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Letteratura scientifica selezionata sul tema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"

Autore: Grafiati
Pubblicato: 1 giugno 2024

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Indice

  1. Articoli di riviste
  2. Tesi
  3. Libri
  4. Atti di convegni

Articoli di riviste sul tema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs":

1

Girard, G., P. Pringent e A. Lavenant. "Accord et affinement spectrale de l'émission optique de lasers/amplificateurs à semiconducteurs à large ouverture". Annales de Physique 20, n. 5-6 (1995): 635–36. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556048.

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2

Tchelnokov, A. V., J. M. Lourtioz e P. Gavrilovic. "Dynamique saptiale et spectrale de l'émission optique de lasers/amplificateurs à semiconducteurs à large ouverture". Annales de Physique 20, n. 5-6 (1995): 637–38. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556049.

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3

Ginovart, F., e J. C. Simon. "Effets de longueur d'un amplificateur optique à semiconducteur sur la dynamique de gain". Journal de Physique IV (Proceedings) 12, n. 5 (giugno 2002): 189–91. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20020128.

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4

Pankoke, R., A. Cassineli, P. Sillard, C. Dorrer, P. Leisching e R. Frey. "Générateurs et amplificateurs paramétriques optiques monomodes transverse". Annales de Physique 20, n. 5-6 (1995): 593–94. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556027.

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5

Fortin, ER, e AP Roth. "Quelques propriétés optiques et électro-optiques des super-réseaux et puits quantiques semiconducteurs InGaAs/GaAs". Journal de Chimie Physique 88 (1991): 2197–209. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1991882197.

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6

Dallot, V., e P. Gallion. "Évolution du bruit dans des amplificateurs optiques décrite par un nouveau formalisme classique". Journal de Physique IV (Proceedings) 12, n. 5 (giugno 2002): 183–84. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20020125.

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7

Grojo, David. "L’émergence de procédés d’écriture laser 3D dans les technologies silicium". Photoniques, n. 112 (2022): 37–42. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202211237.

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Abstract (sommario):
Les lasers femtosecondes sont à la base des technologies d’écriture 3D permettant l'intégration de nombreuses fonctionnalités micro-optiques, fluidiques et mécaniques à l'intérieur des matériaux diélectriques transparents. Cependant, des défis importants restent à relever pour transposer ces technologies dans le silicium et les semiconducteurs avec les nouvelles sources infrarouges intenses. La forte non-linéarité de propagation inhérente aux semi-conducteurs limite intrinsèquement la localisation de l'énergie lumineuse à un niveau en dessous des régimes d’écriture dans les configurations conventionnelles. L’émergence récente de solutions à ce problème ouvre de nouveaux champs d’applications notamment dans la photonique sur silicium.
8

DUAN, Guang-Hua, Hélène DEBRÉGEAS e Romain BRENOT. "Lasers et amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour télécommunications optiques". Optique Photonique, luglio 2015. http://dx.doi.org/10.51257/a-v1-e7005.

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Tesi Libri

Tesi sul tema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs":

1

Soto, Ortiz Horacio. "Dynamique des amplificateurs optiques à semi-conducteurs massifs /". Paris : Ecole nationale supérieure des télécommunications, 1996. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb358101180.

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2

Lablonde, Laurent. "Etude des non-linéarites de gain d'un amplificateur optique à semi-conducteur". Limoges, 1996. http://www.theses.fr/1996LIMO0029.

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Abstract (sommario):
Les non-linearites de gain d'un amplificateur optique a semi-conducteurs interviennent negativement ou positivement dans les reseaux de telecommunications optiques. Nous presentons dans ce memoire l'etude de ces non-linearites et des configurations permettant de les reduire ou de les exploiter selon l'orientation souhaitee. Un signal d'intensite saturante peut etre particulierement distordu a l'amplification lorsque sa variation d'intensite est au moins du meme ordre de grandeur que le temps de vie des porteurs de la zone active. La reduction du contraste et la derive frequentielle en sont les principales caracteristiques et augmentent de ce fait le taux d'erreurs d'une transmission numerique. La nouvelle technique de transmission d'un multiplex de longueurs d'onde est elle aussi handicapee en raison de la saturation du gain sur toute la bande passante. On peut augmenter l'intensite de saturation du module amplificateur en realisant une contre-reaction optique selective en longueur d'onde. Le gain est alors stabilise sur une plus large gamme de valeur d'intensite du signal. Nous avons etudie la stabilisation du gain obtenue par un tel systeme dans le cas d'une information numerique avec une cavite constituee de reseaux photoinscrits dans les fibres d'acces. D'autre part, ces non-linearites de gain peuvent etre utilisees pour realiser des fonctions optiques comme la conversion de longueur d'onde par saturation croisee de gain. Nous presentons dans ce travail les resultats experimentaux et une analyse theorique d'un nouveau dispositif que nous avons mis au point, permettant de regenerer le contraste d'un signal numerique converti. Il remet en valeur les convertisseurs a saturation croisee de gain, plus simples et robustes que les convertisseurs interferometriques en cours d'etude, qui peuvent par ailleurs aussi etre integres dans le dispositif propose
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Hamie, Ali. "Étude de la mise en cascade de deux amplificateurs optiques à semi-conducteur en topologie contra-propagative en vue de la réalisation de fonctions tout-optiques pour les sytèmes de télécommunications". Brest, 2004. http://www.theses.fr/2004BRES2013.

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Abstract (sommario):
Ce travail a été consacré à l'étude théorique et expérimentale de l'association de deux amplificateurs optiques à semi-conducteur (SOA) associés en cascade en topologie contra-propagative. Il a été mené avec pour objectif d'exploiter le phénomène de la modulation croisée du gain (XGM) pour réaliser de nouvelles fonctions tout-optiques pour les systèmes de communications optiques. Dans un premier temps, les caractéristiques statiques théoriques et expérimentales de la configuration proposée ont montré la possiblité de renforcer significativement la non-linéraité des gains des deux SOA utilisés et d'obtenir une variation positive ou négative pour les gains en fonction de la puissance d'entrée. Ainsi, on peut bénéficier d'un taux d'extinction important pour une petite variation de la puissante incidente. Cette propriété aux sorties des SOA peut être exploité pour assurer la régénération. De plus, cette étude a permis de cerner les paramètres de la configuration permettant d'optimiser ce taux d'extinction, en particulier les longueurs et les gains petit-signal respectifs des deux SOA. Dans un second temps, la caractérisation dynamique de la configuration a montré l'influence importante de la saturation du gain sur les réponses fréquentielles et temporelles aux sorties des deux SOA. L'évaluation du débit accessible avec une telle structure a révélé sa dépendance vis à vis de la distance d'interconnexion qui peut être réduite en intégrant la structure. Enfin, nous vons réalisé plusieurs fonctions tout-optiques avec la configuration étudiée telle que l'interrupteur tout-optique, la fonction logique NON-OU, la fonction de conversion en longueur d'onde directe et/ou inverse ainsi que la fonction logique OU
In this work, a theoretical and experimental study of two cascaded semiconductor optical amplifiers (SOA) in a counter-propagating topology was performed. This study was aimed at exploiting cross gain modulation (XGM) in order to device new all-optical functions for optical communication systems. In a first stage, the theroretical and experimental static characterization of the configuration established the possibility to renforce significantly the gain non-linearity of the two SOAs, leading to either a positive or a negative variation for the gain as a function of the input optical power. Thus, a large extinction ratio can be reached even for a small variation of the incident power. This property can be exploited in order to ensure 2R regeneration. Moreover, this study made it possible to determine those parameters of the configuration that optimize the extinction ratio, in particular the length and the small-signal gain of both SOAs. In a second stage, a dynamic characterization of the configuration was performed, which showed the influence of gain saturation on the frequency and time responses at the output of the two SOAs. Evaluating the rate that can be reached with such a structure revealed a strong dependence on the interconnection distance althought this can be reduced thought integration. Finally, several all-optical functions were devised with the studied configuration, such as an all-opticals switch, a NOR gate, a wavelength conversion function (either direct or inverse) and an OR gate
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Huygue, Sarah. "Fiabilité des amplificateurs optiques à semiconducteur 1,55 um pour des applications de télécommunication : étude expérimentale et modélisation physique". Bordeaux 1, 2005. http://www.theses.fr/2005BOR12952.

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Abstract (sommario):
Ces travaux de thèse décrivent le développement et la mise en œuvre d'un protocole expérimental pour estimer la fiabilité d'une technologie "bulk" d'amplificateur optique à semiconducteur (AOS) 1,55æm de couche active InGaAsP épitaxiée sur substrat InP. Il est basé sur l'analyse des paramètres électriques et optiques (puissance optique, pseudo-courant de seuil, gain, figure de bruit, puissance de saturation, ) suivis lors de différents tests de vieillissement sous différents facteurs d'accélération (courant-température). Ces études expérimentales, confortées par des simulations physiques 2D par éléments finis en introduisant un grand nombre de paramètres physiques extraits de caractérisations expérimentales, ont permis de mettre en évidence trois signatures de défaillance distinctes. Une première prédiction de distribution des durées de vie d'un AOS est également proposée à partir d'une approche statistique basée sur la méthode Monte-Carlo appliquée dans le cadre d'une faible population de composants et d'une faible dérive des paramètres.
5

Doussiere, Pierre. "Contribution à l'étude et à la réalisation d'amplificateurs optiques à semi-conducteur". Nice, 1989. http://www.theses.fr/1989NICE4265.

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Abstract (sommario):
L'objectif de cette étude est la détermination du paramètre d'émission spontanée dans un amplificateur à onde quasi-progressive à semi-conducteur InGaAsP dont le maximum de gain est centré à 1,5 μm. Une méthode est proposée basée sur la mesure du bruit de battement entre un signal cohérent amplifié et l'émission spontanée dans la bande du signal
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Girault, Gwenaëlle. "Contribution à l'étude de portes optiques à base d'amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour le traitement tout-optique de signaux de télécommunications à très hauts débits". Rennes 1, 2007. http://www.theses.fr/2007REN1E003.

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Abstract (sommario):
Ces travaux de thèse sont consacrés à l'étude de portes optiques pour la conversion de longueur d'onde et la régénération optique du signal à très hauts débits. Le principe et la problématique de caractérisation de telles fonctions sont tout d'abord présentés puis un état de l'art des techniques est dressé. L'amplificateur optique à semi-conducteurs (SOA) ayant constitué le coeur des dispositifs étudiés, quelques principes théoriques et les techniques pour le caractériser sont exposés. Un régénérateur 3R basé sur l'association de deux convertisseurs en longueur d'onde, un miroir à boucle optique non-linéaire à base de SOA (NOLM-SOA) et un double étage de SOA (DSSOA) est proposé. Il a permis de réaliser une transmission de 100 000 km sans erreur à 10 Gbit/s. Une étude approfondie de son comportement face aux variations de polarisation a ensuite été menée, mettant en évidence qu'un même SOA peut être plus ou moins sensible à la polarisation selon sa configuration d'utilisation (auto-saturation, saturation croisée, selon les longueurs d'ondes des signaux, leurs polarisations. . . ). Nous avons ainsi établi que le phénomène à l'origine de cette modification de sensibilité est un mélange d'onde entre la pompe et la sonde conduisant à une dissymétrie du spectre de gain dépendante des états de polarisation respectifs des deux ondes. Enfin, une technique à base de modulation de phase croisée dans un SOA convertie en modulation d'amplitude par un filtre décalé a été étudié à différents débits et pour différentes conditions de filtrage. Une conversion de longueur d'onde sans erreur à 80 Gbit/s a été obtenue grâce à un filtre décalé vers les courtes longueurs d'onde
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Buldawoo, Naveena. "Module d'émission-réception pour communications optiques à base d'amplificateur optique à semi-conducteur". Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20139.

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Abstract (sommario):
Ce memoire est consacre a l'etude des amplificateurs optiques a semi-conducteur (aosc) en vue de leur utilisation comme modulateur et detecteur dans le reseau fibre jusqu'a l'abonne. La premiere partie de ce travail est consacree a la mise en place d'un modele physique de l'aosc. Ce modele a permis de prevoir les principales caracteristiques de l'aosc. La deuxieme partie traite de l'etude theorique et experimentale de l'aosc en modulation directe dans une liaison de 18 km de fibre optique. Une etude de bruit est effectuee afin comparer les differentes contributions des elements de cette liaison. Une etude en photodetection est realisee en polarisation directe de l'aosc. Un modele de bruit par analogie avec une photodiode a avalanche est presente. Les etudes de transmission menees sur une liaison experimentale ont montre qu'il est possible de moduler l'aosc dans une plage de longueur d'onde de 40 nm a 1,55 micrometre a 155 mbit/s. Par ailleurs, en photodetection la reception de signaux dans la meme plage de longueur d'onde a ete effectuee jusqu'a 1,5 gbit/s pour une puissance detectee de 24,6 dbm et un taux d'erreur de 10 9.
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Moreau, Gautier. "Contribution à la caractérisation des propriétés optiques de guides planaires à boîtes quantiques InAs/InP(311)B émettant à 1,55 µm". Rennes 1, 2005. http://www.theses.fr/2005REN1E002.

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Abstract (sommario):
Ce travail de thèse porte sur la caractérisation et la compréhension des propriétés optiques d'un milieu semi-conducteurs à boîtes quantiques InAs/InP(311)B obtenues par épitaxie. Cette étude est menée dans le cadre de la réalisation de lasers à modulation directe et d'amplificateurs optiques multi-canaux sans diaphonie. Après un rappel du contexte des réseaux de télécommunications optiques, nous rappelons les principes physiques du fonctionnement d'un ensemble de boîtes quantiques ainsi que les spécificités de ce milieu par rapport aux composants à base de matériaux massifs de puits quantiques ou de "segments "quantiques. Ensuite, nous présentons les caractérisations effectuées par pompage optique sur des guides planaires à boîtes quantiques. Les résultats de l'oscillation laser obtenue sont discutés. Les mesures de gain, de pertes et du remplissage par les porteurs du milieu à boîtes quantiques sont ensuite presentées. La mise en perspective des différentes caractérisations permet une discussion du caractère inhomogène de nos boîtes quantiques à température ambiante. En complément de ces mesures est effectuée une étude sur la polarisation de l'emission du milieu. Enfin, nous présentons les résultats obtenus sur un amplificateur à guide monomode. La mise en place d'une technique de mesure pompe-sonde et les résultats ainsi obtenus sous saturation de l'absorption du niveau fondamental sont presentés. Nous terminons par une discussion de la largeur homogène sous saturation de l'absorption et sur le potentiel particuliers des boîtes quantiques pour le traitement du signal optique multi-canaux sans diaphonie inter-canal.
9

Boula-Picard, Reynald. "Contribution à l'étude des amplificateurs optiques à semiconducteur pour applications analogiques". Rennes 1, 2004. http://www.theses.fr/2004REN10072.

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Abstract (sommario):
L'évolution des composants optoélectroniques et en particulier leur montée en fréquence permet d'envisager aujourd'hui l'utilisation de liaisons optiques pour des applications analogiques. La complexité des systèmes envisagés a une incidence non négligeable sur le bilan de la liaison et notamment les pertes d'insertion. L'utilisation d'amplificateurs optiques à semiconducteur peut améliorer le gain de liaison. Nous présentons l'étude théorique et expérimentale de l'utilisation de ce type d'amplificateur dans une liaison opto-hyperfréquence. Les caractéristiques statiques et dynamiques d'une liaison simple sont présentées. L'analyse de la liaison optique amplifiée mettra en évidence l'influence du phénomène de compression de gain optique de l'amplificateur sur les performances système de la liaison. Cette propriété sera mise à profit pour réaliser une fonction de traitement optique du signal : le mélange tout-optique de signaux hyperfréquences.
10

Hessler, Thierry. "Dynamique du gain dans les amplificateurs optiques à semiconducteur en régime femtoseconde /". [S.l.] : [s.n.], 2000. http://library.epfl.ch/theses/?nr=2176.

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Più fonti

Libri sul tema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs":

1

Millman, Jacob. Microélectronique. Paris: McGraw-Hill, 1988.

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2

F, Digonnet Michel J., a cura di. Rare-earth-doped fiber lasers and amplifiers. 2a ed. New York: Marcel Dekker, 2001.

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3

Razavi, Behzad. Fundamentals of microelectronics. Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, 2008.

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4

1928-, Elliott R. J., e Ipatova I. P. 1929-, a cura di. Optical properties of mixed crystals. Amsterdam: North-Holland, 1988.

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5

Gaponenko, S. V. Optical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge, UK: Cambridge Unviersity Press, 1998.

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6

A, Balzarotti, Guizzetti G e Stella A, a cura di. Highlights on spectroscopies of semiconductors and insulators: Castro Marina, Italy, September 1987. Singapore: World Scientific, 1989.

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7

T, Kobayashi, e Kobunshi Sozai Center (Japan), a cura di. Nonlinear optics of organics and semiconductors: Proceedings of the international symposium, Tokyo, Japan, July 25-26, 1988. Berlin: Springer-Verlag, 1989.

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8

Donnerberg, Hansjörg. Atomic simulation of electrooptic and magnetooptic oxide materials. Berlin: Springer, 1999.

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9

Said, Youssef. Etude Avancée des Amplificateurs Optiques à Semi-conducteurs: Application en communications optiques à très haut débit. Omniscriptum, 2012.

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10

Schäfer, Wilfried, e Martin Wegener. Semiconductor Optics and Transport Phenomena. Springer, 2010.

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Atti di convegni sul tema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs":

1

Cormier, E. "Amplificateurs paramétriques optiques pour la physique attoseconde". In UVX 2008 - 9e Colloque sur les Sources Cohérentes et Incohérentes UV, VUV et X : Applications et Développements Récents. Les Ulis, France: EDP Sciences, 2009. http://dx.doi.org/10.1051/uvx/2009006.

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2

Pocholle, J. P. "Propriétés optiques des matériaux semiconducteurs à puits quantiques et applications dans le domaine du traitement du signal". In Optoélectronique (Volume 1). Les Ulis, France: EDP Sciences, 1990. http://dx.doi.org/10.1051/sfo/1990006.

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