Articles de revues sur le sujet « Ultra Low Power CMOS RF »
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Jin, Jie, Xianming Wu et Zhijun Li. « Ultra low power mixer with out-of-band RF energy harvesting for wireless sensor networks applications ». Engineering review 40, no 1 (27 janvier 2020) : 1–6. http://dx.doi.org/10.30765/er.40.1.01.
Texte intégralLa Rosa, Roberto, Danilo Demarchi, Sandro Carrara et Catherine Dehollain. « High-Efficiency Reconfigurable CMOS RF-to-DC Converter System for Ultra-Low-Power Wireless Sensor Nodes with Efficient MPPT Circuitry ». Chips 3, no 1 (12 mars 2024) : 49–68. http://dx.doi.org/10.3390/chips3010003.
Texte intégralTan, Gim Heng, Roslina Mohd Sidek, Harikrishnan Ramiah, Wei Keat Chong et De Xing Lioe. « Ultra-Low-Voltage CMOS-Based Current Bleeding Mixer with High LO-RF Isolation ». Scientific World Journal 2014 (2014) : 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2014/163414.
Texte intégralHaddad, Fayrouz, Wenceslas Rahajandraibe et Imen Ghorbel. « RF CMOS Oscillators Design for autonomous Connected Objects ». E3S Web of Conferences 88 (2019) : 05001. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/20198805001.
Texte intégralTaris, Thierry, Jennifer Desevedavy, Frederic Hameau, Patrick Audebert et Dominique Morche. « Inductorless Multi-Mode RF-CMOS Low Noise Amplifier Dedicated to Ultra Low Power Applications ». IEEE Access 9 (2021) : 83431–40. http://dx.doi.org/10.1109/access.2021.3085990.
Texte intégralFenni, S. ,., F. Haddad, A. ,. Slimane, R. ,. Touhami et W. Rahajandraibe. « Design of Monolithic RF CMOS Sub-mW Self-Oscillating-Mixers ». WSEAS TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS 22 (21 avril 2023) : 23–27. http://dx.doi.org/10.37394/23201.2023.22.4.
Texte intégralHuang, Shuigen, Min Lin, Zongkun Zhou et Xiaoyun Li. « An ultra-low-power 2.4 GHz RF receiver in CMOS 55 nm process ». IEICE Electronics Express 15, no 5 (2018) : 20180016. http://dx.doi.org/10.1587/elex.15.20180016.
Texte intégralMurad, S. A. Z., Muhammad M. Ramli, A. Azizan, M. N. M. Yasin et I. S. Ishak. « Ultra-Low Power CMOS RF Mixer for Wireless Sensor Networks Application : A Review ». MATEC Web of Conferences 97 (2017) : 01037. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/20179701037.
Texte intégralJayamon, Ashik C., Ankur Mukherjee, Sai Chandra Teja R. et Ashudeb Dutta. « High-efficiency CMOS charge pump for ultra-low power RF energy harvesting applications ». Integration 96 (mai 2024) : 102161. http://dx.doi.org/10.1016/j.vlsi.2024.102161.
Texte intégralAkhter, Muhammad Ovais, et Najam Muhammad Amin. « Design and Optimization of 2.1 mW ULP Doherty Power Amplifier with Interstage Capacitances Using 65 nm CMOS Technology ». Mathematical Problems in Engineering 2021 (19 novembre 2021) : 1–12. http://dx.doi.org/10.1155/2021/3364016.
Texte intégralHashimoto, Takuma, Hikaru Nekozuka, Yoshitaka Toeda, Masayuki Otani, Yasuhiko Fukuoka et Toru Tanzawa. « A −31.7 dBm Sensitivity 0.011 mm2 CMOS On-Chip Rectifier for Microwave Wireless Power Transfer ». Electronics 12, no 6 (15 mars 2023) : 1400. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12061400.
Texte intégralSen, Dipanjan, Savio J. Sengupta, Swarnil Roy, Manash Chanda et Subir K. Sarkar. « Analytical Modeling of D.C. Parameters of Double Gate Junctionless MOSFET in Near and Subthreshold Regime for RF Circuit Application ». Nanoscience & ; Nanotechnology-Asia 10, no 4 (26 août 2020) : 457–70. http://dx.doi.org/10.2174/2210681209666190730170031.
Texte intégralGhosh, Sumalya, Bishnu Prasad De, K. B. Maji, R. Kar, D. Mandal et A. K. Mal. « Optimal Design of Ultra-Low-Power 2.4 GHz LNA for IEEE 802.15.4/Bluetooth Applications ». Journal of Circuits, Systems and Computers 29, no 16 (30 juin 2020) : 2050261. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620502618.
Texte intégralLiu, Lian-xi, Jun-chao Mu, Ning Ma, Wei Tu, Zhang-ming Zhu et Yin-tang Yang. « An Ultra-Low-Power Integrated RF Energy Harvesting System in 65-nm CMOS Process ». Circuits, Systems, and Signal Processing 35, no 2 (3 juin 2015) : 421–41. http://dx.doi.org/10.1007/s00034-015-0092-7.
Texte intégralNikseresht, Sasan, Daniel Fernández, Jordi Cosp-Vilella, Irina Selin-Lorenzo et Jordi Madrenas. « CMOS Wireless Hybrid Transceiver Powered by Integrated Photodiodes for Ultra-Low-Power IoT Applications ». Electronics 13, no 1 (20 décembre 2023) : 28. http://dx.doi.org/10.3390/electronics13010028.
Texte intégralAspemyr, L., et D. Linten. « An Ultra Low Voltage, Low Power, Fully Integrated VCO for GPS in 90 nm RF-CMOS ». Analog Integrated Circuits and Signal Processing 46, no 1 (14 décembre 2005) : 57–63. http://dx.doi.org/10.1007/s10470-005-4077-5.
Texte intégralChen, Ethan, et Vanessa Chen. « Statistical RF/Analog Integrated Circuit Design Using Combinatorial Randomness for Hardware Security Applications ». Mathematics 8, no 5 (20 mai 2020) : 829. http://dx.doi.org/10.3390/math8050829.
Texte intégralAl-Shidaifat, AlaaDdin, Sandeep Kumar, Shubhro Chakrabartty et Hanjung Song. « A Conceptual Investigation at the Interface between Wireless Power Devices and CMOS Neuron IC for Retinal Image Acquisition ». Applied Sciences 10, no 18 (4 septembre 2020) : 6154. http://dx.doi.org/10.3390/app10186154.
Texte intégralMoraes Junior, Tarcisio Oliveira, Raimundo Carlos Silvério Freire et Cleonilson Protásio de Souza. « A High-Efficiency CMOS Rectifier for RF Using Bulk Biasing Control Circuit ». Journal of Integrated Circuits and Systems 13, no 2 (4 octobre 2018) : 1–6. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v13i2.35.
Texte intégralHan, Peiqing, Zhaofeng Zhang, Yajun Xia et Niansong Mei. « A 920-MHz Dual-Mode Receiver with Energy Harvesting for UHF RFID Tag and IoT ». Electronics 9, no 6 (24 juin 2020) : 1042. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061042.
Texte intégralRehman, Muhammad Riaz Ur, Imran Ali, Danial Khan, Muhammad Asif, Pervesh Kumar, Seong Jin Oh, Young Gun Pu et al. « A Design of Adaptive Control and Communication Protocol for SWIPT System in 180 nm CMOS Process for Sensor Applications ». Sensors 21, no 3 (27 janvier 2021) : 848. http://dx.doi.org/10.3390/s21030848.
Texte intégralKim, Jihoon. « A Wideband and Low-Power Distributed Cascode Mixer Using Inductive Feedback ». Sensors 22, no 22 (21 novembre 2022) : 9022. http://dx.doi.org/10.3390/s22229022.
Texte intégralLysenko, Igor, Alexey Tkachenko, Elena Sherova et Alexander Nikitin. « Analytical Approach in the Development of RF MEMS Switches ». Electronics 7, no 12 (10 décembre 2018) : 415. http://dx.doi.org/10.3390/electronics7120415.
Texte intégralRui Xu et Cam Nguyen. « An Ultra-Wideband Low Power-Consumption Low Noise-Figure High-Gain RF Power-Efficient DC–3.5-GHz CMOS Integrated Sampling Mixer Subsystem ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 56, no 5 (mai 2008) : 1069–75. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2008.920163.
Texte intégralKhaleel, Farooq A., et Mohammed Nadhim Abbas. « Ultra low power and highly linearized LNA for V-band RF applications in 180 nm CMOS technology ». IEICE Electronics Express 14, no 5 (2017) : 20170066. http://dx.doi.org/10.1587/elex.14.20170066.
Texte intégralSeethur, Rashmi, Siva Yellampalli et Shreedhar H. K. « Design of Common Gate Current-Reuse Noise Cancellation UWB Low Noise Amplifier in 90nm CMOS ». International Journal of Electronics, Communications, and Measurement Engineering 11, no 1 (1 janvier 2022) : 1–14. http://dx.doi.org/10.4018/ijecme.312257.
Texte intégralZhang, Zhihao, Jing Li, Lin Peng et Bo Sun. « Multi-Band Power Amplifier Module with Back-Off Efficiency Improvement using Ultra-Compact 3D Vertical Stack Multi-Chip Package for Cellular Handsets ». Micromachines 13, no 11 (15 novembre 2022) : 1976. http://dx.doi.org/10.3390/mi13111976.
Texte intégralLee, Yongho, Shinil Chang, Jungah Kim et Hyunchol Shin. « A CMOS RF Receiver with Improved Resilience to OFDM-Induced Second-Order Intermodulation Distortion for MedRadio Biomedical Devices and Sensors ». Sensors 21, no 16 (5 août 2021) : 5303. http://dx.doi.org/10.3390/s21165303.
Texte intégralSiddiqui, Muhammad Faisal, Mukesh Kumar Maheshwari, Muhammad Raza et Aurangzeb Rashid Masud. « Design and Optimization of an Ultra-Low-Power Cross-Coupled LC VCO with a DFF Frequency Divider for 2.4 GHz RF Receivers Using 65 nm CMOS Technology ». Journal of Low Power Electronics and Applications 13, no 4 (7 octobre 2023) : 54. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea13040054.
Texte intégralTu, Cheng, Zhao-Qiang Chu, Benjamin Spetzler, Patrick Hayes, Cun-Zheng Dong, Xian-Feng Liang, Huai-Hao Chen et al. « Mechanical-Resonance-Enhanced Thin-Film Magnetoelectric Heterostructures for Magnetometers, Mechanical Antennas, Tunable RF Inductors, and Filters ». Materials 12, no 14 (13 juillet 2019) : 2259. http://dx.doi.org/10.3390/ma12142259.
Texte intégralTrojman, Lionel, Eduardo Holguin, Marco Villegas, Luis-Miguel Procel et Ramiro Taco. « From 32 nm to TFET Technology : New Perspectives for Ultra-Scaled RF-DC Multiplier Circuits ». Electronics 11, no 4 (10 février 2022) : 525. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11040525.
Texte intégralPekarik, Jack, Vibhor Jain, Crystal Kenney, Judson Holt, Shweta Khokale, Sudesh Saroop, Jeffrey Johnson et al. « Challenges for Sige Bicmos in Advanced-Node SOI ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 32 (9 octobre 2022) : 1196. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321196mtgabs.
Texte intégralLee, Yao-Jen, Shu-Wei Chang, Wen-Hsi Lee et Yeong-Her Wang. « (Invited, Digital Presentation) Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3D Integration ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 35 (9 octobre 2022) : 1289. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351289mtgabs.
Texte intégralLamy, Yann, Florian Dupont, Guillaume Rodriguez, Messaoud Bedjaoui, Pierre Perreau, Marie Bousquet, Alexandre Reinhardt et Sami Oukassi. « (Invited) Lithium-Based Components Integrated on Silicon : Disruptive, Promising and Credible Solutions for 5G & ; Beyond ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 29 (7 juillet 2022) : 1286. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01291286mtgabs.
Texte intégralKunert, Bernardette, Yves Mols, Reynald Alcotte, Peter Swekis, Sachin Yadav, Abhitosh Vais, Annie Kumar et al. « (Invited) Integration of InP Heterojunction Bipolar Transistors on Silicon Substrates for 6G Networks ». ECS Meeting Abstracts MA2023-01, no 33 (28 août 2023) : 1852. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01331852mtgabs.
Texte intégralSteyaert, M. S. J., B. De Muer, P. Leroux, M. Borremans et K. Mertens. « Low-voltage low-power CMOS-RF transceiver design ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 50, no 1 (2002) : 281–87. http://dx.doi.org/10.1109/22.981281.
Texte intégralSalama, Mohammed K., et Ahmed M. Soliman. « Low-voltage low-power CMOS RF low noise amplifier ». AEU - International Journal of Electronics and Communications 63, no 6 (juin 2009) : 478–82. http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2008.03.007.
Texte intégralYousef, K., H. Jia, R. Pokharel, A. Allam, M. Ragab, H. Kanaya et K. Yoshida. « CMOS Ultra-Wideband Low Noise Amplifier Design ». International Journal of Microwave Science and Technology 2013 (30 avril 2013) : 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2013/328406.
Texte intégralShirazi, Amir Hossein Masnadi, et Shahriar Mirabbasi. « An ultra-low-voltage ultra-low-power CMOS active mixer ». Analog Integrated Circuits and Signal Processing 77, no 3 (8 octobre 2013) : 513–28. http://dx.doi.org/10.1007/s10470-013-0163-2.
Texte intégralSalama, Mohammed K., et Ahmed M. Soliman. « Low-Voltage Low-Power CMOS RF Four-Quadrant Multiplier ». AEU - International Journal of Electronics and Communications 57, no 1 (janvier 2003) : 74–78. http://dx.doi.org/10.1078/1434-8411-54100143.
Texte intégralKhan, Shahid. « Design of Ultra Low Power CMOS Inverter ». IJIREEICE 5, no 3 (15 mars 2017) : 55–57. http://dx.doi.org/10.17148/ijireeice.2017.5312.
Texte intégralYang, Sang-hyeok, Kyoung-bum Kim, Eung-ju Kim, Kwang-hyun Baek et Suki Kim. « An ultra low power CMOS motion detector ». IEEE Transactions on Consumer Electronics 55, no 4 (novembre 2009) : 2425–30. http://dx.doi.org/10.1109/tce.2009.5373819.
Texte intégralFERREIRA, L. H. C., T. C. PIMENTA et R. L. MORENO. « An Ultra Low-Voltage Ultra Low-Power CMOS Threshold Voltage Reference ». IEICE Transactions on Electronics E90-C, no 10 (1 octobre 2007) : 2044–50. http://dx.doi.org/10.1093/ietele/e90-c.10.2044.
Texte intégralNASEH, SASAN, et M. JAMAL DEEN. « RF CMOS RELIABILITY ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, no 04 (décembre 2001) : 1249–95. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401001088.
Texte intégralThanachayanont, A. « Low-voltage low-power high-Q CMOS RF bandpass filter ». Electronics Letters 38, no 13 (2002) : 615. http://dx.doi.org/10.1049/el:20020440.
Texte intégralSreenivasulu, Patikineti, Srinivasa Rao et Vinaya Babu. « Ultra-Low Power Designing for CMOS Sequential Circuits ». International Journal of Communications, Network and System Sciences 08, no 05 (2015) : 146–53. http://dx.doi.org/10.4236/ijcns.2015.85016.
Texte intégralDas, Jayita, Syed M. Alam et Sanjukta Bhanja. « Ultra-Low Power Hybrid CMOS-Magnetic Logic Architecture ». IEEE Transactions on Circuits and Systems I : Regular Papers 59, no 9 (septembre 2012) : 2008–16. http://dx.doi.org/10.1109/tcsi.2012.2185311.
Texte intégralZhou, Sheng-hua, Wancheng Zhang et Nan-Jian Wu. « An ultra-low power CMOS random number generator ». Solid-State Electronics 52, no 2 (février 2008) : 233–38. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2007.08.008.
Texte intégralZhou, Yijun, et Michael Yan-Wah Chia. « A Low-Power Ultra-Wideband CMOS True RMS Power Detector ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 56, no 5 (mai 2008) : 1052–58. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2008.921299.
Texte intégralWong, Sew-Kin, Fabian Kung Wai Lee, Siti Maisurah et Mohd Nizam Bin Osman. « A WIMEDIA COMPLIANT CMOS RF POWER AMPLIFIER FOR ULTRA-WIDEBAND (UWB) TRANSMITTER ». Progress In Electromagnetics Research 112 (2011) : 329–47. http://dx.doi.org/10.2528/pier10122303.
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