse de depot pleine plaque superieure a 200 nm/mn. * le remplissage sans vide de motifs dual damascenes de facteur de forme eleves (>4). * l'optimisation de l'adherence de la couche de cuivre sur son substrat afin de permettre la realisation de l'etape de polissage mecano chimique necessaire la confection d'interconnexions en architecture dual damascene. Au cours de cette etude, le role de la vapeur d'eau, en temps qu'additif a ete mis en evidence, que ce soit lors de l'etape de nucleation du cuivre, mais aussi lors de la phase de croissance du depot. L'utilisation de la vapeur d'eau a permis l'augmentation de la vitesse de depot par un facteur 1,7. L'introduction d'un systeme d'injection liquide directe du precurseur, nous a permis d'atteindre apres optimisation des vitesses de depot elevees (>200 nm/mn) ainsi que de remplir des motifs de facteur de forme >4. Nous avons etudier l'effet de differents parametres sur l'adherence de la couche de cuivre sur son substrat, notamment l'effet d'une etape de recuit thermique. Cette etape a conduit a l'obtention d'une adherence suffisante pour permettre la realisation d'un polissage mecano chimique du cuivre. Enfin, cette etude a permis la realisation d'un niveau complet d'interconnexions (lignes et vias) cuivre en technologie dual damascene sur une serie de processeurs.
19
Dassapa, Chandrasekar. "Couches minces de tungstène déposées par le procédé C. V. D. Pour la métallisation des circuits intégrés". Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10117.
Testo completoAbstract (sommario):
Le tungstene depose par le procede l. P. C. V. D. Semble etre un materiau susceptible d'apporter des solutions aux nombreux problemes d'interconnexion poses par la diminution constante de la taille des circuits integres. Ce memoire presente le travail portant sur les themes suivants: 1) optimisation des conditions de depot de tungstene et caracterisation, 2) caracterisation de l'interface tungstene-silicium, 3) stabilite thermique de la structure w/si et 4) faisabilite de l'utilisation du tungstene comme une barriere de diffusion dans la structure al/w/si
20
Fornara, Pascal. "Modélisation et simulation numérique de la croissance des siliciures pour la microélectronique". Université Joseph Fourier (Grenoble), 1996. http://www.theses.fr/1996GRE10082.
Testo completoAbstract (sommario):
La miniaturisation des transistors mos n'est plus envisageable sans une etape de metallisation auto-alignee des contacts source/drain et grille (procede salicide: self aligned silicide). Dans les technologies mos actuelles, le siliciure le plus couramment utilise est le disiliciure de titane: tisi#2. La siliciuration ayant une influence a la fois sur les dopants et sur la topographie, elle a un impact evident sur les dispositifs. Afin de garantir des simulations electriques precises, la modelisation des procedes technologiques submicroniques doit donc etre capable de prendre en compte cette etape. Dans ce travail, nous avons developpe un modele general de croissance des siliciures et nous l'avons implemente dans un simulateur de procede bidimensionnel. Nous avons demontre qu'il etait possible de simuler la croissance d'un siliciure aussi bien par diffusion du silicium que par diffusion du metal, ainsi que la siliciuration par depot selectif en phase vapeur. Les parametres du modele ont ete ajustes afin d'obtenir des cinetiques de croissance du tisi#2 en bon accord avec les resultats experimentaux. Nous avons montre que notre modele permettait de rendre compte d'effets topographiques bidimensionnels (absence de croissance sous l'espaceur, courbure de la couche de tisi#2 sur les grilles de polysilicium,), a condition de faire dependre certains parametres des contraintes mecaniques generees pendant la croissance de la couche. L'influence de la siliciuration sur la redistribution des dopants a ete analysee ; la simulation a confirme que la segregation du bore a l'interface tisi#2/si etait responsable de la degradation des resistances d'acces des contacts siliciures sur silicium dope au bore. L'injection de lacunes pendant la siliciuration a egalement ete calibree grace aux resultats experimentaux et, par des simulations de procedes et de dispositifs, nous avons montre que ce phenomene pouvait induire une redistribution des dopants a longue distance. L'outil que nous avons developpe apporte donc une aide a l'optimisation du procede de siliciuration dans les technologies silicium
21
Dutron, Anne-Marie. "Dépots LPCVD de siliciures ternaires Me-Si-N (Me= Re, W, Ti, Ta) pour des applications en microélectronique". Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0092.
Testo completoAbstract (sommario):
Dans la metallisation avancee des circuits integres, le cuivre est envisage comme futur metal d'interconnexion et de contact. Cependant, son utilisation reste conditionnee par l'usage d'une barriere de diffusion tres performante susceptible de bloquer sa migration lors de traitements thermiques dans les materiaux voisins constitutifs des circuits integres. Cette etude a concerne l'elaboration par lpcvd de siliciures ternaires de type me-si-n (me= re, w, ti, ta) sur substrat de sio#2, et plus particulierement elle s'est orientee vers le choix d'une barriere de diffusion adequate repondant aux criteres requis pour une possible application industrielle. Une etude thermodynamique au prealable a notamment permis de classer les quatre materiaux en differentes categories. L'etude experimentale a montre que les systemes a base de metaux depourvus de nitrures men (cas du rhenium) ou depourvus de nitrures men stables (cas du tungstene) etaient obtenus a l'etat amorphe ou nanocristallise. En revanche les materiaux tisin et tasin dont les nitrures metalliques sont stables ont ete deposes a l'etat cristallise. Les caracterisations physico-chimiques des films ternaires ont ete realisees par diffraction rx, rutherford backscattering spectrometry, microscopies electroniques a balayage et a transmission, resistivite electrique, spectrometrie photoelectronique. Nous avons montre que le procede lpcvd utilise permettait un excellent recouvrement des marches et semblait donc plus interessant qu'un procede pvd. Les performances des quatre systemes me-si-n (me= re, w, ti, ta) en presence de cuivre et sous traitements thermiques ont ete evaluees de maniere exploratoire par analyse auger ainsi que par une caracterisation electrique c (v). Les proprietes du materiau ternaire wsin, en particulier sa morphologie amorphe, sa faible temperature de depot, sa resistivite electrique voisine de 1milliohm. Cm et ses performances, correspondent aux principaux criteres de selection d'une barriere de diffusion adequate
22
Harajli, Zeinab. "Synthesis, characterisation and thermal evaluation of a new generation of metalised ceramic materials". Thesis, Lyon, 2022. http://www.theses.fr/2022LYSEI016.
Testo completoAbstract (sommario):
Une gestion thermique efficace est souvent considérée comme une étape clé vers un système technologique réussi. L'élimination rapide de l'excès de chaleur, des systèmes électroniques exposés à des températures extrêmes, améliore la fiabilité et empêche la défaillance prématurée de ces systèmes. De nos jours, les approches habituelles, pour évacuer la chaleur et maintenir le système à une température souhaitée, consistent à utiliser un dissipateur thermique à semi-conducteur ou un système complexe de contrôle de vitesse de ventilateur qui repose sur une mesure continue de la température. Cependant, l'optimisation d'un dissipateur thermique à semi-conducteur très efficace nécessite le contrôle de diverses propriétés intrinsèques et extrinsèques à différentes échelles, car le flux thermique macroscopique et le transport de chaleur dépendent des propriétés vibrationnelles microscopiques. En outre, l'utilisation généralisée de dissipateurs thermiques à semi-conducteurs hautement efficaces nécessite la capacité de les métalliser et de former des structures multicouches. En raison de ses vitesses de groupe de phonons élevées, le nitrure d'aluminium (AlN) semble être l'un des meilleurs candidats pour la fabrication de dissipateurs thermiques à semi-conducteurs efficaces. Dans cette thèse, nous avons comme objectif de développer une nouvelle technologie d’un substrat à base de la structure Métal/AlN/Métal à haute diffusivité thermique pour des applications à haute température (>300°C). Cette thèse vise à développer des technologies d'électronique de puissance hautement efficaces, intégrées et fiables fonctionnant à haute température pour l'automobile, l'aéronautique et l'énergie. Dans un premier temps, nous avons élaboré des films minces de molybdène pour métalliser le nitrure d'aluminium et synthétiser nos nouveaux substrats de dissipateur thermique pour les modules de puissance. Ensuite, nous avons optimisé les dispositifs établis en étudiant leurs propriétés physico-chimiques et en mettant l'accent sur leurs performances thermiques. Enfin, nous avons étudié les performances des échantillons en utilisant une imagerie souterraine et tout en augmentant la température afin de surveiller la formation de défauts. La caractérisation thermique et l'imagerie souterraine des échantillons ont été effectuées à l'aide de notre nouvelle configuration de déviation de faisceau photo-thermique, dans laquelle nous installons un laser IR pour chauffer les échantillons et qui génère des bosses thermiques qui sont mesurées par des faisceaux de sonde déviant à différents endroits de l'échantillonEfficient thermal management is often considered a key step towards a successful technological system. The fast removal of excess heat from electronic systems exposed to temperature extremes improves the reliability and prevents the premature failure of these systems. Nowadays, the usual approaches to evacuate heat and maintain the system at the desired temperature consist in using a semiconductor heat sink or a complex fan speed control system that relies on continuous temperature measurement. However, the optimization of a highly efficient semiconductor heat sink requires the control of diverse intrinsic and extrinsic properties at different scales because the macroscopic thermal flow and heat transport depend on microscopic vibrational properties. Besides, widespread use of highly efficient semiconductor heat sinks requires the ability to metalize them and form multilayer structures. Due to its high phonon group velocities, Aluminium Nitride (AlN) appears to be one of the best candidates for the manufacturing of efficient semiconductor heat sinks. In this PhD. thesis work, we intend to develop a new substrate technology Metal/AlN/Metal structures with high thermal diffusivity for integrated power systems for high-temperature applications (>300°C). This PhD. Aims at developing highly efficient, integrated and reliable power electronics technologies operating at high temperatures for automotive, aeronautic, and energy applications
23
RICHARD, EMMANUEL. "Etude du dépôt MOCVD de TiN et de son intégration comme matériau barrière pour la métallisation du cuivre". Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10081.
Testo completoAbstract (sommario):
Avec la reduction des dimensions caracteristiques des circuits integres, il est necessaire de diminuer les capacites entre lignes d'interconnexions ainsi que leurs resistances et d'ameliorer la fiabilite des interconnexions. L'introduction d'une metallisation cuivre permet de depasser les limitations actuelles. Cependant, l'integration du cuivre dans des structures d'interconnexions necessite l'introduction de nouveaux materiaux. Ces couches d'interface doivent verifier les proprietes suivantes : * empecher la diffusion du cuivre dans le silicium et dans les dielectrique meme pour des epaisseurs de films inferieures a 20 nm * avoir une faible resistivite (<300cm) * etre une couche d'interface assurant l'adherence du cuivre sur son substrat, permettant ainsi d'utiliser le polissage mecano-chimique lors de la fabrication des interconnexions en architecture double damascene * conformite de la couche deposee sur des motifs de facteurs de forme elevee (>4) le nitrure de titane (tin) est utilise couramment comme materiau barriere de diffusion et comme couche d'adherence dans l'industrie des semi-conducteurs. Le depot pvd de tin ne permet pas d'obtenir une bonne conformite de la couche deposee sur des motifs a facteurs de forme eleve. Le depot de tin par cvd a partir d'une chimie inorganique conduit a des couches a resistivites importantes contenant un pourcentage de chlore eleve a des temperatures inferieures a 500c. Au cours de cette etude, nous avons evalue et optimise un nouveau procede de depot cvd qui consiste a repeter de facon recurrente un depot pyrolytique du tin a partir d'un precurseur organometallique, le tetrakis (dimethylamino) titane (tdmat) et un traitement du film avec un plasma n#2/h#2. Les parametres de l'etude sont l'epaisseur initiale de la couche avant le traitement plasma (5 et 10 nm), la puissance du plasma et de la duree du traitement. Une correlation a ete realisee entre les performances en tant que couche barriere a la diffusion du cuivre et couche d'adherence, et les caracteristiques intrinseques du materiau tin.
24
"Effects of metallization on optical properties of ZnO thin films". 2006. http://library.cuhk.edu.hk/record=b5892774.
Testo completoAbstract (sommario):
Lai Chung Wing = 金屬膜覆蓋在氧化鋅上之光學變化 / 黎頌榮.Thesis submitted in: July 2005.
Thesis (M.Phil.)--Chinese University of Hong Kong, 2006.
Includes bibliographical references.
Text in English; abstracts in English and Chinese.
Lai Chung Wing = Jin shu mo fu gai zai yang hua xin shang zhi guang xue bian hua / Li Songrong.
Acknowledgements --- p.i
Abstract --- p.ii
摘要 --- p.iii
Table of contents --- p.iv
List of Figures --- p.vi
Chapter Chapter 1 --- Introduction
Chapter 1.1. --- Motivation --- p.1-1
Chapter 1.2. --- Literature Review --- p.1-2
Chapter 1.3. --- Our Study --- p.1-4
References --- p.1-6
Chapter Chapter 2 --- Methodology and Experiments
Chapter 2.1. --- RF sputtering --- p.2-1
Chapter 2.1.1. --- Setup of RF sputtering --- p.2-2
Chapter 2.1.2. --- Sample preparation --- p.2-3
Chapter 2.2. --- Scanning electron Microscope --- p.2-4
Chapter 2.3. --- Cathodoluminescence --- p.2-5
Chapter 2.3.1. --- Background of CL --- p.2-6
Chapter 2.3.2. --- Room temperature CL studies --- p.2-7
Chapter 2.3.3. --- Software: Casino --- p.2-8
Chapter 2.3.4. --- Depth resolved CL studies --- p.2-10
Chapter 2.3.5. --- Power dependent CL studies --- p.2-11
Chapter 2.4. --- Photoluminescence
Chapter 2.4.1. --- General background of PL --- p.2-11
Chapter 2.4.2. --- Room temperature PL studies --- p.2-12
Chapter 2.4.3. --- Quantum efficiency measurement --- p.2-13
Chapter 2.5. --- Optical transmission measurement --- p.2-13
References --- p.2-15
Chapter Chapter 3 --- Experimental Results and Data Analysis
Chapter 3.1. --- Study of Optical emissions of bare and Au-capped ZnO --- p.3-1
Chapter 3.1.1. --- RT-luminescence of ZnO --- p.3-1
Chapter 3.1.2. --- RT- Luminescence of Au- capped ZnO films --- p.3-2
Chapter 3.2. --- RT-luminescence of metal capped ZnO --- p.3-7
Chapter 3.3. --- Power dependent and depth Resolved CL --- p.3-10
Chapter 3.3.1. --- Dependence of the CL on beam energy --- p.3-10
Chapter 3.3.2. --- Dependence of the CL intensity on beam energy --- p.3-13
Chapter 3.4. --- Dependence of metal thickness on the RT- luminescence --- p.3-17
References --- p.3-19
Chapter Chapter 4 --- Discussions
Chapter 4.1. --- General discussions --- p.4-1
Chapter 4.2. --- Surface recombination Velocity
Chapter 4.2.1. --- Quantum Efficiency --- p.4-2
Chapter 4.2.2. --- Simulation of the dependence of surface recombination velocity on the CL intensity of ZnO --- p.4-5
Chapter 4.3. --- Effects of metallization on MgZnO/ZnO bilayer --- p.4-10
Chapter 4.4. --- Surface plasmon --- p.4-13
Chapter 4.5. --- PL measurement from the backside of substrate --- p.4-18
Chapter 4.5.1. --- Au and Ag coating by sputtering --- p.4-19
Chapter 4.5.2. --- Au and Ag coating by thermal evaporation --- p.4-21
Chapter 4.6. --- Au coating spaced by MgO --- p.4-23
Chapter 4.7. --- Optical transmission of Au-capped ZnO --- p.4-25
Chapter 4.8. --- Cross Section images by AFM and TEM --- p.4-27
Chapter 4.9. --- Application: optical improvement of semiconductor --- p.4-30
Chapter 4.10. --- Summary --- p.4-32
References --- p.4-34
Chapter Chapter 5 --- Conclusions --- p.5-1
Appendix I --- p.A
Appendix II --- p.K
25
Howell, Robert S. "Advanced metallization and applications to large area active matrix arrays and polysilicon thin film transistors /". Diss., 2000. http://gateway.proquest.com/openurl?url_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:dissertation&res_dat=xri:pqdiss&rft_dat=xri:pqdiss:9995527.
Testo completo