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Texte intégralFortunato, Elvira, Alexandra Gonçalves, António Marques, Ana Pimentel, Pedro Barquinha, Hugo Águas, Luís Pereira et al. « Multifunctional Thin Film Zinc Oxide Semiconductors : Application to Electronic Devices ». Materials Science Forum 514-516 (mai 2006) : 3–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.514-516.3.
Texte intégralMa, Yandong, Ying Dai et Baibiao Huang. « ChemInform Abstract : Ferromagnetism in Undoped Semiconductors ». ChemInform 42, no 42 (27 septembre 2011) : no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.201142213.
Texte intégralSacco, Olga, Antonietta Mancuso, Vincenzo Venditto, Stefania Pragliola et Vincenzo Vaiano. « Behavior of N-doped TiO2 and N-doped ZnO in Photocatalytic Azo Dye Degradation under UV and Visible Light Irradiation : A Preliminary Investigation ». Catalysts 12, no 10 (10 octobre 2022) : 1208. http://dx.doi.org/10.3390/catal12101208.
Texte intégralHuang, Danhong, T. Apostolova, P. M. Alsing et D. A. Cardimona. « Thermal-drag carrier cooling in undoped semiconductors ». Journal of Applied Physics 98, no 6 (15 septembre 2005) : 063516. http://dx.doi.org/10.1063/1.2041842.
Texte intégralHüsser, O. E., H. von Käanel et F. Lévy. « Photoelectrochemistry of Doped and Undoped Semiconductors : A Comparison ». Journal of The Electrochemical Society 132, no 4 (1 avril 1985) : 810–14. http://dx.doi.org/10.1149/1.2113963.
Texte intégralHossein-Babaei, Faramarz, Saeed Masoumi et Amirreza Noori. « Seebeck voltage measurement in undoped metal oxide semiconductors ». Measurement Science and Technology 28, no 11 (12 octobre 2017) : 115002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6501/aa82a4.
Texte intégralBonapasta, Aldo Amore. « Theory of H sites in undoped crystalline semiconductors ». Physica B : Condensed Matter 170, no 1-4 (avril 1991) : 168–80. http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(91)90120-4.
Texte intégralVishnyakov, N. V. « Formation of Potential Barriers in Undoped Disordered Semiconductors ». Semiconductors 39, no 10 (2005) : 1147. http://dx.doi.org/10.1134/1.2085261.
Texte intégralSikam, Pornsawan, Ruhan Thirayatorn, Thanayut Kaewmaraya, Prasit Thongbai, Pairot Moontragoon et Zoran Ikonic. « Improved Thermoelectric Properties of SrTiO3 via (La, Dy and N) Co-Doping : DFT Approach ». Molecules 27, no 22 (16 novembre 2022) : 7923. http://dx.doi.org/10.3390/molecules27227923.
Texte intégralSiethoff, H. « Dynamical recovery, dislocation mobility, and diffusion in undoped semiconductors ». Physica Status Solidi (a) 138, no 2 (16 août 1993) : 591–99. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211380227.
Texte intégralMittova, Irina Ya, Boris V. Sladkopevtsev et Valentina O. Mittova. « Nanoscale semiconductor and dielectric films and magnetic nanocrystals – new directions of development of the scientific school of Ya. A. Ugai “Solid state chemistry and semiconductors”. Review ». Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases 23, no 3 (17 août 2021) : 309–36. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2021.23/3524.
Texte intégralAli, Farida Ashraf, Gouranga Bose, Sushanta Kumar Kamilla, Dilip Kumar Mishra et Priyabrata Pattanaik. « Fabrication and characterization of n-ZnO/p-GaSb heterojunction diode ». Microelectronics International 36, no 4 (7 octobre 2019) : 143–49. http://dx.doi.org/10.1108/mi-01-2019-0002.
Texte intégralWilliams, J. S., Y. Chen, J. Wong-Leung, A. Kerr et M. V. Swain. « Ultra-micro-indentation of silicon and compound semiconductors with spherical indenters ». Journal of Materials Research 14, no 6 (juin 1999) : 2338–43. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0310.
Texte intégralSeyidov, MirHasan Yu, Faik A. Mikailzade, Rauf A. Suleymanov, Vafa B. Aliyeva, Tofig G. Mammadov et Galib M. Sharifov. « Polarization switching in undoped and La-doped TlInS2 ferroelectric-semiconductors ». Physica B : Condensed Matter 526 (décembre 2017) : 45–53. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2017.07.003.
Texte intégralChaudhuri, Reet, Samuel James Bader, Zhen Chen, David A. Muller, Huili Grace Xing et Debdeep Jena. « A polarization-induced 2D hole gas in undoped gallium nitride quantum wells ». Science 365, no 6460 (26 septembre 2019) : 1454–57. http://dx.doi.org/10.1126/science.aau8623.
Texte intégralAbdullahi, Sabiu Said, Garba Shehu Musa Galadanci, Norlaily Mohd Saiden et Josephine Ying Chyi Liew. « Assessment of Magnetic Properties between Fe and Ni Doped ZnO Nanoparticles Synthesized by Microwave Assisted Synthesis Method ». Solid State Phenomena 317 (mai 2021) : 119–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.317.119.
Texte intégralWu, Meirong, Zhiqiang Wei, Wenhua Zhao, Xuan Wang et Jinlong Jiang. « Optical and Magnetic Properties of Ni Doped ZnS Diluted Magnetic Semiconductors Synthesized by Hydrothermal Method ». Journal of Nanomaterials 2017 (2017) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2017/1603450.
Texte intégralPEARTON, S. J. « HYDROGEN IN CRYSTALLINE SEMICONDUCTORS : PART I—SILICON ». International Journal of Modern Physics B 08, no 09 (20 avril 1994) : 1093–158. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979294000543.
Texte intégralKim, Chang-Hyun. « Bulk versus Contact Doping in Organic Semiconductors ». Micromachines 12, no 7 (24 juin 2021) : 742. http://dx.doi.org/10.3390/mi12070742.
Texte intégralHeng, Chenglin, Xuan Wang, Chaonan Zhao, Gang Wu, Yanhui Lv, Hanchun Wu, Ming Zhao et Terje G. Finstad. « Ultrathin Rare-Earth-Doped MoS2 Crystalline Films Prepared with Magnetron Sputtering and Ar + H2 Post-Annealing ». Crystals 13, no 2 (13 février 2023) : 308. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13020308.
Texte intégralFreitas, Jr., J. A., et W. J. Moore. « Optical Studies of Undoped and Doped Wide Bandgap Carbide and Nitride Semiconductors ». Brazilian Journal of Physics 28, no 1 (mars 1998) : 12–18. http://dx.doi.org/10.1590/s0103-97331998000100002.
Texte intégralSato, Shin-ichiro, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki et Michio Kondo. « Electric properties of undoped hydrogenated amorphous silicon semiconductors irradiated with self-ions ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B : Beam Interactions with Materials and Atoms 285 (août 2012) : 107–11. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2012.05.010.
Texte intégralAppelbaum, Ian. « Introduction to spin-polarized ballistic hot electron injection and detection in silicon ». Philosophical Transactions of the Royal Society A : Mathematical, Physical and Engineering Sciences 369, no 1951 (28 septembre 2011) : 3554–74. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2011.0137.
Texte intégralHossein-Babaei, Faramarz, et S. Masoumi. « Electrical Resistance and Seebeck Effect in Undoped Polycrystalline Zinc Oxide ». Key Engineering Materials 605 (avril 2014) : 185–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.605.185.
Texte intégralKnupfer, M., et G. Paasch. « Origin of the interface dipole at interfaces between undoped organic semiconductors and metals ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 23, no 4 (juillet 2005) : 1072–77. http://dx.doi.org/10.1116/1.1885021.
Texte intégralArslanov, R. K., M. I. Daunov et U. Z. Zalibekov. « Impurity energy spectrum in undoped dilute magnetic p-InAs semiconductors at hydrostatic pressures ». Herald of Dagestan State University 33, no 2 (2018) : 51–56. http://dx.doi.org/10.21779/2542-0321-2018-33-2-51-56.
Texte intégralPERAKIS, I. E., et T. V. SHAHBAZYAN. « CANONICAL TRANSFORMATION APPROACH TO THE ULTRAFAST NONLINEAR OPTICAL DYNAMICS OF SEMICONDUCTORS ». International Journal of Modern Physics B 13, no 08 (30 mars 1999) : 869–93. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979299000734.
Texte intégralБогацкая, А. В., Н. В. Кленов, П. М. Никифорова, А. М. Попов et А. Е. Щеголев. « Резонансное болометрическое детектирование широкополосных сигналов терагерцевого диапазона частот ». Письма в журнал технической физики 47, no 17 (2021) : 50. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.17.51388.18850.
Texte intégralGherras, Hamou, Ahmed Yahiaoui, Aicha Hachemaoui, Abdelkader Belfedal, Abdelkader Dehbi et Andreas Zeinert. « Synthesis and characterization of poly(pyrrole-co-2-nitrocinnamaldehyde) (PPNC), a new copolymer for solar cells applications ». Polymers and Polymer Composites 28, no 4 (9 septembre 2019) : 265–72. http://dx.doi.org/10.1177/0967391119872876.
Texte intégralAbdellaziz, I., I. Mellouki, S. Abroug et N. Yacoubi. « Photopyroelectric back detection configuration for thermal diffusivity measurement of undoped and doped GaSb semiconductors ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 28 (7 février 2012) : 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/28/1/012001.
Texte intégralKozlov, R. Yu, S. S. Kormilitsina, E. V. Molodtsova et E. O. Zhuravlev. « Growing indium antimonide single crystals with a diameter of 100 mm by the modified Chochralsky method ». Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering 24, no 3 (21 septembre 2021) : 190–98. http://dx.doi.org/10.17073/1609-3577-2021-3-190-198.
Texte intégralHuang, Menglin, Zhengneng Zheng, Zhenxing Dai, Xinjing Guo, Shanshan Wang, Lilai Jiang, Jinchen Wei et Shiyou Chen. « DASP : Defect and Dopant ab-initio Simulation Package ». Journal of Semiconductors 43, no 4 (1 avril 2022) : 042101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/4/042101.
Texte intégralREDFIELD, DAVID. « DEFECTS IN AMORPHOUS Si:H — THE REHYBRIDIZED TWO-SITE (RTS) MODEL ». Modern Physics Letters B 05, no 14n15 (juin 1991) : 933–39. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984991001167.
Texte intégralGaied, Imen, Salima Lassoued, Fredéric Genty et Noureddine Yacoubi. « New Photothermal Deflection Method to Determine Thermal Properties of Bulk Semiconductors ». Defect and Diffusion Forum 297-301 (avril 2010) : 525–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.297-301.525.
Texte intégralKozlov, Roman Yu, Svetlana S. Kormilitsina, Elena V. Molodtsova et Eugene O. Zhuravlev. « Growth of 100 mm indium antimonide single crystals by modified Czochralski technique ». Modern Electronic Materials 7, no 2 (30 juin 2021) : 73–78. http://dx.doi.org/10.3897/j.moem.7.2.76286.
Texte intégralKao, Chyuan-Haur, Chia-Shao Liu, Shih-Ming Chan, Chih-Chen Kuo, Shang-Che Tsai, Ming-Ling Lee et Hsiang Chen. « Effects of NH3 Plasma and Mg Doping on InGaZnO pH Sensing Membrane ». Membranes 11, no 12 (20 décembre 2021) : 994. http://dx.doi.org/10.3390/membranes11120994.
Texte intégralGan, Zhaofeng, Michael DiNezza, Yong-Hang Zhang, David J. Smith et Martha R. McCartney. « Determination of Mean Inner Potential and Inelastic Mean Free Path of ZnTe Using Off-Axis Electron Holography and Dynamical Effects Affecting Phase Determination ». Microscopy and Microanalysis 21, no 6 (27 novembre 2015) : 1406–12. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927615015378.
Texte intégralWANG, HAI-BIN, PING PENG, YUAN-HONG TANG, DAN WANG et LI-MING TANG. « TUNING THE "d0" FERROMAGNETISM IN In2O3 QUANTUM DOTS BY DANGLING BONDS AND VACANCY BASED ON THE FIRST-PRINCIPLE CALCULATION ». Modern Physics Letters B 27, no 10 (26 mars 2013) : 1350068. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984913500681.
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Texte intégralHasan, Sayedul, Mohammad Tanvir Ahmed, Abdullah Al Roman, Shariful Islam et Farid Ahmed. « Investigation of Structural, Electronic, and Optical Properties of Chalcogen-Doped ZrS2 : A DFT Analysis ». Advances in Materials Science and Engineering 2023 (23 février 2023) : 1–10. http://dx.doi.org/10.1155/2023/6525507.
Texte intégralLin, Der Yuh, Tung Pai Huang, Fan Lei Wu, Chih Ming Lin, Ying Sheng Huang et Kwong Kau Tiong. « Anisotropy of Photoluminescence in Layered Semiconductors ReS2 and ReS2:Au ». Solid State Phenomena 170 (avril 2011) : 135–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.170.135.
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Texte intégralIkenoue, Takumi, Satoshi Yoneya, Masao Miyake et Tetsuji Hirato. « Epitaxial Growth and Bandgap Control of Ni1-xMgxO Thin Film Grown by Mist Chemical Vapor Deposition Method ». MRS Advances 5, no 31-32 (2020) : 1705–12. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.219.
Texte intégralPan, Yongman, Yinzhou Yan, Qiang Wang, Lixue Yang, Xuegang Zhang, Long Tang, Cheng Xing, Fei Chen et Yijian Jiang. « Efficient defect control of zinc vacancy in undoped ZnO microtubes for optoelectronic applications ». Journal of Applied Physics 131, no 10 (14 mars 2022) : 105105. http://dx.doi.org/10.1063/5.0077884.
Texte intégralSiyar, Muhammad, Jun-Young Cho, Woo-Chan Jin, Euy Heon Hwang, Miyoung Kim et Chan Park. « Thermoelectric Properties of Cu2SnSe3-SnS Composite ». Materials 12, no 13 (26 juin 2019) : 2040. http://dx.doi.org/10.3390/ma12132040.
Texte intégralMathur, Arpit Swarup, Praveen Kumar et B. P. Singh. « Comparative study of absorption band edge tailoring by cationic and anionic doping in TiO2 ». Materials Science-Poland 36, no 3 (1 septembre 2018) : 435–38. http://dx.doi.org/10.2478/msp-2018-0060.
Texte intégralWang, Yanping, Qian Duan, Qingcheng Liang, Gongzheng Yan, Dezhi Yang et Dongge Ma. « A comparative investigation of electron transport properties in Li2CO3 doped and undoped organic semiconductors by admittance spectroscopy ». Organic Electronics 66 (mars 2019) : 58–62. http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2018.12.019.
Texte intégralKabalbin, A. N., V. B. Neimash, V. M. Tsmots’ et V. S. Shtym. « Erratum : Diffusion saturation of undoped hydrated amorphous silicon by tin impurity [Semiconductors 32, 263–266 .March 1998] ». Semiconductors 32, no 8 (août 1998) : 916. http://dx.doi.org/10.1134/1.1187348.
Texte intégralChandramohan, D., et S. Balasubramanian. « Comment on "Thomas-Fermi-Dirac statistical theory of dispersive dielectric screening in undoped semiconductors at zero temperature" ». Physical Review B 33, no 12 (15 juin 1986) : 8782–84. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.33.8782.
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