Articles de revues sur le sujet « ULTRA LOW POWER DIODE »
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Liu, Hai Rui, et Jun Sheng Yu. « Characterization of Metal-Semiconductor Schottky Diodes and Application on THz Detection ». Advanced Materials Research 683 (avril 2013) : 729–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.683.729.
Texte intégralLevacq, David, Vincent Dessard et Denis Flandre. « Low Leakage SOI CMOS Static Memory Cell With Ultra-Low Power Diode ». IEEE Journal of Solid-State Circuits 42, no 3 (mars 2007) : 689–702. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2006.891494.
Texte intégralSchwarz, Mike, Alexander Kloes et Denis Flandre. « Temperature-dependent performance of Schottky-Barrier FET ultra-low-power diode ». Solid-State Electronics 184 (octobre 2021) : 108124. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108124.
Texte intégralLin, Ling, Zhong Tang, Nianxiong Tan et Xiaohui Xiao. « Power Management in Low-Power MCUs for Energy IoT Applications ». Journal of Sensors 2020 (14 décembre 2020) : 1–12. http://dx.doi.org/10.1155/2020/8819236.
Texte intégralAzevedo, Eduardo, Andressa Silva, Raquel Martins, Monica L. Andersen, Sergio Tufik et Gilberto M. Manzano. « Activation of C-fiber nociceptors by low-power diode laser ». Arquivos de Neuro-Psiquiatria 74, no 3 (mars 2016) : 223–27. http://dx.doi.org/10.1590/0004-282x20160018.
Texte intégralFernandes, Ricardo Dias, João Nuno Matos et Nuno Borges Carvalho. « Low‐power ultra‐wide band pulse generator based on a PIN diode ». IET Microwaves, Antennas & ; Propagation 9, no 11 (août 2015) : 1230–32. http://dx.doi.org/10.1049/iet-map.2014.0491.
Texte intégralKhindria, Ishita, Kashika Hingorani et Vandana Niranjan. « Low Power ALU using Wave Shaping Diode Adiabatic Logic ». Indian Journal of VLSI Design 2, no 2 (30 septembre 2022) : 1–4. http://dx.doi.org/10.54105/ijvlsid.d1209.091422.
Texte intégralChang, Yi Tsun, Yu Da Shiau, Po Chun Wu, Ren Hao Xue et Po Yu Cheng. « LDO of High Power Supply Rejection with Two-Stage Error Amplifiers and Buffer Compensation ». Advanced Materials Research 989-994 (juillet 2014) : 3236–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.989-994.3236.
Texte intégralMatys, Maciej, Kazuki Kitagawa, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Jun Suda et Tetsu Kachi. « Mg-implanted vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers with low on resistance, low turn-on voltage, and nearly ideal nondestructive breakdown voltage ». Applied Physics Letters 121, no 20 (14 novembre 2022) : 203507. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106321.
Texte intégralWang, Yunzhen, Shengxi Diao, Fujiang Lin et Haiquan Yuan. « An Ultra-Low Power Subthreshold CMOS RSSI for Wake-Up Receiver ». Journal of Circuits, Systems and Computers 25, no 08 (17 mai 2016) : 1650090. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126616500900.
Texte intégralLi, R. N., S. T. Jia, D. Bloch et M. Ducloy. « Frequency-stabilization of a diode laser with ultra-low power through linear selective reflection ». Optics Communications 146, no 1-6 (janvier 1998) : 186–88. http://dx.doi.org/10.1016/s0030-4018(97)00478-1.
Texte intégralMatsumoto, Kaori, Hiroki Asano, Yuichiro Nakazawa, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto et Tetsuya Hirose. « An 11.8 nA ultra-low power active diode using a hysteresis common gate comparator for low-power energy harvesting systems ». IEICE Electronics Express 17, no 11 (10 juin 2020) : 20200103. http://dx.doi.org/10.1587/elex.17.20200103.
Texte intégralWagih, Mahmoud, Alex S. Weddell et Steve Beeby. « Powering E-Textiles Using a Single Thread Radio Frequency Energy Harvesting Rectenna ». Proceedings 68, no 1 (25 janvier 2021) : 16. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2021068016.
Texte intégralGarcia-Garcia, Joan J. « Considerations for the Design and Implementation of Ambient RF Signal Rectifiers in the 2.45 GHz WiFi Band ». Applied Sciences 12, no 15 (5 août 2022) : 7884. http://dx.doi.org/10.3390/app12157884.
Texte intégralGoto, Taiga, Takuma Shirai, Akira Tokuchi, Takashi Naito, Kenji Fukuda et Noriyuki Iwamuro. « Experimental Demonstration on Ultra High Voltage and High Speed 4H-SiC DSRD with Smaller Numbers of Die Stacks for Pulse Power ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 858–61. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.858.
Texte intégralLiu, Yuewei, Ruixia Yang, Yongwei Wang, Zhiguo Zhang et Xiaochuan Deng. « Theoretical and Experimental Study of 13.4 kV/55 A SiC PiN Diodes with an Improved Trade-Off between Blocking Voltage and Differential On-Resistance ». Materials 12, no 24 (12 décembre 2019) : 4186. http://dx.doi.org/10.3390/ma12244186.
Texte intégralAziz, Jamal, Honggyun Kim et Deok-Kee Kim. « (Digital Presentation) Power Efficient Transistors with Low Subthreshold Swing Using Abrupt Switching Devices ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 35 (9 octobre 2022) : 1283. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351283mtgabs.
Texte intégralDe Souza, Michelly, Bertrand Rue, Denis Flandre et Marcelo A. Pavanello. « Performance of Ultra-Low-Power SOI CMOS Diodes Operating at Low Temperatures ». ECS Transactions 35, no 5 (16 décembre 2019) : 325–30. http://dx.doi.org/10.1149/1.3570813.
Texte intégralSanadhya, Minakshi, et Devendra Kumar Sharma. « Low power architecture of logic gates using adiabatic techniques ». Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science 25, no 2 (1 février 2022) : 805. http://dx.doi.org/10.11591/ijeecs.v25.i2.pp805-813.
Texte intégralAlgamluoli, Ammar Falah, et Xiaohua Wu. « A New Single-Cell Hybrid Inductor-Capacitor DC-DC Converter for Ultra-High Voltage Gain in Renewable Energy Applications ». Electronics 12, no 14 (17 juillet 2023) : 3101. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12143101.
Texte intégralMoghaddam, Majid, Mohammad Hossein Moaiyeri, Mohammad Eshghi et Ali Jalali. « A Low-Power Multiplier Using an Efficient Single-Supply Voltage Level Converter ». Journal of Circuits, Systems and Computers 24, no 08 (12 août 2015) : 1550124. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126615501248.
Texte intégralCho, Kunhee. « An Ultra-Low Quiescent Current Under-Voltage Lockout Circuit for a High-Voltage Gate Driver IC ». Electronics 9, no 10 (20 octobre 2020) : 1729. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101729.
Texte intégralArahira, S., N. Mineo, K. Tachibana et Y. Ogawa. « 40 GHz hybrid modelocked laser diode module operated at ultra-low RF power with impedance-matching circuit ». Electronics Letters 39, no 3 (2003) : 287. http://dx.doi.org/10.1049/el:20030215.
Texte intégralMan, Jia-Xiu, Jun-Tao Hu, Deng-Ke Wang, Shou-Jie He et Zheng-Hong Lu. « Ytterbium oxide electron injection interface in organic light-emitting diode ». Applied Physics Letters 120, no 12 (21 mars 2022) : 121101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0084140.
Texte intégralCenturelli, Francesco, Riccardo Della Sala, Pietro Monsurrò, Giuseppe Scotti et Alessandro Trifiletti. « A Tree-Based Architecture for High-Performance Ultra-Low-Voltage Amplifiers ». Journal of Low Power Electronics and Applications 12, no 1 (17 février 2022) : 12. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea12010012.
Texte intégralZhang, Xiao Feng, Fo Chang Xie, Guo Wei Yang et Wei Zhang. « The Transceiver Circuit Design of Digital Ultrasonic System ». Advanced Materials Research 834-836 (octobre 2013) : 968–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.834-836.968.
Texte intégralLi, Ning, Kevin Han, William Spratt, Stephen Bedell, John Ott, Marinus Hopstaken, Frank Libsch, Qinglong Li et Devendra Sadana. « Ultra-low-power sub-photon-voltage high-efficiency light-emitting diodes ». Nature Photonics 13, no 9 (17 juin 2019) : 588–92. http://dx.doi.org/10.1038/s41566-019-0463-x.
Texte intégralSarker, Mahidur R., Azah Mohamed et Ramizi Mohamed. « Modelling and Simulation an AC-DC Rectifier Circuit Based on Piezoelectric Vibration Sensor for Energy Harvesting System ». Applied Mechanics and Materials 785 (août 2015) : 131–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.785.131.
Texte intégralTekin, Serdar B., Saeed Almalki, Andrea Vezzoli, Liam O’Brien, Steve Hall, Paul R. Chalker et Ivona Z. Mitrovic. « (Digital Presentation) Optimization of MIM Rectifiers for Terahertz Rectennas ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 19 (7 juillet 2022) : 1076. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191076mtgabs.
Texte intégralLi, Xiaokang, Wenxing Liu, Kai Chen, Chunyu Yu, Xiaoyang Xia, Guojun Liu et Liang Zhou. « Very bright and efficient ITO-free narrow-spectrum micro-cavity top-emitting organic light-emitting diodes with low operation voltage ». Journal of Materials Chemistry C 10, no 8 (2022) : 3241–47. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc05697b.
Texte intégralAbdelnour, Abanob, Antonio Lazaro, Ramón Villarino, Darine Kaddour, Smail Tedjini et David Girbau. « Passive Harmonic RFID System for Buried Assets Localization ». Sensors 18, no 11 (26 octobre 2018) : 3635. http://dx.doi.org/10.3390/s18113635.
Texte intégralLima, Elessandro Váguino de, Cristina Pacheco-Soares et Newton Soares da Silva. « Photobiomodulation assay of muscle cells C2C12 after irradiation with LED device ». Research, Society and Development 11, no 6 (2 mai 2022) : e41511628884. http://dx.doi.org/10.33448/rsd-v11i6.28884.
Texte intégralSundaresan, Siddarth G., Charles Sturdevant, H. Issa, Madhuri Marripelly, Eric Lieser et R. Singh. « Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier Co-Packs and SiC JBS Rectifiers Offering Superior Surge Current Capability and Reduced Power Losses ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 945–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.945.
Texte intégralAftab, Sikandar, Muhammad Waqas Iqbal, Amir Muhammad Afzal, M. Farooq Khan, Ghulam Hussain, Hafiza Sumaira Waheed et Muhammad Arshad Kamran. « Formation of an MoTe2 based Schottky junction employing ultra-low and high resistive metal contacts ». RSC Advances 9, no 18 (2019) : 10017–23. http://dx.doi.org/10.1039/c8ra09656b.
Texte intégralMalajner, Marko, Danijel Šipoš et Dušan Gleich. « Design of a Low-Cost Ultra-Wide-Band Radar Platform ». Sensors 20, no 10 (18 mai 2020) : 2867. http://dx.doi.org/10.3390/s20102867.
Texte intégralSrinivasulu, Avireni, et Madugula Rajesh. « ULPD and CPTL Pull-Up Stages for Differential Cascode Voltage Switch Logic ». Journal of Engineering 2013 (2013) : 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2013/595296.
Texte intégralHashimoto, Takuma, Hikaru Nekozuka, Yoshitaka Toeda, Masayuki Otani, Yasuhiko Fukuoka et Toru Tanzawa. « A −31.7 dBm Sensitivity 0.011 mm2 CMOS On-Chip Rectifier for Microwave Wireless Power Transfer ». Electronics 12, no 6 (15 mars 2023) : 1400. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12061400.
Texte intégralShahroury, Fadi R., Hani H. Ahmad et Ibrahim Abuishmais. « Design Aspects of a Single-Output Multi-String WLED Driver Using 40 nm CMOS Technology ». Journal of Low Power Electronics and Applications 12, no 1 (18 janvier 2022) : 5. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea12010005.
Texte intégralUeda, Ken-Ichi. « Present status and prospect of KrF laser physics and technology–large volume excitation and UV optics ». Laser and Particle Beams 7, no 3 (août 1989) : 375–82. http://dx.doi.org/10.1017/s0263034600007333.
Texte intégralEl Boutahiri, Abdelali, Mounir Ouremchi, Ahmed Rahali, Mustapha El Alaoui, Fouad Farah, Karim El khadiri, Ahmed Tahiri et Hassan Qjidaa. « Design of new power generating circuit for passive UHF RFID tag ». International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 10, no 3 (1 septembre 2019) : 1389. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v10.i3.pp1389-1397.
Texte intégralKong, Moufu, Zewei Hu, Ronghe Yan, Bo Yi, Bingke Zhang et Hongqiang Yang. « A novel SiC high-k superjunction power MOSFET integrated Schottky barrier diode with improved forward and reverse performance ». Journal of Semiconductors 44, no 5 (1 mai 2023) : 052801. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/44/5/052801.
Texte intégralMilinčić, Danijel D., Nemanja S. Stanisavljević, Aleksandar Ž. Kostić, Uroš M. Gašić, Slađana P. Stanojević, Živoslav Lj Tešić et Mirjana B. Pešić. « Bioaccessibility of Phenolic Compounds and Antioxidant Properties of Goat-Milk Powder Fortified with Grape-Pomace-Seed Extract after In Vitro Gastrointestinal Digestion ». Antioxidants 11, no 11 (31 octobre 2022) : 2164. http://dx.doi.org/10.3390/antiox11112164.
Texte intégralBöttcher, Lars, S. Karaszkiewicz, D. Manessis, Eckart Hoene et A. Ostmann. « Next Generation High Power Electronic Modules Based on Embedded Power Semiconductors ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, DPC (1 janvier 2014) : 000694–719. http://dx.doi.org/10.4071/2014dpc-tp12.
Texte intégralPalazzi, Valentina, Luca Roselli, Manos M. Tentzeris, Paolo Mezzanotte et Federico Alimenti. « Energy-Efficient Harmonic Transponder Based on On-Off Keying Modulation for Both Identification and Sensing ». Sensors 22, no 2 (14 janvier 2022) : 620. http://dx.doi.org/10.3390/s22020620.
Texte intégralLi, Lingfeng, Hao Gu, Yanzhen Lv, Yunjing Zhang, Xingli He et Peng Li. « Ultra-Fast Polarity Switching, Non-Radioactive Drift Tube for the Miniaturization of Drift-Time Ion Mobility Spectrometer ». Sensors 22, no 13 (27 juin 2022) : 4866. http://dx.doi.org/10.3390/s22134866.
Texte intégralFaizan, Muhammad, Xiaolei Wang et Muhammad Zain Yousaf. « Design and Comparative Analysis of an Ultra-Highly Efficient, Compact Half-Bridge LLC Resonant GaN Converter for Low-Power Applications ». Electronics 12, no 13 (28 juin 2023) : 2850. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12132850.
Texte intégralUoosefian, Hamidreza, Keivan Navi, Reza Faghih Mirzaee et Mahdi Hosseinzadeh. « High-Performance CML approximate full adders for image processing application of laplace transform ». Circuit World 46, no 4 (6 avril 2020) : 285–99. http://dx.doi.org/10.1108/cw-12-2018-0106.
Texte intégralRemigy, Alice, Salima Kasri, Thibault Darny, Hiba Kabbara, Ludovic William, Gérard Bauville, Kristaq Gazeli et al. « Cross-comparison of diagnostic and 0D modeling of a micro-hollow cathode discharge in the stationary regime in an Ar/N2 gas mixture ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 10 (6 décembre 2021) : 105202. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3c74.
Texte intégralJin, Renfeng, Subrata Halder, Walter R. Curtice, James C. M. Hwang et Choi L. Law. « Sub-Nanosecond Greater-Than-10-V Compact Tunable Pulse Generator for Low-Duty-Cycle High-Peak-Power Ultra-Wideband Applications ». Active and Passive Electronic Components 2011 (2011) : 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2011/871474.
Texte intégralHao, Lili, Rui Chang, Xiaokai Hou, Jun He et Junmin Wang. « Narrow-Linewidth 852-nm DBR-LD with Self-Injection Lock Based on High-Finesse Optical Cavity Filtering ». Photonics 10, no 8 (16 août 2023) : 936. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10080936.
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