Bibliografie tematiche / Diffraction des rayons-X à incidence rasante

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Letteratura scientifica selezionata sul tema "Diffraction des rayons-X à incidence rasante"

Autore: Grafiati

Pubblicato: 26 ottobre 2024

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Articoli di riviste sul tema "Diffraction des rayons-X à incidence rasante"

Brunel, M., e F. de Bergevin. "Diffraction d'un faisceau de rayons X en incidence très rasante". Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography 42, n. 5 (1 settembre 1986): 299–303. http://dx.doi.org/10.1107/s010876738609921x.

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Hélary, Doriane, Evelyne Darque-Ceretti, Anne Bouquillon, Marc Aucouturier e Gabriel Monge. "Contribution de la diffraction de rayons X sous incidence rasante à l'étude de céramiques lustrées." Revue d'Archéométrie 27, n. 1 (2003): 115–22. http://dx.doi.org/10.3406/arsci.2003.1047.

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Arnaud, Y., M. Brunel, A. M. De Becdelivre e P. Thevenard. "Étude par diffraction de rayons X en incidence rasante (GIXD) de surfaces métalliques implantées en azote". Journal de Chimie Physique 84 (1987): 341–45. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1987840341.

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Barbier, A., G. Renaud e O. Robach. "Étude de la croissance de l'interface Ni/MgO(001) par diffraction de rayons X en incidence rasante". Le Journal de Physique IV 08, PR4 (giugno 1998): Pr4–221—Pr4–226. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1998427.

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Treheux, D., e H. Jaffrezic. "Quinze ans d’expérience en diffraction X sous incidence rasante". Matériaux & Techniques 88, n. 3-4 (2000): 61–67. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/200088030061.

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Andreazza, P., X. de Buchere e R. Erre. "Diffraction des rayons X en incidence rasante pour l'analyse des transformations structurales de surfaces d'aciers induites par implantation ionique multiple". Le Journal de Physique IV 06, n. C4 (luglio 1996): C4–399—C4–408. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1996436.

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Barbier, A., G. Renaud, O. Robach e P. Guénard. "La diffraction de rayons X en incidence rasante à l'ESRF : application à l'étude de surfaces et d'interfaces à base d'oxydes". Le Journal de Physique IV 08, PR5 (ottobre 1998): Pr5–203—Pr5–213. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1998526.

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Erre, D., H. Jibaoui e J. Cazaux. "Microscopie X par réflexion totale et diffraction de Kossel à incidence rasante : premiers résultats". Le Journal de Physique IV 06, n. C4 (luglio 1996): C4–393—C4–398. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1996435.

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Pelletier, H., M. Bach, J. J. Grob e P. Mille. "Caractérisation du mode de durcissement structural des couches implantées à haute énergie par les techniques de nanoindentation et de diffraction des rayons X en incidence rasante". Le Journal de Physique IV 10, PR10 (settembre 2000): Pr10–245—Pr10–254. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20001027.

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Houpert, C., L. Bourdeau e O. Valfort. "Apport de la diffraction X sous incidence rasante pour l’étude microstructurale d’un acier 316L implanté à l’azote". Revue de Métallurgie 90, n. 9 (settembre 1993): 1106. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199390091106.

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Tesi sul tema "Diffraction des rayons-X à incidence rasante"

VERON, MARIE-BENOITE. "Etude des reconstructions de surface de cdte par diffraction de rayons x et d'electrons en incidence rasante". Paris 6, 1996. http://www.theses.fr/1996PA066428.

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Abstract (sommario):

Le travail de cette these porte sur l'etude des trois phases de surface de cdte (001) en fonction de la temperature par deux techniques: la diffraction de rayons x en incidence rasante (gixd) pour l'obtention des parametres structuraux et la diffraction d'electrons rapides (rheed) pour des etudes in-situ dans le bati d'epitaxie. L'etude par gixd de la phase mixte c(2x2)+(2x1) a mis en evidence une tres forte anisotropie de taille des domaines reconstruits, intrinseque a cette phase et due a la presence de parois d'antiphase, observees par de microscopie a effet tunnel. Les mesures de gixd ont confirme le modele de lacunes de cd (stoechiometrie 0. 5 monocouche) pour la reconstruction c(2x2) et quantifie le rapprochement des atomes de cd de surface avec la premiere couche de te, confirmant ainsi le modele theorique etabli pour le compose isomorphe znse. De plus, dans le cas de cdte la propagation de la deformation dans les couches profondes a pu etre determinees jusqu'a la sixieme couche. Le suivi quantitatif par rheed de l'intensite de la tache speculaire de la surface (2x1) de plus basse temperature a apporte la preuve d'une stoechiometrie continument variable entre 240c et 280c, liee a la desorption de tellure. Nos mesures de diffraction mettent en evidence un changement de structure et montrent que ces surfaces de diverses stoechiometries sont stables sous vide. Le suivi de l'intensite de la tache speculaire rheed sur la surface (2x1) de haute temperature a mis en evidence deux mecanismes paralleles pour les processus inverses de sublimation et de croissance par epitaxie de jets moleculaires alternes. Ces mecanismes mettent en uvre quatre etapes bien identifiees et dont la cinetique est controlee par la mobilite des atomes de cd. De plus, ces experiences montrent que la surface de sublimation serait une surface terminee cd

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Bensaid, Abdelmounim. "Etudes de couches minces par diffraction et fluorescence des rayons X en incidence très rasante : application au silicium poreux et au silicium sur alumine". Grenoble 1, 1988. http://www.theses.fr/1988GRE10144.

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Abstract (sommario):

L'utilisation d'un faisceau RX en incidence très rasante permet d'éviter les effets dûs au support. Application à la caractérisation de couches de Si poreux. Au cours de cette étude : Détermination de la densité en surface des couches, mise en évidence de la présence de pores et détermination de leur taille, étude de l'influence de ces pores sur le paramètre cristallin. L'étude de l'épitaxie Si/corindon a montré la possibilité d'utiliser les RX en incidence rasante pour le trace de profils de densité en profondeur et pour l'étude des variations structurales à l'interface

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GOUDOT, ANNE. "Structures microscopiques dans les films de langmuir d'acides carboxyliques fluores. Etude par diffraction en incidence rasante et reflectivite des rayons x". Paris 6, 1993. http://www.theses.fr/1993PA066104.

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Abstract (sommario):

Ce travail porte sur des films de langmuir d'acides carboxyliques a chaines perfluorees (c#1#1f#2#3cooh) ou mixtes fluorees/hydrocarbonees (c#1#0f#2#1ch#2cooh, c#8f#1#7(ch#2)#2cooh, c#8f#1#7(ch#2)#4cooh et c#8f#1#7(ch#2)#1#0cooh). Leurs diagrammes de phase ont ete etudies par des mesures d'isothermes de pression de surface, de reflectivite x et de diffraction x en incidence rasante. Nous montrons que les diagrammes de phase des films des acides c#1#1f#2#3cooh et c#1#0f#2#1ch#2cooh sont simplifies par rapport a ceux, complexes, des films d'acides gras fluorees qu'entre chaines hydrocarbones: ceci s'explique en grande partie par l'existence d'interactions de van der waals beaucoup plus fortes entre chaines hydrocarbonees, qui amenent une condensation tres compacte des amphiphiles et conduisent a un haut degre de cristallinite des phases condensees. La symetrie quasi-cylindrique des chaines fluorees, du fait de leur conformation helicoidale, et leur plus grande rigidite (elles presentent moins de defauts gauches) contribuent a en faciliter la condensation. Avec l'insertion de 4 groupements ch#2 entre la chaine fluoree et la tete polaire, nous avons observe que le diagramme redevient complexe et rappelle celui des acides gras hydrocarbones. Nous avons constate que la zone de coexistence gaz/liquide condense des films de c#1#1f#2#3cooh est tres etroite: ils peuvent etre gazeux a des aires par molecule aussi faibles que 60 a#2/mol a 20c. Nous montrons que ce comportement tres singulier est du a l'existence de fortes repulsions electrostatiques entre les tetes acide carboxylique et nous tirons partie de cette particularite pour determiner pour la premiere fois l'orientation moleculaire en phase gaz dans un film langmuir. A 150 et 200 a#2/mol a 12c, nous observons que les molecules sont couchees a l'interface, du fait de leur interaction attractive avec le substrat aqueux. Quand le gaz est tres dense (i. E. 70 a#2/mol), nous observons qu'elles se redressent de 30c, sous l'effet d'une interaction de volume exclu. Enfin, nous avons mis en evidence l'analogie frappante entre les diagrammes de phase de ces systemes bidimensionnels et ceux des cristaux de fluoroalcanes a 3d

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ETGENS, VICTOR. "Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de znte sur gaas(001) : une etude par diffraction de rayons-x sous incidence rasante". Paris 6, 1991. http://www.theses.fr/1991PA066111.

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Abstract (sommario):

La diffraction des rayons x sous incidence rasante a ete utilisee pour l'etude du debut de l'heteroepitaxie de semi-conducteurs ii-vi sur gaas(001) prepares par epitaxie de jets moleculaires. Les mesures ont ete faites a lure-orsay en utilisant le rayonnement produit par l'anneau de stockage dci. La procedure suivie a ete tout d'abord l'etude de la transition de phase entre les surfaces propres de gaas(001) riches en arsenic c(44)-24 in situ, puis celle des etats precurseurs de te-gaas(001) notamment ceux produit sur les surfaces gaas(001) riches en as (te-gaas 21 et 61) jusqu'a l'heteroepitaxie de znte sur gaas(001) dans le domaine des epaisseurs inferieures a 50 a. Pour l'heteroepitaxie de znte sur gaas(001) (desaccord de parametre de 7. 9%) nous avons utilise la diffraction x et la microscopie electronique a haute resolution de maniere a obtenir des resultats precis sur l'epaisseur critique pour le systeme et a mettre en evidence l'important role que l'histoire thermique joue sur l'etat des contraintes et sur la relaxation. Un debut de croissance bi-dimensionnel a ete constate jusqu'a l'epaisseur de 15 a, en partant d'une surface gaas c(44)

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Leroy, Frédéric. "Diffusion centrale des rayons X en incidence rasante appliquée à l'étude in situ de la croissance de nanostructures : Vers la croissance auto-organisée". Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007372.

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Abstract (sommario):

La diffusion centrale des rayons X en incidence rasante a été appliquée à l'étude in situ de la croissance de nano-objets supportés. En s'appuyant sur une analyse quantitative des mesures expérimentales, la forme, la taille, l'orientation et la distance entre les nanostructures ont été déterminées. Nous avons appliqué cette technique à la caractérisation de la croissance d'agrégats de palladium sur MgO(001). La confrontation des résultats obtenus avec ceux déduits des clichés de microscopie électronique à transmission a permis de valider l'analyse. Plus particulièrement l'énergie d'interface entre les agrégats de palladium et MgO(001) a été déterminée. D'autre part nous avons étudié la croissance auto-organisée de plots de cobalt sur différents substrats nanostructurés. Tout d'abord sur un système modèle, la surface d'Au(111), qui démontre la sensibilité de cette technique aux tous premier stades de l'organisation. Puis sur une surface d'Au(677) crantée et enfin sur un film mince d'argent sur MgO(001) nanostructuré par un réseau de dislocations enterré. Dans chaque cas, la morphologie des plots et le degré d'ordre à longue distance ont été obtenus. Les interférences entre les ondes diffusées par la structuration de la surface et celles diffusées par les plots de cobalt mettent en évidence le phénomène d'auto-organisation et permettent de localiser le site de nucléation-croissance.

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BROSSARD, FABIEN. "Etudes in-situ d'interfaces creees par voie electrochoimique par les techniques d'ondes stationnaires de rayons x et de diffraction de surface sous incidence rasante". Paris 7, 1997. http://www.theses.fr/1997PA077183.

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Abstract (sommario):

Les etudes des interfaces electrochimiques realisees in-situ, a l'aide des techniques de diffraction de rayons x ont, depuis une dizaine d'annees, pris une importance considerable dans la determination structurale de ces interfaces. Les proprietes structurales de la surface si-h(111) ont dicte le choix de cette orientation, tandis que la qualite cristalline du substrat de silicium a permis d'utiliser la technique des ondes stationnaires de rayons x afin d'etudier deux types d'interfaces. La jonction schottky realisee lors du depot de nickel requerant une trop grande epaisseur n'a pu etre caracterise. Le greffage des molecules benzeniques marquees au brome, etudie en parallele par microscopie tunnel (stm), ne resiste pas a l'action du faisceau de rayons x. La mise au point d'une cellule electrochimique innovante, adaptee aux anneaux de stockage de la troisieme generation, nous a amene a choisir une surface assez bien caracterisee : l'or (111) en milieu sulfurique avec ou sans sulfate de cuivre, ceci afin de tester les capacites de cette cellule. L'etude de ces systemes par diffraction de surface sous incidence rasante nous a permis d'eclaircir de nombreuses questions et de confirmer d'autres informations portant sur ces systemes. En particulier nous pensons avoir clairement mis en evidence le role preponderant des sulfate lors de la transition entre les etats non reconstruit et reconstruit de la surface en presence d'acide sulfurique seul. Par contre ceux ci ne jouent dans nos experiences qu'un role mineur lors du balayage anodique de potentiel. Le decapage du depot massif de cuivre par le faisceau (e = 21 kev) devrait etre minimise grace a un hacheur, et a une reduction du temps d'acquisition. Le recours a une geometrie adaptee aux rayons x durs a permis de diminuer tres fortement les temps d'acquisitions des donnees et de se rapprocher ainsi des resultats acquis par stm.

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Bensaid, Abdelmounim. "Etude de couches minces par diffraction et fluorescence des rayons X en incidence très rasante application au silicium poreux et au silicium sur alumine /". Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37611777b.

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Jedrecy, Nathalie. "Etude de surfaces reconstruites et d'heteroepitaxies par diffraction des rayons x en ultra-vide sous incidence rasante gaas(001), de si(001) jusqu'a l'heteroepitaxie gaas/si". Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066179.

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Abstract (sommario):

La comprehension des transformations pouvant s'operer aux surfaces ou interfaces est particulierement importante pour l'elaboration des composants microelectroniques a partir de materiaux semiconducteurs. Le rearrangement des atomes des couches superficielles selon une structure ordonnee, le plus souvent differente de celle du materiau en volume, peut etre etudie grace a la diffraction des rayons x sous incidence rasante, sur les bases de la theorie cinematique. La mesure des intensites diffractees par une surface n'est cependant devenue possible qu'avec l'avenement du rayonnement synchrotron. Par ailleurs, l'environnement ultra-vide implique dans l'etude de la plupart des surfaces a necessite la realisation de dispositifs experimentaux, associant les techniques de diffraction x a celles de preparation et de caracterisation sous ultra-vide. Le couplage d'un diffractometre 4-cercles a une chambre de preparation par epitaxie de jets moleculaires a ete realise a lure (orsay). L'analyse de la reconstruction c(44) sur gaas(001) a confirme la chimisorption de dimeres d'arsenic sur une terminaison (001) as, et revele la coexistence de domaines ordonnes avec une meme symetrie mais des arrangements atomiques differents, expliquant la stchiometrie variable sur cette surface. La conformation asymetrique des dimeres sur la surface propre (001) reconstruite 21 du silicium a pu etre etablie, le caractere symetrique des dimeres d'arsenic sur as/si(001) 21 ayant ete verifie. La methode a aussi ete utilisee pour l'etude in-situ des stades initiaux de l'heteroepitaxie de gaas sur si, particulierement en ce qui concerne l'evolution de la relaxation plastique. Une accommodation non elastique des ilots au stade de la nucleation a ete mise en evidence, ainsi que l'existence d'un gradient de parametre. La croissance a partir d'un depot initial amorphe a aussi ete etudiee

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Wilson, Axel. "Suivi par STM et GIXD de nanoparticules Au-Cu/TiO2(110) : de leur nucléation à leur évolution sous gaz réactifs". Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066469.

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Abstract (sommario):

Nous avons étudié la synthèse, la structure et l'évolution sous gaz de nanoparticules (NPs) bimétalliques Au-Cu sur la surface (110) du rutile TiO2. Les NPs ont été obtenues par évaporation sous UHV. Pendant la croissance, la nature des sites de nucléation et l'évolution des densités et distributions de taille des NPs ont été suivies par microscopie à effet tunnel (STM), tandis que la structure et les relations d'épitaxies avec le substrat ont été suivies par diffraction de rayons X en incidence rasante (GIXD). Ces caractéristiques ont été mesurées sous oxygène, sous monoxyde de carbone ou sous mélange CO+O2 jusqu'à des pressions de 10-5 mbar.Nous montrons par STM que les défauts de la surface de type cluster de TiOx sont des sites de nucléation préférentiels pour les NPs. Par ailleurs, des NPs Au-Cu sont obtenues lors de l'évaporation séquentielle d'Au suivi de Cu. Les résultats de GIXD montrent que le Cu diffuse dans le volume des NPs d'Au initiales et forme une solution solide cfc. Les relations d'épitaxies entre les NPs alliées et le substrat indiquent que l'axe <110> des NPs est parallèle à l'axe [001] du substrat, mais que différentes orientations du plan interfacial sont possibles.En fonction de leur composition, la morphologie et à la structure des NPs sont modifiées sous faible pression d'oxygène. Tandis que les NPs de Cu pur disparaissent progressivement sous gaz, une faible proportion d'Au (de l'ordre de 5%) permet de les stabiliser. Cependant, les mesures de diffraction montrent que le Cu migre à la surface des NPs. Un recuit des NPs sous UHV permet de retrouver leur structure initiale
We have studied the synthesis, the structure and the evolution in reactive environment of Au-Cu bimetallic nanoparticles (NPs) deposited under UHV on a (110) surface of rutile TiO2. During the growth, the type of the nucleation sites and the evolution of both density and size distribution of the NPs were followed with Scanning Tunneling Microscopy (STM), whereas the structure and the epitaxial relations with the substrate were determined using Grazing Incidence X-ray Diffraction (GIXD). These features were measured under oxygen, carbon monoxide and a mix of CO+O2 for pressures bellow 10-5 mbar.We show trough STM imaging that TiOx type of surface defects are a preferential nucleation site for NPs. Moreover GIXD results show that the Cu is able to diffuse inside the initial Au NPs to form a solid solution of fcc structure. The epitaxial relations between alloyed NPs and substrate indicate that the <110> axis of the NPs is parallel to the [001] axis of the substrate, but several orientations for the interfacial plan are possible.According to their composition, the structure and the morphology of the NPs can be modified in the presence of a low pressure of oxygen. Whereas Cu NPs progressively disappear in reactive environment, a small proportion of Au (around 5%) is enough to stabilize the morphology of the NPs. However, diffraction measurements show that in these conditions, the Cu segregates to the surface of the NP. A thermal annealing of the NPs under UHV allow to recover their initial structure

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Merckling, Clément. "Croissance épitaxiale d'oxydes "High-k" sur silicium pour CMOS avancé : LaAlO3, GdO3, γ-Al2O3". Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2007. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/cmerckling.pdf.

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Abstract (sommario):

La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l’apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L’épaisseur requise pour l’isolant de grille devenant trop faible, cela induit une très forte augmentation des courants de fuites à travers le diélectrique. Une solution pour résoudre ce problème est de remplacer la silice (SiO2), qui est l’isolant naturel du substrat de Si, par un autre matériau qui a une constante diélectrique plus élevée que celle de la silice. Avec ces oxydes « high-κ » on peut viser une épaisseur physique d’isolant plus élevée et donc diminuer les courants de fuites tout en maintenant la capacité surfacique du transistor constante. Les solutions industrielles actuelles développées sont à base d’oxydes « high-κ » amorphes. Une alternative serait l’utilisation d’oxydes monocristallins épitaxiés directement sur silicium qui permettrait de retrouver les propriétés de l’oxyde massif et d’obtenir des interfaces abruptes sans présence de couches interfaciales. Cependant le choix du matériau est limité par le désaccord de maille avec le substrat et aussi par la compatibilité et la stabilité thermodynamique des oxydes vis-à-vis du Si. Les matériaux explorés dans cette thèse ont été LaAlO3 et Gd2O3 choisis pour leurs propriétés électroniques (constante diélectrique et discontinuités de bandes) et γ-Al2O3 choisi pour ses qualités thermodynamiques vis-à-vis du Si. La méthode d’élaboration utilisée a été l’épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous avons tout d’abord commencé par étudier le système LaAlO3/Si. Après avoir défini les conditions optimales de croissance (température, pression d’oxygène et vitesse de croissance), par homoépitaxie (sur un substrat de LaAlO3(001)) et hétéroépitaxie (sur un substrat de SrTiO3(001)), nous avons exploré les possibilités de faire croître cet oxyde directement sur Si(001). N’ayant pas pu trouver de fenêtre de croissance compatible, une solution a été d’utiliser une fine couche interfaciale de SrO ou de SrTiO3 pour obtenir une phase solide de LaAlO3 sur Si. Cependant les limitations thermodynamiques de l’interface à base d’alcalino-terreux (Sr) rendent incompatible la réalisation de transistors CMOS. Le deuxième oxyde étudié a été l’oxyde de gadolinium (Gd2O3). Si la croissance s’est révélée monodomaine et de très bonne qualité sur Si(111), nous avons observé une croissance bidomaine sur substrat de Si(001). Ceci provient de l’alignement des plans (110) de l’oxyde sur les plans (001) du Si, tournés de 90° à chaque marche de silicium, Nous avons alors montré que l’utilisation d’un substrat vicinal de Si(001) désorienté de 6° permet de favoriser qu’un seul domaine de Gd2O3. Malgré ses limitations (formation de silicate interfacial à hautes températures) le système Gd2O3/Si est actuellement considéré comme un des plus intéressants pour l’intégration dans les technologies CMOS. Afin d’obtenir des interfaces abruptes et stables thermodynamiquement, nous avons exploré les possibilités offertes par l’oxyde γ-Al2O3. Après avoir mis en évidence la possibilité de faire croître un film fin de γ-Al2O3(001) pseudomorphe avec une interface cohérente, nous avons défini différents assemblages possibles combinant γ-Al2O3 et un oxyde « high-κ ». Une solution originale qui permet d’intégrer un oxyde « high-κ » cristallin sur Si avec une interface abrupte et stable a été proposée
Résumé en anglais

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