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Texte intégralWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson et Andriy Zakutayev. « Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors ». Chemical Reviews 120, no 9 (6 avril 2020) : 4007–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.9b00600.
Texte intégralMedvid, Arthur, Igor Dmitruk, Pavels Onufrijevs et Iryna Pundyk. « Properties of Nanostructure Formed on SiO2/Si Interface by Laser Radiation ». Solid State Phenomena 131-133 (octobre 2007) : 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.559.
Texte intégralLI, KEYAN, YANJU LI et DONGFENG XUE. « BAND GAP PREDICTION OF ALLOYED SEMICONDUCTORS ». Functional Materials Letters 04, no 03 (septembre 2011) : 217–19. http://dx.doi.org/10.1142/s179360471100210x.
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Texte intégralKeßler, P., K. Lorenz et R. Vianden. « Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors ». Defect and Diffusion Forum 311 (mars 2011) : 167–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.311.167.
Texte intégralJin, Haiwei, Li Qin, Lan Zhang, Xinlin Zeng et Rui Yang. « Review of wide band-gap semiconductors technology ». MATEC Web of Conferences 40 (2016) : 01006. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/20164001006.
Texte intégralWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson et Andriy Zakutayev. « Correction to Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors ». Chemical Reviews 120, no 15 (3 août 2020) : 8035. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.0c00643.
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Texte intégralSalvatori, S. « Wide-band gap semiconductors for noncontact thermometry ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 19, no 1 (2001) : 219. http://dx.doi.org/10.1116/1.1342007.
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Texte intégralLI, KEYAN, YANJU LI et DONGFENG XUE. « BAND GAP ENGINEERING OF CRYSTAL MATERIALS : BAND GAP ESTIMATION OF SEMICONDUCTORS VIA ELECTRONEGATIVITY ». Functional Materials Letters 05, no 02 (juin 2012) : 1260002. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604712600028.
Texte intégralLund, Mark W. « More than One Ever Wanted to Know about X-Ray Detectors Part VI : Alternate Semiconductors for Detectors ». Microscopy Today 3, no 5 (juin 1995) : 12–13. http://dx.doi.org/10.1017/s1551929500066116.
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Texte intégralPramanik, Md Bappi, Md Abdullah Al Rakib, Md Abubakor Siddik et Shorab Bhuiyan. « Doping Effects and Relationship between Energy Band Gaps, Impact of Ionization Coefficient and Light Absorption Coefficient in Semiconductors ». European Journal of Engineering and Technology Research 9, no 1 (18 janvier 2024) : 10–15. http://dx.doi.org/10.24018/ejeng.2024.9.1.3118.
Texte intégralTu, Haoran, Jing Zhang, Zexuan Guo et Chunyan Xu. « Biaxial strain modulated the electronic structure of hydrogenated 2D tetragonal silicene ». RSC Advances 9, no 72 (2019) : 42245–51. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra08634j.
Texte intégralKrivosheeva, A. V., et V. L. Shaposhnikov. « The structure and optical properties of semiconductor nitrides MgSiN<sub>2</sub>, MgGeN<sub>2</sub>, ZnSiN<sub>2</sub>, ZnGeN<sub>2</sub> ; ». Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series 58, no 4 (1 janvier 2023) : 424–30. http://dx.doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-4-424-430.
Texte intégralGusakov, Vasilii E. « A New Approach for Calculating the Band Gap of Semiconductors within the Density Functional Method ». Solid State Phenomena 242 (octobre 2015) : 434–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.242.434.
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Texte intégralJohn, Rita. « Band Gap Engineering in Bulk and Nano Semiconductors ». MRS Proceedings 1454 (2012) : 233–38. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.1445.
Texte intégralHebda, Maciej, Grażyna Stochel, Konrad Szaciłowski et Wojciech Macyk. « Optoelectronic Switches Based on Wide Band Gap Semiconductors ». Journal of Physical Chemistry B 110, no 31 (août 2006) : 15275–83. http://dx.doi.org/10.1021/jp061262b.
Texte intégralKhurgin, Jacob B. « Band gap engineering for laser cooling of semiconductors ». Journal of Applied Physics 100, no 11 (2006) : 113116. http://dx.doi.org/10.1063/1.2395599.
Texte intégralPong, C., N. M. Johnson, R. A. Street, J. Walker, R. S. Feigelson et R. C. De Mattei. « Hydrogenation of wide‐band‐gap II‐VI semiconductors ». Applied Physics Letters 61, no 25 (21 décembre 1992) : 3026–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.107998.
Texte intégralSontakke, Kirti, Nischhal Yadav et S. Ghosh. « Transient Brillouin gain in direct band gap semiconductors ». Journal of Physics : Conference Series 365 (18 mai 2012) : 012043. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/365/1/012043.
Texte intégralGoldbach, Andreas, Marie-Louise Saboungi, Lennox E. Iton et David L. Price. « Approach to band gap alignment in confined semiconductors ». Journal of Chemical Physics 115, no 24 (22 décembre 2001) : 11254–60. http://dx.doi.org/10.1063/1.1416125.
Texte intégralIliadis, A. A., R. D. Vispute, T. Venkatesan et K. A. Jones. « Ohmic metallization technology for wide band-gap semiconductors ». Thin Solid Films 420-421 (décembre 2002) : 478–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00834-9.
Texte intégralMahanti, S. D., Khang Hoang et Salameh Ahmad. « Deep defect states in narrow band-gap semiconductors ». Physica B : Condensed Matter 401-402 (décembre 2007) : 291–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.169.
Texte intégralRam, R. S., O. M. Prakash et A. N. Pandey. « Photoacoustic determination of energy band gap of semiconductors ». Pramana 28, no 3 (mars 1987) : 293–97. http://dx.doi.org/10.1007/bf02845606.
Texte intégralWalsh, Aron, John Buckeridge, C. Richard A. Catlow, Adam J. Jackson, Thomas W. Keal, Martina Miskufova, Paul Sherwood et al. « Limits to Doping of Wide Band Gap Semiconductors ». Chemistry of Materials 25, no 15 (31 juillet 2013) : 2924–26. http://dx.doi.org/10.1021/cm402237s.
Texte intégralSingh, M., et P. R. Wallace. « Inter-band magneto-optics in narrow-gap semiconductors ». Journal of Physics C : Solid State Physics 20, no 14 (20 mai 1987) : 2169–81. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/20/14/018.
Texte intégralJain, S. C., J. M. McGregor et D. J. Roulston. « Band‐gap narrowing in novel III‐V semiconductors ». Journal of Applied Physics 68, no 7 (octobre 1990) : 3747–49. http://dx.doi.org/10.1063/1.346291.
Texte intégralJones, Tony C. « Precursors for wide band gap II–VI semiconductors ». Euro III-Vs Review 3, no 3 (juin 1990) : 32–33. http://dx.doi.org/10.1016/0959-3527(90)90220-n.
Texte intégralHenriques, A. B., S. Obukhov, L. C. D. Gonçalves, B. Yavich et A. B. Henriques. « Band Gap Renormalization in Periodically Delta-Doped Semiconductors ». physica status solidi (a) 164, no 1 (novembre 1997) : 133–36. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(199711)164:1<133 ::aid-pssa133>3.0.co;2-c.
Texte intégralDas, Atanu, et Arif Khan. « Carrier Concentrations in Degenerate Semiconductors Having Band Gap Narrowing ». Zeitschrift für Naturforschung A 63, no 3-4 (1 avril 2008) : 193–98. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2008-3-413.
Texte intégralXu, Chunyan, Jing Zhang, Ming Guo et Lingrui Wang. « Modulation of the electronic property of hydrogenated 2D tetragonal Ge by applying external strain ». RSC Advances 9, no 40 (2019) : 23142–47. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra04655k.
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Texte intégralLin, Der-Yuh, Hung-Pin Hsu, Cheng-Wen Wang, Shang-Wei Chen, Yu-Tai Shih, Sheng-Beng Hwang et Piotr Sitarek. « Temperature-Dependent Absorption of Ternary HfS2−xSex 2D Layered Semiconductors ». Materials 15, no 18 (11 septembre 2022) : 6304. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186304.
Texte intégralLi, Guowei, Ren Su, Jiancun Rao, Jiquan Wu, Petra Rudolf, Graeme R. Blake, Robert A. de Groot, Flemming Besenbacher et Thomas T. M. Palstra. « Band gap narrowing of SnS2superstructures with improved hydrogen production ». Journal of Materials Chemistry A 4, no 1 (2016) : 209–16. http://dx.doi.org/10.1039/c5ta07283b.
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Texte intégralHuo, Sitong, Shuqing Zhang, Qilin Wu et Xinping Zhang. « Feature-Assisted Machine Learning for Predicting Band Gaps of Binary Semiconductors ». Nanomaterials 14, no 5 (28 février 2024) : 445. http://dx.doi.org/10.3390/nano14050445.
Texte intégralTREW, R. J., et M. W. SHIN. « HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no 01 (mars 1995) : 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Texte intégralBagraev, Nikolai T., A. D. Bouravleuv, A. A. Gippius, L. E. Klyachkin et A. M. Malyarenko. « Low Temperature Impurity Diffusion into Large-Band-Gap Semiconductors ». Defect and Diffusion Forum 194-199 (avril 2001) : 679–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.194-199.679.
Texte intégralPanday, Suman Raj, et Maxim Dzero. « Interacting fermions in narrow-gap semiconductors with band inversion ». Journal of Physics : Condensed Matter 33, no 27 (28 mai 2021) : 275601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/abfc6e.
Texte intégralMitrovic, Ivona Z., Harry Finch, Leanne A. H. Jones, Vinod R. Dhanak, Adrian N. Hannah, Reza Valizadeh, Arne Benjamin B. Renz, Vishal Ajit Shah, Peter Michael Gammon et P. A. Mawby. « (Invited) Rare Earth Oxides on Wide Band Gap Semiconductors ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 19 (7 juillet 2022) : 1072. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191072mtgabs.
Texte intégralEdgar, J. H. « Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors ». Journal of Materials Research 7, no 1 (janvier 1992) : 235–52. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.0235.
Texte intégralLaks, D. B., C. G. Van de Walle, G. F. Neumark et S. T. Pantelides. « Role of native defects in wide-band-gap semiconductors ». Physical Review Letters 66, no 5 (4 février 1991) : 648–51. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.66.648.
Texte intégralKalt, H., et M. Rinker. « Band-gap renormalization in semiconductors with multiple inequivalent valleys ». Physical Review B 45, no 3 (15 janvier 1992) : 1139–54. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.1139.
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