Littérature scientifique sur le sujet « Wind band gap Semiconductors »
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Articles de revues sur le sujet "Wind band gap Semiconductors"
Rome, Grace, Fry Intia, Talysa Klein, Zebulon Schicht, Adele Tamboli, Emily L. Warren et Ann L. Greenaway. « Utilizing a Transparent Conductive Encapsulant to Protect Photoelectrodes during Solar Fuel Formation ». ECS Meeting Abstracts MA2023-01, no 55 (28 août 2023) : 2705. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01552705mtgabs.
Texte intégralWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson et Andriy Zakutayev. « Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors ». Chemical Reviews 120, no 9 (6 avril 2020) : 4007–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.9b00600.
Texte intégralMedvid, Arthur, Igor Dmitruk, Pavels Onufrijevs et Iryna Pundyk. « Properties of Nanostructure Formed on SiO2/Si Interface by Laser Radiation ». Solid State Phenomena 131-133 (octobre 2007) : 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.559.
Texte intégralLI, KEYAN, YANJU LI et DONGFENG XUE. « BAND GAP PREDICTION OF ALLOYED SEMICONDUCTORS ». Functional Materials Letters 04, no 03 (septembre 2011) : 217–19. http://dx.doi.org/10.1142/s179360471100210x.
Texte intégralNag, B. R. « Direct band-gap energy of semiconductors ». Infrared Physics & ; Technology 36, no 5 (août 1995) : 831–35. http://dx.doi.org/10.1016/1350-4495(95)00023-r.
Texte intégralKeßler, P., K. Lorenz et R. Vianden. « Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors ». Defect and Diffusion Forum 311 (mars 2011) : 167–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.311.167.
Texte intégralJin, Haiwei, Li Qin, Lan Zhang, Xinlin Zeng et Rui Yang. « Review of wide band-gap semiconductors technology ». MATEC Web of Conferences 40 (2016) : 01006. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/20164001006.
Texte intégralWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson et Andriy Zakutayev. « Correction to Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors ». Chemical Reviews 120, no 15 (3 août 2020) : 8035. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.0c00643.
Texte intégralCam, Hoang Ngoc, Nguyen Van Hieu et Nguyen Ai Viet. « Excitons in direct band gap cubic semiconductors ». Annals of Physics 164, no 1 (octobre 1985) : 172–88. http://dx.doi.org/10.1016/0003-4916(85)90007-7.
Texte intégralSalvatori, S. « Wide-band gap semiconductors for noncontact thermometry ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 19, no 1 (2001) : 219. http://dx.doi.org/10.1116/1.1342007.
Texte intégralThèses sur le sujet "Wind band gap Semiconductors"
Dorji, Chencho. « Etude des propriétés des isolants liquides pour l’encapsulation des substrats d’électronique de puissance ». Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT022.
Texte intégralPower modules based on wide band gap semiconductor has the potential to withstand high temperature (junction temperature >>200°C) and high voltage (blocking voltage of 10kV) contary to silicone based power module. However, silicone gel, the most commonly used encapsulant material in power modules cannot operatrate above 200°C. Moreover, electrical breakdown and partial discharge events results in permanent damage of the power module. In this work, we propose liquid dielectric as a potential encapsulant that may have better electrical and thermal performance than silicone gel. We did dielectric characterization of several potential liquids and developed field simulation model to study the electric field at triple point in power modules. Partial discharge measurements were made under AC and fast rise with different power electronic substrates embedded in liquid dielectrics. We also investigated the possibility of cooling power devices with EHD heat transfer enhancement and performed some supplementary experiments on thermal againg of liquids. The results indicated that liquids have potential to be used as encapsulant in power modules
Chan, Yung. « Optical functions of wide band gap semiconductors / ». View the Table of Contents & ; Abstract, 2004. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record/B32021264.
Texte intégralTirino, Louis. « Transport Properties of Wide Band Gap Semiconductors ». Diss., Georgia Institute of Technology, 2004. http://hdl.handle.net/1853/5210.
Texte intégralChan, Yung, et 陳勇. « Optical functions of wide band gap semiconductors ». Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2004. http://hub.hku.hk/bib/B45015338.
Texte intégralSaadatkia, Pooneh. « Optoelectronic Properties of Wide Band Gap Semiconductors ». Bowling Green State University / OhioLINK, 2019. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=bgsu1562379152593304.
Texte intégralFarahmand, Maziar. « Advanced simulation of wide band gap semiconductor devices ». Diss., Georgia Institute of Technology, 2000. http://hdl.handle.net/1853/14777.
Texte intégralKusch, Gunnar. « Characterization of low conductivity wide band gap semiconductors ». Thesis, University of Strathclyde, 2016. http://digitool.lib.strath.ac.uk:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=27392.
Texte intégralMickevičius, Jūras. « Carrier recombination in wide-band-gap nitride semiconductors ». Doctoral thesis, Lithuanian Academic Libraries Network (LABT), 2009. http://vddb.library.lt/obj/LT-eLABa-0001:E.02~2009~D_20091121_102304-00016.
Texte intégralDisertacija skirta krūvininkų rekombinacijos tyrimams plačiatarpiuose nitridiniuose puslaidininkiuose bei jų dariniuose. Kompleksiniai eksperimentiniai tyrimai buvo atlikti naudojant kelias skirtingas metodikas. Atlikti krūvininkų dinamikos GaN sluoksniuose tyrimai labai žemų ir aukštų sužadinimų sąlygomis. Pasiūlytas naujas liuminescencijos gesimo kinetikų interpretavimo metodas, siejant liuminescencijos ir šviesa indukuotų dinaminių gardelių kinetikas. Naujas požiūris į geltonosios liuminescencijos juostą GaN sluoksniuose leido susieti geltonosios liuminescencijos intensyvumą su krūvininkų gyvavimo trukme. Skirtingomis technologijomis augintų AlGaN sluoksnių palyginimas suteikė informacijos apie juostos potencialo fliuktuacijas bei krūvininkų gyvavimo trukmę ribojančius veiksnius AlGaN medžiagose. Atskleista naujų krūvininkų dinamikos daugialakštėse AlGaN/AlGaN kvantinėse duobėse ypatumų – vidinio elektrinio lauko bei kvantinės duobės pločio fliuktuacijų sąlygotos lokalizacijos įtaka krūvininkų dinamikai. Dauguma tirtų bandinių buvo auginti naudojant MEMOCVDTM technologiją ir tyrimai patvirtino šios technologijos potencialą siekiant pagerinti medžiagų kokybę.
Bellotti, E. (Enrico). « Advanced modeling of wide band gap semiconductor materials and devices ». Diss., Georgia Institute of Technology, 1999. http://hdl.handle.net/1853/15354.
Texte intégralLajn, Alexander. « Transparent rectifying contacts on wide-band gap oxide semiconductors ». Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Leipzig, 2013. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-102799.
Texte intégralLivres sur le sujet "Wind band gap Semiconductors"
1953-, Prelas Mark Antonio, North Atlantic Treaty Organization. Scientific Affairs Division. et NATO Advanced Research Workshop on Wide Band Gap Electronic Materials : Diamond, Aluminum Nitride, and Boron Nitride (1994 : Minsk, Belarus), dir. Wide band gap electronic materials. Dordrecht : Kluwer Academic Publishers, 1995.
Trouver le texte intégralUnited States. National Aeronautics and Space Administration., dir. Further improvements in program to calculate electronic properties of narrow band gap materials : Final report. [Washington, DC : National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Trouver le texte intégralYang, Fan. Electromagnetic band gap structures in antenna engineering. New York : Cambridge University Press, 2008.
Trouver le texte intégralT͡Sidilʹkovskiĭ, I. M. Electron spectrum of gapless semiconductors. Berlin : Springer, 1997.
Trouver le texte intégralSymposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS (1998 Strasbourg, France). Nitrides and related wide band gap materials : Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-19, 1998. Amsterdam : Elsevier, 1999.
Trouver le texte intégralYi-Gao, Sha, et United States. National Aeronautics and Space Administration., dir. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC : National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Trouver le texte intégralYi-Gao, Sha, et United States. National Aeronautics and Space Administration., dir. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC : National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Trouver le texte intégralTrieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium (7th 1992). Wide-band-gap semiconductors : Proceedings of the Seventh Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 8-12 June 1992. Sous la direction de Van de Walle, Chris Gilbert. Amsterdam : North-Holland, 1993.
Trouver le texte intégralSymposium, L. on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials (1998 Strasbourg France). Nitrides and related wide band gap materials : Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France 16-19 June 1998. Amsterdam : Elsevier, 1999.
Trouver le texte intégralUnited States. National Aeronautics and Space Administration., dir. Bulk growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. Bellingham, Wash : Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, 1997.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Wind band gap Semiconductors"
Ravichandran, K., S. Suvathi, P. Ravikumar et R. Mohan. « Wide Band Gap Semiconductors ». Dans Handbook of Semiconductors, 40–53. Boca Raton : CRC Press, 2024. http://dx.doi.org/10.1201/9781003450146-4.
Texte intégral« Copyright ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, iv. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50001-3.
Texte intégral« Front Matter ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, v. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50002-5.
Texte intégralFrova, A., et E. Tosatti. « Preface ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, vii—viii. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50003-7.
Texte intégralVan de Walle, Chris G. « Introduction ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, ix—x. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50004-9.
Texte intégralDavis, Robert F. « Thin films and devices of diamond, silicon carbide and gallium nitride ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, 1–15. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50005-0.
Texte intégralNurmikko, Arto V., et Robert L. Gunshor. « Optical physics and laser devices in II–VI quantum confined heterostructures ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, 16–26. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50006-2.
Texte intégralWalker, C. T., J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qiu et H. Cheng. « Blue–green II–VI laser diodes ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, 27–35. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50007-4.
Texte intégralMoustakas, T. D., T. Lei et R. J. Molnar. « Growth of GaN by ECR-assisted MBE ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, 36–49. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50008-6.
Texte intégralYoshikawa, Akihiko. « Ar ion laser-assisted metalorganic vapor phase epitaxy of ZnSe ». Dans Wide-Band-Gap Semiconductors, 50–64. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50009-8.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Wind band gap Semiconductors"
Chambouleyron, I. « VARIABLE BAND-GAP AMORPHOUS SEMICONDUCTORS ». Dans Proceedings of the International School on Crystal Growth and Characterization of Advanced Materials. WORLD SCIENTIFIC, 1988. http://dx.doi.org/10.1142/9789814541589_0023.
Texte intégralSpirkoska, D., A. Efros, S. Conesa-Boj, J. R. Morante, J. Arbiol, A. Fontcuberta i Morral, G. Abstreiter, Jisoon Ihm et Hyeonsik Cheong. « Single Material Band Gap Engineering in GaAs Nanowires ». Dans PHYSICS OF SEMICONDUCTORS : 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. AIP, 2011. http://dx.doi.org/10.1063/1.3666516.
Texte intégralWilke, Ingrid. « Terahertz emission from narrow band gap semiconductors ». Dans Optics East 2007, sous la direction de Mehdi Anwar, Anthony J. DeMaria et Michael S. Shur. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.735101.
Texte intégralTen, Sergey Y., Fritz Henneberger, Michael Rabe et Nasser Peyghambarian. « Exciton tunneling in wide-band-gap semiconductors ». Dans Photonics West '96, sous la direction de Weng W. Chow et Marek Osinski. SPIE, 1996. http://dx.doi.org/10.1117/12.238966.
Texte intégralIshikawa, Masato, Takashi Nakayama, Jisoon Ihm et Hyeonsik Cheong. « Nitrogen-induced optical absorption spectra of InP and GaP : direct vs. indirect band-gap systems ». Dans PHYSICS OF SEMICONDUCTORS : 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. AIP, 2011. http://dx.doi.org/10.1063/1.3666264.
Texte intégralKuriyama, K., T. Ishikawa et K. Kushida. « Optical Band Gap and Bonding Character of Li3GaN2 ». Dans PHYSICS OF SEMICONDUCTORS : 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. AIP, 2007. http://dx.doi.org/10.1063/1.2730466.
Texte intégralDietl, Tomasz. « Spintronics And Ferromagnetism In Wide-Band-Gap Semiconductors ». Dans PHYSICS OF SEMICONDUCTORS : 27th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS-27. AIP, 2005. http://dx.doi.org/10.1063/1.1993996.
Texte intégralFeix, Gudrun. « Advanced packaging for wide band gap power semiconductors ». Dans 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.23919/ltb-3d.2017.7947427.
Texte intégralKhurgin, Jacob B. « Band gap engineering for laser cooling of semiconductors ». Dans Integrated Optoelectronic Devices 2006, sous la direction de Marek Osinski, Fritz Henneberger et Yasuhiko Arakawa. SPIE, 2006. http://dx.doi.org/10.1117/12.644138.
Texte intégralCyrille, Duchesne, Cussac Philippe et Chauffleur Xavier. « Interconnection technology for new wide band gap semiconductors ». Dans 2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/epe.2013.6634619.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Wind band gap Semiconductors"
Edgar, James H. MOVPE Reactor for Deposition of Wide Band Gap Semiconductors. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, avril 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada393589.
Texte intégralHommerich, Uwe. Optical Characterization of Rare Earth-doped Wide Band Gap Semiconductors. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, août 1999. http://dx.doi.org/10.21236/ada369833.
Texte intégralKouvetakis, John. Synthesis, Characterization, Properties and Performance of Novel Direct Band Gap Semiconductors. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, mai 2007. http://dx.doi.org/10.21236/ada482288.
Texte intégralCheng, Hung Hsiang. Development of Direct Band Gap Group IV Semiconductors with the Incorporation of Sn. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, mars 2012. http://dx.doi.org/10.21236/ada558773.
Texte intégral