Littérature scientifique sur le sujet « Ultrathin oxides »
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Articles de revues sur le sujet "Ultrathin oxides"
Bec, Romulad B., Andrzej Jakubowsk, Lidia Łukasiak et Michał Korwin-Pawłowski. « Challenges in ultrathin oxide layers formation ». Journal of Telecommunications and Information Technology, no 1 (30 mars 2001) : 27–34. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2001.1.46.
Texte intégralTaylor, Seth T., John Mardinly et Michael A. O'Keefe. « HRTEM Image Simulations for the Study of Ultrathin Gate Oxides ». Microscopy and Microanalysis 8, no 5 (octobre 2002) : 412–21. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927602020123.
Texte intégralMorgen, P., A. Bahari, U. Robenhagen, J. F. Andersen, J. K. Hansen, K. Pedersen, M. G. Rao et Z. S. Li. « Roads to ultrathin silicon oxides ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 23, no 1 (janvier 2005) : 201–7. http://dx.doi.org/10.1116/1.1842113.
Texte intégralHuang, Feng, W. J. Liu, J. F. Sullivan, J. A. Barnard et M. L. Weaver. « Room-temperature oxidation of ultrathin TiB2 films ». Journal of Materials Research 17, no 4 (avril 2002) : 805–13. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0118.
Texte intégralZhu, Jianhui, Jian Jiang, Wei Ai, Zhanxi Fan, Xintang Huang, Hua Zhang et Ting Yu. « Encapsulation of nanoscale metal oxides into an ultra-thin Ni matrix for superior Li-ion batteries : a versatile strategy ». Nanoscale 6, no 21 (2014) : 12990–3000. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr03661a.
Texte intégralWang, Kai, Bolong Huang, Weiyu Zhang, Fan Lv, Yi Xing, Wenshu Zhang, Jinhui Zhou et al. « Ultrathin RuRh@(RuRh)O2 core@shell nanosheets as stable oxygen evolution electrocatalysts ». Journal of Materials Chemistry A 8, no 31 (2020) : 15746–51. http://dx.doi.org/10.1039/d0ta03213a.
Texte intégralTing, D. Z. Y. « Tunneling characteristics of nonuniform ultrathin oxides ». Applied Physics Letters 73, no 19 (9 novembre 1998) : 2769–71. http://dx.doi.org/10.1063/1.122585.
Texte intégralLobinsky, A. A., et V. I. Popkov. « Ultrathin 2D nanosheets of transition metal (hydro)oxides as prospective materials for energy storage devices : A short review ». Electrochemical Materials and Technologies 1, no 1 (2022) : 20221008. http://dx.doi.org/10.15826/elmattech.2022.1.008.
Texte intégralRotondaro, A. L. Pacheco, R. T. Laaksonen et S. P. Singh. « Impact of the Nitrogen Concentration of Sub-1.3 nm Gate Oxides on 65 nm Technology Transistor Parameters ». Journal of Integrated Circuits and Systems 2, no 2 (17 novembre 2007) : 63–66. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v2i2.265.
Texte intégralChari, K. S., et S. Kar. « Interface Characteristics of Metal‐Oxide‐Semiconductor Capacitors with Ultrathin Oxides ». Journal of The Electrochemical Society 138, no 7 (1 juillet 1991) : 2046–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085921.
Texte intégralThèses sur le sujet "Ultrathin oxides"
Tolvaišienė, Sonata. « Transport of charge carriers in ultrathin films of manganese oxides ». Doctoral thesis, Lithuanian Academic Libraries Network (LABT), 2009. http://vddb.library.lt/obj/LT-eLABa-0001:E.02~2009~D_20090218_143224-76401.
Texte intégralDisertacijoje nagrinėjami lantano manganitai, pasižymintys faziniu virsmu iš paramagnetinės į feromagnetinę būseną bei milžiniškos neigiamos magnetovar-žos efektu. Tiriami magnetovaržos ir jos anizotropijos efektai silpnuose (iki 0,5 T) magnetiniuose laukuose bei stiprių impulsinių srovių ir magnetinių laukų sukelti efektai plonuose epitaksiniuose manganitų sluoksniuose. Pateikiami pasiūlymai tyrimo rezultatus panaudoti kuriant magnetinio lauko jutiklius, spar-čiųjų elektrinių impulsų formuotuvus bei amplitudės moduliatorius. Tiriant sil-pnų magnetinių laukų poveikį ultraplonųjų La-Sr-MnO3 sluoksnių elektriniam laidumui, buvo nustatyta, kad magnetovaržos anizotropijos ženklas ir vertė šiuo-se laukuose priklauso nuo sluoksnio storio. Pateiktas modelis, paaiškinantis eks-perimentinius rezultatus, paremtas vidutinio lauko artiniu ir įskaitantis sluoksnio struktūros kitimą kintant jo storiui. Aptiktas ir ištirtas grįžtamasis termoelektrinis nestabilumas, išaiškintos šio reiškinio atsiradimo priežastys. Pasiūlytas ir ekspe-rimentiškai realizuotas naujas ns trukmės elektrinių impulsų amplitudės modulia-vimo išoriniu magnetiniu lauku būdas, naudojant epitaksinius La0,87Sr0,17MnO3 sluoksnius. Disertaciją sudaro reziumė lietuvių ir anglų kalbomis, įvadas, šeši skyriai, pagrindiniai rezultatai ir išvados, literatūros sąrašas, publikacijų disertacijos tema sąrašas. Įvadiniame skyriuje nagrinėjamas problemos aktualumas, formuluojamas darbo tikslas bei uždaviniai, aprašomas mokslinis... [toliau žr. visą tekstą]
Dragosavac, Marko. « Electron transport in ultrathin oxide silicon MOSFETs ». Thesis, University of Cambridge, 2005. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.614808.
Texte intégralMatharu, J. « Surface science of ultrathin metal oxide films ». Thesis, University College London (University of London), 2011. http://discovery.ucl.ac.uk/1335900/.
Texte intégralWlodarczyk, Radoslaw Stanislaw. « Surface structure predictions and development of global exploration tools ». Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät, 2015. http://dx.doi.org/10.18452/17207.
Texte intégralThis work is a contribution in the field of theoretical chemistry and surface science. The joint computational and experimental studies investigated the atomic structure of ultrathin silica and iron-doped silica films formed on the Ru(0001) surface and water films formed on the MgO(001) surface. The atomic structure models were obtained using either the educated guess approach or the genetic algorithm that was designed and implemented within the DoDo package. The properties simulated for the resulting models are in a very good agreement with the experimental data (scanning tunnelling microscopy, infrared spectroscopy). The successful structure determination using the DoDo program shows that the genetic algorithm technique is capable of systematic and extensive exploration of the energy landscapes for 2D-periodic systems.
Grinter, D. C. « Surface studies of metal oxide catalysts and ultrathin films ». Thesis, University College London (University of London), 2011. http://discovery.ucl.ac.uk/1334452/.
Texte intégralBayat, Alireza [Verfasser]. « Composition and geometric structure of ultrathin oxide films / Alireza Bayat ». Halle, 2018. http://d-nb.info/1175950572/34.
Texte intégralGarza, Michelle. « Reactivity of Oxide Surfaces and Metal-Oxide Interfaces : Effects of Water Vapor Pressure on Ultrathin Aluminum Oxide Films, and Studies of Platinum Growth Modes on Ultrathin Oxide Films and Their Effects on Adhesion ». Thesis, University of North Texas, 2004. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc4517/.
Texte intégralVarga, P., M. Schmid, S. Muto, K. Tatsumi, T. Matsui, D. Tajima et J. Yuhara. « Growth and structure of an ultrathin tin oxide film on Rh (111) ». AIP Publishing, 2011. http://hdl.handle.net/2237/20826.
Texte intégralMihaychuk, James Gordon. « Nonlinear optical studies of multiphoton photoemission in silicon covered by ultrathin oxide films ». Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1998. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk2/tape15/PQDD_0013/NQ35250.pdf.
Texte intégralMartynova, Yulia [Verfasser], et Reinhard [Akademischer Betreuer] Schomäcker. « CO oxidation on metal supported ultrathin oxide films / Yulia Martynova. Betreuer : Reinhard Schomäcker ». Berlin : Universitätsbibliothek der Technischen Universität Berlin, 2013. http://d-nb.info/1035767384/34.
Texte intégralLivres sur le sujet "Ultrathin oxides"
1939-, King D. A., et Woodruff D. P, dir. Growth and properties of ultrathin epitaxial layers. Amsterdam : Elsevier, 1997.
Trouver le texte intégralPacchioni, Gianfranco, et Sergio Valeri, dir. Oxide Ultrathin Films. Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527640171.
Texte intégralFrei, Heinz, et Daniel Esposito, dir. Ultrathin Oxide Layers for Solar and Electrocatalytic Systems. Cambridge : Royal Society of Chemistry, 2022. http://dx.doi.org/10.1039/9781839163708.
Texte intégralPacchioni, Gianfranco, et Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films : Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Trouver le texte intégralPacchioni, Gianfranco, et Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films : Science and Technology. Wiley & Sons, Limited, John, 2012.
Trouver le texte intégralPacchioni, Gianfranco, et Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films : Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Trouver le texte intégralPacchioni, Gianfranco, et Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films : Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Trouver le texte intégralPacchioni, Gianfranco, et Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films : Science and Technology. Wiley-VCH Verlag GmbH, 2011.
Trouver le texte intégral(Editor), D. A. King, et D. P. Woodruff (Editor), dir. Oxide Surfaces - The Chemical Physics of Solid Surfaces : Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers. Elsevier Science Pub Co, 1997.
Trouver le texte intégralFrei, Heinz, et Daniel Esposito. Ultrathin Oxide Layers for Solar and Electrocatalytic Systems. Royal Society of Chemistry, The, 2022.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Ultrathin oxides"
Giordano, Livia, et Gianfranco Pacchioni. « Unusual Properties of Oxides and Other Insulators in the Ultrathin Limit ». Dans Oxide Ultrathin Films, 75–100. Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2012. http://dx.doi.org/10.1002/9783527640171.ch4.
Texte intégralLuches, Paola, et Sergio D’Addato. « Reducible Oxides as Ultrathin Epitaxial Films ». Dans Oxide Materials at the Two-Dimensional Limit, 119–48. Cham : Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-28332-6_4.
Texte intégralPalmstrom, A. F., et M. O. Reese. « Chapter 3. Ultrathin Oxides for Solar Cells ». Dans Energy and Environment Series, 27–69. Cambridge : Royal Society of Chemistry, 2022. http://dx.doi.org/10.1039/9781839163708-00027.
Texte intégralLi, Qi, et H. S. Wang. « Strain and Magnetoresistance Anisotropy of PR0.7SR0.3MNO3 Ultrathin Films ». Dans Nano-Crystalline and Thin Film Magnetic Oxides, 133–44. Dordrecht : Springer Netherlands, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-4493-3_9.
Texte intégralAkbari, Mohammad Karbalaei, et Serge Zhuiykov. « Self-Limiting Two-Dimensional Surface Oxides of Liquid Metals ». Dans Ultrathin Two-Dimensional Semiconductors for Novel Electronic Applications, 79–110. First edition. | Boca Raton, FL : CRC Press, 2020. : CRC Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1201/9780429316784-3.
Texte intégralTerashima, T., K. Shimura, Y. Bando, Y. Matsuda, A. Fujiyama et S. Komiyama. « Ultrathin Films and Superlattices of High Temperature Superconducting Oxides ». Dans Springer Proceedings in Physics, 25–31. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-77154-5_3.
Texte intégralHattori, Takeo. « Surface, Interface and Valence Band of Ultra-Thin Silicon Oxides ». Dans Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 241–56. Dordrecht : Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_17.
Texte intégralHirose, M., W. Mizubayashi, K. Morino, M. Fukuda et S. Miyazaki. « Tunneling Transport and Reliability Evaluation in Extremely Thin Gate Oxides ». Dans Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 315–24. Dordrecht : Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_22.
Texte intégralMeda, L., et G. F. Cerofolini. « Local Tunnel Emission Assisted by Inclusions Contained in Buried Oxides ». Dans Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 493–502. Dordrecht : Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_37.
Texte intégralLu, Z. H. « Synchrotron and Conventional Photoemission Studies of Oxides and N20 Oxynitrides ». Dans Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 49–63. Dordrecht : Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_4.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Ultrathin oxides"
Hirose, M., W. Mizubayashi, M. Fukuda et S. Miyazaki. « Characterization of ultrathin gate oxides for advanced MOSFETs ». Dans CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR ULSI TECHNOLOGY. ASCE, 1998. http://dx.doi.org/10.1063/1.56852.
Texte intégralMizubayashi, Wataru, Hiroshi Itokawa, Seiichi Miyazaki et Masataka Hirose. « Modeling of Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides ». Dans 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1999. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1999.a-10-2.
Texte intégralMizubayashi, W., Y. Yoshida, M. Narasaki, S. Miyazaki et M. Hirose. « Temperature-Dependent Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides ». Dans 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2000. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2000.b-6-3.
Texte intégralLin, H. C., M. F. Wang, C. C. Chen, S. K. Hsien, C. H. Chien, T. Y. Huang, C. Y. Chang et T. S. Chao. « Characterization of plasma charging damage in ultrathin gate oxides ». Dans 1998 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 36th Annual. IEEE, 1998. http://dx.doi.org/10.1109/relphy.1998.670662.
Texte intégralJoshi, Atul B., G. Q. Lo, J. Ahn, Windsor Ting et Dim-Lee Kwong. « Chemically modified ultrathin oxides fabricated by rapid thermal processing ». Dans Rapid thermal and Integrated Processing, sous la direction de Mehrdad M. Moslehi, Rajendra Singh et Dim-Lee Kwong. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56674.
Texte intégralMoon, Dae Won, Hyun Kyong Kim, Hwack Joo Lee, Yong Jai Cho et Hyun Mo Cho. « Thickness evaluation of ultrathin gate oxides at the limit ». Dans CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR ULSI TECHNOLOGY. ASCE, 1998. http://dx.doi.org/10.1063/1.56794.
Texte intégralHattangady, Sunil, D. T. Grider, Robert Kraft, Wei-Tsun Shiau, Monte A. Douglas, P. Nicollian, Mark Rodder et al. « Remote plasma nitrided oxides for ultrathin gate dielectric applications ». Dans Microelectronic Manufacturing, sous la direction de David Burnett, Dirk Wristers et Toshiaki Tsuchiya. SPIE, 1998. http://dx.doi.org/10.1117/12.323956.
Texte intégralField, Alan H. « Process monitoring of ultrathin oxides using surface charge analysis ». Dans Microelectronic Manufacturing, sous la direction de Damon K. DeBusk et Sergio A. Ajuria. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.284682.
Texte intégralSytchkova, A., D. Zola, M. L. Grilli, A. Piegari, M. Fang, H. He et J. Shao. « Interface plasmonic properties of silver coated by ultrathin metal oxides ». Dans SPIE Optical Systems Design, sous la direction de Michel Lequime, H. Angus Macleod et Detlev Ristau. SPIE, 2011. http://dx.doi.org/10.1117/12.896769.
Texte intégralNishioka, Yasushiro, Kenji Namba, Mieko Matsumura, Tomoyuki Sakoda, Yoshinao Kumagai, Tadahiro Komeda, Hikaru Kobayashi, Tyuji Hoshino, Atsushi Ando et Kazushi Miki. « Surface Preparation, Growth, and Interface Control of Ultrathin Gate Oxides ». Dans 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1998. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1998.b-4-2.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Ultrathin oxides"
Ludeke, R. Spatially Resolved Transport Studies and Microscopy of Ultrathin Metal-Oxide-Semiconductor Structures. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, août 1997. http://dx.doi.org/10.21236/ada329531.
Texte intégral