Articles de revues sur le sujet « Wafer-Scale mapping »
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Tajima, Michio, E. Higashi, Toshihiko Hayashi, Hiroyuki Kinoshita et Hiromu Shiomi. « Characterization of SiC Wafers by Photoluminescence Mapping ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 711–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.711.
Texte intégralMackenzie, David M. A., Kristoffer G. Kalhauge, Patrick R. Whelan, Frederik W. Østergaard, Iwona Pasternak, Wlodek Strupinski, Peter Bøggild, Peter U. Jepsen et Dirch H. Petersen. « Wafer-scale graphene quality assessment using micro four-point probe mapping ». Nanotechnology 31, no 22 (13 mars 2020) : 225709. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ab7677.
Texte intégralMiner, C. J. « Wafer-scale temperature mapping for molecular beam epitaxy and chemical beam epitaxy ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 11, no 3 (mai 1993) : 998. http://dx.doi.org/10.1116/1.586910.
Texte intégralBuron, Jonas D., David M. A. Mackenzie, Dirch H. Petersen, Amaia Pesquera, Alba Centeno, Peter Bøggild, Amaia Zurutuza et Peter U. Jepsen. « Terahertz wafer-scale mobility mapping of graphene on insulating substrates without a gate ». Optics Express 23, no 24 (16 novembre 2015) : 30721. http://dx.doi.org/10.1364/oe.23.030721.
Texte intégralCrovetto, Andrea, Patrick Rebsdorf Whelan, Ruizhi Wang, Miriam Galbiati, Stephan Hofmann et Luca Camilli. « Nondestructive Thickness Mapping of Wafer-Scale Hexagonal Boron Nitride Down to a Monolayer ». ACS Applied Materials & ; Interfaces 10, no 30 (6 juillet 2018) : 25804–10. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.8b08609.
Texte intégralMeshot, Eric R., Sei Jin Park, Steven F. Buchsbaum, Melinda L. Jue, Tevye R. Kuykendall, Eric Schaible, Leonardus Bimo Bayu Aji, Sergei O. Kucheyev, Kuang Jen J. Wu et Francesco Fornasiero. « High-yield growth kinetics and spatial mapping of single-walled carbon nanotube forests at wafer scale ». Carbon 159 (avril 2020) : 236–46. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2019.12.023.
Texte intégralTian, Mengchuan, Ben Hu, Haifang Yang, Chengchun Tang, Mengfei Wang, Qingguo Gao, Xiong Xiong et al. « Wafer Scale Mapping and Statistical Analysis of Radio Frequency Characteristics in Highly Uniform CVD Graphene Transistors ». Advanced Electronic Materials 5, no 4 (13 février 2019) : 1800711. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201800711.
Texte intégralYao, Yong Zhao, Yukari Ishikawa, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki et Takeshi Bessho. « Large-Area Mapping of Dislocations in 4H-SiC from Carbon-Face (000-1) by Using Vaporized KOH Etching near 1000 °C ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 829–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.829.
Texte intégralShih, Po-Chou, Chun-Chin Hsu et Fang-Chih Tien. « Automatic Reclaimed Wafer Classification Using Deep Learning Neural Networks ». Symmetry 12, no 5 (2 mai 2020) : 705. http://dx.doi.org/10.3390/sym12050705.
Texte intégralLang, Simon, Alexandra Schewski, Ignaz Eisele, Christoph Kutter et Wilfried Lerch. « (Best Paper Award) Aluminum Josephson Junction Formation on 200mm Wafers Using Different Oxidation Techniques ». ECS Meeting Abstracts MA2023-01, no 29 (28 août 2023) : 1791. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01291791mtgabs.
Texte intégralYates, Luke, Andrew T. Binder, Anthony Rice, Andrew M. Armstrong, Jeffrey Steinfeldt, Vincent M. Abate, Michael L. Smith et al. « (Invited) Recent Progress in Medium-Voltage Vertical GaN Power Devices ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 35 (22 décembre 2023) : 1682. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02351682mtgabs.
Texte intégralYang, Dongxun, Jesse Henri Laarman et Masayoshi Tonouchi. « Sensitive Characterization of the Graphene Transferred onto Varied Si Wafer Surfaces via Terahertz Emission Spectroscopy and Microscopy (TES/LTEM) ». Materials 17, no 7 (26 mars 2024) : 1497. http://dx.doi.org/10.3390/ma17071497.
Texte intégralAbid, Poonam Sehrawat, Christian M. Julien et Saikh S. Islam. « Interface Kinetics Assisted Barrier Removal in Large Area 2D-WS2 Growth to Facilitate Mass Scale Device Production ». Nanomaterials 11, no 1 (16 janvier 2021) : 220. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010220.
Texte intégralWadhwa, Riya, Sanjeev Thapa, Sonia Deswal, Pradeep Kumar et Mukesh Kumar. « Wafer-scale controlled growth of MoS2 by magnetron sputtering : from in-plane to inter-connected vertically-aligned flakes ». Journal of Physics : Condensed Matter, 19 janvier 2023. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/acb4d1.
Texte intégralChen, Fu Der, Ankita Sharma, David A. Roszko, Tianyuan Xue, Xin Mu, Xianshu Luo, Hongyao Chua, Patrick Guo-Qiang Lo, Wesley D. Sacher et Joyce Poon. « Development of wafer-scale multifunctional nanophotonic neural probes for brain activity mapping ». Lab on a Chip, 2024. http://dx.doi.org/10.1039/d3lc00931a.
Texte intégralLagowski, Jacek, et Piotr Edelman. « Non-Contact Mapping of Fe Contamination in Oxidized Si Wafers with Sensitivity in Part-Per-Trillion Range ». MRS Proceedings 428 (1996). http://dx.doi.org/10.1557/proc-428-449.
Texte intégralDinh, Khac Huy, Kevin Robert, Joelle Thuriot-Roukos, Marielle Huvé, Pardis Simon, David Troadec, Christophe Lethien et Pascal Roussel. « Wafer-Scale Performance Mapping of Magnetron-Sputtered Ternary Vanadium Tungsten Nitride for Microsupercapacitors ». Chemistry of Materials, 13 octobre 2023. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.3c01803.
Texte intégralFaifer, Vladimir N., Michael I. Current, Wojtek Walecki, Vitali Souchkov, Georgy Mikhaylov, Phuc Van, Tim Wong et al. « Non-contact Electrical Measurements of Sheet Resistance and Leakage Current Density for Ultra-shallow (and other) Junctions ». MRS Proceedings 810 (2004). http://dx.doi.org/10.1557/proc-810-c11.9.
Texte intégralLee, Brian, Duane S. Boning, Winthrop Baylies, Noel Poduje et John Valley. « Modeling and Mapping of Nanotopography Interactions with CMP ». MRS Proceedings 732 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-732-i1.5.
Texte intégralEdelman, Piotr, Jacek Lagowski et Lubek Jastrzebski. « Surface Charge Imaging in Semiconductor Wafers by Surface Photovoltage (SPV) ». MRS Proceedings 261 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-261-223.
Texte intégralSu, Chanmin, Shuiqing Hu, Yan Hu, Natalia Erina et Andrea Slade. « Quantitative Mechanical Mapping of Biomolecules in Fluid ». MRS Proceedings 1261 (2010). http://dx.doi.org/10.1557/proc-1261-u01-05.
Texte intégralWhelan, Patrick R., Domenico De Fazio, Iwona Pasternak, Joachim D. Thomsen, Steffen Zelzer, Martin O. Mikkelsen, Timothy J. Booth et al. « Mapping nanoscale carrier confinement in polycrystalline graphene by terahertz spectroscopy ». Scientific Reports 14, no 1 (7 février 2024). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-024-51548-z.
Texte intégralPearton, S. J., K. M. Lee, N. M. Haegel, C. J. Huang, S. Nakahara, F. Ren, V. Scarpelli, K. T. Short et S. M. Vernon. « Material and Device Properties of 3” Diameter GaAs-on-Si with Buried P-type Layers ». MRS Proceedings 144 (1988). http://dx.doi.org/10.1557/proc-144-317.
Texte intégralZhuang, Qiuna, Kuanming Yao, Mengge Wu, Zhuogui Lei, Fan Chen, Jiyu Li, Quanjing Mei et al. « Wafer-patterned, permeable, and stretchable liquid metal microelectrodes for implantable bioelectronics with chronic biocompatibility ». Science Advances 9, no 22 (2 juin 2023). http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.adg8602.
Texte intégralMarinskiy, D., J. Lagowski, M. Wilson, A. Savtchouk, L. Jastrzebski et D. DeBusk. « Small Signal AC-Surface Photovoltage Technique for Non-Contact Monitoring of Near Surface Doping and Recombination-Generation in the Depletion Layer ». MRS Proceedings 591 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-591-225.
Texte intégralFu, Wai Yuen, et Hoi Wai Choi. « Development of chipscale InGaN RGB displays using strain-relaxed nanosphere-defined nanopillars ». Nanotechnology, 2 avril 2022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac6399.
Texte intégralAlcer, David, Lukas Hrachowina, Dan Hessman et Magnus T. Borgström. « Processing and Characterization of Large Area InP Nanowire Photovoltaic Devices ». Nanotechnology, 12 avril 2023. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/accc37.
Texte intégralChu, Jinn P., Yi-Jui Yeh, Chih-Yu Liu, Yi-Xiang Yang, Alfreda Krisna Altama, Ting-Hao Chang, Wei-Hung Chiang, Pakman Yiu et Kuo-Lun Tung. « Core-shell metallic nanotube arrays for highly sensitive surface-enhanced Raman scattering (SERS) detection ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 41, no 6 (17 octobre 2023). http://dx.doi.org/10.1116/6.0003055.
Texte intégralBiswas, Sujit K., Sandra B. Schujman, Robert Vajtai, Bingqing Wei, Allen Parker, Leo J. Schowalter et Pulickel M. Ajayan. « AFM-based Electrical Characterization of Nano-structures ». MRS Proceedings 738 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-738-g9.2.
Texte intégralBiswas, Sujit K., Sandra B. Schujman, Robert Vajtai, Bingqing Wei, Allen Parker, Leo J. Schowalter et Pulickel M. Ajayan. « AFM-based Electrical Characterization of Nano-structures ». MRS Proceedings 761 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-761-nn6.2/g9.2.
Texte intégralYama, Nicholas S., I‐Tung Chen, Srivatsa Chakravarthi, Bingzhao Li, Christian Pederson, Bethany E. Matthews, Steven R. Spurgeon et al. « Silicon‐Lattice‐Matched Boron‐Doped Gallium Phosphide : A Scalable Acousto‐Optic Platform ». Advanced Materials, 3 septembre 2023. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202305434.
Texte intégralSnure, Michael, Eric W. Blanton, Vitali Soukhoveev, Timothy Vogt, Andrei Osinsky, Timothy Prusnick, W. Joshua Kennedy et Nicholas R. Glavin. « Spalling induced van der Waals lift-off and transfer of 4-in. GaN epitaxial films ». Journal of Applied Physics 134, no 2 (14 juillet 2023). http://dx.doi.org/10.1063/5.0153634.
Texte intégralJi, Yihong, Martin Frentrup, Xiaotian Zhang, Jakub Pongrácz, Simon M. Fairclough, Yingjun Liu, Tongtong Zhu et Rachel A. Oliver. « Porous pseudo-substrates for InGaN quantum well growth : Morphology, structure, and strain relaxation ». Journal of Applied Physics 134, no 14 (10 octobre 2023). http://dx.doi.org/10.1063/5.0165066.
Texte intégralLihachev, Grigory, Johann Riemensberger, Wenle Weng, Junqiu Liu, Hao Tian, Anat Siddharth, Viacheslav Snigirev et al. « Low-noise frequency-agile photonic integrated lasers for coherent ranging ». Nature Communications 13, no 1 (20 juin 2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-022-30911-6.
Texte intégralWachtendorf, B., R. Beccard, D. Schmitz, H. Jürgensen, O. Schön, M. Heuken et E. Woelk. « Reliable, Reproducible and Efficient MOCVD of III-Nitrides in Production Scale Reactors ». MRS Proceedings 468 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-468-7.
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