Articles de revues sur le sujet « Vth instability »
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Senzaki, Junji, Atsushi Shimozato, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada, Keiko Ariyoshi, Takahito Kojima, Yasunori Tanaka et Hajime Okumura. « Threshold Voltage Instability of SiC-MOSFETs on Various Crystal Faces ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 521–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.521.
Texte intégralTadjer, Marko J., Karl D. Hobart, Eugene A. Imhoff et Fritz J. Kub. « Temperature and Time Dependent Threshold Voltage Instability in 4H-SiC Power DMOSFET Devices ». Materials Science Forum 600-603 (septembre 2008) : 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1147.
Texte intégralSometani, Mitsuru, Dai Okamoto, Shinsuke Harada, Hitoshi Ishimori, Shinji Takasu, Tetsuo Hatakeyama, Manabu Takei, Yoshiyuki Yonezawa, Kenji Fukuda et Hajime Okumura. « Exact Characterization of Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs by Non-Relaxation Method ». Materials Science Forum 821-823 (juin 2015) : 685–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.685.
Texte intégralNa, Jeong-Hyeon, Jun-Hyeong Park, Won Park, Junhao Feng, Jun-Su Eun, Jinuk Lee, Sin-Hyung Lee et al. « Dependence of Positive Bias Stress Instability on Threshold Voltage and Its Origin in Solution-Processed Aluminum-Doped Indium Oxide Thin-Film Transistors ». Nanomaterials 14, no 5 (4 mars 2024) : 466. http://dx.doi.org/10.3390/nano14050466.
Texte intégralKutsuki, Katsuhiro, Sachiko Kawaji, Yukihiko Watanabe, Masatoshi Tsujimura, Toru Onishi, Hirokazu Fujiwara, Kensaku Yamamoto et Takashi Kanemura. « Impact of Al Doping Concentration at Channel Region on Mobility and Threshold Voltage Instability in 4H-SiC Trench N-MOSFETs ». Materials Science Forum 858 (mai 2016) : 607–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.607.
Texte intégralSenzaki, Junji, Atsushi Shimozato, Kozutoshi Kajima, Keiko Aryoshi, Takahito Kojima, Shinsuke Harada, Yasunori Tanaka, Hiroaki Himi et Hajime Okumura. « Electrical Properties of MOS Structures on 4H-SiC (11-20) Face ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 621–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.621.
Texte intégralKim, Sang Sub, Pyung Ho Choi, Do Hyun Baek, Jae Hyeong Lee et Byoung Deog Choi. « Abnormal Threshold Voltage Shifts in P-Channel Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Under Negative Bias Temperature Stress ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 15, no 10 (1 octobre 2015) : 7555–58. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2015.11167.
Texte intégralOkamoto, Mitsuo, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano et Hajime Okumura. « Dynamic Characterization of the Threshold Voltage Instability under the Pulsed Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFET ». Materials Science Forum 897 (mai 2017) : 549–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.549.
Texte intégralDeb, Arkadeep, Jose Ortiz-Gonzalez, Mohamed Taha, Saeed Jahdi, Phillip Mawby et Olayiwola Alatise. « Impact of Turn-Off Gate Voltage and Temperature on Threshold Voltage Instability in Pulsed Gate Voltage Stresses of SiC MOSFETs ». Materials Science Forum 1091 (5 juin 2023) : 61–66. http://dx.doi.org/10.4028/p-lidhbt.
Texte intégralRescher, Gerald, Gregor Pobegen et Thomas Aichinger. « Impact of Nitric Oxide Post Oxidation Anneal on the Bias Temperature Instability and the On-Resistance of 4H-SiC nMOSFETs ». Materials Science Forum 821-823 (juin 2015) : 709–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.709.
Texte intégralLi, Shanjie, Peiye Sun, Zhiheng Xing, Nengtao Wu, Wenliang Wang et Guoqiang Li. « Degradation mechanisms of Mg-doped GaN/AlN superlattices HEMTs under electrical stress ». Applied Physics Letters 121, no 6 (8 août 2022) : 062101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0094957.
Texte intégralKoo, Sang-Mo, et Tae-Jun Ha. « Improved Photo-Induced Stability in Amorphous Metal-Oxide Based TFTs for Transparent Displays ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 15, no 10 (1 octobre 2015) : 7800–7803. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2015.11193.
Texte intégralLi, Xiangdong, Meng Wang, Jincheng Zhang, Rui Gao, Hongyue Wang, Weitao Yang, Jiahui Yuan et al. « Revealing the Mechanism of the Bias Temperature Instability Effect of p-GaN Gate HEMTs by Time-Dependent Gate Breakdown Stress and Fast Sweeping Characterization ». Micromachines 14, no 5 (12 mai 2023) : 1042. http://dx.doi.org/10.3390/mi14051042.
Texte intégralWu, Ruizhu, Simon Mendy, Nereus Agbo, Jose Ortiz Gonzalez, Saeed Jahdi et Olayiwola Alatise. « Performance of Parallel Connected SiC MOSFETs under Short Circuits Conditions ». Energies 14, no 20 (19 octobre 2021) : 6834. http://dx.doi.org/10.3390/en14206834.
Texte intégralAsllani, Besar, Alberto Castellazzi, Dominique Planson et Hervé Morel. « Subthreshold Drain Current Hysteresis of Planar SiC MOSFETs ». Materials Science Forum 963 (juillet 2019) : 184–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.184.
Texte intégralGrossl Bade, Tamiris, Hassan Hamad, Adrien Lambert, Hervé Morel et Dominique Planson. « Threshold Voltage Measurement Protocol “Triple Sense” Applied to GaN HEMTs ». Electronics 12, no 11 (3 juin 2023) : 2529. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12112529.
Texte intégralLiu, Han-Wen, Tzu-Cheng Hung et Bo-Xiang Huang. « (Digital Presentation) Instability of α-Si:H TFTs under Simultaneous Ultraviolet Light Illumination and Different Bias Stresses ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 35 (9 octobre 2022) : 1262. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351262mtgabs.
Texte intégralRescher, Gerald, Gregor Pobegen et Tibor Grasser. « Threshold Voltage Instabilities of Present SiC-Power MOSFETs under Positive Bias Temperature Stress ». Materials Science Forum 858 (mai 2016) : 481–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.481.
Texte intégralGo, Donghyun, Gilsang Yoon, Jounghun Park, Donghwi Kim, Jiwon Kim, Jungsik Kim et Jeong-Soo Lee. « Effect of Noncircular Channel on Distribution of Threshold Voltage in 3D NAND Flash Memory ». Micromachines 14, no 11 (28 octobre 2023) : 2007. http://dx.doi.org/10.3390/mi14112007.
Texte intégralLee, Sangmin, Pyungho Choi, Minjun Song, Gaeun Lee, Nara Lee, Bohyeon Jeon et Byoungdeog Choi. « Negative Bias Instability of InZnO-Based Thin-Film Transistors Under Illumination Stress ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, no 8 (1 août 2021) : 4277–84. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19392.
Texte intégralElangovan, Surya, Stone Cheng et Edward Yi Chang. « Reliability Characterization of Gallium Nitride MIS-HEMT Based Cascode Devices for Power Electronic Applications ». Energies 13, no 10 (21 mai 2020) : 2628. http://dx.doi.org/10.3390/en13102628.
Texte intégralLim, Sang Chul, Seong Hyun Kim, Gi Heon Kim, Jae Bon Koo, Jung Hun Lee, Chan Hoe Ku, Yong Suk Yang, Do Jin Kim et Tae Hyoung Zyung. « Instability of OTFT with Organic Gate Dielectrics ». Solid State Phenomena 124-126 (juin 2007) : 407–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.124-126.407.
Texte intégralLEE, YONG K. « CONTROLLING INSTABILITIES OF HYDROGENERATED a-Si:H TFT UNDER BIAS TEMPERATURE STRESSING ». Modern Physics Letters B 22, no 04 (10 février 2008) : 263–68. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984908014730.
Texte intégralLee, Seung-Hun, Kihwan Kwon, Kwanoh Kim, Jae Sung Yoon, Doo-Sun Choi, Yeongeun Yoo, Chunjoong Kim, Shinill Kang et Jeong Hwan Kim. « Electrical, Structural, Optical, and Adhesive Characteristics of Aluminum-Doped Tin Oxide Thin Films for Transparent Flexible Thin-Film Transistor Applications ». Materials 12, no 1 (3 janvier 2019) : 137. http://dx.doi.org/10.3390/ma12010137.
Texte intégralPark, Jee Ho, Sohyung Lee, Hee Sung Lee, Sung Ki Kim, Kwon-Shik Park et Soo-Young Yoon. « Correlation between spin density and Vth instability of IGZO thin-film transistors ». Current Applied Physics 18, no 11 (novembre 2018) : 1447–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2018.08.016.
Texte intégralGonzalez, Jose Ortiz, Olayiwola Alatise et Philip A. Mawby. « Novel Method for Evaluation of Negative Bias Temperature Instability of SiC MOSFETs ». Materials Science Forum 963 (juillet 2019) : 749–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.749.
Texte intégralWang, Kai Yu, Cai Ping Wan, Wen Hao Lu, Nian Nian Ge et Heng Yu Xu. « Factors Affecting Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOS Capacitors ». Key Engineering Materials 950 (31 juillet 2023) : 133–38. http://dx.doi.org/10.4028/p-fagd0d.
Texte intégralElangovan, Surya, Edward Yi Chang et Stone Cheng. « Analysis of Instability Behavior and Mechanism of E-Mode GaN Power HEMT with p-GaN Gate under Off-State Gate Bias Stress ». Energies 14, no 8 (13 avril 2021) : 2170. http://dx.doi.org/10.3390/en14082170.
Texte intégralMurakami, Eiichi, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita et Kazuhiro Oda. « Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 711–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.711.
Texte intégralIdris, Muhammad I., Ming Hung Weng, H. K. Chan, A. E. Murphy, Dave A. Smith, R. A. R. Young, Ewan P. Ramsay, David T. Clark, Nick G. Wright et Alton B. Horsfall. « Electrical Stability Impact of Gate Oxide in Channel Implanted SiC NMOS and PMOS Transistors ». Materials Science Forum 897 (mai 2017) : 513–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.513.
Texte intégralLi, Jiye, Yuqing Zhang, Hao Peng, Huan Yang, Lei Lu et Shengdong Zhang. « 9.2 : Mechanism of H2O‐induced Instability of Self‐Aligned Top‐Gate Amorphous InGaZnO TFTs ». SID Symposium Digest of Technical Papers 54, S1 (avril 2023) : 94–97. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.16230.
Texte intégralHuang, Sen, Shu Yang, John Roberts et Kevin J. Chen. « Characterization of Vth-instability in Al2O3/GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs by quasi-static C-V measurement ». physica status solidi (c) 9, no 3-4 (29 février 2012) : 923–26. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201100302.
Texte intégralNeema, Vaibhav, Kuldeep Raguwanshi, Ambika Prasad Shah et Santosh Kumar Vishvakarma. « Vth Extraction Based Run Time Transistor Width (TWOS) Module for On-Chip Negative Bias Temperature Instability (NBTI) Mitigation ». Sensor Letters 17, no 5 (1 mai 2019) : 385–92. http://dx.doi.org/10.1166/sl.2019.4103.
Texte intégralCho, Sanghyun, Seohan Kim, Doyeong Kim, Moonsuk Yi, Junseok Byun et Pungkeun Song. « Effects of Yttrium Doping on a-IGZO Thin Films for Use as a Channel Layer in Thin-Film Transistors ». Coatings 9, no 1 (15 janvier 2019) : 44. http://dx.doi.org/10.3390/coatings9010044.
Texte intégralFlorentin, Matthieu, Mihaela Alexandru, Aurore Constant, Bernd Schmidt et Philippe Godignon. « 10 MeV Proton Irradiation Effect on 4H-SiC nMOSFET Electrical Parameters ». Materials Science Forum 806 (octobre 2014) : 121–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.806.121.
Texte intégralBai, Zhi Qiang, Xiao Yan Tang, Chao Han, Yan Jing He, Qing Wen Song, Yi Fan Jia, Yi Men Zhang et Yu Ming Zhang. « The Influence of Temperature Storage on Threshold Voltage Stability for SiC VDMOSFET ». Materials Science Forum 954 (mai 2019) : 144–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.954.144.
Texte intégralWang, Dapeng, Mamoru Furuta, Shigekazu Tomai et Koki Yano. « Impact of Photo-Excitation on Leakage Current and Negative Bias Instability in InSnZnO Thickness-Varied Thin-Film Transistors ». Nanomaterials 10, no 9 (9 septembre 2020) : 1782. http://dx.doi.org/10.3390/nano10091782.
Texte intégralJung, Seyeon, Taehoon Sung, Sein Lee et J. Y. Kwon. « Control of Hydrogen Concentration in Ingazno Thin Film Using Cryopumping System ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 31 (7 juillet 2022) : 1333. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01311333mtgabs.
Texte intégralLee, Geon Hee, Jang Kwon Lim, Sang Mo Koo et Mietek Bakowski. « Measurement and Analysis of Body Diode Stress of 3.3 kV Sic-Mosfets with Intrinsic Body Diode and Embedded SBD ». Materials Science Forum 1091 (5 juin 2023) : 55–59. http://dx.doi.org/10.4028/p-nnor4r.
Texte intégralRuderman, M. S., E. Verwichte, R. Erdélyi et M. Goossens. « Dissipative instability of the MHD tangential discontinuity in magnetized plasmas with anisotropic viscosity and thermal conductivity ». Journal of Plasma Physics 56, no 2 (octobre 1996) : 285–306. http://dx.doi.org/10.1017/s0022377800019279.
Texte intégralSlobounov, Semyon, Cheng Cao, Niharika Jaiswal et Karl M. Newell. « Neural basis of postural instability identified by VTC and EEG ». Experimental Brain Research 199, no 1 (5 août 2009) : 1–16. http://dx.doi.org/10.1007/s00221-009-1956-5.
Texte intégralFranck Severin Ando, Amalaman. « Milieu Institutionnel, Sexe Et Stabilité Émotionnelle/Névrosisme Chez Des Orphelins Et Enfants Vulnérables Du Fait Du VIH À Abidjan ». European Scientific Journal, ESJ 18, no 14 (30 avril 2022) : 116. http://dx.doi.org/10.19044/esj.2022.v18n14p116.
Texte intégralAli, Amjad, Ahmad Naveed, Tahir Rasheed, Tariq Aziz, Muhammad Imran, Ze-Kun Zhang, Muhammad Wajid Ullah et al. « Methods for Predicting Ethylene/Cyclic Olefin Copolymerization Rates Promoted by Single-Site Metallocene : Kinetics Is the Key ». Polymers 14, no 3 (24 janvier 2022) : 459. http://dx.doi.org/10.3390/polym14030459.
Texte intégralAktershev, Yuriy, Sergey Vasichev et Vladimir Veremeenko. « Precision Four-Quadrant Current Source Vch-500-12r For Superconducting Solenoids ». Siberian Journal of Physics 12, no 2 (1 juin 2017) : 138–41. http://dx.doi.org/10.54362/1818-7919-2017-12-2-138-141.
Texte intégralNandi, Abhijit, Manisha, Vandana Solanki, Vishvanath Tiwari, Basavaraj Sajjanar, Muthu Sankar, Mohini Saini, Sameer Shrivastava, S. K. Bhure et Srikant Ghosh. « Protective Efficacy of Multiple Epitope-Based Vaccine against Hyalomma anatolicum, Vector of Theileria annulata and Crimean–Congo Hemorrhagic Fever Virus ». Vaccines 11, no 4 (21 avril 2023) : 881. http://dx.doi.org/10.3390/vaccines11040881.
Texte intégralRenz, Arne Benjamin Benjamin, Oliver J. Vavasour, Peter Michael Gammon, Fan Li, Tianxiang Dai, Guy W. C. Baker, Nicholas E. Grant et al. « (Invited, Digital Presentation) Improved Reliability of 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices Utilising Atomic Layer Deposited Layers with Enhanced Interface Quality ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 19 (7 juillet 2022) : 1065. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191065mtgabs.
Texte intégralOrtel, Thomas L., Karen D. Moore, Mirella Ezban et William H. Kane. « Effect of Heterologous Factor V Heavy Chain Sequences on the Secretion of Recombinant Human Factor VIII ». Thrombosis and Haemostasis 75, no 01 (1996) : 036–44. http://dx.doi.org/10.1055/s-0038-1650218.
Texte intégralSingh, N. « Space-time evolution of electron-beam driven electron holes and their effects on the plasma ». Nonlinear Processes in Geophysics 10, no 1/2 (30 avril 2003) : 53–63. http://dx.doi.org/10.5194/npg-10-53-2003.
Texte intégralBesnier, Niko. « Les politiques identitaires entre le local et le global : la mobilisation transgenre aux îles Tonga (Pacifique sud) ». Ethnologie française Vol. 54, no 1 (26 février 2024) : 117–33. http://dx.doi.org/10.3917/ethn.241.0117.
Texte intégralVargas, Carlos Alberto, et Hector Andres Tinoco. « Electrical Performance of a Piezo-inductive Device for Energy Harvesting with Low-Frequency Vibrations ». Actuators 8, no 3 (16 juillet 2019) : 55. http://dx.doi.org/10.3390/act8030055.
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