Tesi sul tema "Couches semi-conductrices"

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Abani, Mohaldine. "Préparation et étude de couches minces semi-conductrices pour applications électro-optiques". Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37611069s.

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Lam, Quang Vinh. "Élaboration et caractérisation de couches minces vitreuses dopées par des nano-particules semi-conductrices". Lille 1, 2006. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2006/50376_2006_146.pdf.

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Abstract (sommario):
Ce travail concerne la recherche de nouvelles solutions pour l'optique non-linéaire intégrée. Les verres dopés par des nanoparticules semi-conductrices constituent un exemple de matériaux dont les potentialités en optique non-linéaIre sont depuis longtemps reconnues, quoique non encore exploitées. Les effets dus au confinement confèrent aux nanoparticules des propriétés physiques spécifiques par rapport à celles de la phase massive. Le mouvement des porteurs de charge dans une nanoparticule étant limité par le volume, l'énergie cinétique devient discrète et les niveaux s'écartent les uns des autres. C'est cette propriété de discrétisation des niveaux, associée à l'élargIssement du gap semi-conducteur, qui peut être exploitée en optique non-linéaire. Afin de conférer à ces guides d'onde des propriétés optiques non-linéaires, nous avons dopé le sol de TiO2 avec des nanoparticules de CdS ou de PbS produits par la méthode colloïdale des ligands de surface. Nous avons optimisé les paramètres de synthèse de couches minces sol-gel de TiO2 optiquement guidantes, non dopées et dopées avec des nanoparticules de CdS ou de PbS. Les films minces recuits à 100 ou 200°C sont homogènes, exempts de craquelures mais guident la lumière avec une forte atténuation (1 à 1,5 dB/cm). En solution, les nanocristaux produits par une méthode colloïdale présentent une distribution de taille étroite avec un diamètre moyen contrôlé entre 3 et 6 nm. Nous avons observé le ralentissement de leur croissance par la matrice TiO2 et une stabilisation de la solution. L'indice non-linéaire n2 des solutions, mesuré par technique Z-scan, vaut environ -2x10-18 m2/W, valeur comparable à celles reportées dans la littérature. Pour un film TiO2 dopé CdS (30%) et traité à 500°C, l'absorption induite mesurée (β = 16x10-7m/W) est de plusieurs ordres de grandeur supérieure à celle du cristal massif, ce qui est relié aux nombreux niveaux de défauts. Par la technique de pulvérisation radiofréquence, nous avons déposé des nanoparticules d'InSb dans des couches minces de silice et utilisé 2 types de protocole pour leur traitement thermique. Les mesures de non-linéarité on révélé un coefficient d'absorption induite β également bien supérieur à celui d'lnSb massif. On a mis en évidence l'influence du régime continu ou lmpulsionnel des lasers sur les propriétés du matériau.
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Caruge, Jean-Michel. "Etude du transport local de charges dans les couches semi-conductrices désordonnées par spectroscopie à une molécule". Bordeaux 1, 2001. http://www.theses.fr/2001BOR12347.

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Abstract (sommario):
L'extrême sensibilité et la finesse des raies de molécules uniques, à basse température, permettent d'étudier la dynamique des solides et de révéler des phénomènes physiques à l'échelle du nanomètre. Nous montrons qu'une molécule unique peut sonder localement le transport électrique dans des couches minces semi-conductrices. Deux systèmes sont étudiés des molécules de tétra-tert-butyle terrylène (TBT), déposées en faible concentration, sur des couches d'oxyde de zinc (Zn0) et d'oxyde d'indium (ITGO). Sur ZnO, la distribution statistique de la largeur des raies moléculaires en fonction de la conductivité électrique révèle un couplage important entre les électrons libres et les molécules de TBT. En régime isolant, nous montrons qu'environ 5 % des molécules sont localisées à proximité de sites de conduction par sauts tunnels. La conduction électrique en régime diffusif est fortement inhomogène, et se manifeste par la formation de points chauds localisés sur une distance inférieure à cent nanomètres. Sur ITGO métallique et granulaire, 80 % des impuretés connaissent un déplacement gigantesque de leur fréquence de transition. La réponse temporelle révèle d'une part le temps de relaxation anormalement long du déplacement en fréquence et d'autre part le couplage des impuretés à une distribution d'oscillateurs locaux. Les propriétés de ces systèmes oscillants sont surprenantes : localisation spatiale sur une distance de l'ordre de 30 nm et fréquences de résonance extrêmement basses comprises entre 10 kHz et 1 MHz.
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Arlery, Magali. "Etude par microscopie électronique à transmission de couches et structures semi-conductrices GaN/AlxGa(1-x)N". Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10047.

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Abstract (sommario):
Nous presentons une etude structurale de depots epais de gan sur alumine et d'heterostructures gan / al#xga#1#-#xn de basse dimensionnalite. Les systemes etudies ont ete elabores par epitaxie par jet moleculaire (mbe) ou par depot en phase vapeur d'organo-metalliques (mocvd). La technique d'investigation est la microscopie electronique a transmission, utilisee en modes conventionnel, haute resolution et faisceau convergent. La premiere partie de l'etude traite de la croissance optimisee de couches de gan sur substrat d'alumine. La polarite des depots est le parametre clef de cette croissance. En effet, la presence de domaines d'inversion de polarite ga dans une matrice a polarite n provoque une croissance sous forme d'ilots hexagonaux, tandis qu'une matrice a polarite ga assure une surface de croissance lisse. Les depots realises contiennent tous des dislocations en grande densite (10#+#1#0/cm#2), dont les vecteurs de burgers sont egaux a 1/3 <2,1,1,0>, 1/3 <2,1,1,3> et 0001. Des nanotubes sont formes par l'ouverture locale du coeur de dislocations 0001. Des defauts prismatiques 2,1,1,0 et 0,1,1,0 ont aussi ete observes. Les derniers forment les parois des domaines d'inversion de polarite et introduisent une translation de 1/20001 entre les cristaux de polarites opposees. Dans une seconde partie, differentes heterostructures gan / al#xga#1#-#xn (puits, super-reseaux et boites quantiques) sont etudiees a l'echelle atomique par analyse quantitative des images haute resolution. L'epitaxie de gan sur al#. #1#5ga#. #8#5n reste coherente pour 16 monocouches deposees. Par contre, une relaxation partielle apparait dans un super-reseau gan / aln dont les couches ont une epaisseur superieure a 11 monocouches. Les heterostructures aln / gan sont caracterisees par une faible miscibilite et des interfaces relativement abruptes. Selon la temperature, les couches de gan deposees sur aln adoptent un mode de croissance bidimensionnel ou de type stranski-krastanov. Ce dernier mode de croissance permet le confinement d'ilots de gan dans aln et ouvre la voie a la realisation de boites quantiques.
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MILLET, BENOIT. "Etude electrochimique et photoelectrochimique de couches d'oxydes de cuivre semi-conductrices. Role d'un inhibiteur de corrosion du cuivre". Paris 6, 1994. http://www.theses.fr/1994PA066653.

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Abstract (sommario):
La premiere partie du travail est consacree a l'etude de la structure et des proprietes des films minces d'oxyde de cuivre developpes en milieu nacl 0,5m aere. L'etude du processus de corrosion, apres une heure d'immersion, par des methodes electrochimiques montre que le mecanisme anodique procede en deux etapes successives et est controle par la diffusion de cucl#-#2 a partir de l'electrode. Le mecanisme cathodique est la reduction du dioxygene dissous, reaction controlee par la cinetique. Le comportement de cu#2o est etudie par coulometrie, photoelectrochimie et diverses techniques d'analyses de surface (meb, diffraction x, infra-rouge, esca). La reaction de formation de l'oxyde suit initialement une loi d'avancement lineaire, puis l'epaisseur se stabilise a long terme, tandis qu'une couche de paratacamite se developpe a son tour. Les principales caracteristiques de cu#2o mises en evidence sont sa porosite, son caractere semi-conducteur relie au mode de formation de l'oxyde: de type n pour l'oxyde forme a l'interface metal/oxyde, de type p pour celui developpe par precipitation des ions du cuivre formes a l'interface oxyde/solution. On trouve alors une couche duale n-p qui explique l'arret de croissance lorsque les epaisseurs des deux films sont egales. Dans une deuxieme partie, le comportement du cuivre en presence de benzotriazole (bta), inhibiteur de la corrosion du cuivre, est analyse. Les processus aux electrodes sont fortement modifies: les reactions anodique et cathodique sont sous controle cinetique. La structure double p et n pour l'oxyde apparait presque instantanement. La formation d'un complexe entre les ions cuivreux et le bta, et probablement d'un complexe superoxyde entre les ions cuivrique, l'oxygene et le bta, est a l'origine du developpement d'un oxyde tres mince et tres hermetique, dont sont absents les ions chlorure. Un modele est propose pour expliquer le comportement photoelectrochimique des films superficiels
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Grandidier, Bruno Stievenard Didier. "De la physique de nanostructures semi-conductrices et organiques à l'élaboration d'interfaces bioréactives". Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille, 2007. https://iris.univ-lille1.fr/dspace/handle/1908/200.

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Abstract (sommario):
Reproduction de : Habilitation à diriger des recherches : Sciences physiques. Sciences des Matériaux : Lille 1 : 2005.
Mémoire de travaux. Recueil de publications en anglais non reproduit dans la version électronique. N° d'ordre (Lille 1) : 453. Résumé en français. Curriculum vitae. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Notes bibliogr. Liste des publications et communications.
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Oudrhiri, Hassani Fahd. "Couches minces d'oxydes spinelles et de nanocomposites spinelle-CuO à propriétés semi-conductrices destinées à la réalisation de capteurs de gaz". Toulouse 3, 2009. http://thesesups.ups-tlse.fr/588/.

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Abstract (sommario):
Ces travaux concernent l'élaboration de couches minces monophasées ou nanocomposites par pulvérisation cathodique radiofréquence en vue de leur utilisation comme matériau pour capteurs de gaz. Dans un premier temps nous avons étudié l'influence des conditions de dépôt sur la microstructure des films minces d'oxydes spinelles. La microscopie électronique, l'ellipsométrie et les mesures de surface par la méthode B. E. T ont notamment permis de caractériser finement la microstructure des couches et d'établir un modèle à l'échelle nanométrique qui décrit l'arrangement des grains et la microporosité. Nous avons pu ainsi observer un fort accroissement de la porosité dans les films élaborés avec des conditions de dépôt favorisant les collisions entre particules et, en conséquence, un fort effet d'ombrage entre les grains en croissance (forte pression d'argon et grande distance cible substrat). Dans un deuxième temps, la mise en œuvre de phénomènes de réduction in-situ au cours du procédé de dépôt par pulvérisation cathodique R. F. à partir d'une cible de delafossite CuFeO2 a permis l'élaboration de couches minces nanocomposites CuO/CuxFe3-xO4. Ce type de matériau original associant des oxydes de type "n" et "p" intimement mêlés semble prometteur pour la détection du CO2 et du CO. Nous avons cherché à optimiser la sensibilité de couches minces de 50 nm d'épaisseur, sur différents substrats. Une sensibilité maximale de 97% et 60% a pu être obtenue lors des tests sous CO et CO2, à 400 et 250°C, respectivement
This work involves the deposition of single-phase or nanocomposite thin film by RF sputtering for use as materials for gas sensors. As a first step, we studied the influence of deposition conditions on the microstructure of spinel oxides thin films. Electron microscopy, ellipsometry and surface area measurements by the B. E. T. Method made it possible to characterize the films microstructure and to establish a model which describes the arrangement of grains and the microporosity at the nanometer scale. We were able to observe a strong increase of the porosity in the films prepared with deposition conditions favouring collisions between particles and, accordingly, a strong shadowing effect between the grains (high argon pressure and long target-substrate distance). In the second step, the reduction phenomena during the deposition process by RF sputtering from a delafossite CuFeO2 target led to the deposition of nanocomposite CuO/CuxFe3-xO4 thin films. This type of original material combining intimately oxides of "n" and "p" type seems promising for the detection of CO and CO2. We sought to optimize the sensitivity of thin layers of 50 nm thickness on different substrates. A maximum sensitivity of 97% and 60% could be obtained when tested in CO and CO2 at 400 and 250°C, respectively
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Bouaifel, Fatiha. "Détection d’interactions moléculaires par LSPR et utilisation de surfaces semi-conductrices pour la dégradation photocatalytique de polluants organiques sous irradiation visible". Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10114/document.

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Abstract (sommario):
Dans cette thèse, deux applications de nanomatériaux sont présentées : la première concerne l’utilisation de la technique LSPR pour la détection d’interactions moléculaires et la seconde est consacrée à l’utilisation de surfaces semi-conductrices de TiO2 et de ZnO pour la photo-catalyse pour la dépollution environnementale. D’abord, nous avons présenté la préparation et la caractérisation d’interfaces plasmoniques d’ITO/Au NSs/ITO. Celles-ci montrent des signaux optiques aussi bien pour des couches minces qu’épaisses d’ITO. Elles permettent une détection LSPR à courte et à longue portée. La chimie « click » a été utilisée pour greffer le CBPQT4+ fonctionnalisé alcynyl sur une interface ITO/Au NSs/ITO terminée « azide ». Les interfaces obtenues ont été utilisées pour démontrer la possibilité d’enregistrer la formation et la rupture de complexes « hôte-invité » (CBPQT+4/TTF) utilisant la technique LSPR. Dans la seconde partie, consacrée à la photocatalyse, nous nous sommes intéressés à deux types de traitements de TiO2 et de ZnO dans le but d’améliorer leur efficacité photocatalytique sous irradiation visible. Nous avons, préparé et caractérisé des lames de quartz recouvertes d’une couche mince de TiO2 de différentes épaisseurs avec et sans nanostructures d’or sous la couche mince de TiO2. La performance photocatalytique de ces interfaces n’est pas exceptionnelle pour la dégradation de la rhodamine B mais elles sont très stables. La dernière partie de la thèse concerne la préparation et la caractérisation de nanostructures de ZnO et de ZnO dopé à l’iode. La substitution des ions d’oxygène par des ions d’iode introduit des niveaux donneurs dans la bande interdite de ZnO qui sont suffisamment superficiels à température ambiante. L’activation d’une transition, dans la bande interdite dans le cas des substrats de ZnO dopé à l’iode, explique les meilleures performances photocatalytiques de ces substrats de la rhodamine B sous irradiation visible. Ces résultats sont très prometteurs pour diverses applications photocatalytiques des substrats à base de ZnO
In this thesis, two applications of nanomaterials are presented: the first concerns the use of the LSPR for the detection of molecular interactions and the second is devoted to the use of TiO2 and ZnO semi-conductive surfaces for photocatalysis in view of environmental remediation. The first part concerns the fabrication and characterization of plasmonic interfaces of ITO/Au NSs/ITO. These surfaces showed optical signals for thin as well as for thick ITO films. These interfaces allowed short and long-range LSPR sensing. The “click” chemistry was used to covalently link an alkynyl-functionalized CBPQT4+ unit to an azide-terminated LSPR interface. Tetrathiafulvalene was used as a model guest molecule to demonstrate the possibility to follow the complexation/decomplexation events by monitoring the change in the LSPR signal. The second part is devoted to photocatalysis. It is focused on the investigation of the effect of two different treatments of TiO2 and ZnO on their photocatalytic efficiency under visible light irradiation. We have first prepared and characterized quartz slides coated with a thin layer of TiO2 with different thicknesses with and without gold nanostructures under the thin layer of TiO2. The photocatalytic performance of these interfaces is not exceptional for the degradation of rhodamine B under visible light irradiation but these interfaces have the advantage of being very stable. The last part of the thesis consists on the preparation of ZnO and iodine-doped ZnO substrates by a hydrothermal chemical deposition, and evaluation of their photocatalytic performance. The substitution of oxygen ions by iodine ions introduces donor levels in the bandgap of ZnO, which are sufficiently shallow at room temperature. The activation of a sub-band gap transition in iodine-doped ZnO nanostructured substrates explains the better performance of these substrates for the photodegradation of rhodamine B under visible light irradiation. These results are very promising in view of various photocatalytic applications of the ZnO-based substrates
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Ehrhart, Gilles. "Élaboration et caractérisation de films vitreux nanostructurés par voie sol-gel : mise en évidence du transfert d'énergie entre les nanoparticules semi-conductrices de CdS ou de ZnS et les ions Eu3+". Lille 1, 2006. http://www.theses.fr/2006LIL10067.

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Abstract (sommario):
Ce travail concerne l'élaboration et la caractérisation de guides d'onde planaires non dopés et dopés par des nanoparticules semi-conductrices et/ou des ions de terre rare. Ce type de dispositif trouve son intérêt dans l'étude de nouveaux systèmes dans le cadre des Technologies Avancées pour les Télécommunications Optiques. Il est bien connu que les systèmes optiques nécessite l'emploi d'amplificateurs afin de compenser les pertes optiques dans les circuits. Ces amplificateurs pourraient avoir un meilleur rendement et une plus grande souplesse grâce au transfert d'énergie entre nanoparticules semi-conductrices et ions de terre rare. En effet, les nanoparticules de semi-conducteur présentent d'une part des sections efficaces d'absorption plus importantes, de plusieurs ordres de grandeur que celles des ions de terre rare, et d'autre part des bandes d'absorption plus larges permettant l'accordabilité du pompage et l'augmentation du rendement optique. Afin d'étudier le phénomène de transfert d'énergie entre les nanoparticules de semiconducteur et les ions de terre rare, nous avons préparé des guides d'onde à base de ZrO2, non dopés et dopés, par le procédé sol-gel. Leurs propriétés optogéométriques ont été déterminées en utilisant la spectroscopie «m-lines» et en mesurant leurs coefficients d'atténuation. La spectroscopie Raman en configuration guidée a été utilisée pour caractériser la structure de ces guides et pour étudier les mécanismes accompagnant leur densification. Cette étude a été complétée par le biais de différentes techniques expérimentales telle que la spectroscopie d'émission utilisant l'ion Eu3+ comme sonde structurale. La mise en évidence de l'Influence du dopage par les ions Eu3+ se traduit par un ralentissement du processus de densification du réseau de zircone. Un autre dopage a ensuite été opéré à l'aide de nanoparticules de CdS et de ZnS. Les précurseurs des métaux et du soufre ont été introduits directement dans le sol de ZrO2 amenant à la précipitation in situ des particules lors du recuit. Leur taille et leurs propriétés d'émission ont été étudiées par les spectroscopies d'absorption UV-visible, d'émission et d'excitation. Enfin, le transfert d'énergie a été caractérisé lors du co-dopage de ZrO2 par ZnS:Eu3+. La spectroscopie d'émIssion de l'ion Eu3+ par excitation dans l'UV nous a montré une exaltation de rémission d'un facteur 42 à 10 K. La spectroscopie d'excitation de l'ion Eu3+ a confirmé l'existence du transfert d'énergie par l'émergence d'une bande liée à l'absorption des particules.
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Ehrhart, Gilles Turrell Sylvia Bouazaoui Mohamed. "Élaboration et caractérisation de films vitreux nanostructurés par voie sol-gel mise en évidence du transfert d'énergie entre les nanoparticules semi-conductrices de CdS ou de ZnS et les ions Eu3+ /". Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille, 2007. https://iris.univ-lille1.fr/dspace/handle/1908/1008.

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Abstract (sommario):
Reproduction de : Thèse de doctorat : Structure et dynamique des systèmes réactifs : Lille 1 : 2006.
N° d'ordre (Lille 1) : 3884. Résumé en français et en anglais. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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Hubert, Cédric. "Synthèse par voie chimique en solution de couches minces semi-conductrices à base de sulfure de zinc : application à la réalisation de cellules solaires de type CuIn(S,Se)2 et CU(In,Ga)Se2". Paris 6, 2007. http://www.theses.fr/2007PA066704.

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Abstract (sommario):
Le remplacement de la couche tampon de CdS par des couches sans cadmium est un des objectifs majeurs à moyen terme de la filière des cellules solaires à base de CIS pour deux raisons principales : la toxicité du cadmium et les limitations associées aux pertes dans l’UV introduites par la couche de CdS. Les efforts de recherche dans ce domaine se sont amplifiés significativement ces dernières années. Des résultats prometteurs ont été obtenus par l’utilisation d’une couche tampon à base de sulfure de zinc (ZnS) déposée par voie chimique en solution. Toutefois, la compréhension des mécanismes de dépôt et des propriétés des films synthétisés est encore faible comparée au dépôt du CdS et fait l’objet de ce travail. Dans une première partie, nous présenterons la filière des cellules solaires en couches minces du type CIGS. Nous détaillerons plus particulièrement le rôle de la couche tampon dans ces structures. Au cours du deuxième chapitre, nous réaliserons l’étude thermodynamique du zinc dans les systèmes de dépôt. En outre, nous prendrons en compte l’effet de la température sur les constantes de stabilité afin de prédire le déplacement des domaines de stabilité de ZnS, ZnO et Zn(OH)2. Puis, par le biais de la microbalance à cristal de quartz, nous déterminerons les mécanismes de dépôt des films de ZnS et nous optimiserons alors les conditions opératoires. Le quatrième chapitre est consacrée à l’analyse des propriétés des films. Finalement, des cellules solaires à base de CuIn(S,Se)2 électrodéposé et à base de Cu(In,Ga)Se2 co-évaporée réalisées avec ces nouvelles couches tampons seront analysées
The preparation of cadmium free buffer layers is one of the major objectives in the medium term for the CIS solar cells field for two principal reasons : the toxicity of cadmium and limitations introduced by the CdS layer on the level of the optimal performances of the cells associated with the losses into UV region. This limitation could be overcome by using wider band gap buffer layers. The efforts of research in this field have been developed significantly these last years. The most promising results have been obtained by using zinc oxy-sulfide buffers prepared by chemical bath deposition. However, the understanding of both deposition mechanism and film properties is by far lower than what is the current status of chemical bath deposition of CdS. In a first part, a general presentation of CIS solar cells is done with a special focus on buffer layers. Then, the synthesis of zinc-oxo-sulfide films from aqueous solution is analysed from a thermodynamic point of view. The competition between the formation of ZnS, Zn(OH)2 and ZnO will be considered. The effect of temperature, leading to significant displacements of the deposition regions, will be treated by introducing its effect on the thermodynamical coefficients. In a third part, by means of microbalance analysis, the deposition mechanism are determined and deposition conditions are optimized. The next chapter is focused on films properties which allowed us to fix experimental conditions for the deposition of dense, compact and uniform ZnS films. Finally, device studies have been carried out on electrodeposited copper indium sulfo-selenide and co-evaporated copper indium-gallium di-selenide absorbers
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Cardenas, Arellano Luis Alfonso. "Etude des propriétés structurales et spectroscopiques des couches ultra-minces d'alcalins déposées sur Si(111) - B". Thesis, Nancy 1, 2010. http://www.theses.fr/2010NAN10009/document.

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Abstract (sommario):
Les propriétés structurales et électroniques de films ultra-minces d'alcalins (K,Cs) déposés sur un substrat de Si(111)-v3´v3R30:B ont été étudiés par diffraction d'électrons lents (LEED), spectroscopie Auger, microscopie à effet tunnel (STM) et photoemission (ARPES, XPS). Un état de surface de symétrie s-pz a été mis en évidence par photoémission résolue en angle celui-ci présentant un maximum au taux optimal. Le site d'adsorption H3 a été identifié par IV-LEED en accord avec les prédictions théoriques. Nos mesures ARPES mettent en évidence un repliement de la bande de surface, son caractère fortement isolant ainsi qu'une largeur de bande très étroite. Dans le cas des dépôts de Césium, le gap est cependant réduit et il apparaît du poids spectral au niveau de Fermi. Ces résultats sont a priori en accord avec le caractère corrélé de ces états, ceux-ci ayant été définis initialement comme des isolants de Mott. Cependant, nous mettons en évidence dans ce travail une nouvelle reconstruction 2v3´2v3 caractérisée par un quadruplement de la maille de surface et associée à un gain d'énergie des électrons participant à l'état de surface. De plus, la dépendance en température des spectres de photoémission suggèrent un fort élargissement Franck-Condon associé à un fort couplage électron-phonon. L'étude des raies de cœur par photoémission haute résolution sur la ligne CASSIOPEE (synchrotron SOLEIL) nous a permis de mettre en évidence un ordre de charge à la surface pour les deux types de reconstruction observées en LEED. Tous nos résultats expérimentaux indiquent un fort couplage avec le réseau des électrons de l'état de surface induit par les alcalins ce qui n'a jamais été reporté auparavant ni fait l'objet de prédictions. Un scénario basé sur l'établissement d'une onde de densité de charge à la surface dans la limite d'un fort couplage électron-phonon est proposé. IL est proposé que la limite de l'isolant bi-polaronique soit atteinte dans le cas des couches ultra-minces d'alcalins/Si(111) offrant ainsi la possibilité d'étudier le comportement des électrons fortement couplés au réseau en présence de corrélations électroniques sur un réseau triangulaire
Low energy electron diffraction (LEED), Auger spectroscopy, scanning tunneling microscopy (STM) and angle-resolved photoemission (ARPES) have been used to study ultrathin films of alkali atoms deposited on Si(111)-v3´v3R30:B surface. An alkali-induced surface state of s-pz symmetry has been evidenced by photoemission being maximum close to the saturation coverage of 1/3 monolayer. A quantitative IV-LEED study evidences the H3 alkali adsorption site as predicted by ab initio calculations. High resolution ARPES data presented in this work evidence a band-folding, a large alkali-dependent semi-conducting gap and a narrow bandwidth. The Cs- induced surface band is shown to present a smaller gap together with a non-zero spectral weight at the Fermi level. These results are a priori consistent with the correlated nature of these materials, the Harrison criterion U/W>>1 being fulfilled for these half-filled surface bands. Moreover, a novel 2v3´2v3 lattice and charge ordering has been discovered below 300 K characterized by a quadrupling of the unit cell and a net energy gain for the surface band. In addition, the temperature dependence of the ARPES spectra suggests these materials are characterized by a strong electron-phonon coupling. High resolution core-levels photoemission spectroscopy recorded at the CASSIOPEE beamline (synchrotron SOLEIL) evidence a local charge ordering at surface in both phases. The corresponding band mapping agree well with the 2(v3´v3) symmetry also for both phases. All these experimental results sign a strong interplay between the charge and lattice degrees of freedom which have never been predicted for these semiconducting surfaces. Therefore, a scenario assuming a charge density wave at surface in the strong electron-phonon coupling limit is proposed. As a striking point, the bi-polaronic insulating ground state is proposed to be reached making these alkali/Si(111) semi-conducting surfaces model systems to study polaronic signatures on the physical properties of low dimensional strongly correlated materials
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Ehrhart, Gilles. "Élaboration et caractérisation de films vitreux nanostructurés par voie sol-gel. Mise en évidence du transfert d'énergie entre les nanoparticules semi-conductrices de CdS ou de ZnS et les ions Eu3+". Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00264740.

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Abstract (sommario):
Ce travail concerne l'élaboration et la caractérisation de guides d'onde planaires non dopés et dopés par des nanoparticules semi-conductrices et/ou des ions de terre rare. Ce type de dispositif trouve son intérêt dans l'étude de nouveaux systèmes dans le cadre des technologies avancées pour les télécommunications optiques. Il est bien connu que les systèmes optiques nécessite l'emploi d'amplificateurs afin de compenser les pertes optiques dans les circuits. Ces amplificateurs pourraient avoir un meilleur rendement et une plus grande souplesse grâce au transfert d'énergie entre nanoparticules semi-conductrices et ions de terre rare. En effet, les nanoparticules de semi-conducteur présentent d'une part des sections efficaces d'absorption plus importantes, de plusieurs ordres de grandeur que celles des ions de terre rare, et d'autre part des bandes d'absorption plus larges permettant l'accordabilité du pompage et l'augmentation du rendement optique. Afin d'étudier le phénomène de transfert d'énergie entre les nanoparticules de semiconducteur et les ions de terre rare, nous avons préparé des guides d'onde à base de ZrO2, non dopés et dopés, par le procédé sol-gel. Leurs propriétés optogéométriques ont été déterminées en utilisant la spectroscopie m-lines et en mesurant leurs coefficients d'atténuation. La spectroscopie Raman en configuration guidée a été utilisée pour caractériser la structure de ces guides et pour étudier les mécanismes accompagnant leur densification. Cette étude a été complétée par le biais de différentes techniques expérimentales telle que la spectroscopie d'émission utilisant l'ion Eu3+ comme sonde structurale. La mise en évidence de l'influence du dopage par les ions Eu3+ se traduit par un ralentissement du processus de densification du réseau de zircone. Un autre dopage a ensuite été opéré à l'aide de nanoparticules de CdS et de ZnS. Les précurseurs des métaux et du soufre ont été introduits directement dans le sol de ZrO2 amenant à la précipitation in situ des particules lors du recuit. Leur taille et leurs propriétés d'émission ont été étudiées par les spectroscopies d'absorption UV-visible, d'émission et d'excitation. Enfin, le transfert d'énergie a été caractérisé lors du co-dopage de ZrO2 par ZnS:Eu3+. La spectroscopie d'émission de l'ion Eu3+ par excitation dans l'UV nous a montré une exaltation de rémission d'un facteur 42 à 10 K. La spectroscopie d'excitation de l'ion Eu3+ a confirmé l'existence du transfert d'énergie par l'émergence d'une bande liée à l'absorption des particules.
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Doubi, Youssef. "Amélioration du procédé de fabrication des couches hybrides d'oxyde metallique et de nanomatériaux pour la quantification du formaldéhyde". Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2023. https://docnum.univ-lorraine.fr/ulprive/DDOC_T_2023_0317_DOUBI.pdf.

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Abstract (sommario):
Dans ce travail nous nous intéressons à l’élaboration et à la caractérisation des matériaux binaires avec une conductivité de type n TiO2 et SnO2 pour les applications en capteurs de gaz. Nous avons choisi ces matériaux en raison de leurs disponibilités et leurs caractéristiques structurales, morphologiques, optiques et électriques appropriées à la détection de gaz. Des couches minces de TiO2 et SnO2 ont été déposées par la technique Spray pyrolysis dans l’air ambiant. Par la méthode classique, nous avons étudié l’effet de certains facteurs sur les propriétés physico-chimiques de TiO2 et SnO2. Les échantillons réalisés ont été analysés par différentes techniques telles que la Diffraction des Rayons X (DRX), la spectroscopie Raman, la spectroscopie à rayon X à dispersion d’énergie (EDS), le Microscopie Electronique à Balayage (MEB), l’UV-Visible spectrophotomètre et la méthode de deux pointes. Les résultats de ces études ont montré que les couches minces de TiO2 et SnO2 sont bien cristallisées respectivement en phase anatase et rutile, avec des orientations préférentielles suivant les plans (101) et (110). La spectroscopie Raman confirme la pureté de ces matériaux par la présence des pics caractéristiques de ces phases, et l’UV-Visible a prouvé les propriétés semiconductrices de TiO2, et SnO2. La méthode de Taguchi avec une table L9 a été bien utilisée afin d’optimiser le nombre d’expériences pour déterminer les bonnes conditions d’élaboration conduisant aux meilleures propriétés de TiO2 et SnO2 en couches minces. Les résultats de la méthode Taguchi ont montré une grande amélioration des propriétés SnO2 et TiO2 comparées à la méthode classique. Les couches élaborées ont été caractérisées sous deux gaz polluants : NO2 et H2S. Nos couches minces de TiO2, SnO2 et SnO2 dopé Ti⁴⁺ répondent au NO2 à la température ambiante, et les capteurs à base de SnO2 répondent mieux que le TiO2 à ce gaz. Le capteur fabriqué à base de couche mince de SnO2 dopé à 5% de Ti⁴⁺ et opéré à 200°C a les plus hautes sensibilités aux petites concentrations de H2S utilisées
In this work we interested in the development and characterization of binary materials with n-type conductivity TiO2 and SnO2 for gas sensor applications. We have chosen these materials because of their availability and their structural, morphological, optical and electrical characteristics, which are suitable for gas sensor applications. TiO2 and SnO2 thin layers have been deposited by spray pyrolysis in ambient air. Using the classical method, we studied the effect of certain factors on TiO2 and SnO2 physicochemical properties. The samples were analyzed using various techniques such as XRD, Raman, EDS, SEM, UV-Visible and the two-tip method. The results of these studies showed that the SnO2 and TiO2 thin films are well crystallized in anatase and rutile phases respectively, with preferential orientations along the (101) and (110) planes. Raman spectroscopy confirmed the purity of these materials by the presence of peaks characteristics of these phases, while UV- Visible was proved the semiconducting properties of SnO2 and TiO2. The L9 Taguchi table method was used to optimize the number of experiments in order to determine the right processing conditions leading to the best properties of TiO2 and SnO2 in thin films. The results of the Taguchi method showed a significant improvement in the SnO2 and TiO2 properties compared with the conventional method. Our gas sensors prepared on the basis of TiO2, SnO2 and Ti⁴⁺ doped SnO2 thin films respond to NO2 at room temperature, and the SnO2-based sensors respond better than TiO2 to this gas. The sensor made from a thin layer of SnO2 doped with 5% Ti⁴⁺ and operated at 200°C had the highest sensitivities to the low concentrations of H2S
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Vivet, Nicolas. "Elaboration et caractérisation de films minces Cr2+:ZnSe nanostructurés pour la fabrication de microlasers émettant dans le moyen infrarouge". Phd thesis, Université de Caen, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00347093.

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Abstract (sommario):
Il existe une demande de plus en plus importante pour des sources laser bon marché émettant dans le moyen infrarouge (MIR) à température ambiante pour différentes applications incluant la détection des constituants atmosphériques, la communication optique et le domaine de la médecine. De part ses propriétés optiques et structurales, le Cr2+: ZnSe est devenu le candidat idéal pour une émission largement accordable dans la région 2-3 µm.
Dans l'objectif de développer un laser compact pompé électriquement, des films minces de Cr2+:ZnSe ont été élaborés à température ambiante par pulvérisation magnétron radiofréquence d'une cible de SiO2 recouverte de morceaux de ZnSe et de chrome sous plasma d'argon pur, sur des substrats de verre, Si et GaAs.
Quelque soit le substrat, les films déposés sont constitués de ZnSe cubique quasi-stoechiométrique et présentent une structure colonnaire avec une forte orientation préférentielle dans la direction 111. Le recours à l'analyse combinée par diffraction X a permis de résoudre simultanément la texture, la structure et la microstructure d'un des films déposés. Le spectre de PL des films à température ambiante dans le domaine 2-3 µm, comparable à celui des cristaux de référence de Cr2+ :ZnSe, a été obtenu d'une part par excitation directe des ions Cr2+ (1.85 µm) et d'autre part par excitation indirecte en utilisant un laser visible. Les paramètres de dépôt (puissance radiofréquence, pression d'argon, quantité de chrome) ont été optimisés pour obtenir des films présentant une intensité de PL maximum dans le MIR.
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Grisotto, Federico. "ELECTRO GREFFAGE LOCALISE D'UNE COUCHE ORGANIQUE SUR DES SURFACES CONDUCTRICES ET SEMI-CONDUCTRICES A L'AIDE D'UN MICROSCOPE ELECTROCHIMIQUE A BALAYAGE". Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00590964.

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Abstract (sommario):
Depuis plusieurs années, les nouveaux défis posés par l'évolution de l'électronique, la génomique, la médicine, la tribologie, la détection ou le photovoltaïque poussent les chercheurs à envisager le couplage substrats conducteurs ou semi-conducteurs/matière organique, à une échelle de plus en plus localisée. Ce travail de thèse s'inscrit dans ces objectifs en proposant la localisation directe de polymères chimiquement greffés sur des substrats conducteurs par une méthode simple, rapide et fiable. Le système développé repose sur la combinaison des techniques de sonde locale (dérivées du microscope électrochimique, SECM, ou de l'AFM en mode électrochimique, AFM-SECM) avec le procédé d'électrogreffage de monomères vinyliques initiés par les radicaux aryls provenant de la réduction électrochimique en milieu aqueux des sels de diazonium. La localisation du greffage est contrôlée en ajustant la distance sonde-substrat, la densité de courant et le temps de réaction. L'utilisation de ces microscopies électrochimiques a permis "d'imprimer" sur les substrats conducteurs initialement homogènes des plots, des lignes ou des figures complexes avec une résolution latérale qui est de l'ordre de une à deux fois la taille de la sonde. La microscopie électrochimie associée aux sondes locales devient ainsi un véritable outil de lithographie électrochimique qui ouvre la voie à la structuration " à façon ", à l'échelle micro/nanométrique, de tout substrat conducteur ou semiconducteur.
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Maillaud, Laurent. "Formulation d’encres conductrices à base de nanotubes de carbone pour le développement d’électrodes transparentes". Thesis, Bordeaux 1, 2013. http://www.theses.fr/2013BOR14904/document.

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Abstract (sommario):
Cette thèse rapporte l’étude des propriétés de films transparents conducteurs obtenus à partir de dispersions de nanotubes de carbone. La formulation des dispersions représente une étape clé dans le but d’obtenir des films homogènes avec de bonnes propriétés électro-optiques. Plus particulièrement, la création d’interactions attractives en solution entre les nanotubes de carbone permet d’une part de modifier le comportement rhéologique des dispersions et d’améliorer leur dépôt en couche mince par enduction. D’autre part, les travaux présentent une étude concernant l’influence des interactions sur la structuration du réseau de nanotube de carbone qui constitue les films. Ces changements de structuration sont notamment mis en parallèle avec les propriétés électriques des films selon leur épaisseur. L’utilisation de polymères semi-conducteurs a aussi fait l’objet de travaux expérimentaux pour améliorer la formation et les propriétés des films transparents conducteurs
This thesis reports the study of the properties of transparent conductive films obtained from carbon nanotube dispersions. The dispersion formulation is a key step in order to obtain uniform films with good opto-electrical properties. In particular, the formation of attractive interactions between dissolved carbon nanotubes allows the modification of the rheological behavior of the dispersions and the improvement of their deposition in thin layer by coating. Also, the influence of the interactions on the carbon nanotube network morphology is presented. The structural changes of the networks are then related to both electrical properties and thickness of the films. Finally, the use of semiconducting polymers was analyzed in order to improve the fabrication and the properties of transparent conductive films
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Antoni, Laurent. "Propriétés semi-conductrices de films passifs sur aciers inoxydables formés en milieu chlorure : caractérisation par spectroscopie d'impédance électrochimique, photoélectrochimie et microscopie photoélectrochimique". Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0131.

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Abstract (sommario):
Les phenomenes de corrosion localisee des aciers inoxydables sont unes de leurs limites d'emploi, notamment dans les milieux chlorures neutres, ou acides, ou ils resistent par ailleurs a la corrosion generalisee. La comprehension des mecanismes de piquration constitue donc une etape importante dans l'optimisation des proprietes d'usage des aciers inoxydables. Le travail presente s'interesse aux liens entre les proprietes semi-conductrices plus ou moins marquees des films passifs sur aciers inoxydables et leur resistance a la corrosion par piquration. Diverses techniques, principalement electrochimiques, ont ete utilisees: spectroscopie d'impedance, photoelectrochimie, chronoamperometrie a double echelon de potentiel. L'evolution des proprietes semi-conductrices en fonction des conditions de formation et de caracterisation des films passifs a ete etudiee. Cette evolution est attribuee a une evolution du contenu en hydrogene des films passifs, facteur deja mentionne dans la litterature comme important dans la corrosion par piquration. Par ailleurs, les phenomenes de piquration etant tres localises, une installation de microscopie photoelectrochimique, unique en france a ce jour a notre connaissance, a ete developpee pour examiner les proprietes semi-conductrices des films passifs a l'echelle de quelques microns. Des heterogeneites spatiales dans les proprietes semi-conductrices des films passifs sur acier inoxydables ont effectivement ete mises en evidence et l'etude des images obtenues a permis de mieux comprendre certains resultats de photoelectrochimie macroscopique

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